Đang tải... (xem toàn văn)
kỹ thuật điện tử
Transistor trường mosfet Nội dung học MOSFET kênh có MOSFET kênh cảm sẵn ứng 1.1 Cấu tạo ký 2.1 Cấu tạo ký hiệu hiệu 1.2.Nguyên lý hoạt 2.2 Nguyên lý hoạt động động MOSFET KÊNH CÓ SẴN 1.1 CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU Hình Cấu tạo ký hiệu MOSFET kênh n 1.1 CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU Từ phiến bán dẫn loại P tạo bề mặt lớp bán dẫn loại N dùng làm kênh dẫn Ở hai đầu kênh dẫn, khuếch tán miền N+ dùng làm cực nguồn (S) cực máng (D) Trên mặt phiến bán dẫn phủ màng SiO2 để bảo vệ Phía màng này, đối diện với kênh dẫn gắn kim loại dùng làm cực cửa (G) Khoét xuyên qua màng SiO2 vùng thích hợp, người ta phun kim loại tạo tiếp xúc tuyến tính với vùng N + dùng làm đầu dẫn cho cực S cực D Đáy phiến bán dẫn đc gắn với sợi KL dùng làm cực đế Thông thường cực đế nối với cực nguồn 1.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET ID o Đặt vào cực D S nguồn ED có dịng ID từ cực D qua kênh dẫn đến cực S IG o Đặt vào cực G S nguồn EG trình xảy IS tụ điện Các e tích tụ cực G, điện tích (+) tích kênh dẫn, màng SiO2 đóng vai trị điện mơi 1.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET o Các đ.tích (+) tái hợp với e kênh dẫngiảm nồng độ hạt dẫn kênh, đ.trở kênh tăng, I D giảm Càng tăng VGS ID giảm Chế độ làm nghèo hạt dẫn o Nếu đổi cực tính EG ngược lại: VGS tăng, ID tăng Chế độ giàu 1.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET o Ngay VGS = có ID khác Tùy cực tính VGS mà MOSFET hoạt động c.độ giàu hay nghèo Dùng VGS để điều khiển dòng ID tăng hay giảm o Trên sở đó, có nguồn eS xoay chiều ngõ vào ID biến đổi theo eSvà tải ngõ nhận tín hiệu khuếch đại MOSFET KÊNH CẢM ỨNG 1.1 CẤU TẠO – KÝ HIỆU Hình Cấu tạo ký hiệu E-MOSFET kênh n 2.1 CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU Cấu tạo tương tự MOSFET kênh có sẵn chưa có kênh dẫn ban đầu Giữa lớp bán dẫn hình thành chuyển tiếp P-N 2.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG Thông thường cực S nối với cực đế 10 2.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG Khi cấp nguồn ED vào cực D S chuyển tiếp P-N phân cực ngược Chỉ có dịng điện nhỏ chạy qua chuyển tiếp PN Điện trở tương đương S D vô lớn 11 2.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG o Khi có nguồn EG điện tích (+) tích tụ cực G, điện tích (–) tích tụ vùng đối diện o Khi EG nhỏ, lượng điện tích (-) không lớn nên bị lỗ trống P tái hợp 12 2.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG Khi VGS (ED) tăng lớn VT, lượng điện tích âm nói nhiều đáng kể tạo thành lớp bán dẫn N bề mặt P, đóng vai trò kênh dẫn Do xuất kênh dẫn điện trở S D giảm ID tăng VGS tăng nồng độ điện tích âm kênh dẫn cao ID tăng chế độ làm giàu điện tích (c.độ giàu) 13 ... MOSFET kênh có MOSFET kênh cảm sẵn ứng 1.1 Cấu tạo ký 2.1 Cấu tạo ký hiệu hiệu 1.2.Nguyên lý hoạt 2.2 Nguyên lý hoạt động động MOSFET KÊNH CÓ SẴN 1.1 CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU Hình Cấu tạo ký hiệu MOSFET. .. phân cực ngược Chỉ có dòng điện nhỏ chạy qua chuyển tiếp PN Điện trở tương đương S D vô lớn 11 2.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG o Khi có nguồn EG điện tích (+) tích tụ cực G, điện tích (–) tích tụ vùng... vai trị kênh dẫn Do xuất kênh dẫn ? ?điện trở S D giảm ID tăng VGS tăng nồng độ điện tích âm kênh dẫn cao ID tăng chế độ làm giàu điện tích (c.độ giàu) 13