Đang tải... (xem toàn văn)
Đáp ứng tần số thấp của mạch khuyếch đại ghép RC
1 BÀI GIẢNG TÓM TẮT MÔN : ĐIỆN TỬ 2 Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor : 1. Tụ điện bypass emitter : H.1_1 L i i o->o ->oo E + Vbb C i Vcc Cc2 Cc1 r Rb R Re Rc L i ' Rb 1+hfe hib > ie < ic Rc ie Ce i R Re E E 1 2 E C R R ta sẽ có R b' = )1( 1 // * 1E Rhib hfe Rbri ++ + (có r i ,có R E1 ) i i '= )2( 1 // // * 1Eib ib ib Rh hfe rR rR ++ + ( có r i ,có R E1 ) Đặt R b' = hib hfe R b + +1 (1) (khi không có r i ) R b' = hib hfe Rr bi + +1 // (1') (khi có r i ) i i' = )2( 1 hib hfe R R b b + + (khi không có r i ) i i '= )'2( 1 // // hib hfe rR rR ib ib + + ( khi có r i } Đặt biệt khi có R e1 ,R e2 như hình vẽ : 2 Dạng hàm truyền tổng quát : A i =A im )3( 2 1 ω ω + + s s A im =- 'b b R R =- )4( 1 hib hfe R R b b + + (không có r i ,không có R L ) A im =- )'4( 1 // //// ' hib hfe rR rR R rR ib ib b ib + + −= (có r i , không có R L ) A im =- )"4( 1 // //// 1 ' E ib ib b ib Rhib hfe rR rR R rR ++ + −= (có r i , có R E1 , không có R L ) A im =- )4( 1 // //// 1 ' • ++ + + −= + E ib ib LC C LC C b ib Rhib hfe rR rR RR R RR R R rR (có r i , có R E1 và có cả R L ) )5( 1 1 EE CR = ω )6( )'//( 1 2 bEE L RRC == ωω ( R' b thay đổi như trên) A io =A im )7( 2 1 ω ω A i A im 1 ω L ω ω = 2 )/( srad ω A io 3 0 2. Tụ ghép C c1 : H 1-7 i L L i i ->oo + Vbb i Vcc Cc2 Cc1 r Rb R Re Rc i b L i < ic i (1+ hfe)R e fb ib L i h hie r Cc1 Rc i R Rb Đặt R' b =R b //[hie+(1+hfe)R E ] (1) ( không có tụ C E ) R' b =R b //hie (1') (có tụ C E -> ∞ hoặc R E = 0 ) Dạng hàm tryền cơ bản : A i =A im L s s ω + (2) A im =- E bi Rhib Rr + '// (3) ( không có tụ C E , không có R L ) A im =- hib Rr bi '// (3') ( có tụ C E , hoặc R E =0) A im =- E bi LC C Rhib Rr RR R + • + '// (3") ( không có tụ C E , có R L ) 1 1 ( ' ) L i b C r R C ω = + (4) 3. Cacù tụ ghép cực nền (C c1 ) và tụ ghép collector (C c2 ) : A i A im L ω )/( srad ω 4 ω 0 A i A im L ω 0 ω A im A i L ωωω 21 L i i > i L + Vbb i Vcc Cc2 Cc1 r Rb R Re Rc ic i l L i i (1+ hfe) Re ib L i > ib fe Cc2 h hie r Cc1 Rc i R Rb Hàm truyền cơ bản : A i =A im 21 ωω + ⋅ + s s s s (1) A im =- E bi LC C Rhib Rr RR R ++ '// (2) )4( )( 1 &)3( )'( 1 2 2 1 1 cLCcbi CRRCRr + = + = ωω Trường hợp 21 ωωω == o khi đó : A i =A im 2 2 )( o s s ω + (5); OL ωω 55,1 = (6) Trường hợp 21 ωω ≠ : 5 0 ω 2 6 2 4 2 2 2 2 1 4 1 2 2 2 1 2 ωωωω ωω ω ++ + + = L (7) 4. nh hưởng kết hợp của các tụ ghép và tụ bypass : L i i > i L Ce + Vbb i Vcc Cc2 Cc1 r Rb R Re Rc B3 : Tính Cc2 và Cc1 theo : 1 )'(2 1 1 CcRr f bi L Cc +Π = (3) 2)'(2 1 2 CcRr f bi L Cc +Π = (4) II. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET : 1. Tụ bypass cực nguồn : L i ->oo o->o Rd VDD Cs Rs + - Vi Cc2 r Cc1 R Rg l rds - + Rd R dsm rg = µ (1) ii ig g i vv rR R V ≈ + =' (2) vì R g >>r i B1 : Ebi LL CRr ff CE )'(2 1 +Π = tính C E B2 : CECvCc LLL fff 10 1 21 == L ω A im )1/( + µ Cs Rs)1( + µ i V ' µ V L 6 V' I = ii gi g VV Rr R ≈ + (1) Hàm truyền cơ bản : Av=Avm L s s ϖ + (2) Avm=-g m R// (3) )]([ 1 2 ddsLc L RrRC ++ = ϖ (4) A V A Vm 1 ω L ω ω = 2 ω 0 Avm L ω ω A v 2 1 ' ' ω ω + + == s s Avm V V Av i L (3) Avm=-g m R// (4) R//=r ds //R d //R L (5) ; ss CR 1 1 = ω (6) ] )//()1( )//( [ 1 2 Lddss Ldds ss L RRrR RRr RC +++ + == µ ωω (7) Av o =Avm 2 1 ω ω + + s s (8) 2. Tụ ghép cực máng : L i ->oo ->oo > i L + Cc2 + Cc1 Rd VDD Cs Rs + - Vi r R Rg Vi r i Vgs g Vgs m V L RL Rd rds + - Rg 3. Tụ ghép cực cổng : L i ->oo ->oo > i L + Cc2 + Cc1 Rd VDD Cs Rs + - Vi r R Rg 7 Vi r i Vgs g Vgs m > i L + Cc1 RL Rd rds + - Rg Av=Avm L s s ϖ + (1) Avm=-g m R // (2); R // =r ds //R d //R L (3) Avm )( 1 1 gic L RrC + = ϖ (4) Vì R g thường rất lớn nên L ϖ rất nhỏ. Đối với FET méo tần số thấp chủ yếu do C s gây ra. . TỬ 2 Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor : 1. Tụ điện bypass emitter :. 1 )'(2 1 1 CcRr f bi L Cc +Π = (3) 2)'(2 1 2 CcRr f bi L Cc +Π = (4) II. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET : 1. Tụ bypass cực nguồn : L i ->oo o->o Rd VDD Cs Rs + - Vi Cc2 r Cc1 R Rg . Avm=-g m R // (2); R // =r ds //R d //R L (3) Avm )( 1 1 gic L RrC + = ϖ (4) Vì R g thường rất lớn nên L ϖ rất nhỏ. Đối với FET méo tần số thấp chủ yếu do C s gây ra.