đồ án thiết kế máy phát FM đại học công nghiệp hà nội

24 768 1
đồ án thiết kế máy phát FM đại học công nghiệp hà nội

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

PHẦN 1 : LÝ THUYẾT A : TỔNG QUAN 1 . Đònh nghóa về máy phát môi trường truyền Máy sóng máy phát thu H. hệ thống thông tin Một hệ thống thông tin bao gồm : máy phát máy thu và môi trường truyền sóng .Trong đó máy phát là một thiết bò phát ra tín hiệu dưới dạng sóng điện từ được điều chế dưới dạng một hình thức nào đó . Sóng điện từ còn gọi là sóng mang hay tải tin làm nhiệm vụ chuyển tải thông tin cần phát tới một điểm thu .Thông tin này được gắn với tải tin bằng hình thức điều chế thích hợp.máy phát phải phát đi công suất đủ lớn để cung cấp các tạp âm (S/N)đủ lớn cho máy thu .Máy phát phải sử dụng sự điều chế chính xác để bảo vệ các thông tin được phát đi không bò biến dạng quá mức , ngoài ra các tần số hoạt động của máy phát được chọn căn cứ vào các kênh và vùng phủ sóng theo qui đònh của hiệp hội thông tin quốc tế. Các tần số trung tâm sóng mang của máy phải có độ ổn đònh tần số cao .do đó một số chỉ tiêu kỷ thuật của máy phát là ∗ Công suất ra của máy phát ∗ Độ ổn đònh tần số : ∆ /f0 =10 3− → 10 7− ∗ Chỉ số điều chế AM (m AM ) và chỉ số điều tần FM (m j ) ∗ Dải tần số điều chế …… 2. Phân loại máy phát 2.1/ Theo công dụng : Máy phát Phát phát chương phát Thông tin trình ứng dụng Cố đònh di động phát thanh phát hình đo ra đa Khoảng cách Máy phát thông tin ,máy phát chương trình ,và máy phát ứng dụng 2.2/ Theo tần số ♣ Phát thanh : ∗ 3 ÷ 30 KHz ∼ (100 Km ÷ 10 Km) : đài phát sóng cực dài:VLW ∗30 ÷ 300 Khz ∼ (10 Km ÷ 1 Km) : đài phát sóng dài :LW ∗300 ÷ 3000 Khz ∼ (1Km ÷ 100m) : đài phát sóng trung : MW ∗3 ÷ 30 Mhz ∼ (100m ÷ 10m) : đài phát sóng ngắn :SW ♣ Phát hình : ∗30 ÷ 300 MHz ∼(10m ÷ 1m): đài phát sóng mét ∗300 ÷ 3000 MHz ∼ (1m ÷ 0.1m) : đài phát sóng dm ♣ Thông tin vi ba rada : ∗ 3 ÷ 30 Ghz ∼ (0.1m ÷ 0.01 m) : đài phát sóng cm ∗ 30 ÷ 300 Ghz ∼ (0.01m ÷ 0.001m) :đài phát sóng mm 2.2/ Theo phương pháp điều chế ∗ Máy Phát điều biên AM ∗ Máy phát đơn biên SSB ∗ Máy phát điếu tần (FM) và máy phát điều tần âm thanh nổi (FM stereo) Ngày nay máy phát đa số được nghiên cứu để ứng dụng tất cả vào các loại máy phát thông tin số ,phát thanh số , phát hình số v.v…. 2.3/ Theo công suất nhỏ ∗ Máy phát công suất nhỏ P ra < 100 W ∗ Máy phát công suất trung bình 100 W ≤ P ra ≤ 10 KW ∗ Máy phát công suất lớn 10 KW ≤ P ra <1000 W ∗ Máy phát công suất cực lớn P ra ≥ 1000 KW Ngày nay các máy phát P ra nhỏ và trung bình người ta có thể sử dụng hoàn toàn bằng Transitor , còn các máy phát có P ra lớn và cực lớn vẩn phải dùng các đèn điện tử đặt biệt. Có rất nhiều cách phân loại máy phát nhưng trong chương trình này chúng ta đặt biệt quan tâm đến cách phân loại theo phương pháp điều chế vì nó lòên quan đến thiết kế mạch và cả dạng tin tức cần phát đi. 3.Giới thiệu về máy phát . Một chiếc radio đơân giản ta có thể tìm thấy chúng trong mọi gia đình nhờ nó ta có thể biết được nhiều thông tin hữu ích như: kinh tế ,văn hoá chính trò Nhưng có khi nào chúng ta tự hỏi tại sao nó lai làm được như vậy ? Những thanh ghi nào là AM, FM ,thực sự nó có tác dụng như thế nào Vâng rất nhiều vấn đề phải được tính toán , để cho ra một chiếc radio kia that sự hửu dụng. Với góc độ những người phụ trách vê mặt kỷ thuật chúng ta phải tìm cách để đưa được nhửng thông tin có giá trò với độ trung thực cao đến người sử dụng. Trong phạm vi đồ án 02 này ta sẻ nghiên cứu hoạt động và đi vào thiết kế một máy phát nhỏ trong dảy băng tầng FM. Để có thể bức xạ tín hiệu ra không gian người ta dùng một anten mà nó có thể so sánh được với bước sóng của tín hiệu mà nó cần bức xạ .điều này thật không đơn giản Vì thực tế dảy tần âm thanh của con người là từ (20 hez ÷ 20 Khz) nên bước sóng sẻ rất dài ,không thể thiết kế như vậy được ,nên người ta nghỉ cách là làm thế nào để nâng tần số này lên mà vẩn có thể giử nguên được giá trò của thông tin muốn truyền đạt .Từ đó kỷ thuật AM ra đời .Vậy kỷ thuật AM là gì ? Với kỷ thuật AM (Amplitude Modulation) tín hiệu điều biên người ta sử dụng một tần số cao (ở dảy tần Mhz) làm tín hiệu bức xạ (sóng mang) trong khi đó tín hiệu mà ta cần truyền sẻ là biên độ của tín hiệu sóng mang ,nó có giá trò lớn ,nhỏ tuỳ theo giá trò của tin tức. Tuy nhiên do tín hiệu cần truyền là biên độ nên nó dể dàng bò nhiểu khi phải đi qua một khoảng cách xa . Từ đó kỷ thuật FM ra đời . Tín hiệu FM (Frequence Modulation) ;hay còn gọi là tín hiệu điều tần Khác với điều biên tin tức .điều tần là làm biến đổi tần số của sóng mang nhanh hoặc chậm là tuỳ thuộc vào tuỳ thuộc vào sự biến đổi tần số của tín hiệu tin tức Mạch dao động cao tần tạo ra dảy tần số cao để cho antenna có thể dể dàng bức xạ thành sóng điện từ ra không gian ,tuy nhiên nếu ta tạo ra tần số cao tần ngỏ ra trực tiếp từ khối tạo dao động thì tần số tao ra sẻ kém ổn đònh .Để khắc phục nhược điểm này ,người ta tạo ra sóng cao tần có tần số thấp hơn tần số ngỏ ra có độ ổn đònh tốt rồi dùng một bộ nhân tần để đưa tần số đó lên đúng tần só phát .sau khi đã được nhân tần ,nếu biên độ tín hiệu vẩn chưa đủ lớn để làm cho antenna bức xạ được nên ta dùng bộ khuếch đại công suất cao tần đưa biên độ tín hiệu lớn lên .Công suất ngỏ ra của khối này sẻ làm cho biên độ của tín hiệu phát đi đủ lớn và dể dàng bức xạ thành sóng điện từ B. SƠ ĐỒ KHỐI MÁY PHÁT FM . AFC anten Chủ sóng Tiền KĐ KĐCSCT Mạch ra Cao tần Pre-emphasic Tiền KĐ Âm tần micro Nguồn cung cấp 1.Khối tiền khuếch đại âm tần . Đối với máy phát điều tần thì yêu cầu điện áp âm tần không lớn lắm ,nên tín hiệu âm tần từ micro chỉ cần đưa qua một bộ tiền khuếch đại âm tần rồi đưa tới bộ chủ sóng. 2 . Khối chủ sóng . Có nhiệm vụ tạo ra dao động cao tần (sóng mang) có biên độ và tần số ổn đònh ,có tầm biến dổi tần số rộng .muống vậy ta phải dùng mạch dao động LC kết hợp với mạch tự động điều chỉnh tần số (AFC). 3 . Khối tiền khuếch đại công suất cao tần . Có thể dùng để nhân tần hoặc khuếch đại dao động cao tần dean mức cần thiết để kích thích tần công suất làm việc .Nó còn có nhiệm vụ đệm ,làm giảm ảnh hưởng của các tần sau đến độ ổn đònh của các khối chủ sóng .Vì vậy khối tiền khuếch đại CT có thể có nhiều tần :tầng đệm , tầng nhân tần và tần tiền khuếch đại cao tần . 4 . Khối khuếch đại công suất cao tần : Có nhiệm vụ tạo ra công suất cần thiếy theo yêu cầu công suất ra P ra của máy phát . Công suất ra yêu cầu càng lớn thì tầng khuếch đại trong khối KDCSCT càng nhiều. 5 . Mạch ra : Để phối hợp trở kháng giửa tầng KĐCSCT cuối cùng và Anten để có công suất ra tối ưu nhất . 6 . Anten : Để bức xạ năng lượng cao tần (biến đổi năng lượng cao tần của máy phát thành sóng điện từ truyền đi trong không gian). 7 . Nguồn cung cấp : Nguồn cung cấp điện áp thường phải có công suất lớn dể cung cấp cho Transistor công suất hoặc đèn điện tư .û PHẦN 2 :TÍNH TOÁN 1. TẦNG KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT CAO TẦN. Chọn transistor 2SC2685 với các thông số kỷ thuật sau : V CE = 36 v I maxC = 2 A P max = 20 w h fe = 50 f T = 2 Ghz f β = fe T h F = 50 10.2000 6 =40 Mhz Với bộ nhân tần là nhân 4 nên f 0 = 100 Mhz nên 0,3.f β = 12 Mhz < f 0 =100Mhz ≤ 3.f β = 120Mhz vậy mạch làm việc ở tần số trung bình ∗ Tính suy hao 2 dB. Với P A =3 w ⇒ 2 = 10.log A A P P * ⇒ 0,2 = log * A P -log 3 ⇒ * A P = 10 3,0log2,0 + = 10 68,0 = 4,8 W ∗ hiệu suất mạch lọc đầu ra: 0 η =0,75 nên ta có công suất trước khi vào bộ lọc là P , A P , A = 0 * η A P = 75,0 8,4 = 6,4 W ♣chọn góc cắt θ = 80 0 γ 0 (θ) = π θθθ cossin − = π π 80cos 180 .80 80sin − = 0,236 γ 1 (θ) = π θθθ cossin− = π π 80cos80sin 180 .80 − = 0,39 γ 0 ( π -θ) = π θθθ cossin − = π π 100cos 180 .100 100sin − = 0,41 γ 1 ( − π θ) = π θθθ cossin− = π π 100cos100sin 180 .100 − = 0,61 | . β | = 2 0 1         + β f f h fe = 2 40 100 1 50       + =18,57 ♣ Hệ số độ lợi điện áp : chọn ξ = 0,9 ⇒ V cc = 0.5 . V maxCE = 0,5 . 36 = 18 V Ch n Vọ CC =10 V Biên độ áp hài bậc 1 : V 1cm = ξ . V cc = 0,9 . 10 = 9 V ⇒ I 1 cm = 1 , .2 cm A V P = 9 4,6.2 = 1,422 A I 1cm =1,422 A < I maxc = 2A ♣ Điện trở ra tương đương : R td = 1 1 cm cm I V = 42,1 9 = 6,33 Ω Thành phần trung bình DC của dòng điện ra : I 0c = ( ) ( ) θγ θγ 1 0 . I 1cm = 39, 236,0 o . 1,422 =0,86 A I , n = ( ) .1|| . 1 θγβ cm I = 39,0.57,18 422,1 = 0,2 A ♣ P cc = I 0c . V cc = 0,86. 10 =8,6 W ♣ công suất tiêu tán trên Transistor : P c = P cc -P , A = 8,6 – 6,4 =2,2 W ♣ Hiệu suất mạch lọc : η = cc A P P , = 6,8 4,6 = 0,75 =75 0 0 ∗ MẠCH GHÉP NGỎ RA π ĐƠN . R = Atd RR . = 75.33,6 = 22 Ω (hình) |X 65C | = td i Q RR + = 5 227 + = 5,8 Ω ⇒ C 65 = || 1 65 .0 C X ω = 8,5.10.2 1 8 π = 274 pF Chọn C 65 = 300 pF |X 66C | = td A Q RR + = 5 2275 + = 19,4 Ω ⇒ C 66 = || 1 66 .0 C X ω = 4,19.10.2 1 8 π = 82 pF Chọn C 66 = 82 pF |X 62L | = |X 65C | + |X 66C | = 5,8 + 19,4 = 25,2 Ω ⇒ L 62 = 0 62 2 || f X L π = 8 10 2 2,25 π = 4 µ H ∗ C 64 ngắn mạch dòng một chiều : |X C 64 | = 10 1 . |X 62L | = 2,52 Ω ⇒ C 64 = 52,2.10.2 1 8 π = 632 pF Chọn C 64 = 680 pF r , be = R n = CO fe I h 3 10.25 4,1 − = 86,0 10.25.50.4,1 3− = 2,1 Ω C , be = T C I ω 0 .40 = 6 10.2000 2 86,0.40 π = 2738 pF C , bc = β π fr be , . 2 1 - C , be = 6 10.40.45,1 2 1 π - 2738.10 12− = 7 pF C ,* b = )( )](.1.[ 1 1. ,, θπγ θγω − + tdTbcbe RCC = = 61,0 ]39,0.33,6.10.2000.2.10.71[10.273 61212 π −− + = 5462 pF ⇒ Trở kháng vào : Z IEC = 0 ,* . 1 ω b C = 812 10.2.10.5462 1 π − = 0,3 Ω Ta thấy Z IEC ≈ r , be . Nên Z , IEc = Z n = r , be // Z IEC = 2 0 , )(1 β ω ω + be r = 2 ) 40 100 (1 1,2 + = 0,78 Ω V 1bm = I , n . |Z , i | = 0,2 . 0,78 = 0,16 V P i = 2 1 . V 1bm . I , n = 2 1 . 0,16 . 0,2 = 16 mW ♣ L ch , RFC là cuộn chặn ngăn tần số cao tần đi qua ,chọn = 10 µA ♣ V BB = 0,7 - I , n . |Z n | . 0 γ (π-θ) = = 0,7 – 0,2 . 0,53 . 0,41 = 0,65 V V BB = 6261 61 RR R + . V CC ⇒ 6261 61 RR R + = CC BB V V =0,065 ⇒ 0,935 R 61 = 0,065 R 62 ⇒ R 62 = 14,38 .R 61 Chọn R 61 = 1 K ⇒ Chọn R 62 = 15 K 2.TẦNG TIỀN KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT CAO TẦN ♣ Mạch tiền khuếch đại cao tầng này hoạt động ở chế độ phân cực lớp A,nên ta chọn hệ số sử dụng điện áp là : ξ = 0,4 Với V cc = 10 V ⇒ V 1Cm = ξ . V cc = 0,4 . 10 = 4 V ♣Công suất hài bậc nhất P Lm = P 6iQ / η = 75,0 016,0 = 22 mA ⇒ I 1cm = 1 .2 cm Lm V P = 4 22.2 = 11 mA I 1cm = 6,6 mA phải nhỏ hơn I maxC Nên ta chọn Transistor Q5 là 2SC 3037 với các thông số sau V CE = 20 v I maxC = 70 mA P max = 4000 mw h fe = 80 f T = 5 Ghz f β = fe T h f = 80 10.5000 6 =62,5 Mhz với bộ nhân tần là nhân 4 nên f 0 = 100 Mhz nên 0,3.f β = 18,5 Mhz < f 0 =100Mhz ≤ 3.f β = 187,5Mhz Vậy mạch làm việc ở tần số trung bình . || . β = 2 0 1         + β f f h fe = 2 5.62 100 1 5,62       + = 33 I , n = ( ) .1|| . 1 θγβ cm I = 39,0 33 10.11 3− = 0,85 mA I co = ( ) ( ) θγ θγ 1 0 . I 1cm = 39,0 236,0 .11.10 3− =6,65 mA ♣ Trở kháng tương đương : R td = 1 1 cm cm I V = 3 10.11 4 − = 365 Ω ⇒ L c = 00 Q R td ω = 100.10 2 365 8 π = 6 nH ⇒ C c = c L. 1 2 0 ω = 9162 10.6.104 1 − π = 410 pF ♣ Công suất nguồn cung cấp . ♣ P cc = I 0c . V cc = 6,65.10 3− . 10= 66,5 mW ♣ công suất tiêu tán trên Transistor : P c = P cc -P L = 66 -22 =44 mW ♣ Hiệu suất mạch lọc : η = cc L P P = 3 3 10.5,66 10.22 − − = 0,35 = 35 0 0 ∗ Chọn V 53R = 0,3V CC ⇒ R 53 = 3 10.10 10.3,0 − = 330 Ω ⇒ Chọn R 53 = 330 Ω R 5b = 10 1 h fe . R 53 = 10 1 80 . 330 = 2640 Ω ♣ Chọn I 5CQ = 10 mA V BB = 0,7 + I 5CQ . R 53 = 0,7 + 10.10 3− .330 = 4 V R 52 = R 5b . 5BB CC V V = 2640 . 4 10 = 6600 Ω Chọn R 52 = 6,8 K Ω R 51 = R 5b . CC BB V V 5 1 1 − = 2640. 10 4 1 1 − = 4400 Ω Chọn R 51 = 4,7 K Ω ♣ X 53C ≤ 10 1 R 53 = 33 Ω ⇒ C 53 = 530 2 1 C Xf π = 33.10.2 1 8 π = 48,25 pF Chọn C 53 = 50 pF ∗ Chọn R 54 = 100 Ω X 51C ≤ 10 1 R 51 ⇒ X 51C = 10 1 4700 = 470 Ω ⇒ C 51 = 510 2 1 C Xf π = 470.10 2 1 8 π = 3,5 pF Chọn C 51 = 5 pF ♣ L 51 , C 54 khung cộng hưởng tín hiệu cao tần Chọn L 51 = 0,1 µH ⇒ X 51L = L 51 . 0 ω = 0,1 .10 6− .2π . 10 18 = 62,8 Ω ∗ C 54 = 51 2 0 . 1 L ω = 16162 10.1,0.10 4 1 π = 25 pF ⇒ X 54 C = 54.0 1 C ω = 128 10.25.10.2 1 − π = 63,7 Ω ♣ MẠCH GHÉP ĐẦU VÀO π ĐƠN CỦA Q6 : hình R i = R 54 // R td = 100 // 365 = 78 Ω R = , . bei rR = 1,2.78 = 12,8 Ω |X 61C | = td i Q RR + = 5 8,1278 + = 18 Ω ⇒ C 61 = 610 2 1 C Xf π = 18.10 2 1 8 π = 88,5 pF Chọn C 61 = 100 pF |X 62C | = td be Q Rr + , = 5 8,121,2 + = 2,98 Ω ⇒ C 62 = 620 2 1 C Xf π = 98,2.10 2 1 8 π = 534 pF Chọn C 62 = 560 pF |X 61L | = |X 61C |+ |X 62C | = 18 + 2,98 = 20,98 Ω ⇒ L 61 = 0 61 ω L X = 8 10.2 98,20 π = 33 nH r , be = 0 .40 C fe I h = 3 10.65,6.40 80 − = 300 Ω C , be = T C I ω 0 .40 = 6 3 10.5000 2 10.65,6.40 π − = 8,47 pF C , bc = β π fr be , . 2 1 - C , be = 6 10.5,62.300 2 1 π - 8,47. 10 12− = 0,04 pF C ,* b = )( )](.1.[ 1 1. ,, θπγ θγω − + tdTbcbe RCC = = 61,0 ]39,0.300.10.5000.2.10.04,01[10.47,8 61212 π −− + = 19,2 pF ⇒ Trở kháng vào : Z IEC = 0 ,* . 1 ω b C = 812 10.2.10.2,19 1 π − = 84 Ω [...]... 3.10 −3 IC0 R td = ω 0 L.Q0 = 2π 25.10 6.100.5.10 −6 = 78,5 KΩ Hệ số khuếch đại h21e h 30 350 ( p 2 Rtd // 11e ) = (0.99 2.78,5.10 3 // ) = - 6453 A= -S.Z c = − 2 h11e 350 n 0,012 Điều kiện dao động : |A|.|β | = 6543 0,01 = 64,53 > 1 Vậy mạch thoả mản diều kiện dao động ♣ Thiết kế mạch điều tần sử dụng varicap Chọn Varicap FMM105G với các thông số kỷ thuật sau : V = 30 V C 1,8……2,8 pF Q = 50 Với C... C16 − C td 2 9,54.10 −12 L 61 ngăn chặn ảnh hưởng của tín hiệu cao tần đổ vào trong khối khuếch đại âm tần Nên ta chọn L 61 sao cho với tín hiệu âm tần thì L 61 ngắn mạch ,còn tín hiệu cao tần thì L 61 hở mạch 6.TẦNG KHUẾCH ĐẠI MICRO : Hệ số của mạch khuếch đại Micro : A V = Nên chỉ cần mắc 1 tầng khuếch đại micro VΩ 148mV = = 49 lần VMicro 3mV Chọn Transistor Q,Q là transistor loại C535 với các thông... Chọn R 15 = 4,7 KΩ R15 6 ⇒ = R15 − R16 10 4 ⇒ R 16 = R 15 6 R 16 = 3133 Ω Chọn R 16 = 3,3 KΩ Điện trở R 14 thường chọn khoảng vài trăm KΩ do dòng qua R 14 bằng 0 nên V R14 = 0 V Chọn R 14 = 330 KΩ ♣ Thiết kế mạch dao động : Đây mạch dao động 3 điểm điện dung nên thoả mản điều kiện cân bằng pha vì : 1 1 X1 = − ; X2= − ; X 3 = ω L ω C14 ω C15 Chọn Transistor 2SC 1924 cho Q 2 với các thông số kỷ thuật ban... (θ ) 0,5 Rtd 1 3,77.10 3 ⇒ Lb= = =0,24 µH ω 0 Q0 2π 25.10 6.100 1 1 Vậy C b = = = 171 pF 2 2 2 (ω o ) Lb 4.π 25 10 2.0,24.10 −6 ♣ Công suất cung cấp : P CC = I Co V cc = 0,61.10 −3 10 = 6,1 mW Pl 2 0,9.10 −3 ⇒ Hiệu suất mạch : η = = = 0,15 =15 0 0 PCC 6,1.10 −3 ♣Trở kháng vào : 1,4.h fe 25.10 −3 1,4.30.25.10 −3 , r be = = = 1,72 KΩ 0,61.10 −3 I Co R td 1 = ♣Điện áp đầu vào : , , V Bm 2 = I n r be... ) 0,5 Rtd 1 19,5.10 3 ⇒ Lb= = =0,12 µH ω 0 Q0 2π 25.10 −6.100 1 1 Vậy C b = = = 340 pF 2 2 2 (ω o ) Lb 4.π 25 10 2.0,12.10 −6 ♣ Công suất cung cấp : P CC = I Co V cc = 0,116.10 −3 10 = 1,16 mW Pl 2 0,0173.10 −3 ⇒ Hiệu suất mạch : η = = = 0,15 =15 0 0 PCC 1,16.10 −3 ♣Trở kháng vào : 1,4.h fe 25.10 −3 1,4.30.25.10 −3 , r be = = = 9,1 KΩ 0,116.10 −3 I Co R td 1 = ♣Điện áp đầu vào : , , V Bm 2 = I n r... = = V R 31 0,13 = = 783Ω I CQ 3 0,166.10 −3 Chọn R 31 = 820 Ω Tính C 20 1 , 1 rbe = 210 = 21Ω 10 10 1 1 = = 303 pF C 20 = ω 0 | X C 20 | 2π 25.10 6.21 |X C 20 | = Chọn C 20 = 300 pF 5 TẦNG ĐIỀU CHẾ FM Chọn Transistor hoạt động ở chế độ lớp A ♣ Phân cực DC cho Transistor : Chọn I C 0 = 3 mA Chọn R 13 = 1 KΩ ⇒ V R13 = R 13 I C 0 = 10 3 3.10 −3 = 3 V Suyra V CEQ = V CC - V R13 = 10 – 3 = 7 V V BB... ghép biến áp của tân nhân 2 sau : VCm 2 / Q 3 4 N= = = 15 2.Vbm / Q 4 2.0,14 ♣ Do tỉ lệ N =[15 : 1] Nên P L1Q 3 = 15.PiQ 4 = 15.11,5.10 −6 = 17,3 µW 2.PL 2.0,173.10 −3 I Cm 2 = = = 0,087 mA V Cm 2 4 ♣ thành phần trung bình DC của dòng điện ra : γ 0 (θ ) 1/ π I Co = I Cm 2 = 0,087.10 −3 = 0,116 mA γ 2 (θ ) 0,212 I Cm 2 0,087.10 −3 , In = = = 14,5 µ A γ 2 (θ ).h fe 0,212.30 ♣ Điện trở tương đương của... NHÂN TÂN TẦN VỚI Q 4 Hệ số ghép biến áp là : VCm 2 / Q 4 4 N= = = 14 2.Vbm / Q 5 2.0,14 ♣ Do tỉ lệ N =[14 : 1] Nên P L1 / Q 4 = 14.PiQ 5 = 14 60 = 0,9 mW 2.PL 2.0,9.10 −3 I Cm 2 = = = 0,45 mA V Cm 2 4 ♣ thành phần trung bình DC của dòng điện ra : γ 0 (θ ) 1/ π I Co = I Cm 2 = 0,45.10 −3 = 0,61 mA γ 2 (θ ) 0,212 I Cm 2 0,45.10 −3 , In = = = 0,08 mA γ 2 (θ ).h fe 0,212.30 ♣ Điện trở tương đương của mạch... chọn L = 1 µ H ⇒ X L = ω 0 L = 2.π 25.10 6 10 −6 = 157 Ω 1 ⇒ Chọn X C 35 = X C 41 = X L = 15,7 Ω 10 1 Vậy C 35 = C 41 = = 405 pF 2π 25.10 6.15,7 Chọn C 35 = C 41 = 400 pF ♣ L 31 , C 32 tạo nên khung công hưởng có tần số trung tâm f 0 =25 Mhz Chọn L 31 = 5 µ H 1 1 ⇒ C 32 = 2 = = 8,1 pF 2 2 ω 0 L31 4.π 25 1012.5.10 −6 Chọn C 32 = 8 pF , ♣ X C 31 = r be // R 32 = 5.10 6 // 56.10 3 = 55,38 KΩ 1 1 ⇒ C... P C max = 0,1 W I C max = 50 mA V CE max = 20 V h fe = 35 Mạch làm việc ở chế độ phân cực lớp A Ta có V MICRO = 3 mV 1 20 = 10 V V CC = VCE max = 2 2 Để đảm bảo Transistor hoạt động trong vùng khuếch đại ,ta chọn : I CQ 7 = 2 mA ; I CQ 8 = 1 mA 1 10 = 3,3 V Chọn V CQ 7 = VCC = 3 3 1 10 =2 V Chọn V E 7 = VCC = 5 5 vE7 2 = = 1 KΩ ⇒ R E7 = I CQ 7 2.10 −3 Chọn R E 7 = 1 KΩ ♣ V CEQ 7 = VCC −V E 7 − I CQ . Theo công dụng : Máy phát Phát phát chương phát Thông tin trình ứng dụng Cố đònh di động phát thanh phát hình đo ra đa Khoảng cách Máy phát thông tin ,máy phát chương trình ,và máy phát ứng. về máy phát môi trường truyền Máy sóng máy phát thu H. hệ thống thông tin Một hệ thống thông tin bao gồm : máy phát máy thu và môi trường truyền sóng .Trong đó máy phát là một thiết. : đài phát sóng cm ∗ 30 ÷ 300 Ghz ∼ (0.01m ÷ 0.001m) :đài phát sóng mm 2.2/ Theo phương pháp điều chế ∗ Máy Phát điều biên AM ∗ Máy phát đơn biên SSB ∗ Máy phát điếu tần (FM) và máy phát điều

Ngày đăng: 23/06/2015, 10:55

Từ khóa liên quan

Mục lục

  • PHAÀN 1 : LYÙ THUYEÁT

    • A : TOÅNG QUAN

      • PHAÀN 2 :TÍNH TOAÙN

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan