... phân? Câu 18 Trìnhbàychế phục hồi DNA bị biến đổi tái bản? Câu 19 Trìnhbàychế phục hồi DNA bị biến đổi không tái bản? Câu20Trìnhbàydạngđộtbiếncấutrúcnhiễmsắc thể, chếhậu dạng? Câu ... hiệu: độtbiến thêm (+) độtbiến (-): 0.25 + Nếu T4 xảy độtbiến (+) độtbiến (-) phage T4 códạngđộtbiến + Nếu T4 xảy hoặc độtbiến (+) (-) phage T4 códạngđộtbiến + Trường hợp T4 mang lúc đột ... xen vào Tác nhân Sinh học gây đột biến: 0.25 - Các yếu tố di truyền vận động (IS, gen nhảy ) xen vào cấutrúc gen gây biến đổi cấutrúc gen dẫn đến độtbiến - Các retrovirus gắn cDNA vào cấu trúc...
... đến lớp IV TIẾN TRÌNH BÀI DẠY: 1.Ổn định lớp: Kiểm tra sĩ số, đồng phục 2.Kiểm tra cũ: Kết hợp trình luyện tập 3.Bài mới: a) Đặt vấn đề: Chúng ta nghiên cứu lớp vỏ nguyên tử cấu hình electron, ... 1s 2s p 3s p 2 g) 1s 2s p 3s p 2 6 BT: Viết cấu hình electron ion: Na+, O2-, Ca2+, Cl4 Củng cố: 1s 2 s 2 p 3s p Ion M+ cócấu hình electron Hãy viết cấu hình electron nguyên tử, cho biết điện ... vỏ nguyên tử cấu hình electron, tiến hành vận dụng kiến thức học vào thực tế tập b) Triển khai HOẠT NỘI DUNG KIẾN THỨC ĐỘNG THẦY VÀ TRÒ Hoạt động 1: Kiến thức cần nắm vững Mục tiêu: Củng cố lại...
... Tia Rơngen riêng lẽ sau rơi vào thểnhiễmsắc tác dụng vào điểm xác định nhiễmsắcthể Năm 1927, Muller chứng minh tia Rơngen làm tăng cách đáng kể nhịp điệu độtbiến Nhà thực vật học người Mỹ ... truyền cần phải từ thểnhiễmsắc sang thể ribo Một biếndạng đặc biệt ARN đảm nhiệm việc này, gọi ARN thông tin ARN-thông tin lập lại xác cấutrúc đoạn xác định ADN thểnhiễmsắc đơn vị thông tin ... bào ngược lại Các khung đường phosphase Nếu phân tử ADN ban đầu chạy dọc theo chiều Cấu dài thểnhiễmsắc (hoặc virut), trúctrình không gian kết thúc hình thành hai thểnhiễmsắc giống in DNATheo...
... nucleotide nucleotide thường biến đổi nhiều cách: - Biến đổi bazơ nitơ (metyl hoá hay tio hoá ) - Biến đổi pentose (metyl hoá) - Thay đổi cấutrúc bazơ N - Thay đổi kiểu cấutrúc nucleotide Thảo Dương ... H3PO4 Pentose Ribose Dezoxi ribose Bazơ N A, G, C, U A, G, C, T Các loại bazơ nitơ : Bazơ bé - Pyrimidine Các loại bazơ lớn - Purin Cấu tạo nucleotide Từ nhóm thành phần liên kết với tạo nucleotide ... H3PO4 tạo nên nucleotide Tri P nucleotide - Tri P nhóm nucleotide có vai trò quan trọng thể, đặc biệt ATP Trong cấu tạo nucleotide - Tri P có liên kết giàu lượng gọi liên kết cao tạo nguyên tử P Ngoài...
... nucleotide nucleotide thường biến đổi nhiều cách: - Biến đổi bazơ nitơ (metyl hoá hay tio hoá ) - Biến đổi pentose (metyl hoá) - Thay đổi cấutrúc bazơ N - Thay đổi kiểu cấutrúc nucleotide Vai trò ... có vai trò đặc biệt thể sống Protein gắn liền với sống, tồn tồn sống Cóthể tóm tắt chức chủ yếu protein sau: - Protein thành phần chủ yếu cấu tạo nên tế bào, đặc biệt cấutrúc nên màng tế bào ... Ngoài ra, thành phần Aa protein có nhóm: - Các Aa acid: cấu tạo có nhóm COOH, nhóm dùng để tạo liên kết peptid nhóm hình thành ion COO- - Các Aa kiềm: cấutrúccó nhóm NH2, nhóm tạo liên kết peptid...
