Đang tải... (xem toàn văn)
Bài báo cáo về vật liệu bán dẫn vô định hình trong môn vật liệu bán dẫn
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN VẬT LÝ KỸ THUẬT ************* Báo cáo Vật liệu bán dẫn vô định hình Sinh viên thực hiện :Phí Văn Sơn :Nguyễn Lương Hoàng Giảng viên hướng dẫn :PGS.TS.Nguyễn Hữu Lâm Mục lục Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 Mở đầu Với sự phát triển nhanh chóng của khoa học kỹ thuật việc nghiên cứu các vật liệu bán dẫn đã trở thành vấn đề được quân tâm trong nhiều năm trở lại đây.Trong rất nhiều vật liệu bán dẫn được quan tâm hiện nay,vật liệu bán dẫn vô định hình là vật liệu có tính chất đặc biệt hơn cả do cấu trúc vô định hình của nó.Bài báo cáo dưới sẽ trình bày những đặc điểm, tính chất,ứng dụng và phương pháp chế tạo để hiểu rõ hơn về loại vật liệu đặc biệt này I.Giới thiệu chung I.1 Vật liệu vô định hình là gì? Vật liệu vô định hình là chất rắn không có trật tự xa (hay cấu trúc tuần hoàn) về vị trí cấu trúc nguyên tử. (Chất rắn có trật tự xa về vị trí cấu trúc nguyên tử gọi là chất rắn tinh thể). Hầu hết các nhóm vật liệu có thể thấy hoặc được cấu trúc từ dạng vô định hình. Ví dụ, thủy tinh là gốm vô định hình, nhiều polymer (như polystyrene) là vô định hình I.2 Cấu trúc vô định hình 1.Trật tự gần và hàm phân bố nguyên tử Cấu trúc tinh thể là cấu trúc có tính trật tự xa, có nghĩa là tính chất sắp xếp tuần hoàn có mặt ở trong độ dài rất lớn so với hằng số mạng tinh thể. Cấu trúc vô định hình có nghĩa là bất trật tự, nhưng về mặt thực chất, nó vẫn mang tính trật tự nhưng trong phạm vi rất hẹp, gọi là trật tự gần . Trạng thái vô định hình là trạng thái của vật liệu gồm những nguyên tử được sắp xếp một cách bất trật tự sao cho một nguyên tử có các nguyên tử bao bọc một cách ngẫu nhiên nhưng xếp chặt xung quanh nó. Khi xét một nguyên tử làm gốc thì bên cạnh nó với khoảng cách d dọc theo một phương bất kỳ (d là bán kính nguyên tử) có thể tồn tại một nguyên tử khác nằm sát với nó, nhưng ở khoảng cách 2d, 3d, 4d . thì khả năng tồn tại của nguyên tử loại đó giảm dần. Cách sắp xếp như vậy tạo ra trật tự gần. Vật rắn vô định hình được mô tả giống như những quả cầu cứng xếp chặt trong túi cao su bó chặt một cách ngẫu nhiên tạo nên trật tự gần (Theo mô hình quả cầu rắn xếp chặt của Berna và Scot). 3 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 Cấu trúc vô định hình (trật tự gần) được hình thành từ năm loại mạng chính (hình vẽ), tỉ lệ nguyên tử chiếm 65% thể tích, còn lại 35% là lỗ trống, và số lân cận gần nhất là 5%. Hình 1: Năm loại mạng cơ bản trong cấu trúc trật tự gần theo mô hình Berna Hàm phân bố xuyên tâm trong cấu trúc vô định hình được cho bởi: với ρ 0 là mật độ trung bình, r là vector vị trí, Q = 4sinθ / λ là vector tán xạ, θ là góc tán xạ, λ là bước sóng, S(Q) là giao thoa trên cơ sở cường độ tán xạ. Hình 2 : Hàm phân bố xuyên tâm của Natri lỏng (a) so với Natri tinh thể (c) và hàm mật độ 2.Các mô hình cấu trúc vô định hình Người ta đã đưa ra một số mô hình cấu trúc vô định hình và kiểm tra sự đúng đắn của nó bằng cách đối chiếu với thực nghiệm. 4 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 Đã có ba cách tiếp cận (nghĩa là ba mô hình gần đúng ):vi tinh thể, tinh thể nhiễu loạn, mạng liên tục -Trong mô hình vi tinh thể,người ta xem vô định hình gồm những hạt tinh thể cực nhỏ,sự định hướng các tinh thể cực nhỏ này thay đổi đột ngột khi đi từ hạt này sang hạt khác . Các hạt vi tinh thể này có kích thước chỉ cỡ 10-20 A trong khi đó biên giới giữa các hạt là phần hoàn toàn không có trật tự cũng có bề dày cỡ vài chục A. Mô hình này đã được ứng dụng cho Si,Ge nhưng không đưa lại sự phù hợp giữa tính toán và thực nghiệm .Các nghiên cứu đối với Se vô định hình ,C vô định hình tuy đã giả thiết cho các hạt vi tinh thể có nhiều dạng thù hình nhưng kết quả tính toán cũng chưa thật phù hợp với thực nghiệm. - Trong mô hình tinh thể bị nhiễu loạn ,người ta xem vật rắn vô định hình được hình thành do nguội nhanh từ nhiệt độ cao .Vì chưa đạt cân bằng đã đông cứng nên vật rắn vô định hình xem như tinh thể không cân bằng chứa rất nhiều sai hỏng cấu trúc.Ở đây các dạng thù hình của tinh thể đã được tính đến,nghĩa là ở trạng thái vô định hình vật rắn đó xem có một hoặc một số dạng tinh thể nhưng không cân bằng và có nhiều sai hỏng . Người ta đã tiến hành tính toán theo mô hình tinh thể bị nhiễu loạn đối với Se có ba dạng thù hình(ba phương ,một nghiêng α, một nghiêng β) kết quả nhận được đường cong phân bố có sự phù hợp với thực nghiệm tốt hơn so với trương hợp Se chỉ có một dạng thù hình ba phương.Nhưng khi xem các tinh thể nhiễu loạn như vậy phải cho khoảng các giữa các nguyên tử và góc liên kết bị thay đổi ít nhiều so với trường hợp tinh thể cân bằng.Từ các số liệu này có thể tính ra nhiệt kết tinh .Nhưng kết quả tính toán về nhiệt kết tinh lại không phù hợp với thực nghiệm .Vật mô hình hình tinh thể nhiễu loạn cũng chưa được nghiệm đúng . -Trong mô hình mạng lưới liên tục vật rắn vô định hình được xem như gồm nhữ nguyên tử liên kết nhau theo những dạy không tuần hoàn và dài vô tận theo cả ba chiều .Trật tự gần quanh mỗi nguyên tử tương tự như trong tinh thể là do bản chất liên kết hóa học quyết định .Ở đây có một mâu thuẫn là một mặt phải có trật tự gần tinh thể ,mặt khác lại không có trật tự xa.Mâu thuẫn này được giải quyết bằng cách pha trộn các kiểu trật tự gần ứng với các dạng hình thù khác nhau và thay đổi giữa các khoảng nguyên tử gần nhất, gần thứ hai và gần thứ ba như vậy bắt buộc phải có sự thăng giáng về chiều dài liên kết góc liên kết . Các phép tính toán theo mô hình mạng lưới liên tục này đã được tiến hành với Si,Ge,Se và Te Những kết quả thu được là phù hợp với thực nghiệm. 5 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 Tóm lại trong ba mô hình, mô hình mạng lưới liên tục cho nhữ kết quả ít bị mâu thuận với thực nghiệm nhất là cách tiếp cận thỏa mãn nhất. I.3 Cấu trúc vùng năng lượng của bán dẫn vô định hình Như đã trình bày mặc dầu trong chất rắn VDH không còn tính tuần hoàn nhưng vẫn còn trật tự gần và vẫn tồn tại các dải năng lượng của điện tử trong chất rắn VDH.Tuy nhiên theo phép tính lý thuyết chứng tỏ ngay trong các dải cho phép cũng có thể xuất hiện các trạng thái định xứ, nghĩa là trong dải cho phép không phải mọi mức năng lượng đều ứng với các trạng thái trải rộng .Áp dụng kết quả trên vào các chất bán dẫn VDH ,có các mẫu chủ yếu sau 1.Mẫu Mott-CFO Theo mẫu này dải hóa trị và dải dẫn cách nhau bởi một dải cấm ,giống như với tinh thể.Tuy nhiên do cấu trúc VDH các trạng thái định xứ của các bờ vùng dẫn và vùng hóa trị kéo dài vào trong vùng cấm ,mức Fermi ε ƒ lùi vào khoảng giữa vùng cấm .Bờ của vùng cấm xác định không phải bằng bờ của vùng hóa trị và vùng dẫn mà bằng bờ của độ linh động của các vùng tương ứng như hình vẽ Hình 3 : Mật độ trạng thái(a) và bờ “vùng linh động” (b) trong bán dẫn vô định hình theo MOTT, Mật độ trạng thái theo mô hình CFO(c) ,mật độ trạng thái theo mô hình Daivis-Mott 2.Mẫu Davis-Mott Theo mẫu này bờ của độ linh động ở chính E c và E v ,nhưng các trạng thái định xứ do mất trật tự xa kéo dài đến các biên E A và E B .Còn các trạng thái định xứ gây ra bởi các sai hỏng ở mức Fermi có các đuôi kéo dài về phía các vùng dẫn và vùng hóa trị nhưng với mật độ giảm nhanh .Vùng con ở giữa vùng cấm này có tác dụng định vị mức Fermi ,do đó phù hợp với việc giải thích các tính chất của bán dẫn VDH loại này ở trường biến thiên . 6 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 3.Mẫu Marshall-Owen Mẫu này đưa ra chủ yếu để giải thích các tính chất của các lớp bán dẫn VDH kiểu As2Se3.Mức Fermi axepto hoặc donor nằm trong vùng cấm như biểu diễn hình bên dưới .Ở đây người ta cho rằng vùng trạng thái định xứ bị thu hẹp lại do tác dụng của Ag làm thay đổi cấu trúc VDH. Hình 4: Mật độ trạng thái trong As 2 Se 3 : a-không pha tạp b-có pha tạp Ag I.4 Độ dẫn điện của bán dẫn vô định hình 1.Cơ chế dẫn điện a.Dẫn điện do các hạt dẫn chuyển mức vượt qua các bờ linh động vào các trạng thái không định xứ,hay các trạng thái trải rộng.Nếu hạt dẫn cơ bản là lỗ trống,ta có thể viết : σ=σ o exp{(F-E v )/kT} trong đó thông số σ o cho bởi biểu thức σ o = 0.06 e 2 ℏ a E Biểu thức khác của σ o là : σ o =eN(E v )kTμ 0 trong đó μ 0 là độ linh động ứng với mức cơ bản của hạt dẫn,nó biến thiên nghịch đảo với nhiệt độ T,bởi vậy σ o không phụ thuộc nhiệt độ.Do đó ta thấy đường biểu diễn ln(σ o ) theo 1/T sẽ là một đường thẳng . b.Đỗ dẫn điện liên quan đến các hạt dẫn chuyển mức đến các trạng thái định xứ ở gần bờ vùng năng lượng,ví dụ gần E A ,E B ,ta cũng giả thiế rằng hạt dẫn cơ bản là lỗ trống,khi đó độ dẫn do cơ chế nhảy cóc được cho bởi biểu thức : 7 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 σ =σ 1 exp[-(F-E B +∆E 1 )/kT] trong đó ∆E 1 là năng lượng kích hoạt các bước nhảy của hạt dẫn , E B là năng lượng ở bờ vùng.Giá trị của σ 1 nhỏ hơn σ 0 từ 10 2 -10 4 là do vừa giảm mật độ trạng thái ,vừa giảm độ linh động tương ứng. c. Độ dẫn điện liên quan đến quá trình nhảy cóc của các hạt dẫn kích thích từ các mức của các trạng thái định xứ gần mức Fermi .Quá trình này tương tự như quá trình dẫn điện trong các bán dẫn pha tạp rất mạnh, ta có biểu thức : σ =σ 2 exp ( −∆ E2 K T ) Tóm lại độ dẫn điện của bán dẫn VDH sẽ bao gồm cả ba quá trình trên đây .Một cách tổng quát có thể xác định độ dẫn tổng cổng theo công thức ,qua mật độ trạng thái N(ε) như sau: σ =eʃN(ε)μ(ε)ƒ(ε)dε trong đó các hàm N(ε), μ(ε), ƒ(ε) lần lượt là mật độ trạng thái ,độ linh động và hàm phân bố Boltzmanm ứng với năng lượng trạng thái ε.Chú ý rằng hàm ƒ(ε) ở đây là mô tả phân bố các trạng thái ở trên mức εf, mà không phải là phân bố điện tử 2.