chương 4 mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET

20 783 0
chương 4 mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 1 Giới thiệupdf 11p 63 16Nội dung bài giảng giới thiệu vai trò mạch điện tử tương tự và ứng dụng của nó vào đời sống. Khái niệm về mạch điện tử. Các tham số cơ bản cảu bộ khuếch đại.Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 2 Điốt và ứng dụngppt 23p 390 182Nội dung: Điốt – Cấu tạo, hoạt động, Mạch chỉnh lưu, Nửa chu kỳ, Cả chu kỳ, Mạch cầu, Kết hợp với tụ, Mạch cắt, Mạch ghim, Mạch nhân áp, Điốt Zener và ứng dụng.Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 3 Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng BJTppt 53p 440 140Nhắc lại kiến thức cơ bản – chương 3,4; Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ, Các phương pháp phân tích, Dùng sơ đồ tương đương: kiểu tham số hỗn hợp, kiểu mô hình re chương 7, Dùng đồ thị chương 7, Đặc điểm kỹ thuật, Các yếu tố ảnh hưởng đến hoạt động, Ổn định hoạt động.Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 4 Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FETppt 71p 411 167Giới thiệu chung: Phân loại, JFET: MOSFET kênh có sẵn (Depletion MOS), MOSFET kênh cảm ứng (Enhancement MOS). Cách phân cực, Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ, Sơ đồ tương đương và tham số xoay chiều.Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 5 Ảnh hưởng của nguồn và tảippt 19p 121 43Nội dung: Giới thiệu, Mạng hai cửa (twoport system), Trở kháng nguồn, Trở kháng tải, Tổng hợp, Khi thiết kế mạch khuếch đại, nên chú ý để mạch có thể làm. việc với dải rộng giá trị của trở kháng nguồn và tải. Ảnh hưởng của trở kháng nguồn và tải.Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 6 Mạch ghéppdf 27p 87 20Nội dung bài giảng trình bày các mạch ghép như ghép giữa các tầng khuyếch đại, ghép cascode, mạch nguồn dòng, mạch dòng gương, mạch khuếch đại vi sai.Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 7 Hồi tiếpppt 17p 144 55Nội dung: Giới thiệu, Phân loại, Kiểu điện áp nối tiếp, Kiểu điện áp song song, Kiểu dòng điện nối tiếp, Kiểu dòng điện song song.Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) Chương 8 Khuếch đại công suấtpdf 38p 48 12Tầng KĐCS mục đích để hoạt động tải, với dòng qua tải lên đến vài ampre = không phải là KĐ công suất thấp (tín hiệu nhỏ) như đã tìm hiểu trong các chương trước đến hệ thống âm thanh trong nhà (VD: đài, âm ly).

Ch ng 4: Mươ ch khu ch đ i ạ ế ạ tín hi u nh s d ng FETệ ỏ ử ụ  Gi i thi u chungớ ệ  Phân lo iạ  JFET  MOSFET kênh có s n (Depletion MOS)ẵ  MOSFET kênh c m ng (Enhancement MOS)ả ứ  Cách phân c c ự  M ch khu ch đ i tín hi u nhạ ế ạ ệ ỏ  S đ t ng đ ng và tham s xoay chi uơ ồ ươ ươ ố ề Gi i thi u chungớ ệ  Tr kháng vào r t l n, nMΩ-n100MΩở ấ ớ  Đ c đi u khi n b ng đi n áp (khác v i BJT)ượ ề ể ằ ệ ớ  Tiêu t n ít công su tố ấ  H s t p âm nh , phù h p v i ngu n tín hi u nhệ ố ạ ỏ ợ ớ ồ ệ ỏ  Ít b nh h ng b i nhi t đị ả ưở ở ệ ộ  Phù h p v i vai trò khóa đóng m công su t nhợ ớ ở ấ ỏ  Kích th c nh , công ngh ch t o phù h p v i ướ ỏ ệ ế ạ ợ ớ vi c s d ng đ thi t k ICệ ử ụ ể ế ế Phân lo iạ  JFET-Junction Field Effect Transistor  Kênh N  Kênh P  MOSFET-Metal Oxide Semiconductor FET  Kênh có s n (Depletion MOS) : ẵ  Kênh N và P  Kênh c m ng (Enhancement MOS): ả ứ  Kênh N và P JFET  C u trúcấ  Ho t đ ng ạ ộ  Đ c tuy nặ ế  So sánh v i BJTớ  Ví d , b ng tham s k thu tụ ả ố ỹ ậ JFET – C u trúc ấ JFET – Ho t đ ngạ ộ  V GS = 0, V DS >0 tăng d n, Iầ D tăng d nầ JFET – Ho t đ ngạ ộ  V GS = 0, V DS = V P , I D = I DSS  V P đi n áp th t kênh (pinch-off)ệ ắ JFET – Ho t đ ngạ ộ  V GS < 0, V DS > 0, giá tr m c bão hòa c a Iị ứ ủ D cũng gi m d nả ầ  V GS = V P , I D = 0 JFET – Đ c tuy nặ ế  Đ c tuy n truy n đ t Iặ ế ề ạ D = f(V GS ) tuân theo ph ng trình ươ Shockley: I D = I DSS (1 - V GS /V P ) 2  I G ≈ 0A (dòng c c c ng)ự ổ  I D = I S (I D dòng c c máng, Iự S dòng c c ngu n)ự ồ JFET – Đ c tuy nặ ế P-channel, I DSS = 6mA, V P = 6V N-channel, I DSS = 8mA, V P = - 4V [...]... 5.0 mAdc Ciss 4. 5 7.0 pF Crss 1.5 3.0 pF -0.5 1.0 MOSFET  Cấu trúc  Hoạt động  Đặc tuyến Chú ý: rất cẩn thận khi sử dụng so với JFET vì lớp oxit bán dẫn của MOS dễ bị đánh thủng do tĩnh điện MOSFET – Cấu trúc N-channel depletion DMOS N-channel enhancement EMOS MOSFET – Hoạt động N-channel DMOS VGS = 0, VDS > 0 N-channel EMOS VGS > 0, VDS > 0 DMOS – Đặc tuyến truyền đạt Tương tự như của JFET, đặc tuyến...JFET – Kí hiệu JFET 2N 545 7 Datasheet-2N 545 7 Rating Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 25 Vdc Drain-Gate voltage VDG 25 Vdc Reverse G-S voltage VGSR -25 Vdc Gate current IG 10 nAdc Device dissipation 250C Derate above 250C PD 310 2.82 mW mW/0C Junction temp range TJ 125 0 Storage channel temp range Tstg -60 to +150 0 C C Datasheet-2N 545 7-characteristics Characteristic... f(VGS) tuân theo phương trình Shockley: ID = IDSS(1 - VGS/VP)2 GS D EMOS – Đặc tuyến truyền đạt  Phương trình đặc tuyến truyền đạt: ID = k(VGS – VT)2 với điện áp mở VT > 0 (kênh N)  VGS < VT, ID = 0 MOSFET – Đặc tuyến truyền đạt P-channel depletion . T stg -6 0 to +150 0 C Datasheet-2N 545 7-characteristics Characteristic Symbol Min Typ Max Unit V G-S breakdown V (BR)GSS -2 5 Vdc I gate reverse(Vgs =-1 5, Vds=0) I GSS -1 .0 nAdc V G-S cutoff V GS(off) -0 .5. n)ự ồ JFET – Đ c tuy nặ ế P-channel, I DSS = 6mA, V P = 6V N-channel, I DSS = 8mA, V P = - 4V JFET – Kí hi uệ JFET 2N 545 7 Datasheet-2N 545 7 Rating Symbol Value Unit Drain-Source voltage. Ch ng 4: Mươ ch khu ch đ i ạ ế ạ tín hi u nh s d ng FET ỏ ử ụ  Gi i thi u chungớ ệ  Phân lo iạ  JFET  MOSFET kênh có s n (Depletion MOS)ẵ  MOSFET kênh c m ng (Enhancement MOS)ả

Ngày đăng: 11/07/2014, 16:42

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan