CHƯƠNG 4: HỌ VI MẠCH CMOS ppsx

13 545 7
CHƯƠNG 4: HỌ VI MẠCH CMOS ppsx

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Baứi giaỷng Vi maùch CHNG 4 H VI MCH CMOS 5.1 KHI NIM Cụng ngh MOS (Metal Oxide Semiconductor-kim loi oxit bỏn dn) cú tờn gi xut x t cu trỳc MOS c bn ca mt in cc nm trờn lp oxit cỏch nhit, di lp oxit l bỏn dn. Transistor trong cụng ngh MOS l transistor hiu ng trng, gi l MOSFET (metal oxide silicon field effect transistor). Cú ngha in trng phớa in cc kim loi ca lp oxit cỏch nhit cú nh hng n in tr ca . Phn nhiu IC s MOS c thit k ht bng MOSFET, khụng cn n linh kin no khỏc. u im chớnh ca MOSFET l d ch to, phớ tn thp, c nh, tiờu hao rt ớt in nng. K thut lm IC MOS ch rc ri bng 1/3 k thut lm IC lng cc (TTL, ECL, ). Thờm vo ú, thit b MOS chim ớt ch trờn chip hn so vi BJT, thụng thng, mi MOSFET ch cn 1 mi li vuụng din tớch chip, trong khi BJT ũi hi khong 50 mi li vuụng. Quan trng hn, IC s MOS thng khụng dựng cỏc thnh phn in tr trong IC, vn chim quỏ nhiu din tớch chip trong IC lng cc. Nhng lý l trờn khng nh rng cỏc IC MOS cú th dung np nhiu phn t mch trờn 1 chip n hn so vi IC lng cc. Bng chng l ta s thy MOS dựng nhiu trong vi mch tớch hp c LSI, VLSI hn hn TTL. Mt úng gúi cao ca IC MOS lm chỳng c bit thớch hp cho cỏc IC phc tp, nh chip vi x lớ v chip nh. Sa i trong cụng ngh IC MOS ó cho ra nhng thit b nhanh hn 74, 74LS ca TTL, vi c im iu khin dũng gn nh nhau. Do vy, thit b MOS c bit l CMOS ó ó c s dng khỏ rng rói trong mch MSI mc dự tc cú thua cỏc IC TTL cao cp v d b h hi do b tnh in. Mch s dựng MOSFET c chia thnh 3 nhúm l: - PMOS dựng MOSFET kờnh P - NMOS dựng MOSFET kờnh N tng cng - CMOS (MOS bự) dựng c 2 thit b kờnh P v kờnh N Cỏc IC s PMOS v NMOS cú mt úng gúi ln hn (nhiu transistor trong 1 chip hn) v do ú kinh t hn CMOS. NMOS cú mt úng gúi gn gp ụi PMOS. Ngoi ra, NMOS cng nhanh gn gp 2 ln PMOS, nh d kin cỏc in t t do l nhng ht ti dũng trong NMOS, cũn cỏc l trng (in tớch dng chuyn ng chm hn) l ht ti dũng cho PMOS. CMOS rc ri nht v cú mt úng gúi thp nht trong cỏc h MOS, nhng nú cú im mnh l tc cao hn v cụng sut tiờu hao thp hn. IC NMOS v CMOS c dựng rng rói trong lnh vc k thut s, nhng IC PMOS khụng cũn gúp mt trong cỏc thit k mi na. Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 58 Baứi giaỷng Vi maùch Tuy nhiờn MOSFET kờnh P vn rt quan trng bi vỡ chỳng c dựng trong mch CMOS. Trc khi i vo cụng ngh CMOS ta hóy tỡm hiu qua v NMOS. Cng cn phi bit rng PMOS tng ng cng ging ht NMOS, ch khỏc chiu in ỏp. Hỡnh 4.1 l cu to ca 1 cng NOT loi NMOS c bn Mch gm 2 MOSFET: Q2 lm chuyn mch cũn Q1 lm ti c nh v luụn dn, in tr ca Q1 khong 100 k Ngừ vo mch t cc G ca Q2, cũn ngừ ra ly im chung ca cc S Q1 v cc D Q2. Ngun phõn cc cho mch gi s dựng 5V. Khi V in = 5 V, ngừ vo mc cao kớch cho Q2 dn, tr trờn Q2 cũn khong 1K cu phõn ỏp gia RQ1 v RQ2 cho phộp ỏp ra cũn khong 0,05V tc l ngừ ra mc thp Khi V in = 0V, ngừ vo mc thp, Q2 ngt, tr trờn nú khỏ ln khong 1010 Cu phõn ỏp RQ1 v RQ2 s t ỏp ngừ ra xp x ngun, tc l ngừ ra mc cao. Vy mch hot ng nh mt cng NOT. Cng NOT c xem l mch c bn nht ca cụng ngh MOS. Nu ta thờm Q3 mc ni tip v ging vi Q2 thỡ s c cng NAND. Nu ta mc Q3 song song v ging vi Q2 thỡ s c cng NOR. Cng AND v cng OR c to ra bng cỏch thờm cng NOT ngừ ra ca cng NAND v cng NOR va c to ra. NMOS khụng phi to ra cỏc cng m thng dựng xõy dng mch t hp, mch tun t quy mụ thng c MSI tr lờn, nhng tt c nhng mch ú v c bn vn ch l t hp ca cỏc mch cng logic c k ra õy. Mt s c im ca NMOS : Tc chuyn mch: chm hn so vi loi TTL do in tr u vo khỏ cao ng thi b nh hng bi ti dung tớnh m nú thỳc Gii hn nhiu khong 1,5V vi ngun 5V v s tng t l khi ngun cp tng. Nh vy l tớnh khỏng nhiu kộm hn TTL Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 59 4.1 Baứi giaỷng Vi maùch H s ti: v lớ thuyt l rt ln do tr u vo ca mch rt ln, tuy nhiờn, nu tn s hot ng cng cao (trờn 100KHz) thỡ in dung sinh ra cú th lm suy gim thi gian chuyn mch kộo theo gim kh nng giao tip ti. So vi TTL thỡ NMOS vn cú h s ti cao hn hn trung bỡnh l 50 cng cựng loi. Cụng sut tiờu tỏn: õy l u im ni bt ca logic MOS. Tht vy, chng hn vi cng NOT trờn khi u vo thp R Q1 = 100k, R Q2 = 1010ohm nờn dũng tiờu th I = V/R = 0,5nA => P =U.I = 2,5nW Khi u vo cao RQ1 = 100k, RQ2 1k nờn dũng tiờu th I = V/R = 50uA 0,25mW Vy cụng sut trung bỡnh ch cao hn 0,1 mW mt chỳt, so vi TTL thỡ nú quỏ nh. Chớnh nh u im ny m CMOS cú th tớch hp c LSI v VLSI, ni m nhiu cng, nhiu flip flop, nhiu mch khỏc c tớch hp trong mt chớp m khụng gõy nhit lm hng chip. Cng cn lu ý l logic MOS do u c xõy dng t cỏc transistor MOSFET nờn rt nhy tnh in, phn sau ta s cp chi tit n vn ny. 5.2 CU TO CMOS (Complementary MOS) cú cu to kt hp c PMOS v NMOS trong cựng 1 mch nh ú tn dng c cỏc th mnh ca c 2 loi, núi chung l nhanh hn ng thi mt mỏt nng lng cũn thp hn khi dựng ri tng loi mt. Cu to c bn nht ca CMOS cng l mt cng NOT gm mt transistor NMOS v mt transistor PMOS nh hỡnh 4.2. Hot ng ca mch cng tng t nh NMOS Khi ngừ vo (ni chung cc cng 2 transistor) cao thỡ ch cú Q1 dn mnh do ú ỏp ra ly t im chung ca 2 cc mỏng ca 2 transistor s xp x 0V nờn ngừ ra thp. Khi ngừ vo thp Q1 s ngt cũn Q2 dn mnh, ỏp ra xp x ngun, tc ngừ ra mc cao. Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 60 4.2 Baứi giaỷng Vi maùch ý l khỏc vi cng NOT ca NMOS, õy 2 transistor khụng dn cựng mt lỳc nờn khụng cú dũng in t ngun qua 2 transistor xung mass nh ú cụng sut tiờu tỏn gn nh bng 0. Tuy nhiờn khi 2 transistor ang chuyn mch v khi cú ti thỡ s cú dũng in chy qua mt hay c 2 transistor nờn khi ny cụng sut tiờu tỏn li tng lờn. Trờn nguyờn tc cng o, cng ging nh trc bng cỏch mc song song hay ni tip thờm transistor ta cú th thc hin c cỏc cng logic khỏc (hỡnh 4.3). Chng hn mc chng 2 NMOS v mc song song 2 PMOS ta c cng NAND. Cũn khi mc chng 2 PMOS v mc song song 2 NMOS ta c cng NOR. 5.3 PHN LOI Cú nhiu loi IC logic CMOS vi cỏc úng v (package) v chõn ra ging nh cỏc loi TTL. cỏc IC cú quy mụ tớch hp nh SSI v DIP (dual inline package): vi hai hng chõn thng hng 14 hay 16 chõn l hay c dựng hn c. CMOS c h 4000, 4500 Hóng RCA ca M ó cho ra i loi CMOS u tiờn ly tờn CD4000A. V sau RCA cú ci tin cho ra lot CD4000B cú thờm tng m ra, v sau na hóng li b sung thờm lot CD4500, CD4700. Hóng Motorola (M) sau ú cng cho ra lot CMOS MC14000, MC14000B, MC14500 tng thớch vi sn phm c ca RCA. c im chung ca lot ny l: in ỏp ngun cung cp t 3V n 18V m thng nht l t 5 n 15 V. Chỳng cú cụng sut tiờu hao nh Riờng loi 4000B do cú thờm tng m ra nờn dũng ra ln hn, khỏng nhiu tt hn m tc cng nhanh hn loi 4000A trc ú. Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 61 4.3 Baứi giaỷng Vi maùch Tuy nhiờn cỏc loi trờn v tc thỡ t ra khỏ chm chp v dũng cng nh hn nhiu so vi cỏc loi TTL v CMOS khỏc. Chớnh vỡ vy chỳng khụng c s dng rng rói cỏc thit k hin i. Loi 74CXX õy l loi CMOS c sn xut ra tng thớch vi cỏc loi TTL v nhiu mt nh chc nng, chõn ra nhng khon ngun nuụi thỡ rng hn. Cỏc c tớnh ca loi ny tt hn loi CMOS trc ú mt chỳt tuy nhiờn nú li ớt c s dng do ó cú nhiu loi CMOS sau ú thay th loi CMOS tc cao 74HCXX v 74HCTXX. õy l 2 loi CMOS c phỏt trin t 74CXX. 74HCXX cú dũng ra ln tc nhanh hn hn 74CXX, tc ca nú tng ng vi loi 74LSXX, nhng cụng sut tiờu tỏn thỡ thp hn. Ngun cho nú l t 2 n 6 V. Cũn 74HCTXX chớnh l 74HCXX nhng tng thớch vi TTL nhiu hn nh ngun vo gn ging TTL : 4,5V n 5,5V. Do ú 74HCTXX cú th thay th trc tip cho 74LSXX v giao tip vi cỏc lot TTL rt bỡnh thng. Ngy nay 74HC v 74HCT tr thnh loi CMOS hay dựng nht m li cú th thay th trc tip cho loi TTL thụng dng. Loi CMOS tiờn tin 74AC, 74ACT Loi ny c ch to ra cú nhiu ci tin cng ging nh bờn TTL, nú s hn hn cỏc loi trc ú nhng vic s dng cũn hn ch cng vn lớ do giỏ thnh cũn cao. Chng hn cu trỳc mch v chõn ra c sp xp hp lớ giỳp gim nhng nh hng gia cỏc ng tớn hiu vo ra do ú chõn ra ca 2 loi ny thỡ khỏc chõn ra ca TTL. Khỏng nhiu, trỡ hoón truyn, tc ng h ti a u hn hn loi 74HC, 74HCT. Kớ hiu ca chỳng hi khỏc mt chỳt nh 74AC11004 l tng ng vi 74HC04. 74ACT11293 l tng ng vi 74HCT293. Loi CMOS tc cao FACT õy l sn phm ca hóng Fairchild, loi ny cú tớnh nng tri hn cỏc sn phm tng ng ó cú. Loi CMOS tc cao tiờn tin 74AHC, 74AHCT õy l sn phm mi ó cú nhng ci tin t loi 74HC v 74HCT, chỳng tn dng c c 2 u im ln nht ca TTL l tc cao v ca CMOS l tiờu tỏn thp do ú cú th thay th trc tip cho 74HC v 74HCT. Bng sau cho phộp so sỏnh cụng sut tiờu tỏn v trỡ hoón truyn ca cỏc loi TTL v CMOS ngun cp in 5V. Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 62 Baứi giaỷng Vi maùch Ngoi cỏc loi trờn cụng ngh CMOS cng phỏt trin mt s loi mi gm: BiCMOS õy l sn phm kt hp cụng ngh lng cc TTL vi cụng ngh CMOS nh ú tn dng c c 2 u im ca 2 cng ngh l tc nhanh v cụng sut tiờu tỏn thp. Nú gim c 75% cụng sut tiờu tỏn so vi loi 74F trong lỳc vn gi c tc v c im iu khin tng ng. Nú cng cú chõn ra tng thớch vi TTL v hot ng ỏp ngun 5V. Tuy nhiờn Bi CMOS thng chỡ c tớch hp quy mụ va v ln dựng nhiu trong giao din vi x lớ v b nh, nh mch cht, b m, b iu khin hay b thu phỏt. Loi CMOS in th thp õy l loi CMOS khỏ c bit cú ỏp ngun gim xung ch cũn khong 3V. Khi ỏp gim s kộo theo gim cụng sut tiờu tỏn bờn trong mch nh ú mt tớch hp ca mch tng lờn, ri tc chuyn mch cng tng lờn iu ny rt cn thit trong cỏc b vi x lớ b nh vi quy mụ tớch hp VLSI. Cng cú khỏ nhiu loi CMOS ỏp thp, v õy l xu hng ca mai sau, õy ch núi qua v mt s loi ca hóng Texas Instruments. 74LV (Low Voltage) : l lot CMOS in th thp tng ng vi cỏc vi mch s SSI v MSI ca cỏc cụng ngh khỏc. Nú ch hot ng c vi cỏc vi mch 3,3V khỏc. 74LVC (Low Voltage CMOS ) : gm rt nhiu mch SSI v MSI nh lot 74. Nú cú th nhn mc 5V cỏc ngừ vo nờn cú th dựng chuyn i cỏc h thng dựng 5V sang dựng 3,3V khỏc. Nu gi dũng in ngừ ra thp in th ngừ ra nm trong gcac1 gii hn cho phộp, nú cng cú th giao tip vi cỏc ngừ vo TTL 5V. Tuy nhiờn ỏp vo cao VIH ca cỏc CMOS 5V nh 74HC hay 74AHC khin chỳng khụng th c thỳc t cỏc vi mch LVC. 74ALVC (Advanced Low Voltage CMOS): l lot CMOS in th thp, ch yu dựng cho cỏc mch giao din bus hot ng 3,3V. Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 63 Baứi giaỷng Vi maùch 74LVT (low voltage BiCMOS) : ging nh 74LVC cú th hot ng l logic 5V v cú th dựng nh mch s chuyn mc 5 V sang 3V. Bng sau so sỏnh mt s c tớnh ca cỏc loi CMOS ỏp thp CMOS cc mỏng h, CMOS ra 3 trng thỏi v CMOS ny schmitt trigger Tng t nh bờn TTL, cỏc cng CMOS cng cú cỏc loi ra h mng, ra 3 trng thỏi v ny schmitt trigger, vỡ cú nhiu loi CMOS c sn xut tng thớch v thay th cho loi TTL tng ng. CMOS ra h mỏng Do dựng MOSFET nờn ngừ ra khụng phi l cc thu m l cc mỏng hỡnh 4.4 trrỡnh by hai cng NOT CMOS thng cú ngừ ra ni chung vi nhau Nu 2 u vo cao thỡ 2P ngt, 2N dn ngừ ra mc cao bỡnh thng. Nu 2 u vo thp thỡ 2P dn, 2N ngt ngừ ra mc thp bỡnh thng. Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 64 4.4 Baứi giaỷng Vi maùch Nhng nu ngừ vo cng 1 thp cũn ngừ vo cng 2 cao thỡ P1 dn N1 ngt, P2 ngt N2 dn ỏp ngừ ra s l na ỏp ngun Vdd. p ny ri vo vựng bt nh khụng th dựng kớch cỏc ti c hn na vi ỏp Vdd m cao, dũng dn cao cú th lm tiờu 2 transistor ca cng. Vy cỏch cc D ra h l hp trong trng hp ny. Trong cu trỳc mch s khụng cũn MOSFET kờnh P na, cũn MOSFET kờnh N s h cc mỏng D. Ta cú th ni cỏc ngừ ra theo kiu ni AND hay OR v tt nhiờn l cng phi cn in tr kộo lờn to mc logic cao, giỏ tr ca R kộo lờn tớnh ging nh bờn mch loi TTL. CMOS ra 3 trng thỏi Tng t mch bờn TTL, mch cú thờm ngừ iu khin G (hay C). G cao 2 cng nand ni, nờn Y = A, ta cú cng m khụng o G thp ngừ ra ca 2 cng nand lờn cao lm PMOS v NMOS cựng ngng dn v õy l trng thỏi th 3 hay cũn gi l trng thỏi tr khỏng cao (high Z), lỳc by gi t ngừ ra Y nhỡn ngc vo mch thỡ mch nh khụng cú (in tr ngừ ra Y lờn ngun v xung mass u rt ln). Ngừ G cng cú th tỏc ng mc thp Kớ hiu logic ca mch Cng truyn dn CMOS (transmission gate :TG) õy l loi cng logic m bờn cụng ngh lng cc khụng cú; cng truyn dn hot ng nh mt cụng tc úng m (s) cho phộp d liu (dng s) truyn qua li theo c 2 chiu. Trc ht l cu to ca cng truyn NMOS Tớn hiu truyn cú th l tng t hay s min nm trong khong 0 n Vdd. Nhng õy d minh ho ta gi s ly ngun cp l 10V, ỏp ngng ca NMOS s l 2V Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 65 4.5 4.6 Baứi giaỷng Vi maùch Khi ngừ vo thp, t s khụng c np nờn tt nhiờn ngừ ra cng l mc thp. Khi ngừ vo cao m ng khin G vn thp thỡ ngừ ra cng vn thp. Khi ngừ vo cao v G cao => NMOS dn vi ỏp ngng 2V nờn t np y n 8V thỡ NMOS ngt, ngừ ra cú th hiu l mc cao, do ú tớn hiu ó c truyn t trỏi sang phi. Khi ny m ngừ vo xung mc thp thỡ t s x qua NMOS do ú ngừ ra lờn cao tr li tc l d liu ó truyn t phi sang trỏi. Tuy nhiờn ta cú nhn xột l, khi b truyn nh vy d liu ó gim biờn i mt 2V. Vi mch s cú th vn hiu l mc cao mc thp, cũn vi mch tng t thỡ nh vy l mt mỏt nng lng nhiu ri, v nú cũn b nh hng nng hn khi nhiu cng truyn mc ni tip nhau. Cng truyn CMOS : Hỡnh 4.7 cho thy cu trỳc ca 1 cng truyn CMOS c bn dựng 1 NMOS v 1PMOS mc song song, cng vi nhng gi s nh trờn bn s thy CMOS khc phc c im d ca NMOS v chớnh nú ó c s dng rng rói ngy nay. Khi G thp, khụng cho phộp truyn. Khi G cao, nu ngừ vo thp ngừ ra khụng cú gỡ thay i. Cũn nu ngừ vo cao thỡ c 2 transistor u dn d liu truyn tự trỏi sang phi np cho t, ngừ ra mc cao nhng cú 1 im khỏc õy l khi t np n 8V thỡ NMOS ngt trong khi PMOS vn dn mnh lm t np 10V. Khi ngừ ra ang 10V, ngừ G vn cao m ngừ vo xung thp thỡ t s x ngc tr li qua 2 transistor lm ngừ vo lờn cao tr li. Cỏc kớ hiu cho cng truyn nh hỡnh Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 66 4.7 Bài giảng Vi mạch 5.4 ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT 5.4.1 Cơng suất tiêu tán Khi mạch CMOS ở trạng thái tĩnh (khơng chuyển mạch) thì cơng suất tiêu tán PD của mạch rất nhỏ. Có thể thấy điều này khi phân tích mạch mạch cổng nand hay nor ở trước. Với nguồn 5V, PD của mỗi cổng chỉ khoảng 2,5nW. Tuy nhiên PD sẽ gia tăng đáng kể khi cổng CMOS phải chuyển mạch nhanh. Chẳng hạn tần số chuyển mạch là 100KHz thì PD là 10 nW, còn f=1MHz thì PD= 0,1mW. Đến tần số cỡ 2 hay 3 MHz là PD của CMOS đã tương đương với PD của 74LS bên TTL, tức là mất dần đi ưu thế của mình. Lý do có điều này là vì khi chuyển mạch cả 2 transistor đều dẫn khiến dòng bị hút mạnh để cấp cho phụ tải là các điện dung (sinh ra các xung nhọn làm biên độ của dòng bị đẩy lên có khi cỡ 5mA và thời gian tồn tại khoảng 20 đến 30 ns). Tần số chuyển mạch càng lớn thì sinh ra nhiều xung nhọn làm I càng tăng kéo theo P tăng theo. P ở đây chính là cơng suất động lưu trữ ở điện dung tải. Điện dung ở đây bao gồm các điện dung đầu vào kết hợp của bất kỳ tải nào đang được kích thích và điện dung đầu ra riêng của thiết bị. 5.4.2 Tốc độ chuyển mạch (tần số chuyển mạch) Cũng giống như các mạch TTL, mạch CMOS cũng phải có trì hỗn truyền để thực hiện chuyển mạch. Nếu trì hỗn này làm t PH bằng nửa chu kì tín hiệu vào thì dạng song vng sẽ trở thành xung tam giác khiến mạch có thể mất tác dụng logic. Tuy nhiên tốc độ chuyển mạch của CMOS thì nhanh hơn hẳn loại TTL do điện trở đầu ra thấp ở mỗi trạng thái. Tốc độ chuyển mạch sẽ tăng lên khi tăng nguồn nhưng điều này cũng sẽ làm tăng cơng suất tiêu tán, ngồi ra nó cũng còn ảnh hưởng bởi tải điện dung. Chương 4: Họ vi mạch CMOS 67 4.8 4.9 [...]... loại 74HCT là CMOS tốc độ cao tương thích với TTL nên thơng số cũng giống như bên TTL Chương 4: Họ vi mạch CMOS 68 Bài giảng Vi mạch 4.10 Dòng điện ngõ vào và ngõ ra bảng so sánh dòng vào ra của một số loại CMOS với một số loại TTL Cần quan tâm đến dòng ra nhiều hơn vì đó là dòng ra max cho phép mà vẫn đảm bảo các mức logic ra đúng như ở phần trên Còn các áp ra cũng chỉ quan tâm khi tính đến vi c giao... VIL(max) – VIH(max) 69 Chương 4: Họ vi mạch CMOS Bài giảng Vi mạch 5.4.5 Hệ số tải Dòng ra của các CMOS khá lớn trong lúc điện trở vào của các CMOS lại rất lớn (thường khoảng 1012Ω) tức dòng vào rất rất nhỏ nên số toả ra rất lớn Nhưng mỗi cổng CMOS có điện dung ngõ vào thường cũng khoảng 5pF nên khi có nhiều cổng tải mắc song song số điện dung tăng lên làm tốc độ chuyển mạch chậm lại khiến số toả ra...Bài giảng Vi mạch Giới hạn tốc độ chuyển mạch cho phép làm nên tần số chuyển mạch tối đa được tính dựa trên tPH Bảng sau cho phép so sánh fmax của một số loại cổng nand loại TTL với CMOS Trong vi c sử dụng các IC logic CMOS ta phải biết nhiều đặc tính và giới hạn của chúng Các đặc tính thơng dụng như áp ni, số toả... 4014, 4534 cũng gồm 6 cổng đảo, 4093 cũng gồm 4 cổng nand 2 ngõ vào; hay 4066 là cổng truyền 2 chiều số tương tự vv Hình 4.11 là sơ đồ chân ra của một số cổng logic loại 4000 cũng hay dùng 4.11 Chương 4: Họ vi mạch CMOS 70 ... CMOS đều chuyển trạng thái khá dứt khốt trừ loại 4000A bởi vì chúng có tầng đệm ở trước ngõ ra Về giới hạn nhiễu nói chung là tốt hơn các loại TTL Tốt nhất là loại 4000A,B Giới hạn nhiễu sẽ còn tốt hơn nếu ta tăng nguồn ni lớn hơn 5V, tuy nhiên lúc này tổn hao cũng vì thế tăng theo Cách tính lề nhiễu mức cao và mức thấp vẫn như trước, tức là: VNH = VOH(min) – VIH(min) VNL = VIL(max) – VIH(max) 69 Chương. .. cao số tạo ra giảm chỉ còn dưới 10 5.6 CÁC IC CỔNG LOGIC Có rất nhiều IC loại CMOS có mã số và chức năng logic tương tự như các IC TTL chẳng hạn bên TTL IC 4 cổng nand 2 ngõ vào là 7400, 74LS00, 74AS00, thì bên CMOS cũng tương tự có 74C00, 74HC/HCT00, 74AC11000, Tuy nhiên khơng phải tất cả bên TTL có thì bên CMOS cũng có CMOS cũng còn có những loại riêng, chẳng hạn với cổng nảy schmitt trigger ngồi... book Cũng như ở bên TTL, một số đặc tính chính của CMOS: Áp nguồn ni ký hiệu là V dd (khác với bên TTL ký hiệu là V cc) rất khác nhau do đó cần rất cẩn thận với nó, có thể dùng nguồn 5V là tốt nhất Bảng sau đưa ra các khoảng áp nguồn cho từng loại CMOS 5.4.3 Điện áp vào và ra của các loại CMOS Cũng giống như bên TTL về kí hiệu, tên gọi nhưng ở bên CMOS có phức tạp hơn do nguồn ni cho các loại IC thì . hỡnh Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 66 4.7 Bài giảng Vi mạch 5.4 ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT 5.4.1 Cơng suất tiêu tán Khi mạch CMOS ở trạng thái tĩnh (khơng chuyển mạch) thì cơng suất tiêu tán PD của mạch rất. 74HCT l CMOS tc cao tng thớch vi TTL nờn thụng s cng ging nh bờn TTL. Chửụng 4: Hoù vi maùch CMOS 68 Baứi giaỷng Vi maùch Dũng in ngừ vo v ngừ ra bng so sỏnh dũng vo ra ca mt s loi CMOS vi mt. tăng cơng suất tiêu tán, ngồi ra nó cũng còn ảnh hưởng bởi tải điện dung. Chương 4: Họ vi mạch CMOS 67 4.8 4.9 Baứi giaỷng Vi maùch Gii hn tc chuyn mch cho phộp lm nờn tn s chuyn mch ti a c tớnh

Ngày đăng: 01/08/2014, 01:20

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan