... characteristics The light I- V characteristics of solarcells having (a) AZO /p- type a- SiC :H and AZO/ p+ a- SiC :H /p- type a- SiC :H front interface and (b) AZO/ptype a- SiC :H and AZO /nc- Si /p- type a- SiC :H front ... (1% in H2 ) gases The intrinsic a- Si :H layer is deposited witha 60MHz very-high-frequency CVD with SiH4 and H2 gases The dilution ratios, R = H2 /SiH4, are and 0.8 for i- type a- Si :H and p- type a- SiC :H, ... a- SiC :H and AZO and shows that a large increase in the solar cell efficiency can be obtained by using nc- Si as a buffer layer In this study, no other optimizations such as optimizing the thickness...
... characteristics The light I- V characteristics of solarcells having (a) AZO /p- type a- SiC :H and AZO/ p+ a- SiC :H /p- type a- SiC :H front interface and (b) AZO/ptype a- SiC :H and AZO /nc- Si /p- type a- SiC :H front ... (1% in H2 ) gases The intrinsic a- Si :H layer is deposited witha 60MHz very-high-frequency CVD with SiH4 and H2 gases The dilution ratios, R = H2 /SiH4, are and 0.8 for i- type a- Si :H and p- type a- SiC :H, ... a- SiC :H and AZO and shows that a large increase in the solar cell efficiency can be obtained by using nc- Si as a buffer layer In this study, no other optimizations such as optimizing the thickness...
... difference between Si and metal A lightly doped emitter results in increased contact resistance between contact finger and n- Si Since the screen printed Ag metal paste forms too high potential barrier ... the first draft of the manuscript JY designed and coordinated the whole work and finalized the manuscript All authors read and approved the final manuscript Acknowledgments This work was supported ... using the selective emitter method, a barrier material can be introduced between the Ag and Si since it is difficult to get ideal ohmic contacts with an n- typesilicon substrate doped with phosphorus...
... contains another neighbor xj ∈ B in the path Since xi and xj have many common neighbors in A (much more than k), let v ∈ A be such a common neighbor which is not on the Pk (if v is an endpoint ... is constant (and hence have no significant contribution to ep (G)) By the convexity of the polynomial xp , the optimal situation is obtained by taking vertices with degree n as many as possible ... H Now assume that equality does not hold Let G be an n- vertex graph having a copy of H as a subgraph, but having no H as a subgraph, and having ep (G) = (n, H ) > (n, H) Since H is vertex-transitive,...
... Science and Engineering departments for their technical supports and advises Finally, my heartiest appreciation is to my husband for his help and support throughout my study and research which make ... material with smaller band gap is confined within a wider band gap semiconductor, while in the latter (type- II), valance band or conduction band of overcoated semiconductor is located within ... Identifying the exact reason behind the jsc and IPCE enhancement requires more detailed investigations One strategy is to measure the band edge position of NiO and sensitized NiO which is a part...
... density in a- Si :H increases strongly with doping, and this leads to an increase in interface defect density at the a- Si :H/ c-Si junction, thus to enhanced recombination anda lower Voc This finding is ... Tersoff's branching point alignment theory The principal electrical characterization tools based on capacitance and admittance measurements are presented, and the main potential problems and sources ... temperature allows handling of silicon wafers of less than 100 μm thick while maintaining a high yield In this chapter the best wafer-based homojunction and heterojunction crystalline silicon solar...
... manuscript to a journal and benefit from: Convenient online submission Rigorous peer review Immediate publication on acceptance Open access: articles freely available online High visibility within the ... measurements Comparing with the nanoparticles, nanotubes may contain less surface defects and grain boundaries The existence of surface defects can increase the charge recombination probability, which ... those of the anodes based on TiO nanoparticles was carried out, providing some insights into the performance optimization of the devised DSSCs Experimental Anodization of Ti wires Anodization...
... bonding concentration It is assumed that the hydrogen within the thin film is diffused into the silicon during the firing process and the hydrogen bonds with dangling bonds, resulting in good passivation ... deposited films is increased, enhancing the refractive index value and the deposition rate As the gas ratio, R, increases, the film thickness decreases since the nitrogen atoms within the thin film ... experiments with YL and shared his idea with the other authors NB and YJL detailed the original idea and modified the first draft of the manuscript JY designed and coordinated the whole work and finalized...
... ADAPTATION AND APPLICATION OF A STATE-OF-THEART IMPEDANCE ANALYZER FOR CHARACTERIZATION OF SILICON P- I- N DIODES PANJI G I SURYACANDRA (B Eng., Engineering Physics, Institut Teknologi Bandung) ... mono-layers As a proof of principle, hydrogenated amorphousand microcrystalline silicon (a- Si :H and µc-Si) p- i- n diodes have been studied in this thesis with the adapted INPHAZE impedance analyzer ... INPHAZE impedance analyzer contains innovative algorithm which is able to extract phase angle of impedance more accurate compared to standard impedance machines The phase angle standard deviation...
... đ i b/ Đánh giá quan niệm v n chương Thạch Lam - Quan niệm v n chương quan niệm to n di n, sâu sắc ti n Đây quan niệm nhiều nhà v n ch n nhiều th i đ i khác Vì vậy, quan niệm có ý ngh a l n lao, ... Lam quan niệm v n chương thống v i nghi p sáng tác ông Tuy nhà v n nghiêng khuynh h ớng lãng m n chủ ngh a ông không thoát ly kh i sống mà g n bó sâu n ng v i sống ngư i C n ph n tích truy n: ... độ: chuếnh choáng, đầy, no n - Chỉ nguy n nh n khi n Xu n Diệu có quan niệm sống “v i vàng”: + Th i gian tr i chảy không trở l i + Cuộc đ i ngư ih u hn + Thế gi i sống l i tr n ng p niềm vui,...
... coban axetat cho sn phm B Cht B cú th tham gia phn ng: vi dung dch NaHCO3 gii phúng khớ CO2; vi etanol (d) to thnh D; un n ng B vi dung dch NH3 to thnh E Thu ph n E to thnh G, un n ng G nhit ... 0, phn ng ph n hu ca H2 O2 l t din bin v phng din nhit ng hc) Cõu (2,0 im) i vi phn ng: A + B C + D Trn th tớch bng ca dung dch cht A v dung dch cht B cú cựng nng 1M: a Nu thc hin phn ng nhit ... dng phn ng ca X vi 2,4-initroflobenzen xỏc nh c Ala Thu ph n X vi trypsin thu c pentapeptit (Lys, Met, Ser, Ala, Phe), ipeptit (Arg, Ile) v ipeptit (Val, Phe) Thu ph n X vi BrCN dn n s to thnh...
... SENO + SCOE + SCMD Do đó: Đường g p khúc MON chia h nh thang BCED thành B M hai ph n có di n tích Đo n NM chia h nh thang thành hai ph n có di n tích Suy ra: N, O, M thẳng h ng ⇒ A, O, M thẳng ... B i (4 i m) Cho ∆ABC trung tuy n AM Một đường thẳng song song v i BC cắt AB, AC D E, BE cắt CD O Chứng minh ba i m A, O, M thẳng h ng A Gi i: G iN giao i m AM DE DN AN = Do DN // BM n n: ... n n: BM AM EN AN = Do EN // CM n n: CM AM E N D DN EN = Suy ra: Do BM = CM (gt) ⇒ DN = EN BM CM O Ta có: SBMND = SCMNE (1) Mặt khác: SDNO = SENO; SDBO = SCOE; SBOM = SCMO Suy ra: SDNO + SDBO...
... thứ hai chia cạnh thành hai ph n có hiệu độ d i Gia i: Giả sử ba ca ̣nh cu a tam giác là n – 1, n, n + (n ∈ Z, n > 4) Đường cao chia ca ̣nh có đô ̣ da in thành hai đoa n x, y (giả sử ... vơ i E(1/2; 1/4) thì ΔMNE có diê n tích lơ n nhất ( ) B i (4 i ̉m) Độ d i cạnh tam giác số nguy n li n ti p không nhỏ đ n vị độ d i Chứng minh đường cao h xuống cạnh có độ d i l n thứ hai ... (giả sử x > y) Ta có: x2 = (n + 1)2 – h2 (1) y2 = (n – 1)2 – h2 (2) Lấ y (1) trừ (2) ta đươ ̣c: x2 – y2 = n2 + 2n + – n2 + 2n – = 4n ⇔ (x + y)(x – y) = 4n, mà x + y = n ⇒ x – y = ...
... chia cạnh thành hai ph n có hiệu độ d i Gia i: Giả sử ba cạnh cu a tam giác là n – 1, n, n + (n ∈ Z, n > 4) Đường cao chia cạnh có độ da in thành hai đoa n x, y (giả sử x > y) Ta ... vơ i E(1/2; 1/4) thì ΔMNE có diê n tích lơ n nhất ( ) B i (4 i ̉m) Độ d i cạnh tam giác số nguy n li n ti p không nhỏ đ n vị độ d i Chứng minh đường cao h xuống cạnh có độ d i l n thứ hai ... sử x > y) Ta có: x2 = (n + 1)2 – h2 (1) y2 = (n – 1)2 – h2 (2) Lấy (1) trừ (2) ta được: x2 – y2 = n2 + 2n + – n2 + 2n – = 4n ⇔ (x + y)(x – y) = 4n, mà x + y = n ⇒ x – y = ...
