18 18 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i Ô Ô xy xy h h ó ó a a nhi nhi ệ ệ t t ( ( ti ti ế ế p p ) ) Ô Ô xy xy h h ó ó a a t t ạ ạ o o l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 m m ỏ ỏ ng ng   Mô Mô h h ì ì nh nh Deal Deal – – Grove Grove ph ph ù ù h h ợ ợ p p r r ấ ấ t t t t ố ố t t v v ớ ớ i i k k ế ế t t qu qu ả ả th th ự ự c c nghi nghi ệ ệ m m , , tr tr ừ ừ trư trư ờ ờ ng ng h h ợ ợ p p c c á á c c l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 m m ỏ ỏ ng ng dư dư ớ ớ i i 20 nm 20 nm thu thu đư đư ợ ợ c c trong trong ô ô xy xy h h ó ó a a khô khô v v ớ ớ i i O O 2 2 . .   V V ì ì v v ậ ậ y y , , trong trong c c á á c c l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 d d à à y y , , ngư ngư ờ ờ i i ta ta thư thư ờ ờ ng ng l l ấ ấ y y gi gi á á tr tr ị ị l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 ban ban đ đ ầ ầ u u X X i i = = 25 nm 25 nm khi khi á á p p d d ụ ụ ng ng mô mô h h ì ì nh nh Deal Deal – – Grove. Grove.   C C á á c c l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 m m ỏ ỏ ng ng đư đư ợ ợ c c d d ù ù ng ng trong trong c c á á c c linh linh ki ki ệ ệ n n tunnel, tunnel, c c ũ ũ ng ng như như trong trong VLSI VLSI – – ULSI ULSI đi đi ệ ệ n n á á p p ngu ngu ồ ồ n n th th ấ ấ p p . .   Ngo Ngo à à i i ra ra , , c c ũ ũ ng ng c c ầ ầ n n k k ể ể đ đ ế ế n n l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 t t ự ự nhiên nhiên v v ớ ớ i i chi chi ề ề u u d d à à y y ~ 10 ~ 10 – – 100 100 Å Å thư thư ờ ờ ng ng ph ph á á t t tri tri ể ể n n r r ấ ấ t t nhanh nhanh trên trên b b ề ề m m ặ ặ t t Si Si s s ạ ạ ch ch ngay ngay c c ả ả ở ở nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ không không cao cao . . 19 19 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i Ô Ô xy xy h h ó ó a a nhi nhi ệ ệ t t ( ( ti ti ế ế p p ) ) L L ớ ớ p p tunnel SiO tunnel SiO 2 2 So So s s á á nh nh th th ự ự c c nghi nghi ệ ệ m m v v à à k k ế ế t t qu qu ả ả mô mô h h ì ì nh nh Fowler Fowler – – Nordheim Nordheim trong trong c c á á c c l l ớ ớ p p tunnel SiO tunnel SiO 2 2 . . V V ớ ớ i i c c á á c c l l ớ ớ p p tunnel SiO tunnel SiO 2 2 không không d d à à y y hơn hơn 3 nm 3 nm còn còn c c ó ó ph ph ầ ầ n n đ đ ó ó ng ng g g ó ó p p c c ủ ủ a a dòng dòng rò rò b b ổ ổ sung do sung do cơ cơ ch ch ế ế tunnel tunnel tr tr ự ự c c ti ti ế ế p p . . 20 20 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i Ô Ô xy xy h h ó ó a a nhi nhi ệ ệ t t ( ( ti ti ế ế p p ) ) Ả Ả nh nh hi hi ể ể n n vi vi đi đi ệ ệ n n t t ử ử truy truy ề ề n n qua qua c c ủ ủ a a l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 . . Khi Khi l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 m m ỏ ỏ ng ng đi đi , , hi hi ệ ệ u u ứ ứ ng ng tunnel tunnel tăng tăng lên lên . . Tuy Tuy nhiên nhiên , , n n ế ế u u chi chi ề ề u u d d à à i i kênh kênh d d ẫ ẫ n n gi gi ả ả m m xu xu ố ố ng ng , , c c ó ó th th ể ể b b ỏ ỏ qua qua hi hi ệ ệ u u ứ ứ ng ng tunnel tunnel – – l l ạ ạ i i c c ó ó th th ể ể ch ch ế ế t t ạ ạ o o c c á á c c transistor MOS transistor MOS k k í í ch ch thư thư ớ ớ c c nh nh ỏ ỏ v v ớ ớ i i l l ớ ớ p p ô ô xit xit c c ự ự c c c c ử ử a a r r ấ ấ t t m m ỏ ỏ ng ng . . V V ớ ớ i i c c á á c c l l ớ ớ p p tunnel SiO tunnel SiO 2 2 1,5 nm 1,5 nm t t ầ ầ n n s s ố ố c c ắ ắ t t c c ủ ủ a a MOSFET MOSFET lên lên t t ớ ớ i i 150 GHz. 150 GHz. MOSFET MOSFET v v ớ ớ i i l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 c c ự ự c c c c ử ử a a d d à à y y 1,3 nm 1,3 nm c c ó ó m m ậ ậ t t đ đ ộ ộ dòng dòng đi đi ệ ệ n n trong trong kênh kênh d d ẫ ẫ n n 1,8 1,8 mA mA /mm, /mm, đ đ ộ ộ h h ỗ ỗ d d ẫ ẫ n n c c ự ự c c cao cao 1,2 S/mm 1,2 S/mm t t ạ ạ i i ngu ngu ồ ồ n n nuôi nuôi 1,5 V. 1,5 V. Đã Đã c c ó ó c c á á c c m m ạ ạ ch ch VLSI VLSI v v ớ ớ i i ngu ngu ồ ồ n n nuôi nuôi 0,5 V. 0,5 V. 21 21 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i Ô Ô xy xy h h ó ó a a nhi nhi ệ ệ t t ( ( ti ti ế ế p p ) ) B B ả ả ng ng so so m m à à u u đ đ ể ể đ đ á á nh nh gi gi á á chi chi ề ề u u d d à à y y l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 trên trên đ đ ế ế Si Si D D ự ự a a trên trên m m ẫ ẫ u u h h ệ ệ gương gương Fabry Fabry – – Perot ( Perot ( hai hai m m ặ ặ t t gi gi ớ ớ i i h h ạ ạ n n song song song song trên trên v v à à dư dư ớ ớ i i c c ủ ủ a a l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 ), ), t t í í nh nh h h ệ ệ s s ố ố ph ph ả ả n n x x ạ ạ : : v v ớ ớ i i : : Theo Principles of Semiconductor Devices, B. Van Zeghbroeck, 2004 22 22 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i C C á á c c b b à à i i t t ậ ậ p p v v í í d d ụ ụ B B à à i i 1 1 : : X X á á c c đ đ ị ị nh nh th th ờ ờ i i gian gian c c ầ ầ n n thi thi ế ế t t đ đ ể ể t t ạ ạ o o l l ớ ớ p p ô ô xit xit SiO SiO 2 2 chi chi ề ề u u d d à à y y 0,35 0,35 μ μ m m trên trên phi phi ế ế n n Si Si đ đ ị ị nh nh hư hư ớ ớ ng ng (100) (100) không không c c ó ó l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 ban ban đ đ ầ ầ u u ( ( τ τ = 0), = 0), ở ở nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ 1000 1000 ° ° C, C, trong trong c c ả ả hai hai trư trư ờ ờ ng ng h h ợ ợ p p ô ô xy xy h h ó ó a a khô khô v v à à ẩ ẩ m m . . Gi Gi ả ả i i : : X X é é t t trư trư ờ ờ ng ng h h ợ ợ p p ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m . . Trư Trư ớ ớ c c tiên tiên , , ở ở nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ 1000 1000 ° ° C C t t ì ì m m c c á á c c h h ệ ệ s s ố ố : : Th Th ờ ờ i i gian gian c c ầ ầ n n thi thi ế ế t t đ đ ể ể ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m không không c c ó ó l l ớ ớ p p ô ô xit xit ban ban đ đ ầ ầ u u l l à à : : Tương Tương t t ự ự , , trư trư ờ ờ ng ng h h ợ ợ p p ô ô xy xy h h ó ó a a khô khô cho cho (B/ (B/ A) A) dry dry = 0,0859 = 0,0859 μ μ m/h m/h ; ; B B dry dry = 0,01077 = 0,01077 μ μ m m 2 2 /h /h v v à à th th ờ ờ i i gian gian c c ầ ầ n n thi thi ế ế t t đ đ ể ể ô ô xy xy h h ó ó a a khô khô l l à à t = t = 15,4 h 15,4 h hay hay 15 h 27 min 15 h 27 min . . () h m K eV eV h m kT eV h m A B wet μμμ 32.1 273100010617,8 93,1 exp108,5 93,1 exp108,5 5 77 = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − () () h m K eV eV h m kT eV h m B wet 2 5 22 291,0 273100010617,8 71,0 exp188 71,0 exp188 μμμ = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = − ( ) shayh h m m h m m B X AB X t oxox 10min4169,0 291,0 35,0 32,1 35,0 / 2 2 2 =+=+= μ μ μ μ 23 23 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i C C á á c c b b à à i i t t ậ ậ p p v v í í d d ụ ụ ( ( ti ti ế ế p p ) ) B B à à i i 2: 2: Phi Phi ế ế n n Si Si đ đ ị ị nh nh hư hư ớ ớ ng ng (100) (100) c c ó ó s s ẵ ẵ n n l l ớ ớ p p ô ô xit xit SiO SiO 2 2 d d à à y y 100 nm 100 nm đư đư ợ ợ c c đưa đưa v v à à o o x x ử ử lý lý b b ằ ằ ng ng qu qu á á tr tr ì ì nh nh ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m ở ở nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ 1100 1100 ° ° C C trong trong th th ờ ờ i i gian gian 15 min. 15 min. T T í í nh nh chi chi ề ề u u d d à à y y t t ổ ổ ng ng c c ộ ộ ng ng c c ủ ủ a a l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 ? ? Gi Gi ả ả i i : : Gi Gi ố ố ng ng như như b b à à i i t t ậ ậ p p trư trư ớ ớ c c , , c c á á c c h h ệ ệ s s ố ố ô ô xy xy h h ó ó a a cho cho qu qu á á tr tr ì ì nh nh ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m đư đư ợ ợ c c t t í í nh nh như như sau sau : : V V ì ì c c ó ó l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 ban ban đ đ ầ ầ u u nên nên ta ta t t í í nh nh th th ờ ờ i i gian gian “ “ tương tương đương đương ” ” đ đ ể ể t t ạ ạ o o ra ra l l ớ ớ p p đ đ ó ó : : V V ậ ậ y y , , chi chi ề ề u u d d à à y y t t ổ ổ ng ng c c ộ ộ ng ng c c ủ ủ a a l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 sau sau c c ả ả qu qu á á tr tr ì ì nh nh ô ô xy xy h h ó ó a a l l à à : : () h m K eV eV h m kT eV h m A B wet μμμ 77.4 273110010617,8 93,1 exp108,5 93,1 exp108,5 5 77 = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − () () h m K eV eV h m kT eV h m B wet 2 5 22 465,0 273110010617,8 71,0 exp188 71,0 exp188 μμμ = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = − () ( ) h h m m h m m AB X B X ii 0425,0 77,4 1,0 465,0 1,0 / 2 2 2 =+=+= μ μ μ μ τ () () () () mhh h m h m h m h m t B AB AB B X ox μ μ μ μ μ τ 323.010425,025,0 465,0 77,44 1 77,42 465,0 1 /4 1 /2 2 2 2 2 = ⎥ ⎥ ⎥ ⎥ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎢ ⎢ ⎢ ⎢ ⎣ ⎡ −+ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = ⎥ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎢ ⎣ ⎡ −++= 24 24 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i Ô Ô xy xy h h ó ó a a nhi nhi ệ ệ t t ( ( ti ti ế ế p p ) ) B B à à i i t t ậ ậ p p 1. 1. T T í í nh nh chi chi ề ề u u d d à à y y l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 t t ạ ạ o o th th à à nh nh trong trong qu qu á á tr tr ì ì nh nh ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m ở ở nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ 920 920 º º C C trong trong 120 120 ph ph ú ú t t . . Cho Cho r r ằ ằ ng ng , , l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 ban ban đ đ ầ ầ u u c c ó ó chi chi ề ề u u d d à à y y 1000 1000 Å Å . . ĐS ĐS : : t t ox ox ≈ ≈ 0,48 0,48 µ µ m. m. 2. 2. Trên Trên đ đ ế ế Si Si s s ạ ạ ch ch c c ầ ầ n n t t ạ ạ o o l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 c c ự ự c c c c ử ử a a c c ủ ủ a a MOS FET MOS FET v v ớ ớ i i chi chi ề ề u u d d à à y y 1000 1000 Å Å . Cho . Cho bi bi ế ế t t th th ờ ờ i i gian gian v v à à quy quy lu lu ậ ậ t t t t ạ ạ o o th th à à nh nh l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 đ đ ó ó trong trong hai hai trư trư ờ ờ ng ng h h ợ ợ p p ô ô xy xy h h ó ó a a khô khô v v à à ẩ ẩ m m . . 3. 3. M M ẫ ẫ u u Si Si đư đư ợ ợ c c ô ô xy xy h h ó ó a a 1 1 gi gi ờ ờ trong trong O O 2 2 khô khô ở ở 1200 1200 º º C. C. H H ỏ ỏ i i chi chi ề ề u u d d à à y y l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 đư đư ợ ợ c c t t ạ ạ o o th th à à nh nh . . N N ế ế u u mu mu ố ố n n t t ạ ạ o o thêm thêm m m ộ ộ t t l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 d d à à y y 0,1 0,1 µ µ m m b b ằ ằ ng ng ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m ở ở c c ù ù ng ng nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ th th ì ì c c ầ ầ n n thêm thêm bao bao nhiêu nhiêu th th ờ ờ i i gian gian ? ? ĐS ĐS : : t t ox ox = 0,196 = 0,196 µ µ m; t = 0,067 h = 4,53 min. m; t = 0,067 h = 4,53 min. 4. 4. Đ Đ ế ế p p - - Si <100> Si <100> đư đư ợ ợ c c đ đ ặ ặ t t trong trong bu bu ồ ồ ng ng ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m ở ở nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ 1050 1050 º º C C đ đ ể ể t t ạ ạ o o th th à à nh nh l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 d d à à y y 0,45 0,45 µ µ m. m. X X á á c c đ đ ị ị nh nh th th ờ ờ i i gian gian ô ô xy xy h h ó ó a a . . 5. 5. Sau Sau khi khi ô ô xy xy h h ó ó a a ẩ ẩ m m như như ở ở b b à à i i 4, 4, ngư ngư ờ ờ i i ta ta m m ở ở c c ử ử a a s s ổ ổ ( ( t t ẩ ẩ y y l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 m m ộ ộ t t di di ệ ệ n n t t í í ch ch nh nh ấ ấ t t đ đ ị ị nh nh ) ) r r ồ ồ i i th th ự ự c c hi hi ệ ệ n n ô ô xy xy h h ó ó a a khô khô trong trong 20 20 ph ph ú ú t t ở ở 1000 1000 º º C C đ đ ể ể t t ạ ạ o o l l ớ ớ p p ô ô xit xit c c ự ự c c c c ử ử a a . . X X á á c c đ đ ị ị nh nh chi chi ề ề u u d d à à y y l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 c c ự ự c c c c ử ử a a v v à à l l ớ ớ p p ô ô xit xit ở ở v v ù ù ng ng còn còn l l ạ ạ i i . . 6. 6. Đ Đ ố ố i i v v ớ ớ i i c c á á c c MOSFET MOSFET c c ó ó k k í í ch ch thư thư ớ ớ c c ( ( chi chi ề ề u u d d à à i i kênh kênh d d ẫ ẫ n n ) ) dư dư ớ ớ i i 1 1 µ µ m, m, ngư ngư ờ ờ i i ta ta đôi đôi khi khi c c ầ ầ n n nh nh ữ ữ ng ng l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 c c ự ự c c c c ử ử a a chi chi ề ề u u d d à à y y ~ 100 ~ 100 Å Å . . M M ặ ặ c c d d ù ù ô ô xy xy h h ó ó a a ở ở nhi nhi ệ ệ t t đ đ ộ ộ cao cao r r ấ ấ t t kh kh ó ó kh kh ố ố ng ng ch ch ế ế nh nh ữ ữ ng ng chi chi ề ề u u d d à à y y l l ớ ớ p p SiO SiO 2 2 như như v v ậ ậ y y , , nhưng nhưng đ đ ó ó v v ẫ ẫ n n l l à à bi bi ệ ệ n n ph ph á á p p công công ngh ngh ệ ệ đư đư ợ ợ c c ưa ưa chu chu ộ ộ ng ng . . Hãy Hãy gi gi ả ả i i th th í í ch ch t t ạ ạ i i sao sao . . 25 25 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i C C á á m m ơn ơn đã đã theo theo dõi dõi !!! !!! Mọi góp ý, bổ sung xin gửi đến: Dr. Le Tuan Hanoi University of Technology Institute of Engineering Physics Dept. of Electronic Materials 2 nd Floor, C9 Building 1 Dai Co Viet Str., Hanoi, Vietnam Mobile: 0912 560 536 E-mail: le.tuan@vnn.vn . min . . () h m K eV eV h m kT eV h m A B wet μμμ 32 .1 2 731 00010617,8 93, 1 exp108,5 93, 1 exp108,5 5 77 = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − () () h m K eV eV h m kT eV h m B wet 2 5 22 291,0 2 731 00010617,8 71,0 exp188 71,0 exp188 μμμ = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = − ( ) shayh h m m h m m B X AB X t oxox 10min4169,0 291,0 35 ,0 32 ,1 35 ,0 / 2 2 2 =+=+= μ μ μ μ 23 23 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i h i h ọ ọ c B c B á á ch khoa H ch khoa H à à N N ộ ộ i i C C á á c c b b à à i i t t ậ ậ p p v v í í d d ụ ụ ( ( ti ti ế ế p p ) ) B B à à i i 2:. h hay hay 15 h 27 min 15 h 27 min . . () h m K eV eV h m kT eV h m A B wet μμμ 32 .1 2 731 00010617,8 93, 1 exp108,5 93, 1 exp108,5 5 77 = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − () () h m K eV eV h m kT eV h m B wet 2 5 22 291,0 2 731 00010617,8 71,0 exp188 71,0 exp188 μμμ = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = − ( ) shayh h m m h m m B X AB X t oxox 10min4169,0 291,0 35 ,0 32 ,1 35 ,0 / 2 2 2 =+=+= μ μ μ μ 23 23 1/1/2007 1/1/2007 Đ Đ ạ ạ i. ô xy xy h h ó ó a a l l à à : : () h m K eV eV h m kT eV h m A B wet μμμ 77.4 2 731 10010617,8 93, 1 exp108,5 93, 1 exp108,5 5 77 = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ×= ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − () () h m K eV eV h m kT eV h m B wet 2 5 22 465,0 2 731 10010617,8 71,0 exp188 71,0 exp188 μμμ = ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ + ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ × − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ = − () ( ) h h m m h m m AB X B X ii 0425,0 77,4 1,0 465,0 1,0 / 2 2 2 =+=+= μ μ μ μ τ () () ()