tác động của các phụ gia axit nicotinic và 4-tert-butylpyrindine đến hoạt động của pin mặt trời tinh thể nano ti02

126 169 0
  • Loading ...

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Tài liệu liên quan

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 15/01/2015, 07:29

ðẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ðẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN        TRẦN MINH HẢI T T Á Á C C ð ð Ộ Ộ N N G G C C Ủ Ủ A A C C Á Á C C P P H H Ụ Ụ G G I I A A A A X X I I T T N N I I C C O O T T I I N N I I C C V V À À 4 4 - - T T E E R R T T - - B B U U T T Y Y L L P P Y Y R R I I D D I I N N E E ð ð Ế Ế N N H H O O Ạ Ạ T T ð ð Ộ Ộ N N G G C C Ủ Ủ A A P P I I N N M M Ặ Ặ T T T T R R Ờ Ờ I I T T I I N N H H T T H H Ể Ể N N A A N N O O T T i i O O 2 2 – – C C H H Ấ Ấ T T N N H H Ạ Ạ Y Y Q Q U U A A N N G G LUẬN VĂN THẠC SĨ HOÁ HỌC THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH – 2010 ðẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ðẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN        TRẦN MINH HẢI T T Á Á C C ð ð Ộ Ộ N N G G C C Ủ Ủ A A C C Á Á C C P P H H Ụ Ụ G G I I A A A A X X I I T T N N I I C C O O T T I I N N I I C C V V À À 4 4 - - T T E E R R T T - - B B U U T T Y Y L L P P Y Y R R I I D D I I N N E E ð ð Ế Ế N N H H O O Ạ Ạ T T ð ð Ộ Ộ N N G G C C Ủ Ủ A A P P I I N N M M Ặ Ặ T T T T R R Ờ Ờ I I T T I I N N H H T T H H Ể Ể N N A A N N O O T T i i O O 2 2 – – C C H H Ấ Ấ T T N N H H Ạ Ạ Y Y Q Q U U A A N N G G Chun ngành: Hóa lý thuyết và Hóa lý Mã số: 604431 LUẬN VĂN THẠC SĨ HOÁ HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. PGS.TS. NGUYỄN THỊ PHƯƠNG THOA 2. NCS. NGUYỄN THÁI HỒNG 3. PGS.TS. TORBEN LUND THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH – 2010 LỜI CẢM ƠN Trần Minh Hải i LỜI CẢM ƠN Tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc ñến PGS.TS. Nguyễn Thị Phương Thoa, NCS. Nguyễn Thái Hoàng, và PGS.TS. Torben Lund tại Trường ðại học Roskilde, ðan Mạch ñã tận tình hướng dẫn, tạo ñiều kiện thuận lợi cũng như ñã truyền ñạt nhiều kinh nghiệm quý báu giúp tôi hoàn thành luận văn này. Tôi xin cảm ơn bạn Nguyễn Tuyết Phương, kỹ thuật viên Jacob Krake, bạn bè cao học K15 và các bạn trong phòng thí nghiệm ðiện hóa ứng dụng ñã ñộng viên, giúp ñỡ tôi trong suốt quá trình thực nghiệm. Ngoài ra, tôi cũng xin chân thành cảm ơn ban ñiều hành chương trình hợp tác giữa Khoa Hóa, Trường ðại học Khoa học Tự nhiên TP. HCM và ðại học Roskilde, ðan Mạch, cũng như tổ chức DANIDA ñã tạo ñiều kiện ñể tôi thực hiện luận văn. Sau cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc nhất ñến gia ñình tôi, những người luôn bên cạnh hỗ trợ, chia sẻ với tôi trong bất kỳ hoàn cảnh nào. TÓM TẮT LUẬN VĂN Trần Minh Hải ii TÓM TẮT LUẬN VĂN Kể từ khi ra ñời năm 1991 bởi sự phát triển của nhóm nghiên cứu của GS. M. Grätzel, pin mặt trời - chất nhạy quang (Dye – sensitized solar cell, DSC) nhanh chóng nhận ñược nhiều sự quan tâm của giới khoa học công nghệ do hiệu suất chuyển ñổi quang năng có thể ñạt ñến trên 11% và giá thành chế tạo thấp. Khác với các loại pin mặt trời truyền thống, hoạt ñộng của DSC dựa trên cơ chế của quá trình quang ñiện hóa học tái sinh nhanh. ðể ñược thương mại hoá, ứng dụng rộng rãi vào thực tế ñời sống – sản xuất, loại pin này cần ñược nghiên cứu hoàn thiện nhằm hiểu rõ hơn về các quá trình quang ñiện hoá học xảy ra trong pin. Trên cơ sở ñó, tìm kiếm các giải pháp hiệu quả nâng cao tính năng hoạt ñộng, tăng ñộ bền và giảm giá thành của pin, Hiện nay, phương pháp phổ biến và hiệu quả ñể nâng cao tính năng hoạt ñộng của DSC là thêm phụ gia 4-tert-butylpyridine (TBP) vào hệ ñiện ly. TBP làm tăng giá trị hiệu thế mạch hở (V OC ), thừa số lấp ñầy (ff), và hiệu suất chuyển ñổi quang năng của pin (η). Trong luận văn này, chúng tôi nghiên cứu tác ñộng của một phụ gia dẫn xuất pyridine khác là axit nicotinic (ANT) ñến tính năng hoạt ñộng của DSC. Phụ gia này ñược thử nghiệm trên các DSC do tác giả tự chế tạo tại Phòng thí nghiệm Hoá lý Ứng dụng, có hiệu suất chuyển ñổi quang năng ban ñầu trung bình là 6,2%. Việc xử lý DSC với dung dịch ANT 0,01 M trong 3-methoxypropionitrile (MPN) bằng một kỹ thuật mới, kỹ thuật “tiêm – rút”, làm tăng cả giá trị V OC và mật ñộ dòng ngắn mạch (J SC ). Giá trị V OC tăng khoảng 45 mV; J SC tăng khoảng 1,2 mA/cm 2 ; và η tăng trung bình từ 6,1% lên 6,7%. Trong khi ñó, tính năng hoạt ñộng của DSC dường như không thay ñổi khi sử dụng ANT như là một chất phụ gia có nồng ñộ thấp (0,01 M) trong hệ ñiện ly. Những phụ gia dẫn xuất pyridine bên cạnh việc nâng cao tính năng của pin còn có tác ñộng không mong muốn là gây phản ứng giảm cấp chất nhạy quang [16], [27],[28]. ðể ñánh giá ñộ bền của chất nhạy quang N719 (cis- TÓM TẮT LUẬN VĂN Trần Minh Hải iii bis(isothiocyanato)bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato)-ruthenium(II)bis- tetrabutylammonium) trong tương tác với phụ gia ANT và phụ gia TBP, chúng tôi khảo sát ñộng học sự giảm cấp của N719 do ligand thiocyanate (SCN - ) trên phân tử N719 bị thế bởi ANT và dung môi MPN ở 100 o C. Các nghiên cứu ñược tiến hành trong cả dung dịch ñồng thể và dung dịch keo (hệ dung dịch bao gồm các hạt nano TiO 2 ñã hấp phụ chất nhạy quang N719 phân tán trong dung dịch ANT). Sự giảm cấp của N719 tuân theo ñộng học phản ứng giả bậc một. Thời gian bán hủy ( τ 1/2 ) của N719 trong dung dịch ñồng thể và dung dịch keo ở 100 o C lần lượt bằng 386 giờ và 86 giờ, chậm hơn khoảng 3 lần so với các kết quả nghiên cứu ñã công bố cho trường hợp giảm cấp của N719 