Đang tải... (xem toàn văn)
BỘ CÔNG THƯƠNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN THỰC TẬP TỐT NGHIỆP ĐỀ TÀI Nghiên cứu nguyên lí làm việc của các loại RAM DDR4 của máy tính Giáo viên hướng dẫn Th s Nguyễn Tuấn Tú Sinh viên thực hiện 1 Nguyễn Quang Huy – DHKHMT1 2017600552 2 Nguyễn Đức Huy DHKHMT1 2017600520 Hà Nội, 2021 Mục lục Mục lục hình ảnh minh họa 2 Lời nói đầu 3 Chương 1 Tổng quan về bộ nhớ RAM 4 1 1 Khái niệm cơ bản về RAM 4 1 1 1 Định nghĩa về RAM 4 1 1 2 Lịch sử hình thành và phát triển của.
BỘ CÔNG THƯƠNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI KHOA: CÔNG NGHỆ THÔNG TIN THỰC TẬP TỐT NGHIỆP ĐỀ TÀI: Nghiên cứu nguyên lí làm việc loại RAM DDR4 máy tính Giáo viên hướng dẫn: Sinh viên thực : Th.s.Nguyễn Tuấn Tú Nguyễn Quang Huy – DHKHMT1 - 2017600552 Nguyễn Đức Huy- DHKHMT1 - 2017600520 Hà Nội, 2021 Mục lục Mục lục hình ảnh minh họa Lời nói đầu Giới thiệu đề tài Trong thời đại ngày gần biết đến máy vi tính khơng phải biết cách thức hoạt động cấu tạo bên máy tính nào.Vì chúng em xây dựng đề tài:”Tìm hiểu ngun lí hoạt động RAM DDR4 ” người dùng biết cách thức hoạt động RAM nào,cụ thể RAM DDR4 Mục tiêu -Trong trình thực đề tài chúng em đặt mục tiêu chính: +Có kiến thức RAM,nguyên lí hoạt động RAM DDR4 +Chắt lọc thơng tin cần thiết để người đọc hiểu rõ RAM máy tính Chương 1:Tổng quan nhớ RAM 1.1:Khái niệm RAM 1.1.1:Định nghĩa RAM RAM (viết tắt từ Random Access Memory) loại nhớ khả biến cho phép truy xuất đọc-ghi ngẫu nhiên đến vị trí nhớ dựa theo địa nhớ Thông tin lưu RAM tạm thời, chúng mất nguồn điện cung cấp RAM nhớ máy tính hệ thống điều khiển, để lưu trữ thông tin thay đổi sử dụng Các hệ thống điều khiển sử dụng SRAM làm thiết bị lưu trữ thứ cấp (secondary storage) Khi cần thiết bố trí pin nhỏ làm nguồn điện phụ để trì liệu RAM RAM có đặc tính thời gian thực thao tác đọc ghi ô nhớ nhau, cho dù vị trí nhớ Mỗi ô nhớ RAM có địa Thông thường, ô nhớ byte (8 bit); nhiên hệ thống lại đọc hay ghi vào nhiều byte (2, 4, byte) lúc RAM khác biệt với thiết bị nhớ (sequential memory device) chẳng hạn băng từ, CD-RW, DVD-RW, ổ đĩa cứng, bắt buộc phải tìm đến sector đọc/ghi khối liệu để truy xuất RAM thuật ngữ phân biệt tương đối theo ý nghĩa sử dụng, với chip nhớ truy xuất ngẫu nhiên EEPROM (read-only memory) cấm hạn chế chiều ghi, nhớ flash phép đọc/ghi 1.1.2:Lịch sử hình thành phát triển RAM Chip RAM có mặt thị trường vào cuối năm 1960, với sản phẩm DRAM Intel 1103 công bố vào tháng 10 năm 1970 Những laptop hệ đầu sản xuất vào cuối năm thập niên 90 tích hợp bên chúng RAM SDR với tốc độ chậm nhớ Hiện khó cịn gặp loại RAM Để cải thiện vấn đề tốc độ nhớ SDR, người ta bắt đầu nghiên cứu sản xuất hệ RAM vào đầu năm 2000 với tên gọi DDR, móng cho loại RAM đại sau Tuy tốc độ RAM hệ chậm Được sử dụng rộng rãi Laptop từ đầu năm 2000 đến cuối 2004, DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), thường giới chuyên môn gọi tắt "DDR" DDR SDRAM cải tiến nhớ SDR với tốc độ truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần chu kỳ nhớ Vào năm tiếp theo, với xuất hệ máy tính hơn, kèm với hệ điều hành có giao diện thân thiện với người dùng, số WINDOWS XP đời vào năm 2003 Với xuất giao diện "màu mè" "mượt mà" so với hệ trước RAM địi hỏi nhanh có nhớ lớn DDR dường sức sau khoảng vài năm phục vụ, người ta nghĩ đến việc thay thế hệ DDR2 có tốc độ nhanh nhớ lớn nhiều, đồng thời tiết kiệm lượng so với DDR Hiện cịn tìm thấy DDR2 với nhớ đến 4GB RAM DDR2 sử dụng nhiều, chúng xuất dòng Laptop sản xuất từ cuối năm 2003 đến cuối năm 2009 Vào năm 2007 với đời hệ HĐH Windows Vista, Mac OS X Leopard, người ta bắt đầu sản xuất hệ RAM DDR2 DDR3 với tốc độ nhanh nhớ lớn đồng thời tiết kiệm lượng 30% so với hệ DDR2 Đây loại RAM sử dụng rộng rãi, phổ biến Laptop với nhớ lớn lên đến 16GB/thanh Tuy xuất sớm đến cuối năm 2009 DDR3 bắt đầu xuất rộng rãi Laptop Bên cạnh xuất DDR3 người ta thấy DDR3L Đây kết hợp tác Kingston Intel việc phát triển dòng nhớ tiết kiệm điện Chữ L có nghĩa Low ám loại RAM DDR3 sử dụng lượng Loại RAM thường sản xuất cho thiết bị cụ thể chúng sử dụng điện 1,35V thay 1,5V loại RAM thơng thường Đây loại RAM đặc biệt thiết kế cho hệ thống máy chủ, trung tâm liệu số dòng Laptop cao cấp nhằm tăng thời gian sử dụng pin Khi RAM DDR3 vừa trịn năm tuổi đời DDR4 mắt Những thay đổi đáng ý DDR4 so với người tiền nhiệm DDR3 gồm: gia tăng số tuỳ chọn xung nhịp (clock) chu kỳ (timing), giảm điện tiêu thụ (power saving) giảm độ trễ (latency) Hiện tại, DDR3 giới hạn chủ yếu mức xung nhịp 1333, 1600 1866 MHz Mức 2133 MHz mức giới hạn xung nhịp lý thuyết cho DDR3, mức 800 MHz 1066 MHz khơng cịn tiếp tục sản xuất Tháng 11 năm 2018, SK Hynix trình làng module DDR5 16GB giới, hứa hẹn xuất loại DRAM q trình nghiên cứu 1.1.3:Các thơng số RAM Được phân loại theo chuẩn JEDEC JEDEC, hiệp hội 300 công ty khác nhau, tập trung vào công nghệ trạng thái rắn Nhiệm vụ hiệp hội đảm bảo tiêu chuẩn phổ thông sử dụng công ty đăng ký nói đến cơng nghệ trạng thái rắn, đặc biệt DRAM, ổ đĩa thể rắn giao diện (ví dụ NVMe AHCI) Điều đảm bảo người tiêu dùng chọn bốn tiêu chuẩn kết nối khác DDR4, tất thứ phải quán nhiều nhà sản xuất – nói cách khác, khơng có BS độc quyền Về nhớ, JDEC liệt kê tiêu chí mà DDR4 cần phải tuân thủ – ví dụ số lượng pin out, kích thước chip, sức mạnh tối đa sử dụng, nhiều 1.1.3.1:Dung lượng Dung lượng RAM tính MB GB, thông thường RAM thiết kế với dung lượng 256mb,512 mb,1gb,2gb,3gb,4gb,8gb Dung lượng RAM lớn tốt cho hệ thống, nhiên tất hệ thống phần cứng hệ điều hành hỗ trợ loại RAM có dung lượng lớn, số hệ thống phần cứng máy tính cá nhân hỗ trợ đến tối đa GB số hệ điều hành (như phiên 32 bit Windows XP) hỗ trợ đến 32 GB 1.1.3.2:Bus Phân loại Có hai loại BUS là: BUS Speed BUS Width - BUS Speed BUS RAM, tốc độ liệu xử lý giây - BUS Width chiều rộng nhớ Các loại RAM DDR, DDR2, DDR3, DDR4 có BUS Width cố định 64 Cơng thức tính băng thông (bandwidth) từ BUS Speed BUS Width: Bandwidth = (Bus Speed x Bus Width) / - Bandwidth tốc độ tối đa RAM đọc giây Bandwidth ghi RAM số tối đa theo lý thuyết Trên thực tế, bandwidth thường thấp vượt số theo lý thuyết Các loại RAM, BUS RAM Bandwidth tương ứng SDR SDRAM phân loại theo bus speed sau: • o PC-66: 66 MHz bus o PC-100: 100 MHz bus o PC-133: 133 MHz bus DDR SDRAM phân loại theo bus speed bandwidth sau: • o DDR-200: Còn gọi PC-1600 100 MHz bus với 1600 MB/s bandwidth o DDR-266: Còn gọi PC-2100 133 MHz bus với 2100 MB/s bandwidth o DDR-333: Còn gọi PC-2700 166 MHz bus với 2667 MB/s bandwidth o DDR-400: Còn gọi PC-3200 200 MHz bus với 3200 MB/s bandwidth DDR2 SDRAM phân loại theo bus speed bandwidth sau: • o DDR2-400: Còn gọi PC2-3200 100 MHz clock, 200 MHz bus với 3200 MB/s bandwidth o DDR2-533: Còn gọi PC2-4200 133 MHz clock, 266 MHz bus với 4267 MB/s bandwidth o DDR2-667: Còn gọi PC2-5300 166 MHz clock, 333 MHz bus với 5333 MB/s bandwidth o DDR2-800: Còn gọi PC2-6400 200 MHz clock, 400 MHz bus với 6400 MB/s bandwidth • DDR3 SDRAM phân loại theo bus speed bandwidth sau: o DDR3-1066: Còn gọi PC3-8500 533 MHz clock, 1066 MHz bus với 8528 MB/s bandwidth o DDR3-1333: Còn gọi PC3-10600 667 MHz clock, 1333 MHz bus với 10664 MB/s bandwidth o DDR3-1600: Còn gọi PC3-12800 800 MHz clock, 1600 MHz bus với 12800 MB/s bandwidth o DDR3-2133: Còn gọi PC3-17000 1066 MHz clock, 2133 MHz bus với 17064 MB/s bandwidth DDR4 SDRAM phân loại theo bus speed bandwidth sau: • o DDR4-2133: Tên module PC4-17000 1067 MHz clock, 2133 MHz bus với 17064 MB/s bandwidth o DDR4-2400: Tên module PC4-19200 1200 MHz clock, 2400 MHz bus với 19200 MB/s bandwidth o DDR4-2666: Tên module PC4-21300 1333 MHz clock, 2666 MHz bus với 21328 MB/s bandwidth o DDR4-3200: Tên module PC4-25600 1600 MHz clock, 3200 MHz bus với 25600 MB/s bandwidth 1.1.4:Đặc trưng RAM Bộ nhớ RAM có đặc trưng sau: • Dung lượng nhớ: Tổng số byte nhớ (nếu tính theo byte) tổng số bit nhớ tính theo bit • Tổ chức nhớ: Số nhớ số bit cho nhớ • Thời gian thâm nhập: Thời gian từ lúc đưa địa ô nhớ đến lúc đọc nội dung ô nhớ • Chu kỳ nhớ: Thời gian hai lần liên tiếp thâm nhập nhớ 1.2: Phân loại RAM Tùy theo công nghệ chế tạo nước giới, chia làm hai loại RAM tĩnh RAM tĩnh - SRAM (Static Random Access Memory) chế tạo theo công nghệ ECL (dùng CMOS BiCMOS) Mỗi bit nhớ gồm có cổng logic với transistor MOS SRAM nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung ô nhớ thời gian thâm nhập chu kỳ nhớ Nhưng SRAM nơi lưu trữ tập tin CMOS dùng cho việc khởi động máy Hình 1: transistor ô nhớ RAM Tĩnh RAM động RAM động - DRAM (Dynamic Random Access Memory) dùng kỹ thuật MOS Mỗi bit nhớ gồm transistor tụ điện Việc ghi nhớ liệu dựa vào việc trì điện tích nạp vào tụ điện việc đọc bit nhớ làm nội dung bit bị hủy Do sau lần đọc ô nhớ, phận điều khiển nhớ phải viết lại nội dung nhớ Chu kỳ nhớ theo mà gấp đơi thời gian thâm nhập ô nhớ Việc lưu giữ thông tin bit nhớ tạm thời tụ điện phóng hết điện tích nạp phải làm tươi nhớ sau khoảng thời gian 2μs Việc làm tươi thực với tất ô nhớ nhớ Công việc thực tự động vi mạch nhớ Bộ nhớ DRAM chậm rẻ tiền SRAM Hình 2: transistor, tụ điện RAM Động Các loại DRAM SDRAM (Viết tắt từ Synchronous Dynamic RAM) gọi DRAM đồng SDRAM gồm phân loại: SDR, DDR, DDR2,DDR3 DDR4 SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), thường giới chuyên môn gọi tắt "SDR" Có 168 chân Được dùng máy vi tính cũ, bus speed chạy vận tốc với clock speed memory chip, lỗi thời DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), thường giới chuyên môn gọi tắt "DDR" Có 184 chân DDR SDRAM cải tiến nhớ SDR với tốc độ truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần chu kỳ nhớ Đã thay DDR2 DDR2 SDRAM (Double Data Rate SDRAM), Thường giới chuyên môn gọi tắt "DDR2" Là hệ thứ hai DDR với 240 chân, lợi lớn so với DDR có bus speed cao gấp đơi clock speed nhỏ, biểu diễn đơn vị nano giây (hàng tỉ giây) Một chip nhớ đánh giá 70ns nghĩa 70 nano giây để hồn tất q trình đọc nạp lại điện cho tế bào Các tế bào nhớ đơn độc vơ dụng khơng có cách lấy thơng tin vào chúng Do đó, tế bào nhớ có hỗ trợ tồn vẹn mạch chuyên dụng khác Những mạch làm chức năng: - Nhận biết hàng cột (chọn địa hàng địa cột) - Theo dõi trình tự làm tươi (bộ đếm) - Đọc lưu tín hiệu từ tế bào (bộ khuếch đại hướng) - Đảo tế bào xem có nên nhận dịng nạp hay khơng (bật ghi) Các chức khác điều khiển nhớ bao gồm tác vụ xác định loại, tốc độ, dung lượng nhớ kiểm tra lỗi RAM tĩnh (SRAM) sử dụng cơng nghệ hồn tồn khác Các bit nhớ giữ dạng bật Một bật cho tế bào nhớ tốn bóng bán dẫn vài dây dẫn Và chúng không cần làm tươi Nhờ vậy, tốc độ RAM tĩnh nhanh nhiều so với RAM động Tuy nhiên, cần đến nhiều thành phần nên tế bào nhớ tĩnh chiếm nhiều không gian chip tế bào nhớ động Do đó, chip, có nhớ Dẫn đến việc chế tạo RAM tĩnh tốn nhiều chi phí Như vậy, RAM tĩnh nhanh đắt tiền Ram động rẽ chậm Ram tĩnh thường dùng để chế tạo đệm nhạy tốc độ cho CPU Trong RAM động thường dùng làm khơng gian nhớ cho hệ thống Cơ chế kiểm tra lỗi nhớ Hầu hết loại nhớ đáng tin cậy Hệ thống cần nhờ điều khiển nhớ kiểm tra lỗi lúc khởi động tin vào Các chip nhớ có chế kiểm tra lỗi xây dựng sẵn thường sử dụng phương pháp chẵn-lẻ (parity) để kiểm tra Các chip chẵn lẻ có bit phụ cho bit liệu Cơ chế chẵn lẻ hoạt động đơn giản Đầu tiên chế bậc chẵn (even parity) Khi bit byte nhận liệu, chip nhớ thêm bit gọi bit bậc parity vào Bit tổng số bit dãy liệu Nếu tổng số bit lẻ, bit bậc parity thiết lập Nếu tổng số bit chẵn, thiết lập Khi liệu đọc ra, việc tính tốn tổng bit thực lại lần để so sánh với bit bậc parity Nếu tổng lẻ bit bậc parity 1, liệu xét gửi cho CPU Nhưng tổng lẻ bit bậc parity 0, chip nhớ nhận thấy có lỗi dãy bit kết xuất liệu Cơ chế bậc lẻ làm giống vậy, bit bậc lẻ thiết lập tổng số bit chẵn Vấn đề với chế chẵn lẻ có khả phát lỗi lại khơng thể sửa lỗi Nếu byte liệu không hợp với bit bậc parity nó, liệu loại bỏ hệ thống thử lại lần Các máy tính có vai trị chủ chốt cần đến dung sai lỗi (fault tolerance) mức cao Các máy tính chủ cao cấp thường sử dụng dạng kiểm tra lỗi error-correction code (ECC) Giống với chế chẵn lẻ, ECC sử dụng bit thêm vào để kiểm tra liệu byte Điểm khác biệt chế ECC sử dụng nhiều bit để kiểm tra lỗi thay (nhiều phụ thuộc vào độ rộng bus cho phép) Bộ nhớ ECC sử dụng thuật tốn đặc biệt cho phép khơng phát lỗi mà sửa chúng Bộ nhớ ECC phát trường hợp có nhiều bit liệu byte bị hỏng Tuy