Bài tập cấu kiện tử hay

Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks A. Câu hỏi phần BJT. “ câu trả lời là câu được bôi đỏ” 3.1. Giới thiệu về BJT. 1. Ba điện cực của BJT là gì? a. phát emitter, gốc base, góp collector.b. T1, T2, T3. c. nguồn source, cổng gate, máng drain. d. emitter, gate, collector. 2. Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vàoloại vật liệu nào ? a. dạng P; b. dạng N;c. dạng base; d. dạng PN. 3. Các BJT được phânloại thành . . . . a. các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP. c. các dụng cụ NNP và PPN. d. d ạng N và dạng P. 4. Ký hiệu mạch của transistor PNP là . .b. . 3.2. Cấu tạo của BJT. 5. Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT? a. 0. b. 1. c. 2.d. 3. e. 4. 6. Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP? a. dạng P. b. dạng Nc. dạng base. d. dạng PN. 7. So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là . . . . a. rất dày. b. rất mõng.c. rất mềm. d. rất cứng. 8. Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . . . . . . . . khi được so với hai dòng collector và emitter.. a. nhỏ.b. lớn. c. nhanh. d. chậm. 9. Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và . . . . .. a. được pha tạp đậm. b. được pha tạp như vùng collector. c. được pha tạp loãng.d. đư ợc pha tạp như vùng emitter. 10. Dòng collector của BJT luôn luôn . . . . a. nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT. b. nhỏ hơn so với dòng base. c. bằng dòng emitter. d. bằng dòng emitter trừ dòng base. 11. Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter . . . . . a. ra khỏi transistor thông qua cực collector. b. ra khỏi transistor thông qua cực base. c. sẽ được hấp thụ bởi transistor. d. không phải các trường hợp trên. 12. Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng base, emitter, và collector ? a. I E= I B+ . b. I C= I B+ I E . c. I E= I B+ I C .d. I B= I E+ I C . 13. Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là . . . . . . . . a. rho b. pi c. omega d. betae. alpha. Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 3.3. Chuyển mạch bằng BJT. 14. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn bảo hoà, thì V CE xấp xĩ bằng . . . . . . . . a. VCC ; b. VB ; c. 0,2V;d. 0,7V. 15. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . . a. dòng base; b. điện trở tải;c. điện áp base; d. điện trở base. 16. Khi một chuyển mạch bằng BJT ngưng dẫn, thì V CE xấp xĩ bằng . . . . . . a. VCC ; b. VB ; c. 0,2V; d. 0,7V. 3.4. Trang số liệu và các thông số của BJT. 17. Ba thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và . . . . . . . . a. rhonhỏ nhất; b. pi nhỏ nhất; c. dòng collector nhỏ nhất;d. dòng giử nhỏ nhất. 18. Thông số h fe sẽ bằng với . . . . . . . . của transistor. a. alpha; b. beta;c. dòng collector lớn nhất; d. dòng giử nhỏ nhất. 3.5. Mạch khuyếch đại bằng transistor. 19. Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì . . . . . . . a. tiếp giáp base emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base collector được phân cực ngược; b. tiếp giáp base emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base collector được phân cực ngược; c. tiếp giáp base emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base collector được phân cực thuận; d. tiếp giáp base emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base collector được phân cực thuận. 20. Để mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A, thì tiếp giáp base collector của BJT cần phải . . . . . a. hở mạch; b. kín mạch; c. được phân cực thuận; d. được phân cực ngược. 21. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại bằng BJT bằng . . . . . . a. VB VE ; b. Vin Vout; c. Vout Vin; d. VCC VC . 22. Điện áp phân cực tại collector (V C ) của mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A xấp xĩ bằng . . . . . . a. VCC ; b. một nửa VCC ;c. 0V; d. 0,2V. 3.6. Phân tích tín hiệu ở mạch khuyếch đại phân cực base. 23. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . . a. 1k; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta;d. không phải các trường hợp trên. 24. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . . a. Rc;b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. 1k . 