Đáp ứng tần số cao của mạch khuyếch đại ghép RC

5 1.3K 17
Đáp ứng tần số cao của mạch khuyếch đại ghép RC

Đang tải... (xem toàn văn)

Thông tin tài liệu

Đáp ứng tần số cao của mạch khuyếch đại ghép RC

8 Chương 2 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I. Bộ khuếch đại transistor ở tần số cao : 1. Mạch tương đương hình Π : bb' be ' be ' bc ' h ib' fe 1/hoe C C r A r B • Tần số cắt 3db: ebebcbcbeb CrCCr f ''''' 2 1 )(2 1 Π ≈ +Π = β (3)(C b’c <<C b’e ) • Tần số giới hạn của transistor ( tại đó h fe =1) feT hff . β = (4) g m = EQ ibeb fe I hr h 40 1 ' == (5) 2. Bộ khuếch đại cực phát chung ở tần số cao-Điện dung Miller : ->o L o ->oo ii Cc2 R Ce Vcc Cc1 i r R2 R1 Re Rc ' ' M m ' ' Vbe i i RL RcgVbe C Cbe Rbe Hàm truyền tổng quát : A i = A im H j ω ω +1 1 (4) A im =-g m R b'e (5) ( coi R c >>R L ) r bb' ≈ 10 ÷ 50 Ω (1) h ie = r bb' + r b'e = r bb + h fe EQ I 3 1025 − ⋅ (2) i i ' =i i i bbb b i rR R ≈ + ' (1) coi r bb' 0 ≈ ; L cb R C >> ' 1 ω mcb gC << ' ω ta có : R b'e =r b'e //R b (2)(không có r i ) R b'e =r i //r b'e //R b (2') (có r i ) C M =C b'c (1+g m Lc Lc RR RR + ) (3) 9 A im =-g m R b'e Lc c RR R + (5'0 ( khi có R c ~R L ) )( 1 '' Mebeb H CCR + = ω (6) )'//( 1 bEE L RRC = ω (7) II. Bộ khuếch đại FET ở tần số cao : 1. Bộ khuếch đại nguồn chung ở tần số cao : L i - > o o > i L - > o o + Cc2 + Cc1 Rd VDD Cs Rs + - Vi r R Rg Vi r i g Vgs m > i L M < id G C Cgs RL Rd rds + - Coi R g >> r i , ω << )//( 1 ddsgd RrC và ω << gd m C g C M = C gd [1 + g m (r ds //R d )] (1) (không có R L ) C M = C gd [1 + g m (r ds //R d //R L )] (2) (có R L ) A v = A vm H j ω ω +1 1 (2); A vm = -g m (r ds //R d ) (3) (không có R L ) A vm = -g m (r ds //R d //R L ) = -g m R // (3') (có R L ) ω H = )( 1 Mgsi CCr + (4) A im Ai HL ω ω 0 ω A vm 0 H ω ω 10 (-g m +j ω C gd )V i R // Cgd A v m A o A v H ω ' H ω ω * Nếu r i = 0 ta có đồ tương đương như sau : R // = r ds //R d (1) (không có R L ) R // = r ds //R d //R L (1') (có R L ) A v = A vm H H j j ω ω ω ω + +− 1 1 (2) A vm = -g m R // (3); ω H = // 1 RC gd (4); gd m H C g = ' ω (5*) A vo = A vm ' H H ω ω (6) III. Bộ khuếch đại đa tầng RC : 1. Bộ khuếch đại đa tầng RC dùng transistor : Trong đó : R 1 = r i //R b1 //r b'e1 (1) R 2 = R c2 //R b2 //r b'è (2) C 1 = C b'e1 + (1 + g m1 R 2 )C b'c1 (3) C 2 = C b'e2 + [1+g m2 (R c2 //R L )]C b'c2 (4) ω 1 = 11 1 CR (5); ω 2 = 22 1 CR (6); q= 1 '' C CC cbeb + (7) Dạng hàm truyền cơ bản : A i =         +         +         ++ 1 '' 21 2 21 11 1 C CC s s A cbeb im ωωωω (8) A i = (-g m ) 2 . Lc c RR R + 2 2 .R 1 R 2 (9) Nếu R 1 =R 2 =R 3 và R c2 >> R L ta có A im = (-g m .R) 2 (9') 11 22 2 1 1 2 2 1 1 2 2 21 2 4)1(2)1(2 2 qqq q h +       −+++               −++−= ω ω ω ω ω ω ω ωωω ω (10) * Nếu cho C b'c = 0; R 1 = R 2 = R; C 1 = C 2 = C ta có hàm truyền : A i = 2 0 1         + ω s A im (8) A im = (-g m R) 2 Lc c RR R + 2 2 (9); ω 0 = RC 1 (5) 2. Bộ khuếch đại đa tầng RC dùng FET : R 1 = r i //R g1 (1); R 2 = R d1 //r ds1 //R g2 (2); R // = r ds2 //R d2 //R L (3) C 1 = C gs1 + C gd1 (1 + g m R 2 ) (4); C 2 = C gs2 + C gd2 (1 + g m R // ) (5) A v =         +         +         ++ 121 2 21 11 1 C CC s s A gdgs vm ωωωω (6) A vm = (-g m ) 2 .R 1 R 2 R // (7) ; nếu R 1 = R 2 = R // =R ta có : A vm = (-g m ) 2 R 3 ω 1 = 11 1 CR (8); ω 2 = 22 1 CR (9); q= 1 C CC gdgs + (10) 12 22 2 1 1 2 2 1 1 2 2 21 2 4)1(2)1(2 2 qqq q h +       −+++               −++−= ω ω ω ω ω ω ω ωωω ω IV. Tích số độ lợi khổ tần (GBW) : 1. Tích số độ lợi khổ tần của mạch khuếch đại đơn tầng : * Dùng transistor : GBW = Him fA . (1) Khi transistor lý tưởng : GBW max = f T = eb m C g ' 2 π (2) * Dùng FET : GBW = Hvm fA . (1) 2. Tích số độ lợi khổ tần của mạch khuếch đại đa tầng dùng transistor : Giả thiết r bb' = C b'c = 0; R L << R C . R b'e = R C //R b //r b'e = r i //R b //r b'e (1); ω 1 = ebeb CR '' 1 (2) A im = (-g m R b'e ) n (3); 12 1 11 −== n HH f f ω ω (4) . 8 Chương 2 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I. Bộ khuếch đại transistor ở tần số cao : 1. Mạch tương đương hình Π : bb' be ' be ' bc ' h. )( 1 '' Mebeb H CCR + = ω (6) )'//( 1 bEE L RRC = ω (7) II. Bộ khuếch đại FET ở tần số cao : 1. Bộ khuếch đại nguồn chung ở tần số cao : L i - > o o > i L - > o o + Cc2 + Cc1 Rd VDD Cs Rs + - Vi r R Rg . 22 2 1 1 2 2 1 1 2 2 21 2 4)1(2)1(2 2 qqq q h +       −+++               −++−= ω ω ω ω ω ω ω ωωω ω IV. Tích số độ lợi khổ tần (GBW) : 1. Tích số độ lợi khổ tần của mạch khuếch đại đơn tầng : * Dùng transistor : GBW = Him fA . (1) Khi transistor

Ngày đăng: 06/04/2014, 00:17

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan