BÁO CÁO THIẾT BỊ PHUN PHỦ BỐC BAY HÓA HỌC (CVD) Mục lục CÔNG NGHỆ PHUN PHỦ VÀ TỔNG QUAN VỀ VCD 2 PHẦN I. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MÁY 3 1. Các quá trình trong phương pháp CVD 4 1.1. Vận chuyển các precursor vào buồng phản ứng 4 1.2. Các phản ứng pha khí 6 1.3. Khuếch tán và kết hợp để tạo màng trên đế 6 1.4. Giải hấp các sản phẩm phụ và vận chuyển ra khỏi buồng 7 2. Phận loại phương pháp CVD 8 2.1. CVD gồm nhiều phương pháp như: 8 2.2. Các hiện tượng truyền 10 3. Phản ứng hóa học 15 3.1. Nhiệt hóa học 15 3.2. Động hóa học 15 3.3. Các phản ứng trong CVD 15 3.4. Chất gốc- precursor 17 4. Cơ chế hình thành lớp phun 17 PHẦN II. KẾT CẤU MÁY 20 1. Xây dựng hệ nhiệt CVD 20 1.1. Hệ tạo chân không cao : 20 1.2. Bơm sơ cấp(bơm stato lá gạt) 21 1.3. Bơm khuếch tán 22 1.4. Hệ chân không duy trì áp suất làm việc 23 1.5. Bơm sơ cấp(bơm roto lá gạt) 23 1.6. Bơm roots 24 1.7. Bộ đo chân không 25 1.8. Hệ tạo nhiệt 26 1.9. Buồng làm việc 30 1.10. Hệ vi chỉnh khí 31 1.11. Prolfile nhiệt độ của buồng làm việc 35 PHẦN III. PHẠM VI ỨNG DỤNG 37 PHẦN IV. ƯU NHƯỢC ĐIỂM VÀ KẾT LUẬN 44 1. Ưu điểm : 44 2. Nhược điểm : 46 - 1 - CÔNG NGHỆ PHUN PHỦ VÀ TỔNG QUAN VỀ VCD Năng lượng là một biểu thị của nhiệt và ma sát sinh ra trong quá trình cắt gọt kim loại. Dưới tác dụng của nhiệt và ma sát làm cho điều kiện làm việc của dao vô cùng khắc nghiệt, kết quả là lực tải và nhiệt độ trên bề mặt của dao cao . Nhiệt này là do sự trượt của phôi ở tốc độ cao trên mặt trước của dao, tạo áp lực cao và ma sát lớn lên lưỡi cắt. Các lực cắt có xu hướng dao động, chúng phụ thuộc vào sự hiện diện của các phần tử cứng trong cấu trúc vi mô của vật liệu, hoặc khi thực hiện quá trình cắt gián đoạn. Vì thế, yêu cầu dao cắt phải có độ bền ở nhiệt độ cao, độ dai cao, tính chống mòn cao và độ cứng cao. Suốt nửa thế kỷ qua, sự phát triển và nghiên cứu trên diện rộng đã được thực hiện với mục đích là cung cấp sự cải tiến liên tục về khả năng của dao cắt . Nhân tố then chốt trong tốc độ mòn của hầu như tất cả các vật liệu làm dao là nhiệt độ đạt được trong suốt quá trình gia công . Thật không may là khó có thể thiết lập các giá trị của các tham số cần thiết cho các tính toán như thế, tuy nhiên các phép đo lường thực nghiệm đã cung cấp nền tảng cho các tính toán theo kinh nghiệm. Thông thường người ta cho rằng tất cả năng lượng sinh ra khi cắt được chuyển thành nhiệt và 80% lượng nhiệt này được phoi mang đi (điều này sẽ thay đổi và phụ thuộc vào một số nhân tố đặc biệt là tốc độ cắt) . 20% lượng nhiệt còn lại truyền vào dao cắt . Ngay cả khi cắt thép ít các bon, nhiệt độ trên dao có thể vượt quá 5500C, đây là nhiệt độ lớn nhất mà thép gió (HSS) có thể chịu được mà độ cứng của chúng suy giảm không đáng kể . Cắt thép cứng với dao làm bằng Nitrit Boron lập phương (CBN) sẽ làm cho nhiệt độ của dao và phoi vượt quá 10000 C . Các loại hợp kim mới và các vật liệu kĩ thuật đã và đang phát triển mạnh không ngừng từ thập niên 1960.các vật liệu này có cường độ và độ bền cao nhưng nói chung làm mài mòn và phản ứng hóa học đối với vật liệu dao .Rất khó để gia công các vật liệu này có hiệu quả và cần phải cải thiện nhiều hơn đặc tính trong gia công các vật liệu cơ khí thông thường .Do vậy, đã dẫn đến sự phát triển loại dao cụ được phủ . Do các đặc tính độc nhất của chúng như có tính ma sát thấp hơn, tính chống mài mòn và chống nứt cao hơn, dao phủ được sử dụng để gia công ở tốc độ cắt cao, giảm thời gian gia công và giảm chi phí sản xuất. Dao được phủ có tuổi thọ cao hơn gấp 10 lần so với dao không được phủ Bản chất quá trình là tạo ra một luồng kim loại (kể cả hợp kim) nóng chảy nhờ các nguồn nhiệt khác nhau, dưới áp suất khi phun có sự va đập vào lớp kim loại nền, do ảnh hưởng của các biến đổi lý hoá tương tác, mà hình thành nên lớp phủ bám chắc vào lớp nền Phương pháp CVD là một phương pháp được biết đến về tính lâu đời và hiệu quả của nó trong chế tạo các vật liệu có độ tinh khiết và hiệu suất cao. Ngoài ra phương pháp CVD còn được sử dụng trong nghiên cứu và chế tạo các vật liệu oxide cấu trúc nano. Đã có nhiều nghiên cứu và ứng dụng các cấu trúc nano của các vật liệu oxide được tạo bằng phương pháp CVD [3-5]. CVD là tên viết tắt tiếng anh của từ “ Chemical V apor Deposition tức phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học. Đây là phương pháp linh hoạt được sử dụng để chế tạo các vật liệu rắn có độ tinh khiết và hiệu suất cao. CVD có thể chế tạo hầu hết các kim loại. Một số phi kim quan trọng như Carbon, Silicon… cũng như một số lượng lớn các tạp chất Carbide, Nitride, Oxide…., và nhiều loại vật liệu khác. CVD là quá trình tổng hợp vật liệu rắn bằng cách cho các chất hóa học ban đầu - 2 - (presusor) ở pha hơi phản ứng với nhau và lắng đọng trên một đế được nâng nhiệt. Precusor có thể bao gồm một hay nhiều các chất vô cơ, kim loại-hữu cơ… và được vận chuyển pha hơi đến buồng phản ứng , nơi tại đó sẽ diễn ra các phản ứng hóa học để tạo thành màng bật vật liệu rắn lắng đọng trên đế. Chính các phản ứng hóa học xảy ra trong phương pháp CVD này là đặc điểm để phân biệt CVD với các phương pháp PVD tức lắng đọng hơi vật lý như phún xạ ,bốc bay… Ứng dụng CVD vào công nghiệp đã đạt được nhiều thành công trong thời gian gần đây, đặc biệt là ngành công nghiệp mạ và công nghiệp bán dẫn. Ngành công nghiệp bán dẫn được xem là ngành ứng dụng của phương pháp CVD nhiều nhất khi chiếm 3/4 sản phẩm tạo bởi phương pháp CVD. PHẦN I. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MÁY - 3 - Kiểm tra thông số vật liêu, vật liệu nén, vật liệu phun phủ, vật liệu phu trợ Chuẩn bị bề mặt Chuẩn bị vật liệu phun Gia công nhiệt hoặc nhiệt hóa Gia công nhiệt hoặc nhiệt hóa Gia công cơ khí Kiểm tra chất lượng lớp phun phủ và sản phẩm 1. Các quá trình trong phương pháp CVD Sự hình thành vật liệu của phương pháp CVD bao gồm các quá trình vận chuyển , phản ứng và lắng đọng của các chất gốc lên đế nền. Các quá trình trên chịu ảnh hưởng lớn của các yếu tố như nhiệt độ, tốc độ khí tải , thiết kế buồng …Do đó kiểm soát được các yếu tố ảnh hưởng đến mỗi quá trình là ta có thể kiểm soát được cấu trúc , tính chất cũng như hình thái của vật liệu tạo thành. 1.1. Vận chuyển các precursor vào buồng phản ứng Mục đích của quá trịnh vận chuyển là nhằm cung cấp một cách lien tục và đồng nhất lượng Precursor (chất gốc) đưa vào để lắng đọng trên đế. Độ tinh khiết của cấu trúc tạo thành có thêt được gia tăng trong phản ứng ở pha khí nhưng đồng thời có thể bị suy giảm do các khí tạp và quá trình tạo mầm. Các phản ứng ở pha khí không mong muốn có thể được giảm thiểu bằng cách sử dụng các hệ thống chân không cao làm giảm khả năng va chạm của các phẩn tử khí trước khi chúng được lắng đọng trên bề mặt. Sự vận chuyển các precursor ở pha khí phụ thuộc vào dạng và thiết kế của buồng phản ứng. Dòng khí vận chuyển trong buồng bao gồm dong chảy do sự phun khí vào buồng và dòng chảy khuếch tán do sự chênh lệch nồng độ của vật liệu lên đế nền. Dòng chảy của khí (dòng đối lưu) không thể vận chuyển khí xuống đế nền mà dòng khuếch tán mới chính là dòng gây ra hiện tượng lắng đọng trong VCD. Trong đa số trường hợp , sự dịch chuyển của các khối khí là dòng chảy lớp(laminar flow). Khi đó vận tốc của dòng khí biến thiên từ zero tại thành buồng đến vận tốc lớn nhất Tại tâm buồng. Đây chính là lớp biên của dòng khí , lớp biên này bắt đầu hình thành ở một đầu buồng như hình . khí phản ứng di chuyển bên trong lớp biên sẽ khuếch tán qua nó để lắng đọng lên đế. Ngoài lớp biên vận tốc trong lòng buồng còn hình thành lớp biên nồng độ. Lớp biên vận tốc sinh ra do độ nhớt của dòng khí và ma sát giữa dòng khí với thành buồng Như hình vẽ. Trong khi đó lớp biên nồng độ sinh ra do sự hấp dẫn phụ chất phản ứng vào đế gây ra gradient nồng độ . lớp biên độ có dạng tương tự như lớp biên vận tốc. Để miêu tả những điểm tại đó khối khí có cùng vận tốc , nhiệt độ hay nồng độ Phản ứng đã sử dụng các profile vận tốc , profile nhiệt độ hay nồng độ khi phản ứng. - 4 - Hình 1.1.2 là sơ đồ điển hình của các profile nhiệt độ. Lớp biên nhiệt độ cũng tương tự như lớp biên vận tốc. Khí trong dòng sẽ được nâng nhiệt một cách nhanh chóng khi tiếp xúc với thành buồng tạo nên một gradient nhiệt giữa thành buồng với tâm buồng. Nhiệt độ trung bình cũng tăng theo chiều dịch chuyển của dòng khí. Khi dòng khí chảy trong buồng, sự lắng đọng , phản ứng và tạo thành các sản phẩm phụ diễn ra sẽ khiến cho luồng khí có sự thay đổi về nồng độ. Sơ đồvề các profile nồng độ và lớp biên được miêu tả như trên hình 1.1.3 Hình 1.1.3. Sự thay đổi lớp biên độ nồng độ và nồng độ của khí phản ứng trong buồng. Lớp biên của ba đại lượng vận tốc , nhiệt độ và nồng độ trùng nhau trong đa số các trường hợp. Tuy nhiên có một số trường hợp các phản ứng diễn ra với tốc độ chậm trong buồng. Khi đó ở giai đoạn đầu lớp biên vận tốc và nhiệt độ đã phát triển đầy đủ trong khi các lớp biên nồng độ chưa hoàn thành bởi phản ứng lắng động diễn ra ở phía đầu cuối của buồng Càng vào sâu trong buồng, lớp biên càng dày và gradient nồng độ càng nhỏ Khiến cho độ dày màng tạo thành sẽ không đồng đều. Do vậy đế nền được đặt nghiêng, song song với bề mặt lớp biên sẽ giúp quá trình lắng đọng diễn ra một cách đồng đều hơn. - 5 - Việc hiểu rõ và xác định chính xác profile và lớp biên của các yếu tố trong buồng phản ứng đóng vai trò quan trọng trong thiết kế hệ cũng như sắp xếp đế nền nhằm đạt được điều kiện lắng đọng tối ưu cho quá trình tạo vật liệu 1.2. Các phản ứng pha khí Tùy thuộc vào các precursor khác nhau mà trong buồng xảy ra các phản ứng hóa học khác nhau. Các precursor có thể chia ra làm bốn nhóm chính: Halide(hợp chất với các nguyên tố hydrogen Cl, F, Br như SiCl4, WF6,…) Carbonyl(hợp chất với nhóm CO như V(CO6), Co2(CO)8, Pt(CO)C12…) Hydride(hợp chất với H như AsH3, SiH4, PH3, B2H6…) Metallorganic(các hợp chất kim loại –hữu cơ như Ga(CH3)3, Zn(C2H5)2, …) Các yêu cầu về đặc tính cần của precursor bao gồm: ổn định ở nhiệt độ phòng dễ bay hơi ở nhiệt độ thấp, có thể điều chế với độ tinh khiết cao và có thể phản ứng hoàn toàn trong vùng phản ứng mà không xảy ra phản ứng phụ. Các phản ứng trong phương pháp CVD có thể xảy ra trong pha khí hoặc trên bề mặt đế hay cả hai. Những phản ứng này bao gồm phản ứng nhiệt phân, thủy phân, phản ứng khử, oxi hóa …có thể được kích thích bằng nhiều cách . Sự phân loại các phương pháp CVD có thể dựa trên cách kích thích để cho phản ứng xảy ra như : Nhiệt CVD (kích thích bằng nhiệt diễn ra ở nhiệt độ cao>900) PE-CVD (kích thích bằng plasma diễn ra ở nhiệt độ thấp hơn (300 ) PA-CVD(kích thích bằng photon, thường sử dụng ánh sang có bước sóng ngắn để kích thích trực tiếp chất phản ứng hoặc gián tiếp thông qua môi trường.) 1.3. Khuếch tán và kết hợp để tạo màng trên đế Sau khi phản ứng xảy ra , các phần tử vật liệu sẽ được hấp thụ trên bề mặt đế. Một khi hấp thụ trên bề mặt đế, các phần tử vật liệu sẽ được khuếch tán đến vùng phát triển. Độ linh động và khả năng khuếch tán trên bề mặt đế các phần tử precursor phụ thuộcvào các tính chất như cấu trúc , nhiệt độ của đế. Sự phát triển của vật liệu trên bề mặt đế có thể được dự đoán thông qua tương tác tự nhiên giữa và đế, nhiệt động lực học của sự hấp thụ và động năng của quá trình phát triển tinh thể. Ba cơ chế hình thành vật liệu chính trong phương pháp CVD ( hình 1.1.4)là cơ chế Franck-Van dẻ Merwe hình thành lớp, cơ chế Stranski-Krastanov hình thành đảo(island0và cơ chế Volmer-Weber kết hợp của cả 2 cơ chế trên. - 6 - Hình 1.1.4: Các cơ chế hình thành vật liệu trong phương pháp CVD (a) Cơ chế Stranski-Krastanov (b) Cơ chế Volmer-Weber (c) Cơ chế Franck-Van der Merwe 1.4. Giải hấp các sản phẩm phụ và vận chuyển ra khỏi buồng. Trong bước cuối cùng của phương pháp CVD các sản phẩm phụ được giải hấp ra khỏi đế và vận chuyển ra khỏi buồng phản ứng. Các sản phẩm phụ hình thành trên bề mặt đế phụ thuộc vào tương tác giữa chúng với đế. Trong khi đó , khả năng loại bỏ các sản phẩm này phụ thuộc vào áp suất, sự có mặt của khí tải và thiết kế của hệ. Hình 1.1.5: Sơ đồ các quá trình tạo vật liệu trên đế của phương pháp CVD - 7 - 2. Phận loại phương pháp CVD 2.1. CVD gồm nhiều phương pháp như: Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition(APCVD) Low Pressure Chemical Vapour Deposition(LPCVD) Metal-Organic Chemical Vapour Deposition(MOCVD) Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition(PACVD) Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition(PECVD) Laser Chemical Vapour Deposition(LCVD) Photochemical Vapour Deposition(PCVD) Chemical Vapour Infiltration(CVI) Chemical Beam Epitaxy(CBE) Qúa trình được bắt đầu khi khí có mang vật chất được đưa vào buồng phản ứng. Do sự khác nhau về vận tốc của dòng khí, cộng với sự hấp thụ của bề mặt đã gây nên sự khác nhau về nồng độ vật chất, thông thường ở giữa dòng khí có cường độ cao nhất và giảm dần hai biên. Chính có sự chênh lệch nồng độ này đã tạo nên một dòng khuếch tán vật chất xuống đế nền. Vật chất tiếp xúc với đế, đồng thời được cung cấp thêm năng lượng nhiệt từ đế nên hình thành nên màng mỏng, quá trình này cứ tiếp tục và màng được hình thành. Dòng khí vào luôn được đưa ra ngoài qua van xả, khí này cũng mang theo những vật chất chưa được tham gia phản ứng ra bên ngoài. Các loại khí này đôi khi nguy hiểm cho môi trường nên luôn được xử lý trước khi đưa ra bên ngoài. - 8 - - 9 - 2.2. Các hiện tượng truyền 2.2.1. Dòng chảy Hình vẽ bên là hình ảnh của dòng nước chảy qua một khúc cua, từ hình vẽ ta thấy rằng vận tốc nước chảy ở mỗi vị trí khác nhau là khác nhau và có hiện tượng chảy thành từng lớp, điều này là do ở các lớp biên có sự ma sát mạnh với thành nên vận tốc dòng nước giảm. Từ hình vẽ ta cũng thấy rằng dòng đối lưu không thể đưa vật chất xuống đế nền, mà sự lắng đọng hình thành màng phải cần đến dòng khuếch tán do sự chênh lệch nồng độ của các lớp trong lòng đối lưu. 2.2.2. Khuếch tán Do các dòng chảy có vận tốc khác nhau hình thành nên gradient nồng độ trong các dòng chảy đó. Chính vì điều này đã hình thành nên dòng khuếch tán, nó có vai trò quan trọng đưa vật chất từ lỏng chảy đến đế nền để xảy ra phản ứng hình thành màng. Dòng khuếch tán theo các định luật sau Định luật Fick 1: giành cho các quá trình lắng đọng tĩnh Định luật Fick 2: giành cho các quá trình khuếch tán động Trong đó D là hệ số khuếch tán và được tính từ công thức Ta thấy rằng hệ số khuếch tán chịu sự ảnh hưởng mạnh của áp suất khí trong buồng phản ứng. Qúa trình khuếch tán còn liên quan đến một số thông số vô cùng quan trọng là chiều dài khuếch tán, đó là độ dài mà qua đó nồng độ giảm đi e lần và nó được tính theo công thức - 10 - [...]... thành lớp phun có thể mô tả như sau: pha đầu của quá trình phun kim loại đặc trưng bởi sự chảy của đầu dây phun Pha thứ hai là sự tách các hạt kim loại từ đầu dây, tiếp đó là quá trình bay và va đập của các hạt kim loại trên bề mặt được chuwaanrbij và cuối cùng là hình thành lớp phun kim loại bằng mối lien kết của chúng với bề mặt kim loại nền 4.1 Quá trình chảy và sự phân tán kim loại phun Khi phun dây... trạng thái lỏng hay trạng thái đông đặc - Các phần tử phun luôn bị thay đổi tốc độ bay trong trường gia tốc - Các hạt luồn phản ứng với môi trường xung quanh chứa oxy, nitơ, hyđro, hơi nước và các thành phần hóa học khác - Khả năng hòa tan khí phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ và áp lực riêng của nó 4.3 Sự hình thành lớp phun Quá trình tạo thành lớp phun bằng kim loại tương đối phức tạp Trên cơ sơ thực... tại bề mặt đế Sản phẩm phụ sinh ra sau khi phản ứng sau đó sẽ khuếch tán ng ược vào dòng chất lưu, dòng chất lưu đưa khí precursor dư, sản phẩm phụ, khí độc ra khỏi buồng 3 Phản ứng hóa học 3.1 Nhiệt hóa học Trong phần này chúng ta quan tâm đến chiều xảy ra phản ứng về mặt năng lượng và ta chỉ quan tâm đến các trạng thái đầu và cuối của quá trình chứ không xét đến các trạng thái trung gian của nó Xét... điểm va đập lên bề mặt vật phun ở trạng thái lỏng và bị biến dạng rất lớn Để hiểu được sự hình thành lớp phun cần chú ý tới các hiện tượng xẩy ra khi va đập của các phân tử lên bề mặt ( vật liệu nền ), cụ thể là hai vấn đề sau: + Thứ nhất là động năng của các phần tử va đập lên mặt phun gây biến dạng rất nhanh và mạnh Năng lượng này được xác định bằng tốc độ của các phần tử và khối lượng của chúng: Ek=... là 2 lá gạt có nhiệm vụ quét khí Hai lá gạt này có thể trượt vào ra trên thân roto và bám vào sát khoang trong của vỏ bơm bằng loxo Các lá gạt chia khoang bơm ra làm 3 vùng : vùng hút khí, vùng truyền, vùng tỏa khí Khi bơm quay, thể tích sẽ tăng dần bên phần nhận khí và giảm dần bên phần đẩy khí Dầu trong bơm sẽ đẩy vào trong phần nhận khí và bị ép lai để đẩy khí ra ngoài ở phần đẩy khí.Chân không quá... chịu tải và nhiệt cao Dòng sử dụng trong hệ thống có thể đạt đến 20A Với mức dòng 9A và thế 140V thì trong khoảng 1 giờ 30 phút nhiệt độ đạt được tại tâm lò là 900 Nhiệt độ tại lò và nhiệt độ tại nơi đặt mẫu được theo dõi bởi hai bộ phận hiển thị nhiệt độ cho phép theo dõi và điều chỉnh nhiệt độ một cách hợp lí trong quá trình tạo mẫu - 34 - Việc kiểm soát lưu lượng khí vào buồng là vô cùng quan trọng... Khoảng nhiệt độ giữa bay hơi và lắng đọng đủ để lắng đọng màng Độ tinh khiết cao Phân ly sạch mà không có sự hợp nhất của những tạp chất dư Tương thích tốt với co-precusor trong sự phát triển của những vật liệu phức tạp Bền với môi trường xung quanh và không khí ẩm Sản xuất dễ dàng với độ bền cao và giá thành thấp Không nguy hiểm hoặc mức độ nguy hiểm thấp 4 Cơ chế hình thành lớp phun Trên cơ sở phân tích... điện thế cặp nhiệt điện vào khoảng 100Mv Sẽ tương ứng với áp suất 10^-4 torr 1.8 Hệ tạo nhiệt 1.8.1 Bộ phận lò Lò nhiệt là một ống sứ chịu nhiệt có đường kính được nâng nhiệt bằng dây điện trở Constantan có đường kính quấn xung quanh Tiến trình chế tạo lò nung được thực hiện bằng cách quấn dây Constantan một cách đầy đặn quanh thân lò, tiếp theo phủ một lớp hỗn hợp silicat lỏng và xi măng chịu nhiệt... torr 1.10.3 Van tiết lưu Hình II.1.20 Van tiết lưu Van tiết lưu có nhiệm vụ đóng, mở cho phép lưu thông các dòng khí vào buồng làm việc, và giúp điều tiết lưu lượng của dòng khí Van tiết lưu trong hệ nhiệt CVD được xây dựng đóng vai trò quan trọng bởi nó quyết định chiều vào của luồng khí và do đó ảnh hưởng trực tiếp đến quá trình tiến hành tạo vật liệu trong buồng Hình II.1.21 Lad hình ảnh hoàn chỉnh... phun Khi phun dây kim loại bằng hồ quang điện, đầu tiên xảy ra sự tiếp xúc của hai dây kim loại ( điện cực ) Sự đoạn mạch gây tác dụng nung nóng đáng kể kim loại ở vị trí tiếp xúc Kim loại được nung nóng chảy phủ trên mặt điện cực - 17 - giữa kim loại lỏng và môi trường khí xảy ra quá trình khuếch tán và tác dụng hóa lí với nhau như ứng suất bề mặt, nội năng, nhiệt độ và hệ số dẫn nhiệt, khả năng co ngót,