25. Độ lệch pha giữa hai tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng . . . . . . . . a. 0 o ; b. 90 o ; c. 180 o ;d. 270 o . 26. Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực base l à . . . . . . a. Av= VCC Vc; b. Av= VB VE ; c. Av=r c r e;d. Av= RL x . Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 3.7. Phép đo trở kháng vào và ra. 27. Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . . a.đồng hồ đo điện trở ohmmeter; b. đồng hồ đo trở kháng; c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng. 28. Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo đ ược bằng cách sử dụng . . . . . . a. đồng hồ đo điện trở ohmmeter; b. đồng hồ đo trở kháng; c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế đặt vào vị trí của điện trở tải. 3.8. Họ đặc tuyến ra của BJT. 29. Họ đặc tuyến ra củaBJT là đồ thị của . . . . . . a. dòng base theo điện áp collector emitter; b. dòng collector theo điện áp base emitter; c. dòng collector theo điện áp collector emitter; d. dòng emitter theo điện áp base emitter. 3.9. Sai hõng trong mạch BJT. 30. Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . . a. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận nghịch cao trên cả hai tiếp giáp; b. sẽ biểu hiện tỷ sốđiện trở thuận nghịch cao trên tiếp giáp collector base; c. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận nghịch cao trên tiếp giáp emitter base; d. không phải các ý trên. 31. Khi đầu que dương của một đồng hồ đo điện trở ohmmeter được nối đến base, còn đầu que âm được nối đến collector của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ? a. 0; b. điện trở thấp;c. 5k; d. đi ện trở cao. 32. Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực emitter của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ? a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao. 33. Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ? a. 0; b. điện trở thấp; c. 5k; d. điện trở cao. 34. Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 35. Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 36. Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V;d. 15V. 37. Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V;c. 7,5V; d. 15V. 38. Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp;d. 15Vpp. 39. Nếu tụ đầura (C 2) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao nhiêu ? a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. B. Bài tập. 1. Nếu = 80 ở mạch hình3.42, thì các trị số đọc được trên các đồng hồ I B , I E , I C, và V CE là bao nhiêu ? VRb = V 1 –VBE = 1.7 –0.7 = 1 V I B= VRb Rb= 0.01mA I C = βI B= 0.8 mA I E = IB + IC= 0.81 mA Vì E nối đất nên V E = 0  VCE= V C = V 2 –VR2= V 2 –I CR2 = 10 –0.86 = 5.2 V Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 2. Nếu dòng base là 30Avà dòng collector là 4mA, thì giá trị của dòng emitter là bao nhiêu? I E = IB + IC = 0.03 + 4 = 0.43mA 3. Nếu dòng base là 20Avà dòng collector là 4mA, thì giá trị của beta là bao nhiêu ? β = I C I B = 40.02 = 200 4. Nếu transistor ở mạch hình 3.43, được dùng như một chuyển mạch. Hãy tính điện áp tại collector khi transistor dẫn. Khi trans dẫn thì VC= 0.2 V 5. Tính điện áp collector khi transistor ở mạch hình 3.43, ngưng dẫn. Khitrans ngưng dẫn thì VC= VCC= 20 V 6. Nếu của transistor trong mạch hình 3.43, bằng 50, thì trị số điện áp nhỏ nhất cần thiết tại đầu vào để transistor bão hoà là bao nhiêu ? Ta có : IC = VCCR C= 20(510 3 ) = 4 mA I B = IC β = 450 = 0.08 mA ( thực ra trong trạng thái bão hòa thì V C giảm xuống 0.2V và V Rc= VCC –0.2, nhưng nhỏ nên ta không xét) VRb = IBR b= 0.0810 = 0.8 V VBB= VRb + VBE = 0.8 + 0.7 = 1.5V 7. Khi tín hiệu vào ở mạch ở hình 3.43, là 5V, thì giá trị cần thiết để làm cho transistor bão hoà là bao nhiêu ? I B = ( VBB –VBE )Rb = (5 –0.7)10 4 = 0.43 mA I C= VCCR C= 205000 = 4mA β = I C I B= 40.43 = 9.3 8. Trong mạch hình 3.43, giả sử dòng collector là 4mA, và dòng vào là 0,5mA, nếu tăng dòng vào lên 1mA, thì dòng collector sẽ bằng bao nhiêu ? Khi tín hiệudòng vàobằng 0.5mA thì mạch đã hoạt động ở trạng thái dẫn bảo hòa, nên khi tăng dòng vào lên 1mA thì cũng không làm dòng I C thay đổi nên I C= 4mA 9. Nếu điện áp mở on tại đầu vào được cho là 3,7V,thì trị số điện trở vào lớn nhất có thể sử dụng để nhận được sự bão hoà ở mạch hình 3.43 là bao nhiêu ? (min= 50). Ta có : IC= VCCR C= 205000 = 4 mA I B = ICβ = 450 = 0.08 mA Suy ra giá trị điện trở có thể sử dụng là R b = (VBB –VBE )I B = (3.7 –0.7 )(0.0810 3 ) = 37.5 kΩ 10. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 3.44JC.(= 80). VB= VBE+ VE = 0.7 V VC=13.4 V VC= VCC –VRc = 20 –I CRc = 20 –βI BRc = 20 –80(20 –0.7)3300 775000 = 13.4 V Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 11. Cần phải thay đổi giá trị điện trở R b(775k) ở mạch hình 3.44JC để tạo ra điện áp collector bằng 10V (= 80). Ta có : VC = 10V VRc= VCC –VC = 20 –10 = 10 V I C= VRcRc= 103300 = 3.03 mA I B = IC β = 3.0380 = 0.0379 mA Vậy giá trị R b là : Rb = (15 –0.7 )(0.037910 3 )= 509 kΩ 12. Ở mạch hình 3.45JC, nếu R c = 3,3k, và beta là 120, hãy tính trị số của Rb để mạch cho phân cực điểm giữa (Vc= 7,5V) Ta có : VRc= VCC –VC = 15 –7.5 = 7.5 V  I C= VRc Rc= 7.53300 = 2.272 mA  I B = ICβ = 2.272120 = 0.0189 mA  Rb= (VCC –VB )I B = (15 0.7)(0.018910 3 ) = 755 kΩ 13. Điện áp trên collector trong mạch hình 3.45JC sẽ bằng bao nhiêu nếu R b= 755k, Rc= 3,3k, và = 240 ?. Ta có : IB = (15 – 0.7)755000 = 0.0189 mA  I C = I Bβ = 0.0189240 = 4.536 mA Vậy : V Rc = ICRc = 4.53610 3 3.310 3 = 14.97 V VC= VCC –VRc = 15 14.97 =0.03 V 14. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R b = 600kvà beta bằng 200, thì giá trị nào của R c sẽ thích hợp cho phân cực điểm giữa (Vc = 7,5V)? Ta có : IB = (15 –0.7)600000 = 0.0238 mA I C = βIB= 2000.0238 = 4.76 mA Vậy giá trị R clà : Rc= (V CC –VC )I C = (15 –7.5)4.7610 3 = 1.57 kΩ 15. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R b là 800kvà R c là 4,7k, thì beta cần thiết để cho phân cực điểm giữa (Vc = 7,5V)là bao nhiêu ? Ta có : IB = (15 –0.7)800000 = 0.0179 mA , I C = (15 –7.5)4700 = 1.596 mA β = I C I B = 1.5960.0179 = 89 16. Trị số của re , zin , và z out của mạch hình 3.46JC, là bao nhiêu ? re= 16.6 Ωz in= 2486 Ωz out= 5 kΩ ta có : I B = (VCC –VB)Rb = (15 –0.7)1.4310 6 = 0.01 mA  I C = βIB = 1500.01 = 1.5 mA  I E = IB + IC= 1.5 + 0.01 = 1.51 mA Vậy : r e = 25mVI E = 251.51 = 16.6 Ω Zin= Rb βr e = (1.4310 6 15016.6) (1.4310 6 + 15016.6) = 2486 Ω Zout= Rc = 5 kΩ Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 17. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch ở hình 3.46JC, là bao nhiêu ? Av= 200 Hệ số khuyếch đại : A V= rcre, ta có : rc= RcR L = 105(10 + 5) = 3.33 kΩ AV = 3.3310 3 16.6 = 200 18. Nếu tụ điện C 2 hở mạch, thì hệ số khuyếch đại điện áp của mạch hình 3.46JC, bằng bao nhiêu ? Av= 300 C2 hở mạch thì rc = Rc = 5 kΩ AV = 510 3 16.6 = 300 19. Đối với mạch ở hình 3.47JC, hãy tính: Vc= 6.42 V; V B= 0.7 V; V E= 0; V CE= 6.42 V; zin= 2096 Ω; zout= 6 kΩ; Vout= 4.58 V; Av= 229 Ta có : IB= (VCC –VB)Rb = (15 –0.7)1.210 3 = 0.01192 mA, I C = βIC= 0.01192120 = 1.43 mV VRc = ICRC = 1.4310 3 610 3 = 8.58 V Vậy : V C= VCC –VRc = 15 –8.58 = 6.42 V VE= 0 V VCE= VC –VE= 6.42 V VB= VBE+ VE= 0.7 V re= 25mV(I B + IC ) = 25(1.43 + 0.01192)= 17.4 Ω rc= RcR L=612(6 + 12) = 4 kΩ Vậy : Z in= Rb βr e = (1.210 6 12017.4) (1.210 6 + 15017.4) = 2096 Ω Zout= Rc=6 kΩ AV = rcre = 400017.4 = 229 Vout=Vin AV= 0.02229 = 4.58 V 20. Đối với mạch hình 3.48JC, hãy xác định: Vc= 7V ; V B=0.7V ; V E= 0V ; V CE=7V ; zin= 1596Ω; zout=4 kΩ; Vout = 4.8V; Av=120 Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks Giải tương tự bài 19 C. Câu hỏi phần mạch BJT. 4.1. Giới thiệu. 1. Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ? a. do beta thay đổi theo nhiệt độ, b. do beta thay đổi theo sự th ay đổi ở các tụ ghép tầng; c. do beta khác nhau trong các BJT cùng loại; d. cả a và c. 2. Giá trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là . . . . . . . . . a. + 50% và 50%; b. +50% và 100%; c. + 100% và 50%; d. + 100% và 100%. 3. Nếu beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch đại như thế nào ? a. điện áp collector sẽ thay đổi; b. d òng collector sẽ thay đổi; c. dòng emitter sẽ thay đổi; d. tất cả các ý trên. 4.2. Phân cực phân áp. 4. Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của R b1và R b2được xem là độc lập với dòng base của transistor ? a. dòng base không chảy qua Rb1 hoặc Rb2; b. dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1 và Rb2; c. chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1 và Rb2; d. tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy quamạch phân áp. 5. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn luôn bằng . . . . . a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; d. 2V. 6. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, khi đã tính được điện áp emitter DC, thì dòng collector tại điểm tĩnh có thể tính gần đúng bằng cách chia điện áp emitter cho . . . . . a. điện trở ở nhánh base; b. điện trở ở nhánh emitter;c. điện trở ở nhánh collector; d. điện trỏ của tải. 7. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector đ ược tính bằng cách . . . . . . . a. nhân dòng collector với điện trở collector; b. nhân dòng collector với điện trở tải; c. cộng điện áp base với điện áp emitter; d. trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện áp nguồn. 4.3. Các tham số tín hiệu của mạch phân cực phân áp. 8. Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là gì ? a. làm giảm độ ổn định; b. trở kháng ra thấp; c. suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp;d. cả b và c. Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 9. Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (R b1và R b2 ) xuất hiện dưới dạng . . . . . với các linh kiện khác. a. nối tiếp; b. nối tiếp song song; c. song song;d. nối tiếp ngược chiều nhau. 10. Điện trở động của tiếp giáp base emitter là được mắc . . . . . . a. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base; b. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base; c. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter; d. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter. 11. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . . a. điện trở collector;b. đi ện trở tải; c. điện trở collector mắc song song với điện trở tải; d. beta lần điện trở collector. 4.4. Các thay đổi ở mạch khuyếch đại phân cực phân áp. 12. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng vào cao nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ;d. tất cả các ý trên. 13. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên. 14. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ;b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên. 15. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có méo dạng ít nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ;d. tất cả các ý trên. 4.5. Mạch khuyếch đại phân cực emitter. 16. Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter th ường bằng . . . . . . a. 0V;b. 0,7V; c. 2V; d. Vcc. 17. Nhược điểm của mạch khuyếch đại phân cực emitter khi so với mạch khuyếch đại phân cực phân áp là mạch khuyếch đại phân cực emitter yêu cầu . . . . . a. các transistor có beta cao hơn; b. hai nguồn cung cấp;c. giá trị Vcc cao hơn; d. không phải các ý trên. 18. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter l à . . . . . a. phụ thuộc vào beta; b. được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cực phân áp; c. bằng với x r e . d. luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch kh. đại phân cực phân áp. 4.6. Mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp. 19. Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho l àm việc với . .. . a. các tín hiệu tần số cao; b. các nguồn cung cấp điện áp thấp; c. các mạch cần trở kháng vào rất cao; d. các mạch cần trở kháng ra rất thấp. Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 20. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh h ưởng bởi . . . . a. giá trị công suất trên điện trở collector; b. hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại; c. giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp; d. cả b và c. 4.7. Mạch khuyếch đại nhiều tầng ghép RC. 21. Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ? a. do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng; b. do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng v ào của tầng tiếp theo ; c. do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước; d. cả b và c. 22. Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng l à gì ? a. các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC; b. các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau; c. các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại; d. cả b và c. 23. Hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ của mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . . a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích hệ số khuyếch đại điện áp của mổi tầng; c. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng đầu tiên; d. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng cuối cùng. 24. Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . . a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích trở kháng vào của mổi tầng; c. trở kháng vào của tầng đầu tiên;d. trở kháng vào của tầng cuối cùng. 25. Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . . a. tổng trở kháng ra của mổi tầng; b. tích trở kháng ra của mổi tầng; c. trở kháng ra của tầng đầu tiên; d. trở kháng ra của tầng cuối cùng. 4.8. Các tụ điện ghép tầng và rẽ mạch. 26. Trị số điện dung của các tụ rẽ mạch v à ghép tầng là một trong những yếu tố chính khi xác định . . . . . . a. tần số cắt thấp;b. hệ số khuyếch đại điện áp; c. hệ số khuyếch đại dòng điện; d. tấn số cắt cao. 27. Nếu trở kháng vào của tầng thứ hai là 1k, thì tụ ghép nối giữa tầng thứ nhất và tầng thứ hai sẽ có X c vào khoảng . . . . . đối với tần số thấp nhất sẽ được khuyếch đại. a. 1; b. 10; c. 100; d. 1k; e. 10k. 4.9. Các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp. 28. Các mạch khuyếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuyếch đại ghép RC là ở chổ chúng có thể khuyếch đại .. . . . . a. các mức tín hiệu lớn hơn; b. các tín hiệu tần số cao; c. các mức tín hiệu nhỏ hơn; d. các tín hiệu tần số thấp. 29. Trong thực tế các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề . . . . . . a. về hệ số khuyếch đại; b. về độ bảo hoà; c. về độ trôi DC;d. về trở kháng. 4.10. Sai hỏng của các mạch bằng transistor. 30. Điện áp đo được trên collector của Q 1 trong mạch hình 4.24JC, vào khoảng 20VDC, Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks a. mạch đúng chức năng; b. tụ C2 bị ngắn mạch; c. tụ C2 bị hở mạch; d. điện trở R1 bị hở mạch. 31. Điện áp đo được trên collector của Q 2 ở mạch hình 4.24JC, là 13,8VDC, a. mạch đang làm việc đúng chứcnăng;b. transistor Q2 bị hở mạch giữa collector và emitter; c. tụ C5 bị ngắn mạch; d. điện trở R8 bị ngắn mạch. 32. Điện áp DC tại điểm nối của hai điệntrở R4và R 5 ở mạch hình 4.24JC, bằng 0V. a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor Q1 bị ngắn mạch giữa collector và emitter; c. tụ C4 hở mạch; d. điện trở R2 bị ngắn mạch. 33. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q 2 ở mạch hình 4.24JC, gần bằng hai lần hệ số khuyếch đại tính được, a. mạch đang đúng chức năng; b. tụ C3 hở mạch; c. tụ C3 bị ngắn mạch; d. tụ C5 bị hở mạch. 34. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q 1 gần bằng 3, a. mạch đúng chức năng; b. tụ C4 hở mạch;c. tụ C4 bị ngắn mạch; d. tụ C2 hở mạch. D. Bài tập. 1. Cho mạch ở hình 4.25JC, hãy tính: Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks Vc= 10.25 V; V B= 3,8 V; V E= 3.1 V; V CE= 7,15 V; zin= 5,85 kΩ; zout= 2 kΩ; Vout = 30mV pp; Av= 1,5 Ta có : VB= VCCRb2(Rb1+ Rb2) = 188(30 + 8) = 3,8 V  VE = VB –VBE = 3.8 –0.7 = 3.1 V  I E= VE Re=3,1800 = 3.875 mV ≈ IC  VRc = ICRc = 3.8752 = 7,75 V  VC= VCC –VRc = 18 –7,75 = 10.25 V  VCE= VC –VE= 7,15 V Ta có : r b = Rb1 Rb2 = 308 (30 + 8) = 6.316 k Ω = 6316 Ω Điện trở nội tiếp giáp : re = 25mVI E = 253,875 = 6,45 Ω Vậy r e= re+ Re = 6.45 + 800 = 806.45 Ω Zin = r b(βre) = 6316100806,45 (6316 + 100806,45) = 5,85 k Ω ( CHO β = 100 ) Zout= Rc = 2 kΩ Ta có : r c= RcR L = 32(3 + 2) = 1,2kΩ  AV = rcre = 1200 806.45 = 1,5 Vout= AVVin= 1,520mVpp= 30mVpp 2. Cho mạch ở hình 4.26JC, hãy tính Vc=10.25 V; V B= 3,8 V; V E= 3.1 V; V CE= 7,15 V; zin= 584Ω; zout= 2 kΩ; Vout= 3,72 V pp; Av = 186 Tính tương tự như trên, các thông số V C,V B,V E,V CE,Zout giữ nguyên Nhưng re thay đổi re= re ’ = 6,45Ω vì R E bị nối tắt bởi tụ C  Z in = r b(βre) = 63161006,45 (6316 + 1006,45) = 584 Ω AV = rcre = 1200 6.45 = 186 Vout= AVVin= 18620mVpp= 3,72 Vpp 3. Cho mạch ở hình 4.27JC, hãy tính, Vc=10.25 V; V B= 3,8 V; V E= 3.1 V; V CE= 7,15 V; zin= 3,9 kΩ; zout= 2 kΩ; Vout= 3,72 V pp; Av= 186 Tính tương tự như trên, các thông số V C,V B,V E,V CE,Zoutgiữ nguyên Nhưng re thay đổi r e= re’ + Re= 100 + 6,45= 106,45Ω vì R E bị nối tắt bởi tụ C Zin = r b(βre ) = 6316100106,45 (6316 + 100106,45) = 3,9 k Ω AV = rcre = 1200 106.45 = 11,3 Vout= AVVin= 11,320mV pp = 226 mVpp Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 4. Mức tín hiệu lớn nhất để có thể cung cấp tại đầu vào của mạch ở hình 4.27JC, trước khi tín hiệu ra bắt đầu bị xén là bao nhiêu ? 5. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 100Hz, hãy chọn trị số cho C1, C2 , vàC3trong mạch ở hình 4.27JC, C1= 4,08 µF ; C2= 5,3 µF ; C3= 159 µF ; ta có : XCmax = 110 giá trị điện trở nối tiếp với tụ đó, từ đó suy ra C= 1( 2ЛfXC ) Vậy C 1 nối tiếp Z in  XC1 = 390 Ω  C 1 = 1( 200Л390 ) = 4,08 µF C2 nối tiếp RL  XC2 = 300 Ω  C 2 = 1( 200Л300 ) = 5,3µF C3 nối tiếp R e  XC1 = 10 Ω  C 3 = 1( 200Л10 ) = 159 µF 6. Cho mạch ở hình 4.28JC, hãy tính: Vc= .. . . ; V B= . . . . ; VE= . . . . ; VCE = . . . . ; zin = . . . . ; zout= . . . . . ; Vout= . . . . ; Av= . . . . . B nối đất nên V B = 0  VE= VB –VBE = 0 –0,7 = 0,7 V I E= (VEE –VE ) (R E + Re) = (12 + 0,7)(300 + 5300) = 2mA I C ≈ IE = 2 mA VRc = ICRc= 23,3 = 6,6 V VC= VCC –VRc = 12 –6,6 = 5,4 V VCE= VC –VE = 5,4 –(0,7)= 6,1 V Ta có : r b = Rb1 = 2 kΩ Điện trở nội tiếp giáp : r e= 25mVIE = 252= 12,5 Ω Vậy r e= re+ Re = 12,5 + 300 = 312,5 Ω Zin = r b(βre) = 2000100312,5 (2000 + 100312,5) = 1,9 kΩ ( CHO β = 100 ) Zout= Rc = 3,3 kΩ Ta có : rc = RcR L = 3,36(3,3 + 6) = 2,13kΩ AV = rcre = 2130 312,5 = 6,8  V out = A V Vin = 6,850mV pp = 340mV pp 7. Hãy xác định các trị số yêu cầu dưới đây cho mạch ở hình 4.29JC, tầng 1: VB= 4,8 V; V E=4,1 V; V C= 8,8 V; Av=6,1; zin= 3,8 kΩ; z out= 1 kΩ tầng 2: VB= 3,2 V; V E= 2,5 V; V C= 8V; Av= 12,7; zin= 1kΩ; zout= 390 Ω Toàn bộ mạch: Av= 77,4 ; zin= 3,8 kΩ; zout= 390 Ω Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks Tính tương tự riêng rẻ cho từng tầng Nhưng : RL của tầng thứ 1 bằng Z in của tầng 2 8. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 1kHz, hãy chọn các giá trị cho C1, C2, C3, C4, và C5 trong mạch ở hình 4.29JC, C1= 0,42 µF ; C2= 1,6 µF ; C3= 1,6 µF ; C4= 17,7 µF ; C5= 65,2 µF ; tương tự như bài số 5 trong đó : C1 nối tiếp Z in1 XC1 = 380 Ω C1= 1( 2000Л380 ) = 0,42 µF C2 nối tiếp Zin2 XC2= 100 Ω C2= 1( 2000Л100 ) = 1,6µF C3 nối tiếp R L2 XC3 = 100 Ω  C3 = 1( 2000Л100) = 1,6µF C4 nối tiếp re1 XC4 = 8,2Ω C4 = 1( 2000Л8,98 ) = 17,7µF C5 nối tiếp re2 XC5= 2,2Ω C5 = 1( 2000Л2,4) = 65,2µF 9. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 4.30JC, tầng 1: VB= 0V; V E= 0,7V ; V C= 3,8V ; Av= 1,7 ; zin= 360 kΩ ; zout= 6 kΩ tầng 2:VB= 3,8V ; V E= 4,5V ; V C = 0,3V ; Av = 4,6; z in=740 kΩ; zout= 7,4 kΩ Toàn mạch: z in= 360 kΩ; zout= 7,4 kΩ; Av = 7,8 tính tương tự riêng rẻ cho từng tầng nhưng V B của Q 2= VC của Q 1 Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks E. Câu hỏi phần mạch BJTkhác. 5.1. Mạch khuyếch đại collector chung. 1. Trong mạch khuyếch đại collector chung, cực collector . . . . . a. được nối với mức đất của nguồn DC; b. đ ược nối với mức đất của tín hiệu; c. nối với Vcc; d. cả b và c. 2. Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực . . . . . . . . a. emitter; b. hồi tiếp điện áp collector ; c. phân áp ; d. cả a và c. 3. Cấu hình collector chung có . . . . . . a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp;b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các trư ờng hợp trên. 4. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector chung l à . . . . . a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn 1;d. bằng với . 5.2. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất. Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 5. Hệ số khuyếch đại công suất của một mạch có thể tính đ ược bằng phép nhân. . . . . a. beta với hệ số khuyếch đại điện áp; b. b ình phương dòng tải với điện áp tải; c. hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng;d. công suất vào và công suất ra. 6. Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ? a. emitter chung; b. base chung; c. collector chung; d. tất cả các ý trên. 5.3. Cặp Darlinhton. 7. Cặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung sẽ . . . . . . . a. làm tăng trở kháng vào của mạch; b. cho phép mạch điều khiển tải điện trở thấp hơn; c. thay đổi điện áp phân cực emitter bằng 0,7V; d. tất cả các ý trên. 8. Nếu cặp Darlington được lắp bằng hai transistor với mổi transistor bằng 40, thì mạch Darlington có beta bằng . . . . . a. 40; b. 80; c. 60; d. 1600. 9. Mạch Darlington khi hoạt động khuyếch đại ở chế độ A, điện áp giữa cực base v à emitter là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 1,4V;d. 2V. 5.4. Tầng collector chung trong mạch khuyếch đại nhiều tầng. 10. Thông thường, tầng collector chung là tầng cuối cùng trước tải. Chức năng chính của tầng collector chung là để . . .. . . a. cho khuyếch đại điện áp; b. làm bộ đệm cho các bộ khuyếch đại điện áp khỏi điện trở tải thấp; c. cho sự đảo pha tín hiệu; d. cho đường dẫn tần số cao để cải thiện đáp ứng tần số tầng cuối cao. 11. Một bộ khuyếch đại điện áp có ba tầng có các hệ số khuyếch đại l à 32, 16,và 1. Hệ số khuyếch đại điện áp của toàn mạch là bao nhiêu ? a. 49V; b. 49; c. 512V; d. 512. 5.5. Các mạch khuyếch đại base chung. 12. Cấu hình base chung có . . . . a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các ý trên. 13. Hệ số khuyếch đại dòng của mạch base chung là . . . . a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn so với 1; d. bằng . 5.6. So sánh các cấu hình của mạch khuyếch đại. 14. Cấu hình emitterchung có . . . . . a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; c. trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc;d. ngoài các trường hợp trên. 15. Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điệnáp. 16. Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . . a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp. 17. Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất;d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp. 5.7. Nguồn dòng điện. 18. Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của nguồn dòng điện ?d 19. Một nguồn dòng hằng 10mAcung cấp cho tải 1k, mức điện áp trên tải là bao nhiêu ? a. 1V; b. 5V; c. 10V;d. 20V 20. Một nguồn dòng hằng 10mAcung cấp cho tải 1k. Nếu thay đổi điện trở tải là 2k, thì dòng chảy qua tải là bao nhiêu ? a. 1mA;b. 5mA; c. 10mA;d. 40mA. 5.8. Mạch khuyếch đại vi sai. 21. Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V, và điện trở ở nhánh collector (R c ) cho cả hai BJT là 1k. Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức chênh lệch điện áp đo được giữa hai hai đầu ra collector của transistor là bao nhiêu ? a. 0V;b. 100mV; c. 5V; d. 7V. 22. Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cungcấp 12V, và điện trở ở nhánh collector (R c ) cho cả hai BJT là 1k. Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức điện áp đo được trên collector của một trong hai đầu ra của transistor so với đất là bao nhiêu ? a. 0V; b. 100mV; c. 5V; d. 7V. 5.9. Sai hỏng trong các mạch BJT. 23. Điện áp tín hiệu trên tải trong mạch ở hình 5.21JC, đo được là 1V pp. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch; c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng. Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 24. Điện áp trên base ở mạch hình 5.21JC, đo được là 1,2VDC. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đốivới mạch là gì ? a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch; c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base emitter;d. mạch đang làm việc đúng chức năng. 25. Tín hiệu ra ở mạch hình 5.21JC, dao động trên mức 6VDC. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch; c. transistor bị ngắn mạch tạitiếp giáp base emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng. 26. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q 1và Q 2 đo được là 12V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch l à gì ? a. transistor Q1 hởmạch; b. transistor Q2 hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng;d. mạch làm việc bình thường. 27. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q 1đo được là 12V và điện áp trên Q 2đo được là 0,2V. Vấn đề có nhiều khả năngxảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. transistor Q1 hở mạch;b. transistor Q2 hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường 28. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q 1và Q 2 đo được là 6V. Vấnđề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch l à gì ? a. transistor Q1 hở mạch; b. transistor Q2 hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks F. Bài tập. 1. Cho mạch ở hình 5.23JC, hãy tính các trị số tại điểm làm việc tĩnh Q: VB= 6,7 V; V E= 6 V; V C= 12 V; V CE= 6 V; I E= 60 mA; Mạch khuyếch đại C chung VB= VCCR2(R1 + R2) = 121(1 + 0,8) = 6,7 V VE= VB –VBE = 6,7 –0,7 = 6 V VC= VCC = 12 V VCE= VC –VE = 12 –6 = 6 V I E= VERe= 6100 = 60 mA 2. Tính các giá trị zin , z out, và Av của mạch ở hình 5.23JC. CHO β = 100 z in = . . . . ; zout= . . . . . ; Av= . . . . . ta có : R1R2= 10,8(1 + 0,8) = 0,444 kΩ re= R3R L = 10050(100 + 50) = 37,5 Ω rb= R1R2Rint= 364 Ω vậy : Z in= (R1R2)(βre ) = 44437500(444 + 37500) = 396 Ω Zout = R3(rbβ) = 1003,64(100 + 3,64) = 3,5 Ω Av= re (re+ re ) = 1 3. Đối với mạch ở hình 5.23JC, hãy tính hệ số khuyếch đại dòng điện (A i ), và hệ số khuyếch đại công suất (A p). ta có : iout= VoutR L iin= VinZin Ai= ioutiin= AvZinR L = 139650 = 7,9 Ap= VoutioutVinZin= AvAi = 7,9 4. Cho beta của Q 1 là 150 và beta của Q 2 bằng 30. của cặp Darlington ở hình 5.24JC, là bao nhiêu ? β = β Q1 β Q2 = 15030 = 4500 Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks 5. Cho mạch ở hình 5.25JC, hãy tính các giá trị tại điểm làm việc tĩnh Q: V BQ1, VEQ1, VCQ1, VBQ2, VEQ2, VCQ2 , và IEQ2 . (giả sử Q1 = 90 và Q2 = 40) Mạch C chung dùng cặp DARLINTON VBQ1= VCCR2(R1 + R2) = 182,2(2 + 2,2) = 9,4 V VEQ1= VBQ1 –VBEQ1 = 9,4 –0,7 = 8,7 V VCQ1= VCC= 18V VBQ2= VEQ1= 8,7 V VEQ2 = VBQ2 –VBEQ2 = 8,7 –0,7 = 8 V VCQ2= VCQ1= 18 V I E= VEQ2R3 = 825 = 320 mA 6. Hãy tính các giá trị của zin ,z out , và Avcho mạch hình 5.25JC. (cho Q1= 90và Q2= 40). Tính tương tự bài 2 nhưng β = β Q1 β Q2 = 9040 = 3600 Zin = 1,024 kΩ Zout = 0,19 Ω Av = 1 7. Cho mạch ở hình 5.25JC, hãy xác định hệ số khuyếch đại dòng điện (A i ) và hệ số khuyếch đại công suất(Ap). (giả sử Q1= 90, và Q2= 40). Tương tự bài 3 A i= ioutiin= AvZinR L = 1102425 = 41 Ap= VoutioutVinZin= AvAi = 41 8. Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp, hệ số khuyếch đại dòng điện, và hệ số khuyếch đại công suất cho hệ thống ở hình 5.26JC. Av = 8221 = 176 Ai= AvZinR L = 176200025 = 14080 Ap= AvAi = 17614080 = 2478080 9. Tính công suất tín hiệu được phân bố trên tải trong cả hai mạch ở hình 5.27JC. Mổi mạch được cung cấp bởi nguồn tín hiệu 2V pp (không tải) có trở kháng nội là 2k. (cho Q1= 90và Q2= 40). Ta có : Vin rms= Vmax √2= 12 = 0,707 V β = β Q1 β Q2 = 9040 = 3600 Mạch (a) : Vout= VrmsRL(Rint+ RL) = 8,7 mV P = Vout 2 R L= 3,05 µW Mạch (b) : Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks Zint= (R1R2 )(βre ) = 2,42 kΩ Vin= VrmsZin(Zin+ Rint) = 0,387 V Vout= AvVin= 0,387 V ( mạch C chung) P = Vout 2 R L= 6 mW 10. Hãy tính các mức điện áp phân cực DC: VB, V E, Vc, và V CEcho mạch ở hình 5.28JC. Mạch khuyếch đại B chung VB= VCCRb2(Rb1 + Rb2 ) = 1518(90 + 18) = 2,5V VE= VB –VBE = 2,5 –0,7 = 1,8V I E= VERe = 1,81800 = 1mA VC= VCC –VRc = 15 –16,8 = 8,2 V VCE= VC –VE = 8,2 –1,8 = 6,4V 11. Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu (A v ), và trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout ), và độ dao động của điện áp ra lớn nhất gần đúng cho mạch ở hình 5.28JC. rc= RLRc = 4048 Ω , re= re= 25mVI E = 25 Ω  Av = rcre = 162 Zin = re = 25 Ω , Zout= Rc = 6,8 kΩ độ dao động của điện áp ra lớn nhất gần đúngbằng 2V CE = 26,4 = 12,8 V 12. Hãy tính điện áp trên collector, base, và emitter của cả ba transistor trong mạch ở hình 5.29JC. Mạch khuyếch đại vi sai Q1:sụt áp trên điện trở 10kΩ là V = (15 –(15))10(10 + 18) = 10,7 V VB1= V + VEE = 10,7 –15 = 4,3 V VE1= VB1 –VBE= 4,3 –0,7 = 5 V VC1= VE2= VE3 VB2= VB3 = 0 V ( nối đất ) VC1= VE2= VE3 = 0 –0,7 = 0,7 V IC1 = IE1= (VE1 – VEE)Re1= ( 5 + 15 )5 = 2 mA IE2 = IE3 = ½ IC1= 1 mA VRc2= VRc3= 13,3 = 3,3 V VC2= VC3 = 15 –3,3 = 11,7 V 13. Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp của đầu ra đơn và hệ số khuyếch đại điện áp vi sai cho mạch ở hình 5.29JC. Created by Mondeo Tài liệu tham khảo, vui lòng ko in ấn photo………thanks Ta xem như mạch khuyếch đại gồm 2 tầng rc = Rc = 3,3 kΩ re= 25 mVIE = 25Ω Av= rcre = 132 ( đối với đầu ra đơn ) Đối với đầu ra cân bằng thì :Vout của đầu ra cân bằng bằng 2 lần V out của đầu ra đơn nên Av= 2Av = 264