1 Thiết kế lọc thông thấp chế tạo mạch dải không đối xứng với tiêu sau : bậc lọc n = 3, tần số cắt f C = GHz, dạng đặc trng Chebyshev, trở kháng nguồn tải 50 , độ gợn sóng dải thông dB Thiết kế lọc thông thấp siêu cao tần với đặc trng phẳng cực đại có tần số cắt fC = 2,5 GHz, với suy giảm 20 dB tần số GHz Trở kháng tải nguồn 50 Thiết kế lọc thông thấp đặc trng dạng phẳng cức đại có tan số cắt fC = 150 MHz tiªu hao chÌn 50 dB ë 400 MHz BiÕt r»ng trở tải trở nguồn 75 Thiết kế lọc thông thấp dạng đặc trng Chebyshev có độ gợn sóng không lớn 2dB dải thông Bộ lọc phải cho qua tất tần số đến 50 MHz suy giảm tín hiệu 100 MHz 15 dB Trở tải trở nguồn lọc 50 Thiết kế lọc thông cao dạng đặc trng Chebyshev với độ gợn sóng không lớn dB với tần số cắt 50 MHz mức suy giảm tín hiệu 15 dB tần số 25 MHz Trở tải trở nguồn lọc b»ng 75 Ω ThiÕt kÕ bé läc ch¾n dải bậc dạng đặc trng phẳng cực đại Bộ lọc chặn tất tín hiệu dải tần từ 50 MHz đến 80 MHz cho qua tần số dải Biết trở nguồn trở tải lọc 50 Thiết kế lọc vô tuyến phần tử tập trung LC thông dải dạng đặc trng Cheby shev với tham số nh sau : mức gợn sóng dải thông La1 = 0,5 dB, dải thông lọc 5% với tần số trung tâm dải thông F0 = GHz , mức suy giảm tần số f = GHz tối thiểu đạt 45 dB, trở kháng nhuồn trở tải 50 Chọn sơ đồ mạch lọc với mạch cộng hởng thứ mạch LC song song mắc song song