... 470 500 Xanh Green 560 Trang 148 Vàng Yellow 590 Cam Orange 650 Đỏ Red 750nm Biên soạn: Trương Văn Tám λ Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chú ý giới hạn có tính cách tương đối Sự khác tần số lại ... 1MΩ, trị số giảm nhỏ 100Ω chiếu sáng mạnh λ Ký hiệu Hình dạng Hình Nguyên lý làm việc quang điện trở ánh sáng chiếu vào chất bán dẫn (có thể Cadmium sulfide – CdS, Cadmium selenide – CdSe) làm ... do, tức dẫn điện tăng lên làm giảm điện trở chất bán dẫn Các đặc tính điện độ nhạy quang điện trở dĩ nhiên tùy thuộc vào vật liệu dùng chế tạo Điện trở Ω 105 10000 1000 0,1 10 100 1000 fc Hình...
... 5,6K 20K + 470uF - V=20V z Tải 330 100K UJT F1 B2 FUSE E B1 SCR 110V/50Hz 220V/50Hz 47 Hình 30 - Bán kỳ dương có xung đưa vào cực cổng SCR dẫn điện Bán kỳ âm SCR ngưng - Điều chỉnh góc dẫn SCR cách ... VP cách thêm điện trở nhỏ R2 (thường khoảng vài trăm ohm) B2 nguồn VBB Ngoài người ta mắc điện trở nhỏ R1 khoảng vài trăm ohm cực B1 để lấy tín hiệu Trang 143 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình ... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi VE=VP, nối P-N phân cực thuận, lỗ trống từ vùng phát khuếch tán vào vùng nvà di chuyển đến vùng B1, lúc lỗ trống hút điện...
... chất bán dẫn loại P Vùng P nằm cách vùng B1 khoảng 70% so với chiều dài hai cực B1, B2 Dây nhôm đóng vai trò cực phát E Hình sau trìnhbày cách áp dụng điện chiều vào cực UJT để khảo sát đặc tính ... tương tự Sự khác biệt tiến GTO so với SCR SCS mở tắt GTO cổng (mở GTO cách đưa xung dương vào cực cổng tắt GTO cách đưa xung âm vào cực cổng) - So với SCR, GTO cần dòng điện kích lớn (thường hàng ... UJT có số đặc tính đặc biệt nên thời giữ vai trò quan trọng mạch tạo dạng sóng định Cấu tạo đặc tính UJT: Hình sau mô tả cấu tạo đơn giản hoá ký hiệu UJT B2 Nền B1 E p E Phát B2 nE B2 B1 Nền...
... códạng sau: - Thật ra, tương tác vùng bán dẫn, Triac nảy theo cách khác nhau, trìnhbày hình vẽ sau đây: + + T2 T2 G - Cách T2 G IG < T1 - T2 G IG > T1 - - G IG < T1 + Cách Cách IG > T1 + Cách ... IG > T1 + Cách Hình 11 Trang 134 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Cách (1) cách (3) nhạy nhất, cách (2) cách (4) Do tính chất dẫn điện hai chiều, Triac dùng mạng điện xoay ... lưỡng hướng dẫn điện theo hai chiều Hình sau cho thấy cấu tạo, mô hình tương đương cấu tạo Triac Trang 133 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Như vậy, ta thấy Triac gồm SCR...
... thuộc vào SCR, từ vài trăm mA đến hàng trăm Ampere - Điện ngược tối đa: Đây điện phân cực nghịch tối đa mà chưa xảy hủy thác (breakdown) Đây trị số VBR hình SCR chế tạo với điện nghịch từ vài chục ... trở nên bảo hòa Dòng bảo hòa qua hai transistor dòng anod SCR Dòng điện tùy thuộc vào VAA điện trở tải RA Cơchế hoạt động SCR cho thấy dòng IG không cần lớn cần tồn thời gian ngắn Khi SCR dẫn ... Người ta ngắt SCR cách cắt nguồn VAA giảm VAA cho dòng điện qua SCR nhỏ trị số (tùy thuộc vào SCR) gọi dòng điện trì IH (hodding current) Trang 127 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện...
... khả dòng thoát đến vài chục ampere công suất lên đến vài chục Watt V-MOS: Thật loại E-MOSFET cải tiến, sẵn thông lộ điều hành theo kiểu tăng khác cấutrúc E-MOSFET V-MOS trìnhbày hình vẽ sau: ... dẫn điện yếu hơn, nên vo(t) tăng Như vây ta thấy tín hiệu ngõ vào ngõ ngược pha (lệnh pha 180o) XIII MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS Các transistor trường ứng (JFET MOSFET) mà ta khảo sát thích ... tán đôi (double-diffused) nên gọi D-MOS Cócấutrúc sau: Nguồn S Cổng G Nguồn S n+ n+ p+ p+ nThân n+ DMOS kênh N Thông lộ hình thành Thoát D Hình 51 Các đặc tính hoạt động V-MOS D-MOS giống E-MOSFET...
... CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍN HIỆU NHỎ Giả sử ta áp tín hiệu xoay chiều hình sin vs(t) cóbiên độ điện đỉnh 10mV vào ngõ vào mạch khuếch đại cực nguồn chung dùng JFET kênh N +VDD = 20V RD = 820 ... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ID(mA) vS(t) 0,01V t -0,01V 12,285mA t Q ≈ 12,215mA -1 -1,01V -1V VGS -0,99V VGS(off) vGS(t) iD(t) (mA) -1,01V 12,285 12,250 12,215 -0.99V ≈ VDD = +20V t RD = 820 ... dụng định luật Krichoff mạch ngõ để tìm hiệu điện VDS Bây giờ, ta thử ứng dụng vào mạch điện hình trên: Mạch ngõ vào, ta có: VGG − R G I GSS + VGS = Suy ra, VGS = − VGG + R G I GSS Vì dòng điện...
... JFET có tổng trở vào lớn dòng rỉ IGSS nhỏ nhiều so với JFET VI MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET) MOSFET loại tăng có hai loại: E-MOSFET kênh N E-MOSFET kênh P Về mặt cấu tạo giống ... thông lộ nối liền hai vùng thoát D vùng nguồn S Mô hình cấu tạo ký hiệu diễn tả hình vẽ sau đây: Trang 107 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc ... 108 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi VGS < 0V, (ở E-MOSFET kênh N), thông lộ nối liền hai vùng thoát nguồn nên có nguồn điện VDD áp vào hai cực thoát nguồn, điện tử di...
... Hình 22 Tuy JFET có tổng trở vào lớn nhỏ so với đèn chân không Để tăng tổng trở vào, người ta tạo loại transistor trường khác cho cực cổng cách điện hẳn cực nguồn Lớp cách điện Oxyt bán dẫn SiO2 ... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử I GSS (t 0C ) = I GSS (250 C )2 ( t − 25 ) 10 IGSS D G VDS = 0V S VGG Hình 20 V MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DE MOSFET) Ta thấy áp điện âm vào JFET kênh ... JFET kênh N âm JFET kênh P) ứng dụng, mục đích JFET tổng trở vào lớn, nghĩa dòng điện IG cực cổng - nguồn JFET làm giảm tổng trở vào, thông thường người ta giới hạn trị số phân cực thuận nối...
... hàng lập trình lần chương trình cài sẵn trìnhchế tạo nhà sản xuất Thường gọi ROM mặt nạ. III.2.3 EPROM (Erasable ROM): Là loại ROM lập trình nhiều lần Mỗi lần lập trình sai lập trình lại cách xóa ... Thời gian tối đa để lập trình chọn IC 2764 420s Thời gian truy xuất tối đa: Chế độ bình thường 280 ns Chế độ nhanh 200 ns Xung lập trình đơn Công suất tiêu tán thấp Ở chế độ hoạt động: dòng ... tiêu thụ tối đa 35 mA Các ngõ trạng thái (Hi – Z ), độc lập với ngõ vào CE I.4 CHẾ ĐỘ LẬP TRÌNH: Chế độ lập trình hoàn hảo EPROM xóa Khi đó, bit EPROM trạng thái logic Việc lập trình tiến hành từ...
... sơ đồ logic II.3 CẤUTRÚC BÊN TRONG VI XỬ LÝ 8085: Sơ đồ cấutrúc Microprocessor 8085A trìnhbày hình vẽ Trong sơ đồ cấutrúc 8085A có tất khối Microprocessor tổng quát, có vài điểm khác biệt: ... Chương trình phục vụ ngắt đọc liệu vào xóa yêu cầu ngắt Các bit lại Port C PC6, PC7 bit xuất nhập bình thường tùy thuộc vào bit D3 từ điều khiển Các bit xxx dùng để thiết lập cho nhóm B Port A cấu ... việc cấu hình Mode 1: Port A cấu hình Port nhập liệu Chức đường tín hiệu trìnhbày hình vẽ Control Word 1 D3 X X INTE A PA7-PA0 X PC4 PC5 INTRA PC 6,7 RD IBFA PC3 MODE (PORT A) STBA I/O Các...