Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB I. MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI PHI ỔN-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tính Toán Lý Thuyết: Thời gian nạp điện vào hai tụ C1 và C2 để đưa điện thế từ -VCC lên 0.8 Volt là: T=T 1 +T 2 =R=0.7R B1 C 1 +0.7R B2 C 2 Với: R B1 =R B2 =140KΩ C 1 =C 2 =C=4.7µF R B1 ≥ βR C1 Điều kiện để T 1 và T 2 bảo hòa là: R B2 ≥ βR C2 Kết quả mạch tạo ra sóng vuông liên tục mà không cần xung kích từ ngoài vào. 2. Dạng sóng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang1 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB II. MẠCH DI PHA BA KHÂU-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tần số dao động: RC f 62 1 π = =722Hz và lượng đưa về hồi tiếp: − β = 29 1 lần. Kết quả mạch tạo ra hai hình sin lệch pha nhau một góc π. 2. Dạng sóng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang2 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB III. MẠCH DAO ĐỘNG COLPITS-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch: Tần số dao động của mạch: f 0 = LC π 2 1 =286Hz với 21 21 . CC CC C + = =0.477µF 2. Dạng sóng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang3 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB IV. MẠCH DAO ĐỘNG HARTLEY-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch: 2. Dạng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang4 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB V. MẠCH DAO ĐỘNG HARTLEY-FET 1. Sơ đồ mắc mạch 2. Dạng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang5 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB VI. DAO ĐỘNG THẠCH ANH 1. Sơ đồ mắc mạch 2. Dạng sóng quan sát KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang6 . Trang1 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB II. MẠCH DI PHA BA KHÂU-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tần số dao động: RC f 62 1 π = =722Hz và. Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB I. MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI PHI ỔN-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tính Toán Lý Thuyết: