Đang tải... (xem toàn văn)
LAb VLBD RHYDER TEAM Executive Producer: Nguyễn Mai Project Assistant: Nguyễn Lương Nguyễn Đỗ Ngọc Quyên PR and Social Manager: Nguyễn Mai PR Assistant: Như Ngọc Lương Quỳnh Hồng Thắm Social Executive: Xuân Thi Social Content Production: Phi Phụng Trà Giang Artist Manager: Phước Nguyễn Nguyễn Mỹ Duyên Artist Assistant: Nguyễn Xuân Tú Social Media Video Production: Le Van Phuong Giuse Hoàng Photographer: Táo Graphic Designer: Nhân Nguyễn Uyên Nguyễn Hair cut and Color: Chí Tâm Hair Salon Hair Stylist: Duy Japan Phong Hair Product: Joico Pravana Stylist: Pham Tran Thu Hang Costumes: The Mad Lab LaCharme Clothing FNOS Rich.hn Accessory: HALO trang sức thiết kế Balder Jewely Make Up: Team Huyền Thu (Yến Ngọc Huyền Thu Đình Huy) Production house: SEVEN ARTS X FID Director: Hieu Nguyen Script writer: Phuc Tran Creative Production: Seven Arts x FID Producer: Vo Huu Phuoc (HaroHans) Line Producer: Nguyen An Truong Assistant Producer: Khanh Linh Ngoc An D.O.P: William Long Lee CamOP: FID Focus: Lam Thang Bts: minhngn Art: Linh Đan Location Sponsored by: Loco Complex. Actress : Ceri Hong Hanh Kim Phuong Casting Manager: Nguyen Thuy Van Post Production: FID Editor: William Trí Bùi Online Artist: Trí Bùi Colorist: William Camera Lighting: Wecanproduction
BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT MỤC TIÊU: ⮚ Nắm cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo ⮚ Nắm đặc tính linh kiện BJT loại npn, pnp ⮚ Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT CHUẨN BỊ: ⮚ Chuẩn bị prelab ⮚ Xem lại cách sử dụng công cụ đo VOM, DVM Oscilloscope (dao động ký - dđk) Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT THÍ NGHIỆM Mục tiêu Đo kiểm tra BJT Yêu cầu Dùng VOM đo kiểm tra BJT module 2, phần BJT Kiểm tra Đưa VOM chế độ đo diode Đo điện áp chân BJT khối I II ghi nhận vào bảng sau Transistor Q1 Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P2 P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P2 Giá trị Transistor Q2: Điểm đo Giá trị Xác định loại transistor chân P1-P2-P3 BJT cịn tốt hay khơng? P1 P2 P3 Loại BJT Chất lượng Q1 Q2 Giải thích Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT THÍ NGHIỆM Mục tiêu Khảo sát miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa BJT npn Chuẩn bị Đọc xem điện trở R1 có giá trị kiểm chứng lại VOM R1=………1000Ω 5%…………………(giá trị đọc) R1=……………990Ω……………(giá trị đo) Chỉnh nguồn điện 12V kết nối mạch Hình Một VOM đo dòng điện Ib tầm uA, VOM đo dòng Ic tầm mA, VOM đo điện áp Vce Vặn biến trở VR3 mức nhỏ Hình 1: Sơ đồ phần III Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT Hình 2: Layout thực tế module thí nghiệm Tiến hành Bật nguồn Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic Vce điền vào bảng: Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA Ic 3,18 4,85 6,51 7,95 9,09 9,19 9,22 9,24 9,25 Vce 6,280 4,570 2,913 1,447 0,306 0,204 0,175 0,161 0,149 Với Ib khoảng transistor dẫn khuếch đại? Khi hfe bao nhiêu? Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ nào? Vì sao? Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT THÍ NGHIỆM Mục tiêu Khảo sát miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa BJT pnp Chuẩn bị Đọc xem điện trở R6 có giá trị kiểm chứng lại VOM Chỉnh nguồn điện 12V kết nối mạch Hình Một VOM đo dịng điện Ib tầm uA, VOM đo dòng Ic tầm mA, VOM đo điện áp Vce Hình 3: Sơ đồ khối BJT pnp Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT Hình 4: Sơ đồ kết nối module thí nghiệm phần BJT pnp Vặn biến trở VR3 mức lớn Tiến hành Bật nguồn Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic Vce điền vào bảng: Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA Ic 2,48 3,62 4,59 5,64 6,65 7,38 8,16 8,90 9,19 Vce 7,02 5,86 4,86 3,81 2,82 2,09 1,30 0,57 0,27 Với Ib khoảng transistor dẫn khuếch đại? Khi hfe bao nhiêu? Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT Nếu thay đặt tải (điện trở+led) cực C, ta đặt cực E hình sau Khi BJT có bão hịa khơng? Vì sao? (Câu hỏi trả lời nộp báo cáo, khơng cần trả lời lúc tiến hành thí nghiệm Phần trả lời: Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT THÍ NGHIỆM Mục tiêu Khảo sát đặc tuyến vào BJT npn Chuẩn bị Chỉnh nguồn biến đổi 0-5V nhỏ (0V) Chuyển board BJT part Chỉnh biến trở VR2 vị trí nhỏ Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-5V vào hai cực C-E Q2 Các VOM kết nối hình vẽ Hình 5: Kết nối mạch đo đặc tuyến vào BJT Tiến hành Bật nguồn Chỉnh điện áp VCE cố định 2V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B ghi vào bảng sau Trong q trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định 2V IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA VBE 0,157 0,257 0,376 0,423 0,470 0,501 0,539 0,573 0,613 Chỉnh điện áp VCE cố định 4V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B ghi vào bảng sau Trong q trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định 4V IB 10uA 15uA 20uA Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA Page | 10 BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT VBE 0,061 0,176 0,279 0,320 0,357 0,387 0,443 0,454 0,492 Vẽ đặc tuyến vào IB-VBE ứng với hai trường hợp VCE=2V VCE=4V Nhận xét đặc tuyến vẽ Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | 11 BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT THÍ NGHIỆM Mục tiêu Khảo sát đặc tuyến ngõ BJT npn Chuẩn bị Chỉnh nguồn biến đổi 0-20V nhỏ (0V) Chỉnh biến trở VR2 vị trí nhỏ Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-20V vào mạch Các VOM kết nối hình vẽ Tiến hành Bật nguồn Chỉnh dòng điện IB cố định 20uA, thay đổi Vin để có giá trị VCE theo bảng sau Điền giá trị tương ứng dòng IC VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V Ic Lặp lại thí nghiệm với IB= 25uA VCE 0.1V 0.2V 0.3V Ic Lặp lại thí nghiệm với IB=30uA Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | 12 BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V Ic Vẽ đặc tuyến ngõ IC-VCE ứng với trường hợp Nhận xét tương quan đặc tuyến Ước tính điện áp Early Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | 13 BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT THÍ NGHIỆM Mục tiêu Khảo sát mạch khuếch đại ghép E chung Chuẩn bị Đọc dùng VOM xác định lại giá trị điện trở Điện trở R9 R10 R11 R12 R13 Giá trị Kết nối mạch Hình Nguồn cấp Vin 12V Chỉnh nguồn tín hiệu Vs có biên độ 1V, tần số 1Khz Sau giảm biên độ Vs 0V Dùng VOM đo điện áp cực C E Q3 Dùng kênh dao động ký đo dạng sóng Vs, kênh đo dạng sóng cực C Q3 Hình 6: Sơ đồ mạch khuếch đại E chung Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | 14 BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT Hình 7: Sơ đồ kết nối mạch khuếch đại E chung Tiến hành Bật nguồn Chỉnh biến trở VR8 để VCE = 6V Tăng dần biên độ Vs Xác định biên độ tối đa Vs để ngõ không bị méo dạng (max swing) Nếu dạng sóng ngõ bị méo dạng đầu hình sine, chỉnh biến trở R8 để thay đổi phân cực cho đạt max swing Vẽ dạng sóng vs vce hệ tọa độ Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | 15 BÀI THÍ NGHIỆM KHẢO SÁT BJT Xác định độ lợi mạch khuếch đại max-swing Kiểm chứng lại so với lý thuyết Tắt nguồn, đo giá trị VR8 max swing kiểm chứng lại so với lý thuyết Kết nối tải R13 vào mạch Chuyển kênh dao động ký sang đo dạng sóng ngõ R3 Nhận xét Chỉnh lại Vs cho đạt max swing trường hợp có tải R13 Xác định độ lợi Vs Max Swing Kiểm chứng lại so với lý thuyết Department of Electronics Semiconductor Physic Laboratory Page | 16