... ⇒ đpcm Ba i (5 i m) Cho ∆ABC cho cạnh BC = a, AC = b, AB = c Di n tích ∆ABC S Ph n giác góc A cắt BC D cắt đường tr n ngo i ti p ∆ABC E a) Chứng minh: AD2 = AB.AC – BD.DC b) Chứng minh: BD a ... BD BC BD a = Hay : = Do đó: AB AB + AC AB b + c c) Kẻ đường kính AF đường cao AH Ta có: S = a. AH AH AD AD.AE µ $ = ΔAHD ΔAEF (vì có: D = F ) ⇒ ⇒ AH = (3) AE AF 2R bc bc abc Từ (1) (3): AH = Do ... = AB b + c c) Tính b n kính đường tr n ngo i ti p ∆ABC theo a, b, c, S AD BD = ⇒ AD.DE = CD.BD CD DE Hay: AD(AE – AD) = BD.CD ⇔ AD2 = AD.AE – BD.CD (1) AB AE = ΔABD ΔACE (g.g) ⇒ ⇒ AD.AE = AB.AC...
... Cho ∆ABC vuông A, đường cao AH đường tr n (O) ngo i ti p ∆HAC G i D i m đ i xứng B qua H, niA v i D cắt đường tr n (O) E Chứng minh: a) CH tia ph n giác góc ACE b) HO // EC · c) Cho AB = a, ... cu a hinh thang c n ACEH là: S = × a + ̣ ́ ÷× = ̀ ÷ 16 Kẻ đường cao HG: ΔAGH là na tam giác đều: AG = Ba i (4 i m) Cho h nh thang ABCD có AB // CD, CD > AB, hai đường chéo A BD ... ACE = 600 Tứ giác AHEC h nh gì? Tính di n tích tứ giác AHEC theo a µ µ Gia i: a) Ta có: ΔABD c nn n: A1 = A (1) µ µ Mă ̣t khác: A1 = C (cùng phu ̣ vơ i góc B) µ µ La i có: C1 = A (cùng...
... trước Đỉnh M di động cạnh AB, đỉnh N cạnh AC, đỉnh P Q theo thứ tự cạnh BC Tam giác ABC có đường cao AH = h, cạnh đáy BC = a a) Tính giá trị l n di n tích h nh chữ nhật MNPQ theo ha b) Xác định vị ... (∆ACO là na tam giác đề u) * Tính di n tích hinh giơ in (S): Go i di n tích hai hinh qua ̣t giơ in ̣ ̣ ̀ ̀ cu a (C) và (O) là S1, S2 Ta có: S = SACO – (S1 + S2) 1 3.R Ta có: SACO ... HT = HA (hai tiế p tuyế n cắ t ta i H) · · AHI = THO (đố i đinh) ̉ · · HAI = HTO (cùng bằ ng 90 ) Suy ra: ∆AHI = ∆THO (g.c.g) ⇒ AT = OT = R (không đổ i) ⇒ i ̉ m I cố đinh ̣ Vâ...
... SENO + SCOE + SCMD Do đó: Đường g p khúc MON chia h nh thang BCED thành B M hai ph n có di n tích Đo n NM chia h nh thang thành hai ph n có di n tích Suy ra: N, O, M thẳng h ng ⇒ A, O, M thẳng ... B i (4 i m) Cho ∆ABC trung tuy n AM Một đường thẳng song song v i BC cắt AB, AC D E, BE cắt CD O Chứng minh ba i m A, O, M thẳng h ng A Gi i: G iN giao i m AM DE DN AN = Do DN // BM n n: ... n n: BM AM EN AN = Do EN // CM n n: CM AM E N D DN EN = Suy ra: Do BM = CM (gt) ⇒ DN = EN BM CM O Ta có: SBMND = SCMNE (1) Mặt khác: SDNO = SENO; SDBO = SCOE; SBOM = SCMO Suy ra: SDNO + SDBO...
... Ninh, Quy Nhn, Thnh Ph H Chớ Minh,Th i Nguy n, Hi Phũng, Nam nh, Thanh Hoỏ, Vinh, ụng H, Nng, Vng Tu v h thng cỏc xớ nghip, ca hng kinh doanh ti khu vc ni ngoi thnh H Ni Cho n nay, ngoi h thng ... doanh khú ng thi khụng phi l mt hng kinh doanh gin n m l mt hng kinh doanh cú thay th Do vy k hoch thc hin cng gp phi nhng khú khn nht nh Th nht phi k n l thi im lp k hoch v thi gian thc hin ... lng Phũng Ti chớnh k to n XN Kinh doanh vũng bi XN Kinh doanh hoỏ cht Nh mỏy c in Chi nhỏnh TP H Chớ Minh Xớ nghip kinh doanh in d n dng SV: Nguyn Th Qunh XN Kinh doanh xut khu XN Kinh doanh...