ngày 25 tháng một năm 2010 80 doanh nghiệp có vốn đầu tư nước ngoài fdi đã được trao tặng giải rồng vàng 2009 giải thưởng dành cho các doanh nghiệp fdi xuất sắc nhất từng lĩnh vực tại việt nam
... người ViệtNam định cư nước (trừ trường hợp mua nhà gắn với quyền sử dụng đất ở), tổ chức nước ngoài, cá nhân nước ngoài; - Giấy chứng nhận tổ chức, sở tôn giáo, người ViệtNam định cư nước ngoài, ... khảo sát Savills ViệtNam quý IV /2009, thị trường tiếp nhận đến 5.500 sản phẩm Về nguồn cung hộ từ đến năm 2012, CBRE ViệtNam công bố khoảng 60.000, Savills ViệtNamcho biết có khoảng 50.000 ... trường Năm 1988, CD-Recordable (CD-R) xuất xưởng cho phép người dùng lưu trữ liệu trực tiếp lên sản phẩm Trong 25năm phát triển, đĩa quang học có bước tiến nhảy vọt cho phép sản xuất thiết bị có...
... cung cấp thấp cho CPU EEPROM làm việc Điều tư ng tự hệ thống mạch sử dụng EEPROM, giải pháp thiết kế tư ng tự nên ứng dụng Một sai khác liệu EEPROM bi gây yếu tố mà điện áp thấp: Đầu tiên liên ... liệu EEPROM Thanh ghi trạng thái EEPROM – EECR • Bits – Res: Các bit dự phòng Các bit đặt dự phòng Atmega88 • Bit – EEPM1 EEPM0: Các bit chế độ lập trình EEPROM • Bit – EERIE: EEPROM Ready Interrupt ... yếu tố mà điện áp thấp: Đầu tiên liên tiếp ghi vào EEPROM đòi hỏi điện áp tối thiểu để hoạt động cách đắn Thứ CPU tự thực sai câu lệnh điện áp cung cấp qua thấp http://www.ebook.edu.vn ...
... niệm liệu đối tư ng Xây dựng xung quanh đối tư ng gồm hai : liệu trình Những đối tư ng đóng gói ( kín đáo) Những lớp đối tư ng - phạm trù đối tư ng OODBMS- sử dụng chủ yếu cho ứng dụng với ... ghi tư ng tự bảng cất giữ Interfile nhóm cụm: kết hợp ghi thành bảng ghi tiêu biểu liên kết với Indexing (sự số hóa) • Một minitable mà chứa giá trị lĩnhvực định vị trí giá trị bên bảng • Tư ng ... rải rác cho hệ thống giao dịch • Sử dụng nhiều số để tăng thêm thời gian đáp lại định hỗ trợ hệ thống • Cho bảng Tạo số dựa vào khóa sơ cấp Tạo số dựa vào khóa • Tạo số cholĩnhvực sử dụng...
... cung cấp thấp cho CPU EEPROM làm việc Điều tư ng tự hệ thống mạch sử dụng EEPROM, giải pháp thiết kế tư ng tự nên ứng dụng Một sai khác liệu EEPROM bi gây yếu tố mà điện áp thấp: Đầu tiên liên ... liệu EEPROM Thanh ghi trạng thái EEPROM – EECR • Bits – Res: Các bit dự phòng Các bit đặt dự phòng Atmega88 • Bit – EEPM1 EEPM0: Các bit chế độ lập trình EEPROM • Bit – EERIE: EEPROM Ready Interrupt ... yếu tố mà điện áp thấp: Đầu tiên liên tiếp ghi vào EEPROM đòi hỏi điện áp tối thiểu để hoạt động cách đắn Thứ CPU tự thực sai câu lệnh điện áp cung cấp qua thấp http://www.ebook.edu.vn ...
... file tất ghi với giá trị cho trớc nhóm trờng ghi Sửa đổi : sửa tất ghi với giá trị cho trớc nhóm trờng cách đặt lại giá trị trờng đợc định giá trị cho Ví dụ : giả sử có file với ghi chứa trờng ... rỗng Để khối đầy rỗng, đầu khối ta giành cho khối bit (gọi bit đầy), bit nhận giá trị (0) khối tơng ứng đầy (rỗng) Một cách khác, khối ta giành bit (bit xoá), bit nhận giá trị có nghĩa ghi bị xoá ... file cách áp dụng thủ tục tìm kiếm Sau xoá bỏ ghi cách, chẳng hạn cho bit xoá nhận giá trị Cấu trúc file băm cấu trúc có hiệu phép toán file đòi hỏi đến việc truy cập ghi theo khoá Giả sử file có...
... fibre used had minimum dispersion, and hence maximum bandwidth could be achieved In the early 1980s, many systems were built using singlemode fibre at around 1.3 mm wavelength An even lower fibre ... coherent detection employs a different technique as compared with the direct detection method In the 1980s, the development of coherent optical communications was hindered due to poor spectral purity ... able to travel extremely long distances was proven both theoretically [23,24] and experimentally [25, 26] By using optical amplifiers [27,28] as pre-amplifiers, post-amplifiers and optical repeaters,...
... k2 zị ẳ !2 m"0 2 :80 where ! is the angular frequency and "0 is the complex permittivity When the radiation frequency is sufciently close to the resonance frequency, eqn (2 .80) becomes [1] k ... involves a dynamic shifting of one of the waveguide boundaries, is simpler and more effective than the one proposed by Handa et al [35] On the other hand, one must take care when choosing the ... alongside the homogeneous pn junction As a result, the chance of carrier diffusion was reduced The name single heterostructure was given [3] and is shown in Fig 2.4(a) Apart from the difference in...
... Þ r2 r 1 qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ES ðzÀ Þ ¼ À^1 ER ðzÀ Þ þ À ^1 e j01 ES ðzþ Þ r r2 1 ER ðzþ Þ ¼ ð4:25aÞ ð4:25bÞ Rearranging the above equation for the electric fields at z ¼ zþ , one obtains ^1 eÀj01 ... diode structure BRIEF REVIEW OF MATRIX METHODS 103 Table 4.1 Different types of matrix method Name Scattering matrix TLM TMM U V ER ðziþ1 Þ and ES ðzi Þ ER ðziþ1 Þ and ES ðziþ1 Þ ER ðziþ1 Þ ... [3– 4,24] Similarly, the transfer matrix method has also been used in surface emitting devices [25 26] which have received worldwide attention in recent years Table 4.3 summarises the minimum...
... 4 ¼ side As stated earlier, to satisfy the requirement of ÁL > 0 :25, side must either be greater than 105 or less than 80 if 3 can be varied freely between and % A maximum Figure 5.6 Variation ... ÁL > 0 :25 and F < 0:05 selection criteria for stable single-mode operation So far, the value of phase shifts 2 and 4 have been assumed to be identical By varying 2 and 4 from 0 to 180 , ... 0 :25 and F < 0:05 As expected, both contours show symmetrical distributions along the line where 2 ¼ 4 From Figs 5.14 and 5.15, it can be seen that most of the region that satisfies ÁL > 0:25...
... shows little change in spatially distributed carrier distribution Local minima can be seen at 125, 250 and 375 mm along the cavity, these correspond to the location of the three p=3 phase shifts ... reduced the dynamic span of the photon density along the laser cavity Due to the effects of spatial hole burning, it is evident that the refractive index distribution shows a larger dynamic range ... cavity, twomode operation at an output power of around 7.5 mW was observed at a biasing current of 2:25I th The spatial hole burning effect alters the lasing characteristics of the QWS DFB LD by changing...
... Lett., 25( 5), 342–343, 1989 24 Kojima, K and Kyuma, K., Analysis of the linewidth of distributed feedback laser diodes using Green’s function method, Japan J Appl Phys., 27, L1721–1723, 1988 25 Tromborg, ... as an optical carrier On the contrary, structures like the DCC þ QWS structure show a larger dynamic change of lasing wavelength A single-mode continuous tuning of about 0.16 nm is achieved It ... the spectrum, single-mode stability can be determined A minimum side mode suppression ratio of 25 dB is necessary for a stable single mode [7] With the help of the method using Green’s function...
... Electron., 25, 20–30, 1989 24 Lowery, A J., A New dynamic semiconductor laser model based on the transmission-line modeling method, IEE proceedings Part J, 134(51), 281–289, 1987 25 Lowery, A ... (16–17 GHz) [21], the dynamic characteristics of lasers are important and design methods that can help to predict the chirp and modulation efficiency are needed The dynamic response of lasers ... structures, IEEE J Quantum Electron., 25, 1261–1279, 1989 18 Tucker, R S., High-speed modulation of semiconductor lasers, J Lightwave Technol., LT-3, 1 180 1192, 1985 19 Bjork, G and Nilsson,...
... mm As for sub-lengths, we define a parameter named phase-shift-position ¼ L1 =ðL1 þ L2 Þ ¼ L5 =ðL4 þ L5 Þ In all of the following analysis has been chosen so as to maximise the tuning range while ... 11.2), the relative ˚ ˚ wavelengths are at Æ12.5 A This gives the filter wavelength tuning range of 25 A The filter peak gain varies between 34.9 and 36.1 dB with maximum deviation of 1.2 dB The relative ... between 35.6 and 36.4 dB, which gives 0.8 dB deviation The ˚ wavelength tuning range of the filter is 25. 2 A and its SMSR ranges from 11.5 to 27 dB Figure 11.8 shows the case where 1 ¼ mmÀ1 , 2 ¼...
... Eng J., 6, 49–55, 1994 25 Weber, J P., Stoltz, B., Dasler, M and Koek, B., Four channel tunable optical notch filter using InGaAsP/InP reflection gratings, IEEE Photon Techol Lett 6(1), 77–82, ... structure, which is characterised by its non-uniform field distribution, was shown to have a large dynamic range of spatially distributed refractive index Along the carrier concentration profile, a ... signal, which may otherwise be masked by noise In Chapter TLLM was modified to allow study of dynamic behaviour of distributed feedback laser diodes, in particular the effects of multiple phase...
... TRONG CƠ SỞ DỮ LIỆU PHÂN TÁN I CÁC ĐIỀU KIỆN GIẢ ĐỊNH VÀ THỰC TẾ STT So sánh Các đối tư ng tiến trình tạo lập huỷ bỏ có tính chất động suốt trình tồn hệ Các đối tư ng tiến trình phân tán trạm ... chốt: Ma trận tư ng thích cúa thể thức khoá thể hình đây: rlI(x) wli(x) rlI(x) Tư ng thích Không tư ng thích wli(x) Không tư ng thích Không tư ng thích PHẦN II: BÀI TẬP Định nghĩa dùng giải thuật: ... mạng Internet với xu toàn cầu hóa lĩnh vực, đặc biệt thương mại, sở liệu phân tán trở thành lĩnhvực thu hút nhiều quan tâm nhà nghiên cứu lý thuyết lẫn nhà sản xuất phần mềm CHƯƠNG I : TỔNG QUAN...
... đối tư ng có hai giao dịch cố gắng thực tác động không tư ng thích vào đối tư ng Một xung đột xác định có ý định truy cập giao dịch T vào đối tư ng khoá ngầm định giao dịch T1 theo kiểu không tư ng ... thông đối tư ng rơi vào cốCác đối tư ng thay đổi hay tham chiếu trình thực giao dịch nằm trạm khác Một hệ quản lý tập hợp thông tin phân tán bao gồm: STT Cơ chế Cơ chế cho phép xếp cách tổng ... cố - Cơ chế xử lý cố: Một chế cho phép trì gắn bó môi trường phân tán cócố là: STT Phải thực Giao dịch T bắt buộc phải thực cách trọn vẹn Nếu cócố xảy phải quay lại điểm xuất phát Muốn thực điều...