Đang tải... (xem toàn văn)
thiết kế một bộ khuếch đại có ít nhất 2 tầng (đều mắc EC) thỏa mãn các điều kiện sau: Độ lợi dòng Ai = 250; Trở kháng vào Zin >= 10kΩ; Trở tải RL = 22kΩ; Nguồn cung cấp VCC = 15V Mô phỏng dòng điện và điện áp một chiều Mô phỏng xoay chiều (tín hiệu vào và ra tại từng tầng khuếch đại và trên tải) Tính biên độ điện áp trên tải cực đại mà không bị méo dạng? So sánh kết quả tính toán và kết quả mô phỏng và rút ra nhận xét?
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ ĐỒ ÁN HỌC PHẦN Giảng viên hướng dẫn: ThS.Võ Thị Hương Môn học : KĨ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ Lớp học phần : 121KTMDT01 Sinh viên thực : Nhóm Đà Nẵng, tháng 12 năm 2021 THÀNH VIÊN NHÓM - Châu Ngọc Lộc STT: 10 MSV: 1911505410135 - Trần Lê Minh STT: 11 MSV: 1911505410138 - Nguyễn Minh Trung STT: 15 MSV: 1911505410166 ĐỀ BÀI Mã 01: Hãy thiết kế khuếch đại có tầng (đều mắc EC) thỏa mãn điều kiện sau: - Độ lợi dòng Ai = 250; Trở kháng vào Zin >= 10kΩ; Trở tải RL = 22kΩ; Nguồn cung cấp VCC = 15V Sau thiết kế mơ phỏng: - Mơ dịng điện điện áp chiều - Mô xoay chiều (tín hiệu vào tầng khuếch đại tải) - Tính biên độ điện áp tải cực đại mà không bị méo dạng? So sánh kết tính tốn kết mơ rút nhận xét? SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ GIẢI THÍCH NGUYÊN LÝ - R1 , R2 : điện trở phân cực cho transistor Q1 R3 , R4: Điện trở phân cức cho transistor Q2 RE1 , RE2 :điện trở ổn định nhiệt RC1: Điện trở tải Q1 RC2: Điện trở tải Q2 RL: Điện trở tải mạch Ci : Tụ liên lạc ngõ vào C0 : Tụ liên lạc ngõ C12 : tụ ngăn tầng DC CE1 :tụ thoát xoay chiều CE2 :tụ thoát xoay chiều BJT Q1, Q2:Transistor khuếch đại mạch PHẦN TÍNH TỐN-THIẾT KẾ Để phối hợp trở kháng , trở kháng tầng trước trở kháng vào tầng sau: Ta chọn: RC2 = RL = 22 k Chọn: B2 = hfe2 = 100 , RE2 = 100 RDC2 = RC2 + RE2 =27,1 k RAC2 =RC2 // RL = 11 k RB2 = 10 ICQ2tư = R hfe2 *RE2 = k V cc DC + R AC 15 = 11+22,1 =0,45mA VCEQ2tư = ICQ2 * RAC2 = 5V hie2 = hfe2 * I VT CQ tư = 5,8 k VBB2 = 0.7+ICQ2 *RE2 = 0,8 V R3 RB2 = 1− V BB V cc =1k V cc R4 = RB2 * V = 18,75 k BB + Ta chọn : B1 = hfe1 = 100 + Ta có : Ai = + Ta tính : iL il iL i b2 ; = iL i b ib1 i b i b1 ii i b2 i b1 ; ib1 ii iL *ib Ta có : iL ib = V L =iL RL VL=ib ( 1+hfe ) ( R C2 /¿ RL) { ( 1+ hfe ) (RL/¿ RC 2) RL = 101 RC RL+ R C = 50,5 (1) i b2 *ib V o=i b hi e2 Vo=i b1 hfe(R C1 /¿ R B2 /¿ hi e 2) Ta có : { i b2 i b1 hfe∗( R C1 /¿ R B /¿ hi e 2) hi e * = = ¿¿ (2) i b1 ii Ta có : V ¿ =i i∗z i V ¿=ib1∗hi e1 { i b1 ii = z¿ hie (3) Zin = RB1 // hie1 , mà Zin >= 10 k -Ta chọn :RB1 = 100 k , hie1 = 11k RB1 >> 10 *Zin hie1 ~Zin Từ (1),(2),(3) ta có: R C 1∗90 Ai = 50,5 * ( R C +0,9 )∗5.77 Z¿ * hie R C 1∗90 250 = 50,5* ( R C +0.9 )∗5,8 * 0,9 RC1= 0,5 k + Ta chọn: RC1 = ri2 = 0,5 k để phối hợp trở kháng + Để ICQ1 không bị ảnh hưởng tham số B1 ta chọn giá trị RE1, RB1 thỏa mãn điều kiện: R B1 B1 Ta chọn: RE1 = k + RAC1 = RC1 // RB2// hie2 = 0.45 k + RDC1 = RC1 + RE1 = 2,5 k + ICQ1tư = V cc R AC 1+ R DC = 5mA +VCEQ1tư= ICQ1tư *RAC1 =2.25V +VBB1=0,7+ ICQ1tư * RE1 = 10,7V + R1 = RB1 V 1− BB V cc + R2 = RB1 * = 348 k V cc V BB =140 k + Zo = RC2 ≈ 22k + hib1 = VT ICQ tư = 5,2 VT + hib2 = ICQ tư = 58 + AV1 = RC1 hi b 1+ R E = -0,5 + AV2 = RC hib 2+ R E = 12,6