nhiên, lỗi xảy chúng sửa được, với ECC Phần lớn máy tính bán ngày sử dụng chip nhớ không-chẵn-lẻ (nonparity) Các chip không cung cấp chế kiểm tra hay sửa lỗi nào, mà chúng hoàn toàn phụ thuộc vào khả phát lỗi điều khiển nhớ 2.3.2: Chu kì đọc ghi liệu Bộ nhớ RAM DDR4 hoạt động tương tự hệ trước DDRAM memory Bộ nhớ DDRAM sử dụng để lưu trữ ký tự hiển thị Nó có khả lưu trữ lên đến 80 ký tự Một số vị trí nhớ trực tiếp liên quan đến lĩnh vực nhân vật hình Nguyên tắc hoạt động nhớ DDRAM đơn giản: đủ để cấu hình hình hiển thị để tăng địa tự động (dịch chuyển bên phải) thiết lập địa bắt đầu cho thông báo hiển thị (ví dụ 00 hex) Sau đó, tất ký tự gửi thông qua đường dây D0-D7 hiển thị tin nhắn sử dụng từ trái sang phải Trong trường hợp này, hiển thị lĩnh vực ký tự dòng địa bắt đầu 00 hex.Khơng có vấn đề ký tự gửi đi, có 16 hiển thị hình, phần cịn lại họ lưu lại hiển thị sau sử dụng lệnh thay đổi Thực tế, hình LCD giống cửa sổ chuyển hướng bên trái bên phải so với vị trí nhớ có chứa ký tự khác Điều thực tế có hiệu lực thơng điệp chuyển dịch hình tạo Nếu trỏ kích hoạt, ln ln vị trí lĩnh vực nhân vật giải Nói cách khác, sau nhân vật thích hợp xuất vị trí trỏ, coursor tự động di chuyển đến lĩnh vực giải Như tên cho thấy, nhớ DDRAM loại nhớ RAM, có nghĩa liệu viết đọc từ nó, nội dung khơng thể cứu vãn bị bị cúp điện DDR RAM Double Data Rate RAM Mặc dù DDR RAM thiết kế cho tốc độ xung nhịp khác nhau, tập trung vào nhớ RAM DDR-266 Nó hoạt động với đồng hồ 133 MHz, sử dụng hai đầu đuôi cạnh chu kỳ đồng hồ Do đó, tạo liệu tốc độ xung nhịp tương đương 266 MHz, liệu gấp đôi tốc độ DDR RAM đạt tỷ lệ tăng gấp đơi liệu nhớ RAM nội cốt lõi hoạt động tốc độ đồng hồ 133 MHz Có hiệu quả, chip DDR RAM bit liệu cho chu kỳ đồng hồ 266 MHz, sau nội sản xuất 16 bit liệu cho chu kỳ đồng hồ 133 MHz, cung cấp theo yêu cầu có bit thời điểm I / O pins liệu DDR-266 RAM đơi cịn gọi PC-2100 RAM, kể từ ngày 64 bit hệ thống byte (bộ nhớ) xe buýt, mà điển hình cho máy tính cá nhân, DDR-266 RAM có băng thơng x 266 = 2128 2100 MB / s (Lưu ý hệ thống xe buýt gọi FSB Front Side Bus.) DDR RAM lớn SDRAM (DRAM đồng bộ), sau gọi PC-66 RAM Đồng bộ, đây, có nghĩa tốc độ Dưới thúc đẩy Intel, điều thay PC-100 sau đó, PC-133 RAM (cùng công nghệ, phân biệt tốc độ xung nhịp cao nhiều thông số kỹ thuật chi tiết cho interoperation) Theo văn này, DDR II RAM chuẩn hóa Nó hệ thứ ba loạt này: SDRAM / DDR RAM / DDR II RAM DDR II RAM có tốc độ clock hiệu 400 MHz giới thiệu DDR RAM tổ chức hàng trang nhớ Các trang nhớ chia thành bốn phần, gọi ngân hàng Mỗi ngân hàng có loại đăng ký liên kết với Để giải hàng DDR RAM (bộ nhớ trang), người ta phải xác định chân ngân hàng nhớ địa hàng Một ngân hàng nhớ hoạt động , trường hợp có trang mở kết hợp với đăng ký ngân hàng nhớ Lưu ý dòng địa xe buýt địa CPU "có dây" địa hàng, ngân hàng nhớ, địa cột chọn chip Các dịng địa nối tùy tiện, mà phần nhớ RAM gắn liền với ngân hàng nhớ xuất CPU để tiếp giáp xen kẽ với ngân hàng nhớ khác Kể từ đọc từ ngân hàng nhớ nhanh hơn, ngân hàng nhớ nói chung có dây để tiếp giáp, dây địa chip khác nhau, xen kẽ với Trong ví dụ này, chúng tơi giả định 256 Mb chip 32 Meg x (8 chân liệu), Meg x liệu pins x ngân hàng tổ chức Một tập hợp bốn bit liệu quy định cụ thể cách sử dụng chân A0-A12 cho địa hàng, chân ba0-BA1 cho ngân hàng, chân A0-A9 cho địa cột Do đó, có 8K hàng, ngân hàng cột 1K, 8Kx4x1K = 32 Meg bit liệu Địa hàng quy định giai đoạn đầu tiên, ngân hàng địa cột quy định cụ thể giai đoạn thứ hai Để biết thông tin chi tiết, tham khảo ý kiến nhà cung cấp datasheets, chẳng hạn 256 Micron Mb (Megabit) chip DDR RAM từ trang web họ RAM DDR RAM hoạt động DDR RAM thực lệnh, mà thường ban hành chipset Các chi tiết sơ đồ chân nó, lệnh, vv, tương tự, không giống hệt PC-133 RAM Để kích hoạt ngân hàng với hàng để đọc viết, ngân hàng phải tính phí Phí cho phép chip cảm nhận hàng cụ thể, khuếch đại tín hiệu từ hàng Một ngân hàng nhớ thường sạc sẵn , thay chờ đợi cho đọc / ghi u cầu sau tính tiền Precharging thường chồng lên với ngân hàng nhớ truy cập vào ngân hàng nhớ thứ hai Đọc viết xảy vụ nổ Độ dài bùng nổ 2, 4, Bursts bốn phổ biến nhất, tiêu chuẩn DRR II Lưu ý Intel Pentium II III có khối nhớ cache chiều dài 32 byte Kể từ hệ thống (bộ nhớ) xe buýt byte, vụ nổ sản lượng 4x8 = 32 byte, xác, đủ để lấp đầy khối nhớ cache Chúng giả định tự động Precharge không sử dụng Điều dường phương thức phổ biến hoạt động chipset Các tùy chọn tự động Precharge ĐỌC VIẾT cho phép cho lệnh Precharge tự động, nhanh chóng sau đọc / ghi Tuy nhiên, Precharge đóng trang Vì vậy, Precharge tự động nên sử dụng biết bên cạnh ngân hàng nhớ trang nhớ khác Đây dự đoán tương lai Hầu hết chipset thích giả định địa phương khơng gian, khơng sử dụng tự động Precharge Chúng bỏ qua chu kỳ làm Kể từ tế bào DRAM tụ điện, họ phải định kỳ làm Chipset nhiều xuất định kỳ phát sóng REFRESH ALL lệnh, cá nhân làm hàng ngân hàng khơng sử dụng Hàng phải làm theo định kỳ (thường 64 ms) người khác tế bào bị phí họ 2.4:Những ưu nhược điểm sử dụng RAM DDR4 *Ưu điểm: Ram máy tính DDR4 sử dụng nguồn điện thấp so với DDR3, khoảng 1.2V tiết kiệm điện Và tốc độ truyền liệu khiến bạn bất ngờ lên tới 1600 – 3200 MT/s gấp đôi DDR3, gấp lần ram DDR2 Ram máy tính DDR4 có tốc độ truyền tải liệu vơ nhanh đồng nghĩa kết nối với CPU thành phần khác thuận tiện Điều vô có ý nghĩa với cơng việc bạn Mỗi chip RAM DDR4 có mật độ lớn từ dung lượng thiết kế lớn Theo lí thuyết, ram DDR4 thiết kế dung lượng mức tối đa 512GB, số RAM DDR3 128GB Nhưng thực tế để tìm ram DDR4 8GB, 16GB vơ đơn giản tràn ngập khắp trung tâm cửa hàng Khi bạn có nhu cầu nâng cấp lên 32GB làm cần lưu ý phù hợp với máy tính Nói xung nhịp bus hiểu số bus cao liệu truyền với tốc độ nhanh DDR3 có mức 800 đến 2133MHz Còn với DDR4, có 1600 đến 3200MHz, chí 4266MHz Cho nên số bus cần thiết chọn mua loại ram Khả tương thích RAM DDR4 tuyệt vời Chuẩn RAM DDR4 hỗ trợ để sử dụng: + Chipset Intel X99 + CPU thuộc dòng Haswell-EX: Intel Xeon E7; E5; E3 D + Intel Core i7-59XX 58XX + Nhiều CPU thuộc dòng Intel Skylake + Nhiều loại chipset H110; B150; Q150; H170; Q170 Z170 (bản cho desktop laptop) + Cạnh bo tròn giúp RAM DDR4 lắp đặt dễ dàng, giảm bớt lực tác động lên PCB cài đặt Thông tin so sánh RAM DDR3 RAM DDR4 DDR3 - Ra mắt: 2007 Dung lượng tối đa: 8GB mô-đun Điện áp hoạt động: 1,5V Tốc độ thấp nhất: 800 triệu MT/s Độ trễ: 12,5ms DDR4 - Ra mắt: 2012 Dung lượng tối đa: 16GB mô-đun Điện áp hoạt động: 1,2V Tốc độ: 1600 triệu MT/s Độ trễ: 12,75ms *Nhược điểm -Giá thành cao RAM DDR3 loại RAM khác -Bị phụ thuộc vào CPU -Chỉ sử dụng cho máy tính hệ -Sắp bị thay RAM DDR5 Chương 3:Một số loại RAM DDR4 DDR4 hệ thứ DDR Ram Chuẩn DDR4 công bố vào năm 2012 thay cho DDR3 sử dụng phổ biến nhiều năm gần RAM DDR4 có Bus speed từ 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 3200MHz, 4266MHz hay chí người ta cịn sản xuất RAM DDR4 4800MHz tốc độ siêu cao Về lý thuyết, dung lượng tối đa mà RAM DDR4 đạt 512GB Trên thực tế, bạn tìm thấy RAM 256GB Samsung sản xuất riêng cho máy chủ với giá trăm triệu Thậm chí Intel cịn có loại nhớ gọi RAM Intel Optane dung lượng đến 512GB Về RAM DDR4 có chút khác biệt với RAM thông thường Phổ biến thị trường dễ dàng tìm thấy RAM DDR4 8GB, 16GB hay 32GB Chúng ta chia lựa chọn ram theo nhu cầu RAM cho người dung phổ thông (RAM non – ECC) hay RAM cho Workstation, Server (RAM ECC ) RAM ECC (Error Checking and Correction) loại RAM có khả điều khiển dịng liệu truy xuất giúp tự động sửa lỗi Khi xảy xung đột RAM ECC cần yêu cầu gửi lại gói tin bị crash, RAM ECC có độ ổn định cao giúp bạn giảm rủi ro chi phí vận hành Q trình truyền tín hiệu tốc độ cao dễ xảy xung đột, có xung đột xảy RAM non ECC (Hay cịn gọi Ram thường) phải nạp lại tồn dự liệu khơng có khả quản lý dịng liệu dẫn đến tượng lỗi phần mềm, treo máy hình xanh Ram ECC có Chip cịn Ram non-ECC (Ram thường) có chip cách nhận biết nhanh nhìn Ram có hỗ trợ ECC hay khơng Khả tự kiểm tra sửa lỗi cho bit riêng lẻ giúp phát sửa lỗi kịp thời lúc xảy ECC không dành phần nhớ để sửa dụng cho việc sửa lỗi mà bổ sung thêm chip vào nhớ ECC Do sửa lỗi chế bit riêng lẻ nên có nhiều bit lỗi xảy lúc nhớ ECC phát lỗi khơng có khả sửa kịp Với máy PC, Laptop nói chung chức ECC quan tâm, nên thấy bị lỗi, chương trình thường văng ngồi desktop kèm theo dịng cảnh báo lỗi tự khởi động lại máy gây khơng phiền phức cho người dùng Đối với máy trạm (Workstation) máy chủ (Server), việc trì tồn vẹn liệu khả hoạt động liên tục 24/7 yếu tố quan trọng ưu tiên hàng đầu Trong năm 2015 2016 có nhiều thơng tin từ việc Hacker sử dụng phương thức hack cứng, nghĩa dùng thủ thuật đảo bit nhớ để tìm kiếm thông tin điều khiển hệ thống Do vậy, việc sử dụng RAM ECC khuyến cáo cho máy tính sử dụng doanh nghiệp, tổ chức cần an toàn mức tối đa 3.1 Ram DDR4 (non ECC) Dưới số hình ảnh loại RAM DDR4 Hình 7: Ram DDR4 cho laptop bus 3200MHz Hình : Ram DDR4 bus speed 2133MHz Hình : RAM DDR4 bus speed 2666 MHZ Hình 10: RAM DDR4 8Gb bus 3200MHZ Hình 11: RAM DDR4 8GB bus 2666MHZ Hình 12: RAM DDR4 64GB 3.2 RAM DDR4 (ECC) Hiện Ram ECC có loại, RAM ECC unbuffered ECC Registered loại Ram có số đặc tính riêng tùy thuộc vào túi tiền mục đích sử dụng để lựa chọn cho Server Ram ECC Unbuffered hay gọi ECC UDIMM loại RAM Unbuffered bổ sung thêm tính ECC có chức tự kiểm tra sửa lỗi RAM ECC UDIMM nhớ khơng có đệm ghi thiết kế module nhớ mà thay vào đó, thiết bị thiết kế mainboard Ram ECC UDIMM lệnh truy xuất nhớ đưa trực tiếp đến module nhớ nhanh ECC RDIMM khơng phải gửi gián tiếp qua ghi Với Ram ECC Registered hay cịn gọi ECC RDIMM nhớ có chứa ghi, Ram ECC Unbuffered nhớ khơng có đệm ghi mà thiết kế mainboard Vì lý mà khác biệt hai loại ram ECC nằm lệnh truy xuất Đối với RAM ECC UDIMM lệnh truy xuất nhớ đưa trực tiếp tới module nhớ, cịn RAM ECC RDIMM lệnh truy xuất gửi dến ghi trước chuyển tới module nhớ Khi sử dụng ECC RDIMM giúp giải tải bớt khối lượng điều khiển nhớ CPU, phần công việc truy xuất trực tiếp nhớ có chip ghi thực Nhờ CPU bớt khối lượng cơng việc, giúp máy chạy tốt hiệu Do Server / WS lớn với Dual CPU thường sử dụng RAM ECC Registered Do nguyên lý hoạt động ECC RDIMM, lệnh truy xuất phải gửi đến ghi trước sau truyền module nhớ nên lệnh thị xấp xỉ chu kỳ CPU Hình 13: RAM ECC DDR4 16GB Bus 2133MHZ Hình 14: RAM DDR4 Ecc 128gb bus 2666MHZ Kết luận RAM, từ viết tắt Random Access Memory (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên), linh kiện quan trọng smartphone, laptop hay pc bên cạnh vi xử lý (CPU) xử lý đồ họa (GPU) Nếu khơng có RAM, smartphone hay máy tính khơng thể thực tác vụ việc truy cập tệp liệu chậm Bộ nhớ RAM thiết bị trung gian phần cứng khác với nhiệm vụ cung cấp thông tin cần thiết nhanh tốt Có thể hiểu đơn giản một chương trình hay ứng dụng khởi chạy, thơng tin tạo lưu trữ nhớ RAM thành phần khác CPU, GPU lấy thông tin xử lý Bộ nhớ RAM lớn đồng nghĩa với việc chứa lúc liệu nhiều chương trình chạy song song, khả đa nhiệm (chạy nhiều ứng dụng lúc) trơn tru, mượt mà Để hoàn thành đề tài nhờ cộng tác thành viên nhóm,tài liệu tham khảo,internet đặc biệt giúp đỡ thầy giáo: Nguyễn Tuấn Tú(giảng viên-thạc sĩ trường đại học Công Nghiệp Hà Nội) giúp đỡ chúng em để cỏ thể hoàn thành luận cách trọn vẹn Bài luận bọn em cịn nhiều thiếu sót mong thầy bạn bỏ qua Chúng em xin chân thành cảm ơn Tài liệu tham khảo https://vi.wikipedia.org/wiki/RAM Giáo trinh Kiến trúc máy tinh trường đại học Công nghiệp Hà Nội https://quantrimang.com/so-sanh-ddr3-va-ddr4-169528 https://vitinhttc.com/ram-la-gi/ https://quantrimang.com/ram-laptop-va-nhung-dieu-can-biet-54747 https://www.digistar.vn/ram-ecc-la-gi-series-phan-cung-p2/ https://vnreview.vn/tu-van-may-tinh/-/view_content/content/735238/tieuchi-chon-va-nang-cap-ram-cho-laptop ... thức hoạt động cấu tạo bên máy tính nào.Vì chúng em xây dựng đề tài:”Tìm hiểu nguyên lí hoạt động RAM DDR4 ” người dùng biết cách thức hoạt động RAM nào,cụ thể RAM DDR4 Mục tiêu -Trong trình thực. .. DDR4 bus speed 2133MHz Hình : RAM DDR4 bus speed 2666 MHZ Hình 10: RAM DDR4 8Gb bus 3200MHZ Hình 11: RAM DDR4 8GB bus 2666MHZ Hình 12: RAM DDR4 64GB 3.2 RAM DDR4 (ECC) Hiện Ram ECC có loại, RAM. .. +Có kiến thức RAM ,nguyên lí hoạt động RAM DDR4 +Chắt lọc thông tin cần thiết để người đọc hiểu rõ RAM máy tính Chương 1:Tổng quan nhớ RAM 1.1:Khái niệm RAM 1.1.1:Định nghĩa RAM RAM (viết tắt