Đang tải... (xem toàn văn)
Nghiên cứu nâng cao chất lượng màng mỏng quang học bằng phương pháp bốc hơi có trợ giúp của chùm ion
1 A. Những đặc điểm của luận án 1. Tính cấp thiết của đề tài: Bay hơi nhiệt trong chân không là công nghệ đ và đang đợc sử dụng rộng ri trong chế tạo màng mỏng quang học. Tuy nhiên công nghệ này không thể giải quyết đợc nhiều yêu cầu cao về chất lợng màng mỏng quang học nh: Màng mỏng có độ ổn định thông số quang học cao trớc sự thăng giáng của nhiệt độ và/hoặc độ ẩm; Màng mỏng có độ bám dính cao giữa màng-đế, khả năng chống mài mòn tốt, khả năng chịu tác động ăn mòn hoá học; Màng mỏng quang học chất lợng cao trên các loại vật liệu plastic quang học hay kính mắt plastic; Màng mỏng có giá trị ứng suất trong giới hạn mong muốn Để đáp ứng đòi hỏi thực tế này, phơng pháp Bay hơi có trợ giúp của chùm ion (phơng pháp IAD- Ion Assisted Deposition) đ ra đời. Phơng pháp IAD đ đợc phát triển và áp dụng thành công ở các nớc công nghiệp hàng đầu trong khoảng hơn mời năm trở lại đây. Đặc điểm khí hậu nóng ẩm của Việt nam ảnh hởng rất lớn tới tính năng và độ bền của các lớp màng mỏng quang học. Nghiên cứu áp dụng công nghệ IAD nâng cao chất lợng màng mỏng quang học, vì vậy có ý nghĩa hết sức thiết thực. 2. Mục đích của luận án: Xây dựng một thiết bị thử nghiệm công nghệ IAD. Nghiên cứu áp dụng công nghệ IAD nâng cao chất lợng quang học của màng mỏng thông qua hai loại vật liệu màng mỏng TiO 2 và SiO 2 . 3. Phơng pháp nghiên cứu. Luận án này đợc tiến hành bằng phơng pháp thực nghiệm: Thiết bị công nghệ IAD thử nghiệm đợc xây dựng trên cơ sở tham khảo các tài liệu về phơng pháp IAD đ công bố của nớc ngoài; Thông số công nghệ IAD và phạm vi điều khiển đợc thiết lập qua khảo sát thực nghiệm các thông số đặc trng 2 cho nguồn ion; Hàm số mô tả quan hệ giữa bộ thông số công nghệ IAD với thông số chiết suất màng mỏng TiO 2 và SiO 2 đợc thiết lập bằng phơng pháp qui hoạch thực nghiệm. Thông số quang học của màng mỏng (chiều dày màng, chiết suất, hệ số hấp thụ) đợc phân tích từ phổ truyền qua của mẫu bằng phần mềm Spektrum. Phổ truyền qua của màng mỏng đợc đo bằng máy quang phổ Jasco 530 UV-VIS. Một số phơng pháp phân tích vật lí đợc sử dụng: Thành phần pha vật liệu màng mỏng đợc phân tích bằng phơng pháp nhiễu xạ tia X(XRD), mật độ khối lợng và độ nhám bề mặt của màng mỏng đợc phân tích bằng phơng pháp phổ phản xạ tia X(XRR) và phổ tán xạ tia X (XRS). 4. Đóng góp mới của luận án: Lần đầu tiên ở Việt nam, một thiết bị chế tạo màng mỏng công nghệ IAD đ đợc xây dựng và vận hành thành công. Đ nghiên cứu áp dụng công nghệ IAD để nâng cao chất lợng màng mỏng quang học thông qua hai vật liệu TiO 2 và SiO 2 . Đ xây dựng hàm toán học mô tả quan hệ giữa thông số công nghệ IAD với thông số chiết suất của màng mỏng TiO 2 và SiO 2 . Đ phát triển một phơng pháp mới nâng cao độ chính xác chế tạo màng mỏng SiO 2 bằng công nghệ IAD từ vật liệu Si và SiO Đ áp dụng thành công công nghệ IAD để chế tạo một số màng mỏng quang học chất lợng cao nh: kính lọc đơn sắc, gơng phản xạ mặt trớc. 5. Bố cục của luận án: Luận án đợc trình bày trong 4 chơng, 121 trang, bao gồm 64 hình vẽ và đồ thị, 30 bảng số liệu. Các nội dung đợc trình bày theo trình tự sau: Mở đầu 3 Chơng 1. Chất lợng màng mỏng quang học và phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion. Chơng 2. Xây dựng thiết bị nghiên cứu phơng pháp IAD. Chơng 3. Nghiên cứu chế tạo màng mỏng TiO 2 và SiO 2 bằng công nghệ IAD. Chơng 4. Một số kết quả ứng dụng công nghệ IAD. Kết luận Danh mục công trình khoa học. Tài liệu tham khảo. B. Nội dung luận án Chơng 1. Chất lợng màng mỏng quang học và phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion 1.1. ảnh hởng của chiết suất tới chất lợng màng mỏng quang học Chất lợng quang học của màng mỏng đợc đánh giá qua các thông số: hệ số phản xạ, hệ số truyền qua, hệ số hấp thụ. Với hệ màng có n lớp, các thông số quang học nêu trên đợc xác định bằng cách giải phơng trình ma trận đặc trng sau: Trong đó: rrr r dN cos2 = là chỉ số pha của lớp màng mỏng thứ r N r là chiết suất tơng đơng của lớp màng thứ r. N r đợc biểu diễn dới dạng số phức: N r =n r +j.k r với n r -chiết suất, k r -hệ số hấp thụ của màng d r chiều dày của lớp màng thứ r ( ) = + = 1 1 1 cossin /sincos n n r rrr rrr i i C B ( 1.1 ) 4 là bớc sóng ánh sáng r = N r cos r đối với sóng TE, r = N r /cos r đối với sóng TM n+1 là chiết suất tơng đơng của đế Giải phơng trình (1.1), ta xác định đợc ma trận tích C B đợc gọi là ma trận đặc trng của hệ màng n lớp. Chiết suất tơng đơng Y của hệ màng đợc xác định bằng: Y=C/B. Với giá trị Y ta xác định đợc hệ số truyền qua, hệ số phản xạ của hệ màng. Biên độ phản xạ của hệ màng xác định bằng biểu thức (1.2) với 0 là chiết suất tơng đơng của môi trờng tới. Hệ số phản xạ R của hệ màng xácđịnh bằng biểu thức (1.3). Biểu thức (1.1) và (1.3) cho thấy cặp giá trị (N r , d r ) của các lớp màng trong hệ màng mỏng quyết định hoàn toàn giá trị hệ số phản xạ/truyền qua của toàn hệ màng mỏng, tức là chất lợng của hệ màng. Để chế tạo hệ màng mỏng nhiều lớp có chất lợng cao, cần phải đảm bảo cặp giá trị (N r , d r ) của từng lớp màng trong hệ màng có giá trị chính xác và ổn định. 1.2. Vi cấu trúc của màng mỏng và ảnh hởng của nó đến chiết suất Các nghiên cứu bằng kính hiển vi điện tử cho thấy vật liệu màng mỏng quang học có dạng cấu trúc cột với các khe hở xen kẽ ở giữa khi đợc chế tạo bằng phơng pháp bay hơi nhiệt thông thờng. Hơi ẩm của khí quyển hấp thụ vào các khe hở này sẽ làm thay đổi chiết suất tổng thể của màng mỏng. Chiều dày quang học của màng mỏng, là tích số giữa chiều dày vật lí và chiết suất, do vậy bị biến đổi theo (1.2) Y Y r + = 0 0 + + = Y Y Y Y R 0 0 0 0 (1.3) 5 điều kiện môi trờng. Thông số mật độ xếp chặt đợc sử dụng để đánh giá khía cạnh này của màng mỏng. Mật độ xếp chặt p đợc định nghĩa bằng biểu thức (1.4): ảnh hởng của vi cấu trúc cột tới chiết suất của màng mỏng đợc biểu diễn bằng biểu thức Kinosita-Nishibori (1.5) trong đó: p là mật độ xếp chặt của màng mỏng n f là chiết suất tổng cộng của màng mỏng n v là chiết suất của phần rỗng bao quanh cột n s là chiết suất của phần vật liệu rắn của màng mỏng Một đặc điểm rất quan trọng của vi cấu trúc màng mỏng là trạng thái tinh thể của nó. Nhiều vật liệu màng mỏng quang học không chỉ ngng kết dới dạng vô định hình mà còn dới dạng tinh thể với nhiều dạng pha khác nhau. Các pha này có chiết suất khác nhau, vì vậy chiết suất của màng mỏng có thể biến đổi khá lớn tuỳ thuộc vào vi cấu trúc tinh thể cụ thể. Ví dụ, màng mỏng TiO 2 có chiết suất có thể biến đổi trong khoảng từ 2,1ữ2,6 tuỳ thuộc vào vi cấu trúc tinh thể là vô định hình, anatase, hay rutil. 1.3. ảnh hởng của điều kiện lắng đọng màng mỏng đến vi cấu trúc Điều kiện chủ yếu ảnh hởng đến mật độ xếp chặt của màng mỏng bao gồm: nhiệt độ đế, áp suất khí trong quá trình lắng đọng Theo mô hình Movchan-Demchishin, trong quá trình lắng đọng màng mỏng bằng phơng pháp bay hơi nhiệt, thông số có tính quyết định là tỉ số giữa nhiệt độ đế T và nhiệt độ nóng chảy T m của vật liệu rỗng) khoangrắn mỏng(phần màngcủa tích thể Tổng mỏng màngcủa rắn phầncủa tích Thể + =p (1.4) ( ) s pn v np f n + = 1 (1.5) 6 tạo màng. Mô hình đề xuất: cấu trúc của màng mỏng chia ra làm 3 vùng: Vùng I (ứng với T/T m <0.25-0.3) gồm các cột dạng búp măng có chóp nhọn với các khe hở xen kẽ; VùngII (ứng với 0.25- 0.3<T/T m <0.45) gồm các hạt dạng cột có bề mặt mịn hơn; Vùng III (ứng với T/T m >0.45) tạo thành từ các hạt tinh thể đẳng hớng dạng đa giác. Mô hình Thornton bổ sung thêm một thông số là áp suất khí đối với quá trình lắng đọng màng bằng phơng pháp phún xạ. 1.4. Phơng pháp chế tạo màng mỏng quang học 1.4.1. Phơng pháp bay hơi nhiệt trong chân không Quá trình bay hơi thực hiện trong buồng chân không với áp suất khí khoảng 10 -5 đến 10 -6 Torr. Vật liệu tạo màng đợc nung nóng (bằng dẫn nhiệt, bằng bức xạ nhiệt hoặc bằng bắn chùm tia điện tử năng lợng cao) tới nhiệt độ hoá hơi. Hơi vật liệu bay lên sẽ lắng đọng trên bề mặt của linh kiện quang đặt trong buồng chân không. 1.4.2. Phơng pháp phún xạ (Sputtering) Bề mặt vật liệu tạo màng (đợc gọi là bia) đợc bắn phá bằng các ion khí trơ (argon, neon, ) hoặc các ion và nguyên tử khác. Sự va chạm giữa các ion với bề mặt bia làm bật (phún xạ) nguyên tử vật liệu ra khỏi bề mặt, tạo thành chùm hơi vật liệu lắng đọng trên bề mặt chi tiết quang. Phơng pháp phún xạ có các cấu hình cụ thể sau: Phún xạ điện áp một chiều DC kiểu diode; Phún xạ cao tần (RF); Phún xạ Magnetron; Phún xạ chùm ion (IBS). 1.4.3. Lựa chọn phơng pháp chế tạo màng mỏng Phơng pháp chế tạo màng mỏng đợc lựa chọn căn cứ vào: Khả năng nâng cao chiết suất của màng mỏng; Tốc độ lắng đọng màng; Vật liệu tạo màng; Khả năng hạn chế sự tăng nhiệt độ đế. Phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion (IAD) là giải pháp công nghệ đợc luận án này chọn nhờ phát huy u điểm của cả hai 7 nhóm phơng pháp bay hơi nhiệt và phún xạ. Các u điểm của phơng pháp IAD là: Có thể nhanh chóng cải tạo thiết bị bay hơi nhiệt thành thiết bị công nghệ IAD với việc tích hợp một nguồn ion thích hợp vào trong buồng chân không. Cho phép chế tạo màng mỏng quang học có chiết suất tơng đơng nhóm phơng pháp phún xạ. Tốc độ lắng đọng màng tơng đơng với phơng pháp bay hơi nhiệt. Hiệu quả sử dụng vật liệu tơng đơng phơng pháp bay hơi nhiệt. Có thể chế tạo màng mỏng có chất lợng quang học cao trên đế không gia nhiệt. 1.5. Phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion (IAD) 1.5.1. Cơ sở của phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion Phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion (IAD- Ion Assisted Deposition) là phơng pháp lắng đọng màng thực hiện trong chân không kết hợp đồng thời với bắn phá màng mỏng bằng các ion khí phát ra từ nguồn ion. Phơng pháp IAD dựa trên cơ sở của quá trình làm biến đổi cấu trúc màng mỏng bằng bắn phá ion. Khi ion với năng lợng vài trăm eV bắn vào bề mặt của màng tơng đối xốp, nó có thể xuyên sâu vào vật liệu tới chiều sâu khoảng vài lớp nguyên tử. Va chạm trên đờng di chuyển của ion có thể tạo ra các phonon, tạo các chỗ khuyết trong màng, làm phún xạ các nguyên tử hay kích thích các điện tử. Các ion có thể bị bật ngợc trở lại hay kết hợp vào màng, trong khi đó các nguyên tử bị bắn trúng có thể bật ra khỏi màng mỏng (bị phún xạ) hay bị đẩy sâu hơn vào trong lớp màng, tại đó chúng bị nằm kẹt lại tại các khoảng rỗng. Các chỗ khuyết gần bề mặt 8 màng mỏng, hình thành do sự bắn phá bởi ion, sẽ đợc điền đầy một phần bởi các nguyên tử mới lắng đọng từ pha hơi. Nếu số lợng ion bắn phá đủ lớn so với số nguyên tử lắng đọng thì cơ chế này sẽ khiến các nguyên tử vật liệu đợc xếp lèn chặt tới mức cấu trúc cột rỗng không thể phát triển đợc nữa. Hiệu quả của phơng pháp IAD đối với việc tăng cờng mật độ xếp chặt của màng mỏng phụ thuộc vào 2 yếu tố: Tỉ số giữa số ion bắn phá/số nguyên tử lắng đọng Năng lợng của ion bắn phá 1.5.2. Thiết bị chế tạo màng mỏng bằng phơng pháp IAD Trong buồng chân không với áp suất khí khoảng 10 -4 -10 -5 Torr, vật liệu tạo màng đợc bay hơi từ nguồn bốc hơi nhiệt điện trở hoặc nguồn bốc hơi chùm tia điện tử. Màng mỏng sẽ đợc lắng đọng lên đế bố trí ở phía trên của buồng chân không. Một nguồn phát ion bố trí phía dới sẽ hớng chùm ion bắn phá vào đế đồng thời với quá Hình 1. 9 . Sơ đồ nguyên lí thiết bị tạo màng bằng phơng pháp IAD. 9 trình hình thành màng mỏng trên đó. Nguồn phát ion hoạt động nhờ điện năng từ nguồn cấp điện ở bên ngoài. Khí cấp cho đầu ion có thể là khí trơ nh Argon, Neon hay khí phản ứng nh oxy, nitơ. Lợng khí cấp cho nguồn phát ion đợc điều chỉnh bằng thiết bị điều khiển lu lợng khí đặt ở bên ngoài. Chiều dày màng mỏng đợc đo bằng cảm biến (đầuđo) ở gần vị trí đặt đế. Nguồn ion dùng cho quá trình IAD cần đáp ứng các yêu cầu sau: Không gây bẩn tới chi tiết quang. Cho dòng ion lớn với năng lợng ion thấp. Cho phân bố mật độ dòng ion bắn phá đồng đều trên một diện tích lớn. Có thể hoạt động trong thời gian dài với khí argon, oxy, nitơ. 1.5.3. Nguồn ion chùm tia rộng kiểu Kaufman Nguồn ion Kaufman đợc sử dụng đầu tiên trong nghiên cứu công nghệ IAD. Tuy nhiên hiện nay ít đợc sử dụng do nhợc điểm: góc mở chùm tia nhỏ, lới gia tốc và lới chắn bị mòn nhanh gây tốn kém trong vận hành. 1.5.4. Nguồn ion hiệu ứng Hall Là loại nguồn ion đợc sử dụng phổ biến nhất trong công nghệ IAD nhờ các u điểm: Góc mở rộng; Không sử dụng lới gia tốc nên chi phí cho vận hành thấp; cho chùm ion có năng lợng thấp và mật độ dòng ion lớn; Có thể hoạt động trong thời gian dài với các loại khí tích cực nh oxy, nitơ và khí trơ. Các thơng hiệu nổi tiếng với nguồn ion loại này là CC-105 của công ty Denton Vacuum Inc, và Mark II của công ty CVC Corp. 10 Chơng 2. Xây dựng thiết bị nghiên cứu phơng pháp IAD 2.1. Thiết bị IAD thử nghiệm. Thiết bị thử nghiệm gồm các khối nh trên hình 1.9. Việc lựa chọn các khối căn cứ vào phân tích thông số kĩ thuật và tính toán sự tơng tác giữa các thành phần. Các yêu cầu đợc tóm tắt nh sau: Hệ thống chân không phải đảm bảo: áp suất tối thiểu 5.10 -5 Torr; Có tốc độ bơm chân không phù hợp với lu lợng khí cần thiết cấp cho nguồn ion; Kích thớc buồng chân không phù hợp với công suất nguồn ion để đảm bảo mật độ dòng ion cần thiết trên mặt phẳng đế. Sử dụng nguồn bốc hơi chùm tia điện tử để có thể bay hơi các loại vật liệu khó nóng chảy với tốc độ bay hơi ổn định. Thiết bị đo chiều dày màng mỏng kiểu thạch anh dao động cho phép đo chiều dày màng mỏng chính xác 1nm và khống chế ổn định tốc độ lắng đọng màng tới 0.1A 0 /giây. Thiết bị điều khiển lu lợng khí cần phải điều khiển lợng khí cấp cho nguồn ion với độ chính xác tới 0,5 sccm(xăng ti mét khối khí tại điều kiện tiêu chuẩn trong một phút). Nguồn ion sử dụng loại hiệu ứng Hall (mục 1.5.4) Các thiết bị đ đợc lựa chọn để xây dựng hệ IAD thử nghiệm bao gồm: Thiết bị chân không B55 và Nguồn bốc hơi chùm tia điện tử ESV6 của VTD Đức; Nguồn ion CC-105 của Denton Vacuum Inc,. Mỹ; Thiết bị đo chiều dày màng mỏng XTC/2 của INFICON,. Inc Mỹ; Thiết bị điều khiển lu lợng khí FC-7700CD của Advanced Energy Inc, Mỹ. [...]... nghiệm nâng cao độ chính xác chiều d y m ng mỏng SiO2 nhờ phơng pháp bay hơi vật liệu Silic trong quá trình IAD Kết quả bớc đầu cho thấy: Silic có thể đợc bay hơi bằng nguồn bốc hơi chùm tia điện tử, luồng hơi vật liệu bay lên có phân bố không gian khá ổn định 22 Với sự hỗ trợ của chùm ion v đế đợc gia nhiệt 3000C, đ nhận đợc m ng mỏng SiO2 có tính chất quang học lặp lại Cần phải nghiên cứu tối... phổ theo nhiệt độ của hai m ng mỏng có chiết suất cực đại n y l xấp xỉ 1-2nm Đ nghiên cứu chế tạo m ng mỏng SiO2 từ vật liệu Si bằng phơng pháp bốc hơi có trợ giúp của ion oxy nhằm nâng cao độ chính xác chiều d y m ng M ng mỏng SiO2 nhận đợc bằng phơng pháp IAD trên đế thuỷ tinh gia nhiệt ở 3000C có chiều d y v chiết suất ổn định lặp lại với độ chính xác cao Đ sử dụng vật liệu m ng mỏng TiO2 v SiO2... phổ đo sau khi gia nhiệt 1500C, độ dịch phổ l 2nm Chơng 3 Nghiên cứu nâng cao chất lợng m ng mỏng TiO2 v SiO2 bằng phơng pháp IAD 3.1 M ng mỏng quang học TiO2 v SiO2 Theo Lí thuyết thiết kế m ng mỏng quang học, với một cặp hai vật liệu có chiết suất cao v chiết suất thấp ta có thể thiết kế chế tạo hầu hết các hệ m ng mỏng với đặc trng phổ quang học mong muốn 17 Trong vùng phổ ánh sáng nhìn thấy tới... u hoá nhằm nâng cao hơn nữa chiết suất của m ng mỏng Chơng 4 Một số kết quả ứng dụng phơng pháp IAD 4.1 Nghiên cứu nâng cao độ bền gơng nhôm phản xạ mặt trớc Để nâng cao độ bền của gơng nhôm, bề mặt phản xạ của gơng đợc phủ lớp m ng bảo vệ SiO2 (d y 172nm) chế tạo bằng phơng pháp IAD v phơng pháp bay hơi nhiệt thông thờng Các phép thử độ bền cho thấy m ng SiO2 chế tạo bằng phơng pháp IAD có độ bền vợt... n y, chiết suất đợc chọn l m chỉ tiêu chất lợng để nghiên cứu nâng cao chất lợng m ng mỏng TiO2 v SiO2 Chiết suất của m ng mỏng có thể xác định chính xác, v thuận tiện bằng phơng pháp xử lí kết quả đo phổ truyền qua của m ng mỏng nhờ phần mềm Spektrum Bảng 3.5 liệt kê giá trị các thông số của m ng mỏng TiO2 v SiO2 lắng đọng bằng phơng pháp IAD v phơng pháp bay hơi nhiệt trong chân không với các nhiệt... tính chất vật lí của m ng mỏng TiO2 Đ khảo sát một số tính chất vật lí ( mật độ khối lợng, độ nhám bề mặt, th nh phần pha) của m ng mỏng TiO2 chế tạo bằng phơng pháp IAD Kết quả nhận đợc phù hợp với số liệu công bố trên các ấn phẩm quốc tế Với các mẫu m ng TiO2 có chiết suất cao 2.58, vi cấu trúc có pha tinh thể rutil l m tăng độ nhám bề mặt của m ng 3.5 Nghiên cứu nâng cao độ chính xác chế tạo m ng mỏng. .. Pham Hong Tuan, Dang Xuan Cu, Ion Assisted Deposition of SiO2 film from Silicon International Symposium on Optical System Design 2005, Jena-Germany, 12-16/9/2005, Proceedings SPIE vol 5963-67 Phạm Hồng Tuấn, Trần Định Tờng, Nghiên cứu chuyển đổi m ng SiO th nh m ng SiO2 bằng phơng pháp bốc hơi có trợ giúp của chùm ion, Kỉ yếu Hội nghị khoa học lần thứ 20, Phân ban cơ khí, Đại học Bách khoa H nội, 10/2006... mòn bằng dung dịch NaOH 0,2M tăng lên nhiều lần; Độ bền chịu m i mòn trong phép thử phun cát tốt hơn nhiều so với gơng phủ bảo vệ bằng bay hơi nhiệt 4.2 Nghiên cứu chế tạo kính lọc đơn sắc có độ ổn định phổ cao Kính lọc đơn sắc kiểu Fabry-Perrot 15 lớp m ng đợc chế tạo từ cặp vật liệu TiO2/SiO2 bằng phơng pháp IAD v phơng pháp bay hơi nhiệt Với các thông số công nghệ IAD đ tối u, chất lợng quang học của. .. ng mỏng Đánh giá lợng nớc hấp thụ trong m ng mỏng l phép đo quan trọng để nghiên cứu tối u thông số quá trình IAD chế tạo các m ng mỏng Hình 2.16 Sơ đồ nguyên lí thiết bị đo độ ổn định phổ theo nhiệt độ của m ng mỏng Có 3 phơng pháp đánh giá: Phơng pháp quang phổ; Phơng pháp phổ hấp thụ hồng ngoại; Phơng pháp đo độ ổn định phổ theo nhiệt độ Trong Luận án n y phơng pháp đo độ ổn định phổ truyền qua của. .. để chế tạo 2 hệ m ng mỏng quang học chất lợng cao: kính lọc đơn sắc, gơng Al phản xạ mặt trớc Chất lợng quang học của kính lọc đơn sắc đợc khẳng định qua: sai lệch rất nhỏ (2nm) so với thiết kế của phổ truyền qua; độ dịch phổ rất nhỏ ( . Có thể chế tạo màng mỏng có chất lợng quang học cao trên đế không gia nhiệt. 1.5. Phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion (IAD) 1.5.1. Cơ sở của phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm. Chất lợng màng mỏng quang học và phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion. Chơng 2. Xây dựng thiết bị nghiên cứu phơng pháp IAD. Chơng 3. Nghiên cứu chế tạo màng mỏng TiO 2 và SiO 2 bằng. học. Tài liệu tham khảo. B. Nội dung luận án Chơng 1. Chất lợng màng mỏng quang học và phơng pháp bay hơi có trợ giúp của chùm ion 1.1. ảnh hởng của chiết suất tới chất lợng màng mỏng