Độ dẫn gẩn điểm nóng chảy Để xét độ dẫn của bán dẫn không trật tự tại điểm nóng chảy,người ta phân biệt hai nhóm vật liệu a-Các vật liệu không phải là thủy tinh không thể chế tạo bằng cách nóng chảy- nguội nhanh,như các chất :Ge,Te,A III B V ,ở trạng thái lỏng là kim loại thì độ dẫn điện tăng đột biến khi đi qua điểm nóng chảy . Trong các vật liệu này khối lượng riêng cũng tăng đột biến khi đi qua điểm nóng chảy. 8 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 Hình 5: Bước thay đổi đột ngột của độ dẫn a) và mật độ b) trong một vài vô định hình phi thủy tinh tại điểm nóng chảy. b.Các vật liệu thủy tinh bán dẫn là các dẫn vô định hình có thể chế tạo bằng phương pháp nóng chảy – nguội nhanh loại này có thể chia làm hai loại phân nhóm: -Phân nhóm thứ nhất là các thủy tinh bền,nó không bị tinh thể hóa khi bị nung nóng từ từ. -Phân nhóm thứ hai là các thủy tinh khi nung nhanh nó không bị tinh thể hóa nhưng sẽ tinh thể hóa khi nung từ từ. 3.Độ linh động cuốn Một trong những cách gián tiếp để xác định xem có tồn tại hay không các trạng thái định xứ ở gần các cực trị của vùng dẫn và vùng hóa trị là sử dụng sự phun hạt dẫn từ một điểm của mẫu và xác định thời gian dịch chuyển t 1 đến một khoảng cách d,dưới tác dụng của điện trường E. Độ linh động cuốn được xác định bởi công thức: μ= d E t 1 Phép đo độ linh động cuốn được thực hiện trong các vật liệu có điện trở xuất cao,trong đó hạt dẫn dư trong quá trình di chuyển không bị bao vây bởi một “lan mây” các hạt dẫn trái dấu.Quá trình di chuyển của cả điện tử và lỗ trống đều có thể quan sát bằng cách chọn điện áp phân cực thích hợp .Hình dưới đây trình bày sơ đồ đo độ linh động cuốn. Lớp mỏng bán dẫn (bề dày cỡ 50μm) được chế tạo giữa hai điện cực phẳng.Cực dẫn điện trong suốt để có thể chiếu ánh sáng vào mẫu qua điện cực này 9 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 ,thực hiện quá trình quang phát sinh hạt dẫn .Các hạt dẫn có thể được phun vào bằng xung điện hoặc xung sáng hay chùm điện tử với độ dài thời gian nhỏ hơn t 1 . Hình 6 : sơ đồ đo độ linh động cuốn của bán dẫn vô định hình Thời gian để điện tích được phun vào di chuyển đến điện cực đối diện được xác định bằng cách quan sát sự di chuyển của xung dòng dạng vuông ,hoặc sự di chuyển của xung điện tích dạng nghiêng . 4.Độ dẫn trong trường biến thiên của bán dẫn vô định hình Giống như khi xét độ dẫn tĩnh ,chúng ta sẽ xem xét ba cơ chế dẫn điện ,nghĩa là ba loại hạt dẫn: a.Với các hạt dẫn tự do ứng với các trạng thái không định xứ ở gần Ec và Ev, ta có biểu thức như trong tinh thể : σ(ω)=σ(0)/(1+ω 2 t 2 ) trong đó σ(0) là độ dẫn ứng với trường tĩnh (ω=0),t là thời gian hồi phục.Vì hạt dẫn tự do có thời gian hồi phục rất ngắn nên chỉ với tần số cao(v=10 15 Hz) thì mới thấy rõ sự phụ thuộc của t theo ω .Còn với tần số thấp như tần số phụ thuộc dải sóng vô tuyến (v=10 7 Hz)thì sẽ không thấy rõ sự phụ thuộc của t theo ω. b.Với các hạt dẫn kích thích từ trạng thái định xứ ở gần các bờ vùng năng lượng và tham gia dẫn điện bằng cơ chế nhảy cóc ,thì đỗ dẫn sẽ phụ thuộc vào ω theo dạng ω(ln[V phon/ ω] 4 .Nghĩa là xấp xỉ ω 0,8 khi ω << V phon; V phon là tần số của dao động phonon đặc trưng trong bán dẫn vô định hình. c.Với các hạt dẫn kích thích từ trạng thái định xứ lân cận F gần giữa vùng cấm và tham gia dẫn điện bằng cơ chế nhảy cóc,Davis và Mott tìm được biểu thức: N ¿ ¿ V phon ω ln ¿ ¿ σ ( ω ) = 1 3 πkT ¿ )] 4 10 . nhiều vật liệu bán dẫn được quan tâm hiện nay ,vật liệu bán dẫn vô định hình là vật liệu có tính chất đặc biệt hơn cả do cấu trúc vô định hình của nó.Bài báo. mặt 11 Báo cáo vật liệu bán dẫn vô định hình 2012 trong bán dẫn vô định hình không mạnh như trong bán dẫn tinh thể so với tái hợp trong khối . Hình 8 :Phổ