trong dung dịch chứa phụ gia TBP [16]. Nhiều công trình nghiên cứu công bố việc giảm dòng tối hay tăng V OC là do tương tác tạo phức giữa TBP với các tiểu phân oxi hoá trong hệ ñiện ly [3],[19],[20]. Tuy nhiên, các thông số tương tác cũng như ảnh hưởng của các tương tác này ñến sự giảm cấp chất nhạy quang hầu như chưa ñược ñề cập. Bằng các thí nghiệm nghiên cứu ñộng học, chúng tôi kết luận sự giảm cấp của N719 trên TiO 2 trong dung dịch keo có chứa TBP (0,5 M) ở 100 o C giảm ñáng kể khi tăng nồng ñộ ion I 3 - . ðiều này cho thấy khả năng ion I 3 - hiện diện trong dung dịch ñã tương tác với TBP, làm giảm nồng ñộ TBP tự do, góp phần làm tăng ñộ bền nhiệt của chất nhạy quang N719. Bằng phương pháp chuẩn ñộ nhiệt lượng ñẳng nhiệt (ITC, Isothermal titration calorimetry ), chúng tôi ñã xác ñịnh ñược các thông số phản ứng và nhiệt ñộng học của tương tác giữa phụ gia TBP với các tiểu phân oxi hoá I 3 - , I 2 trong dung dịch ñiện ly. Các thông số này là cơ sở cho kết luận tương tác chủ yếu trong hệ ñiện ly xảy ra theo cách TBP tương tác trực tiếp với ion I 3 - . Như vậy, phụ gia TBP ngoài việc ñóng vai trò là chất ñồng hấp phụ với chất nhạy quang che chắn bề mặt TiO 2 còn có tác dụng tương tác tạo phức chất, làm giảm nồng ñộ ion I 3 - tự do và vì thế hạn chế phản ứng tạo dòng tối xảy ra trên ñiện cực anod của DSC. MỤC LỤC Trần Minh Hải iv MỤC LỤC Trang LỜI CẢM ƠN i TÓM TẮT LUẬN VĂN ii MỤC LỤC iv DANH MỤC KÝ HIỆU VIẾT TẮT viii DANH MỤC HÌNH xi DANH MỤC BẢNG xvi CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI VÀ PIN MẶT TRỜI – CHẤT NHẠY QUANG 1.1. Tình hình phát triển của pin mặt trời 1 1.2. Nguyên tắc hoạt ñộng và các thông số cơ bản của pin mặt trời 5 1.3. Pin mặt trời tinh thể nano TiO 2 oxit – chất nhạy quang 9 1.3.1. Nguyên tắc hoạt ñộng 9 1.3.2. Các thành phần cấu tạo 11 1.3.2.1. ðiện cực anod 11 1.3.2.2. Chất nhạy quang 12 1.3.2.3. Hệ ñiện ly 14 1.3.2.4. ðiện cực catod 15 1.3.3. Nhiệt ñộng học và ñộng học các quá trình chuyển ñiện tích trong DSC 16 1.3.4. Vai trò của cặp oxi hóa khử I 3 - /I - trong hệ ñiện ly của DSC 21 1.3.4.1. Cơ chế quá trình tái sinh chất nhạy quang 21 MỤC LỤC Trần Minh Hải v 1.3.4.2. Năng lượng trong hệ ñiện ly chứa cặp oxi hóa khử I 3 - /I - 22 1.3.4.3. Hạn chế của hệ ñiện ly chứa cặp oxi hóa khử I 3 - /I - 25 1.3.5. Cải thiện tính năng hoạt ñộng của DSC 26 1.3.5.1. Tối ưu lớp màng TiO 2 26 1.3.5.2. Giảm dòng tối 27 1.3.5.3. Cải tiến liên quan ñến chất nhạy quang 28 1.4. Bức xạ mặt trời ở bề mặt trái ñất 29 CHƯƠNG 2 TỔNG QUAN VỀ CÁC PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 2.1. Phương pháp phân tích bằng máy sắc ký lỏng hiệu năng cao kết hợp ñầu dò khối phổ (HPLC-UV/Vis-MS) 31 2.1.1. ðầu dò UV/Vis 31 2.1.2. ðầu dò khối phổ 32 2.2. Phương pháp chuẩn ñộ nhiệt lượng ñẳng nhiệt (ITC) 34 2.2.1. Thiết bị ITC 34 2.2.2. Phân tích số liệu ITC 35 2.3. Phương pháp ño ñường ñặc trưng dòng - thế 39 CHƯƠNG 3 NỘI DUNG VÀ PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 3.1. Mục tiêu thực nghiệm 40 3.2. Nội dung thực nghiệm 42 3.3. Hóa chất 42 MỤC LỤC Trần Minh Hải vi 3.4. Thiết bị 43 3.4.1. Thiết bị tạo lớp màng nano TiO 2 trên anod 43 3.4.2. Thiết bị ño ñường ñặc trưng dòng – thế của DSC 43 3.4.3. Thiết bị dùng trong các thí nghiệm khảo sát sự giảm cấp của chất nhạy quang N719 44 3.4.4. Thiết bị ño quang phổ UV/Vis 45 3.4.5. Thiết bị dùng trong các thí nghiệm ITC 46 3.5. Phương pháp thực nghiệm 47 3.5.1. Chế tạo DSC 47 3.5.2. Xử lý DSC với phụ gia ANT và TBP 49 3.5.3. Hệ ñiện ly 49 3.5.4. Xác ñịnh ñộ hấp phụ của ANT trên bề mặt hạt nano TiO 2 50 3.5.5. Khảo sát sự giảm cấp của N719 50 3.5.5.1. Khảo sát sự giảm cấp của N719 trong dung dịch ñồng thể 50 3.5.5.2. Khảo sát sự giảm cấp của N719 trong dung dịch keo 51 3.5.6. Xác ñịnh hằng số tạo thành của ion I 3 - 52 3.5.7. Khảo sát tương tác giữa TBP với ion I 3 - và I 2 53 CHƯƠNG 4 KẾT QUẢ VÀ BIỆN LUẬN 4.1. DSC chế tạo tại phòng thí nghiệm 57 4.2. Tác ñộng của ANT ñến hoạt ñộng của DSC 58 4.2.1. DSC xử lý với ANT và TBP bằng kỹ thuật “tiêm – rút” 58 4.2.2. DSC khi sử dụng ANT là chất phụ gia trong hệ ñiện ly 61 MỤC LỤC Trần Minh Hải vii 4.2.3. ðộ hấp phụ của ANT trên bề mặt hạt nano TiO 2 62 4.2.4. Sự giảm cấp của N719 trong dung dịch ANT ở 100 o C 64 4.2.4.1. Xác ñịnh sản phẩm giảm cấp trong dung dịch ñồng thể 64 4.2.4.2. ðộng học sự giảm cấp trong dung dịch ñồng thể 66 4.2.4.3. ðộng học sự giảm cấp trong dung dịch keo 68 4.3. Tương tác của TBP với chất nhạy quang và hệ ñiện ly trong DSC 72 4.3.1. Hằng số tạo thành của ion I 3 - trong dung môi ACN 72 4.3.2. Ảnh hưởng của ion I 3 - ñến sự giảm cấp N719 trong dung dịch keo có chứa TBP 75 4.3.3. Tương tác của phụ gia TBP với ion I 3 - và I 2 trong hệ ñiện ly 80 4.3.3.1. Tương tác giữa TBP và ion I 3 - 80 4.3.3.2. Tương tác giữa TBP và I 2 84 CHƯƠNG 5 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ Kết luận và kiến nghị 86 DANH MỤC CÔNG TRÌNH CÓ LIÊN QUAN CỦA TÁC GIẢ 89 TÀI LIỆU THAM KHẢO 90 PHỤ LỤC A 94 PHỤ LỤC B 96 PHỤ LỤC C 101 DANH MỤC KÝ HIỆU VIẾT TẮT Trần Minh Hải viii DANH MỤC KÝ HIỆU VIẾT TẮT A ðộ hấp thu a-Si Silicon vô ñịnh hình ACN Acetonitrile AM Air mass, ñại lượng ñặc trưng cho ñộ suy giảm tia mặt trời khi ñi qua khí quyển ANT Axit nicotinic C I - Nồng ñộ ion I - CIS ðồng Indium Diselenide (CuInSe 2 ) CIGS Cu(In,Ga)(S,Se) 2 [Complex 1] Nồng ñộ của Complex 1 D Phân tử chất nhạy quang ở trạng thái cơ bản D * Phân tử chất nhạy quang ở trạng thái kích thích D + Dạng oxi hóa của chất nhạy quang DMF Dimethylformamide DNA Deoxyribonucleic acid DSC Pin mặt trời - chất nhạy quang (Dye – sensitized solar cell) E a Năng lượng hoạt hoá của phản ứng E 0 ’ Thế oxi hoá khử tiêu chuẩn E redox Thế oxi hoá khử e - SnO2 ðiện tử trên bề mặt thủy tinh dẫn e - TiO2 ðiện tử trong vùng dẫn của TiO 2 ESI Kỹ thuật ion hóa kiểu phun tĩnh ñiện F Hằng số Faraday ff Thừa số lấp ñầy (fill factor) GuNCS Guanidinium thiocyanate H 2 dcbpy 2,2’-bipyridine-4,4’-dicarboxylic axit HOMO Mức năng lượng cao nhất chiếm bởi ñiện tử HPLC- Sắc ký lỏng hiệu năng cao kết hợp ñầu dò UV/Vis và khối phổ [...]... phí, có - Pin m t tr i là ngu n c p năng lư ng linh ñ ng, công su t c a pin có th t kh p nơi và vô t n, vài µW cho ñ n hàng MW, ñ i v i h pin liên h p l n Trong su t m t th i gian dài k t khi pin m t tr i silicon ñ u tiên ñư c phát tri n b i Chapin và các ñ ng nghi p vào năm 1954, ng d ng chính c a pin là s d ng ñ cung c p năng lư ng cho các thi t b không gian [8] Các ng d ng m t ñ t c a pin phát tri... ñi n t pin m t tr i trên th gi i năm 2006, 2007 và d ki n ñ n năm 2012 [18] .3 Hình 1.4: S n lư ng ñi n t các lo i pin m t tr i màng m ng và s ñóng góp c a các khu v c s n xu t chính trên th gi i d ki n ñ n năm 2012 [18] .5 Hình 1.5: Sơ ñ c a m t pin m t tr i cơ b n [26] 6 Hình 1.6: M ch cân b ng c a m t pin m t tr i lý tư ng (ñư ng nét li n) và các thành ph n thêm vào ñ i v i pin không... Minh H i 4 CHƯƠNG 1: T NG QUAN V PIN M T TR I VÀ PIN M T TR I – CH T NH Y QUANG Hình 1.4: S n lư ng ñi n t các lo i pin m t tr i màng m ng và s ñóng góp c a các khu v c s n xu t chính trên th gi i d ki n ñ n năm 2012 (ngu n d li u: PV Status Report 2008, European Commission, DG JRC [18]) 1.2 Nguyên t c ho t ñ ng và các thông s cơ b n c a pin m t tr i Pin m t tr i là các thi t b chuy n tr c ti p b c... công su t c c ñ i và tích s c a ISC và VOC: ff (6) B n ñ i lư ng ISC, VOC, ff và η là các thông s ñ c trưng cho kh năng ho t ñ ng c a m t pin m t tr i Tr n Minh H i 8 CHƯƠNG 1: T NG QUAN V PIN M T TR I VÀ PIN M T TR I – CH T NH Y QUANG 1.3 Pin m t tr i tinh th nano TiO2 - ch t nh y quang 1.3.1 Nguyên t c ho t ñ ng M t DSC g m có ba thành ph n chính: ñi n c c anod, ñi n c c catod và h ñi n ly (xem hình... th c phân t và các thông s quang ph c a các s n ph m gi m c p N719 trong dung d ch keo ch a dung d ch ch a TBP, LiI 0,5 M và I2 0,15 M 77 B ng 4.9: H ng s t c ñ và th i gian bán h y c a N719 trong dung d ch keo g m TiO2/N719, TBP 0,5 M, LiI 0,5 M và n ng ñ I2 khác nhau .78 B ng 4.10: H s t lư ng, h ng s cân b ng bi u ki n và các thông s nhi t ñ ng h c c a tương tác gi a ion I3- và TBP trong... là hi u su t lư ng t bên trong c a pin Hình 1.6: M ch cân b ng c a m t pin m t tr i lý tư ng (ñư ng nét li n) và các thành ph n thêm vào ñ i v i pin không lý tư ng (ñư ng nét ñ t) [23] Hi u th m ch h c a pin cho b i phương trình (3): Tr n Minh H i 6 CHƯƠNG 1: T NG QUAN V PIN M T TR I VÀ PIN M T TR I – CH T NH Y QUANG (3) Hình 1.7 bi u th ñư ng ñ c trưng dòng - th c a pin theo phương trình (1) Trong trư... hi u su t pin tương ñ i th p so v i silicon tinh th và d b thoái bi n dư i tác d ng c a ánh sáng Sau nhi u nghiên c u nh m hi u rõ và Tr n Minh H i 3 CHƯƠNG 1: T NG QUAN V PIN M T TR I VÀ PIN M T TR I – CH T NH Y QUANG kh c ph c ph n nào hi n tư ng thoái bi n, pin m t tr i a-Si ñã ñư c ñưa ra th trư ng v i hi u su t pin ñơn ñ t kho ng 13%, hi u su t c a h module ñ t t 6% ñ n 8% Ngày nay, pin a-Si ñã... trưng, công su t c a pin P = IV ñ t giá tr c c ñ i ðư ng I – V ði m công su t c c ñ i Công su t, P Hình 1.7: Các ñư ng ñ c trưng dòng – th (ñư ng màu ñen) và công su t – th (ñư ng màu xám) c a m t pin m t tr i lý tư ng [26] Trong th c ti n, các pin m t tr i không lý tư ng và thư ng bao g m t t c các thành ph n như mô t hình 1.6 (bao g m c ñư ng nét li n và nét ñ t) M ch cân b ng c a pin m t tr i có th... (CdTe), Cadmium Sulfide và ð ng Sulfide,… Hi u su t th p và không ñ t ñư c ñ b n mong mu n là nh ng v n ñ gây c n tr s thâm nh p th trư ng c a pin làm t các v t li u này Nh ng k thu t m i hi n nay d a trên các h p ch t bán d n ba c u t như CuInSe2,CuGaSe2, CuInS2 và các h p kim ña c u t c a chúng như Cu(In,Ga)(S,Se)2 (vi t t t: CIGS), vi c thêm các nguyên t Ga và S làm tăng hi u su t c a pin Hi u su t t t... khác so v i pin m t tr i ki u p-n ti p xúc truy n th ng, theo ñó, ñi n t và l tr ng trong pin p-n ti p xúc ñư c sinh ra trong cùng m t pha, b tách ra b i ñi n trư ng trong vùng ti p xúc hai bán d n, và hi u th quang sinh c a pin ñư c quy t ñ nh b i hi u ñi n th c a vùng ti p xúc này ð i Tr n Minh H i 10 CHƯƠNG 1: T NG QUAN V PIN M T TR I VÀ PIN M T TR I – CH T NH Y QUANG v i DSC, ñi n t và l tr ng (D+, . VỀ PIN MẶT TRỜI VÀ PIN MẶT TRỜI – CHẤT NHẠY QUANG 1.1. Tình hình phát triển của pin mặt trời 1 1.2. Nguyên tắc hoạt ñộng và các thông số cơ bản của pin mặt trời 5 1.3. Pin mặt trời tinh thể. của hãng Solaronix SA chứa axit nicotinic nồng ñộ 0,01 M. RT Thời gian lưu của chất phân tích R(λ) Hệ số phản xạ của bề mặt pin S Diện tích bề mặt hoạt ñộng của pin S 0 Tổng diện tích của. [18] 5 Hình 1.5: Sơ ñồ của một pin mặt trời cơ bản [26] 6 Hình 1.6: Mạch cân bằng của một pin mặt trời lý tưởng (ñường nét liền) và các thành phần thêm vào ñối với pin không lý tưởng (ñường
- Xem thêm -

Xem thêm: tác động của các phụ gia axit nicotinic và 4-tert-butylpyrindine đến hoạt động của pin mặt trời tinh thể nano ti02, tác động của các phụ gia axit nicotinic và 4-tert-butylpyrindine đến hoạt động của pin mặt trời tinh thể nano ti02, tác động của các phụ gia axit nicotinic và 4-tert-butylpyrindine đến hoạt động của pin mặt trời tinh thể nano ti02