Đang tải... (xem toàn văn)
(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)(Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu điều khiển đặc tính hấp thụ sóng điện từ của vật liệu biến hóa (Metamaterials)
BỘ GIÁO DỤC VIỆN HÀN LÂM VÀ ĐÀO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NGUYỄN VÂN NGỌC Nguyễn Vân Ngọc NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN ĐẶC TÍNH HẤP THỤ SĨNG ĐIỆN TỪ CỦA VẬT LIỆU BIẾN HÓA (METAMATERIALS) VẬT LÝ CHẤT RẮN LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ CHẤT RẮN 2021 Hà Nội - 2021 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ Nguyễn Vân Ngọc NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN ĐẶC TÍNH HẤP THỤ SĨNG ĐIỆN TỪ CỦA VẬT LIỆU BIẾN HÓA (METAMATERIALS) Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 44 01 04 LUẬN VĂN THẠC SĨ NGÀNH VẬT LÝ CHẤT RẮN NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS BÙI SƠN TÙNG TS BÙI XUÂN KHUYẾN Hà Nội - 2021 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đề tài nghiên cứu luận văn cơng trình nghiên cứu tơi dựa tài liệu, số liệu tơi tự tìm hiểu nghiên cứu hướng dẫn TS Bùi Sơn Tùng TS Bùi Xn Khuyến Chính vậy, kết nghiên cứu đảm bảo trung thực khách quan Đồng thời, kết chưa xuất nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực sai tơi hồn chịu trách nhiệm HỌC VIÊN NGUYỄN VÂN NGỌC LỜI CẢM ƠN Trước tiên, xin gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc tới TS Bùi Sơn Tùng TS Bùi Xuân Khuyến Các thầy dành thời gian, tâm huyết, ln tận tình hướng dẫn, định hướng kịp thời tạo điều kiện thuận lợi để tơi hồn thành luận văn Tơi xin chân thành cảm ơn thầy cô cán Học Viện Khoa học Công nghệ giảng dạy, trang bị kiến thức quý báu tạo điều kiện thuận lợi cho suốt trình học tập nghiên cứu Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc đến thầy cô, anh, chị nhóm nghiên cứu Metagroup – IMS GS TS Vũ Đình Lãm hết lịng giúp đỡ, chia sẻ động viên tinh thần suốt thời gian làm luận văn Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành đến gia đình, người thân ln giúp đỡ, động viên, tạo điều kiện tốt để hồn thành luận văn Cuối cùng, tơi xin gửi lời cảm ơn đến anh Nguyễn Văn Việt, người bên cạnh ủng hộ suốt trình học tập hồn thiện luận văn HỌC VIÊN NGUYỄN VÂN NGỌC MỤC LỤC DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 CƠ SỞ LÝ THUYẾT CỦA VẬT LIỆU BIẾN HÓA 1.1.1 Khái niệm 1.1.2 Lịch sử hình thành 11 1.1.3 Một số hướng nghiên cứu vật liệu biến hóa nước 13 1.2 VẬT LIỆU BIẾN HÓA HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ 18 1.2.1 Cơ chế hấp thụ dựa lý thuyết giao thoa 18 1.2.2 Cơ chế hấp thụ dựa lý thuyết môi trường hiệu dụng 20 1.3 TỪ ỨNG DỤNG CỦA VẬT LIỆU BIẾN HÓA HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN 21 1.3.1 Ứng dụng MA cảm biến 21 1.3.2 Ứng dụng MA pin mặt trời 23 CHƯƠNG PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 25 2.1 PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG 25 2.2 PHƯƠNG PHÁP TÍNH TỐN 28 2.3 PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 29 2.3.1 Phương pháp chế tạo 29 2.3.2 Phương pháp đo đạc 30 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 32 3.1 ĐIỀU KHIỂN ĐẶC TÍNH HẤP THỤ BẰNG THAM SỐ CẤU TRÚC 32 3.1.1 MA hoạt động vùng GHz (5 – 10 GHz) 32 3.1.2 MA hoạt động vùng THz (15 – 18 THz) 39 3.2 ĐIỀU KHIỂN ĐẶC TÍNH HẤP THỤ BẰNG SỰ ĐỊNH HƯỚNG VÀ PHÂN CỰC CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ 41 3.2.1 Điều khiển đặc tính hấp thụ góc tới sóng điện từ 41 3.2.2 Điều khiển đặc tính hấp thụ góc phân cực sóng điện từ 45 3.3 ĐIỀU KHIỂN ĐẶC TÍNH HẤP THỤ BẰNG ĐIỆN ÁP NGOÀI 47 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 61 KẾT LUẬN 61 KIẾN NGHỊ 62 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ 63 TÀI LIỆU THAM KHẢO 64 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Tiếng Anh Chữ viết Tiếng Việt tắt/ Ký hiệu Absorption Computer Simulation A CST Technology Cut wire Electric field Electromagnetically Induced Độ hấp thụ Công nghệ mô máy tính CW E Dây bị cắt Điện trường EIT Truyền qua cảm ứng điện từ FIT Kỹ thuật tích phân hữu hạn Transparency Finite Intergrate Technique Fractional band width FBW Độ rộng dải tần Frequency Domain Solver FDS Giải theo miền tần số Full width at half maximum FWHM Độ bán rộng Impedance Z Trở kháng Magnetic field H Từ trường Metamaterial MM Vật liệu biến hóa Metamaterial Absorber MA Vật liệu biến hóa hấp thụ Microelectromechanical MEMS Hệ vi điện tử MIMO Truyền thông đa hướng System Multi input / Multi output Permeability μ Độ từ thẩm Permittivity Polarization Conversion Printed Circuit Board Reflection ɛ PC PCB R Độ điện thẩm Chuyển đổi phân cực Bảng mạch in Độ phản xạ Scanning Electron Microscope SEM Kính hiển vi điện tử quét Silicon on insulator SOI Silicon điện môi Split-disk Metamaterial SDM Vật liệu biến hóa dạng đĩa tách Split-Ring Resonant Transient Solver SRR TS Vòng cộng hưởng phân rãnh Giải theo miền thời gian Transmission T Độ truyền qua Wave vector k Véc-tơ sóng DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU Bảng Tham số cấu trúc MA1 32 Bảng Tham số cấu trúc MA2 42 Bảng Thông số mạch hiệu dụng cho đi-ốt biến dung SMV2019-079LF 50 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1 Cấu trúc sở vật liệu biến hóa Hình 1.2 Giản đồ biểu diễn mối quan hệ ɛ μ 10 Hình 1.3 (a) Cấu trúc vật liệu chiết suất âm; (b) Phổ phản xạ truyền qua vật liệu chiết suất âm [6] 12 Hình 1.4.(a) Cấu trúc MA N I Landy đề xuất năm 2008; (b) Phổ hấp thụ, truyền qua phản xạ [10] 13 Hình 1.5 Siêu thấu kính [12] 14 Hình 1.6 Thiết kế chế tạo vật liệu biến hóa hấp thụ (a) Mặt cắt ngang sở vật liệu biến hóa hấp thụ IR bao gồm dải Au dày 50 nm màng Au dày ngăn cách lớp MgF2 dày 30 nm (b) Ảnh chụp siêu vật liệu chế tạo có tổng diện tích 26 × 26 mm2 (c) Ảnh SEM (d) Thiết lập phép đo phản xạ FT-IR cách thay đổi góc tới θ [13] 15 Hình 1.7 (a) Hình ảnh sơ đồ thiết bị tích hợp MEMS Hình ảnh cận cảnh (phía bên phải) cho thấy ba lớp chồng lên SOI (b) Cấu trúc ô sở vật liệu biến hóa EIT, bao gồm dây bị cắt cặp dây bị cắt [13] 16 Hình 1.8 Mơ tả chuyển đổi phân cực bất đối xứng vật liệu biến hóa lai siêu mỏng Ánh sáng phân cực tuyến tính lan truyền tới lui biến đổi thành phân cực vng góc phản xạ cách hiệu tương ứng [28] 17 Hình 1.9 Mơ hình giao thoa triệt tiêu 19 Hình 1.10 (a) Sơ đồ bốn loại vật liệu biến hóa đĩa tách (SDM) Lần lượt (i) SDM 1, (ii) SDM-2, (iii) SDM-3 (iv) SDM-4 (b) Mặt cắt ngang SDM [49] 22 Hình 1.11 (a) Cấu trúc vật liệu biến hóa tích hợp pin mặt trời (b) Kết mô cấu trúc [50] 24 Hình 2.1 Phần mềm mơ CST 25 Hình 2.2 Giao diện phần mềm CST 27 Hình 2.3 Quy trình chế tạo mẫu sử dụng phương pháp quang khắc 29 Hình 2.4 Hệ thiết bị quang khắc dùng chế tạo vật liệu biến hóa Viện Khoa học vật liệu 29 Hình 2.5 Hệ thiết bị Vector Network Analyzer Viện Khoa học vật liệu 31 Hình 3.1 Cấu trúc sở MA1 (a) Cấu trúc dấu cộng, (b) cấu trúc vòng cộng hưởng (c) cấu trúc MA1 kết hợp từ cấu trúc 33 Hình 3.2 Độ hấp thụ MA có cấu trúc (a) dấu cộng, (b) vòng cộng hưởng (c) kết hợp cấu trúc (MA1) 34 Hình 3.3 Sự thay đổi độ hấp thụ MA1 thay đổi khoảng cách d 35 54 bên ngoài) cho kết gần giống với cấu trúc MM tích hợp (có điện dung thấp nhất) chế độ PC Kết mô thực nghiệm giá trị PCR MM tương đương với ba rãnh cắt tương ứng 95% (ở 4,5 GHz) 96% (ở 4,49 GHz) Theo đó, MM tích hợp đề xuất có tượng chuyển đổi phân cực cấu trúc dị hướng Như vậy, hiệu ứng phối hợp trở kháng hồn tồn chuyển đổi cách điều chỉnh điện dung đi-ốt biến dung đặt rãnh vịng ngồi Điều cho phép cấu trúc đề xuất luận văn vượt qua hạn chế thiết kế MM trước hoạt động riêng lẻ chế độ hấp thụ PC Hình 3.16 Kết mơ phụ thuộc (a) hệ số phản xạ phân cực đồng trục Ruu phân cực vng góc Rvu; (b) PCR tương ứng MM tích hợp điện áp phân cực thay đổi từ V đến -19 V Kết thực nghiệm (c) hệ số phản xạ (d) PCR điện áp phân cực ngược V -4 V Ngoài ra, phụ thuộc hệ số phản xạ phân cực đồng trục phân cực vng góc PCR MM vào điện áp phân cực (từ -19 V đến 0) thể Hình 3.16 PCR tăng dần độ lớn điện áp phân cực giảm đạt gần 55 90% V = -19 V biểu diễn Hình 3.16(b) Điều chứng tỏ vai trị quan trọng đi-ốt biến dung việc chuyển đổi trạng thái hấp thụ PC Như trình bày Hình 3.16(d), kết PCR thực tế đo đạt 81,5% (tại 3,5 GHz) 85,2% (3,6 GHz) điện áp phân cực V -4 V Những kết cho thấy tương đồng kết mô thực nghiệm Các sai số nhỏ phổ thực nghiệm phổ mô giải thích phần lớn tán xạ từ khuyết tật trình chế tạo mẫu, thành phần tích hợp vật liệu hàn bề mặt gây cản trở phối hợp trở kháng Ngoài ra, đo đạc, hướng hai ăng ten [với góc tới nhỏ (khác 0), 𝜃 = 5𝑜 , kích thước ăng ten] làm cho liệu đo bị sai lệch đơi chút so với góc tới thông thường thực mô [75] Tuy nhiên, Hình 3.16(a), xu hướng dịch chuyển đồ thị kết mô cho phép dự đốn phản xạ phân cực vng góc (hệ số 𝑅𝜈𝑢 ) nâng cao lên tới 90% cách sử dụng đi-ốt thương mại tốt với điện áp đánh thủng ngược cao Để nghiên cứu cách thức hoạt động cấu trúc MM tích hợp đề xuất chế độ PC, sóng EM tới phân cực u phân tách thành hai thành phần x y trực giao thể Hình 3.17(a) Khi đó, sóng EM tới phản xạ biểu diễn sau [65] 𝐸𝑖 = 𝑥̂𝐸𝑖𝑥 𝑒 𝑖𝜑 + 𝑦̂𝐸𝑖𝑦 𝑒 𝑖𝜑 , (3.6) 𝐸𝑟 = 𝑥̂𝐸𝑟𝑥 + 𝑦̂𝐸𝑟𝑦 (3.7) = 𝑥̂(𝑅𝑥𝑥 𝐸𝑖𝑥 𝑒 𝑖𝜑𝑥𝑥 + 𝑅𝑥𝑦 𝐸𝑖𝑦 𝑒 𝑖𝜑𝑥𝑦 ) + 𝑦̂(𝑅𝑦𝑦 𝐸𝑖𝑦 𝑒 𝑖𝜑𝑦𝑦 + 𝑅𝑦𝑥 𝐸𝑖𝑥 𝑒 𝑖𝜑𝑦𝑥 ), với 𝑥̂ 𝑦̂ vectơ đơn vị, (𝑅𝑥𝑥 , 𝑅𝑦𝑦 ) (𝑅𝑥𝑦 , 𝑅𝑦𝑥 ) độ lớn hệ số phản xạ 56 đồng trục vng góc trục x y với pha tương ứng (𝜑𝑥𝑥 , 𝜑𝑦𝑦 ) (𝜑𝑥𝑦 , 𝜑𝑦𝑥 ) Hình 3.17 (a) Sơ đồ chuyển đổi phân cực 𝑦 sang 𝑥 (b) Độ lớn hệ số phản xạ 𝑢 𝑣 Các pha phản xạ hệ số phản xạ (c) phân cực đồng trục (d) phân cực vng góc vector điện sóng điện từ tới dọc theo trục 𝑢 𝑣 Cấu trúc đề xuất luận văn thể tính dị hướng dẫn đến khác biệt độ lớn pha sóng phản xạ Để đánh giá khả chuyển đổi, mô độ lớn pha hệ số phản xạ với phân cực dọc theo hướng x y thực trình bày Hình 3.17(b)-(d) Ở tần số cộng hưởng GHz, độ lệch pha hệ số phản xạ đồng trục 𝑅𝑥𝑥 𝑅𝑦𝑦 ∆𝜑1 = 𝜑𝑥𝑥 – 𝜑𝑦𝑦, độ trễ pha hệ số phản xạ vng góc 𝑅𝑥𝑦 𝑅𝑦𝑥 (∆𝜑2 = 𝜑𝑥𝑦 – 𝜑𝑦𝑥) xấp xỉ 180o Hình 3.17(c) (d) Theo cơng thức (3.7), kết 57 𝐸𝑟𝑥 𝐸𝑟𝑦 gần lệch pha hoàn toàn tần số cộng hưởng GHz Điều có nghĩa là, lệch pha 𝐸𝑟𝑥 𝐸i𝑥 0° [như Hình 3.17(a)] lệch pha 𝐸𝑟y 𝐸iy 180° [như Hình 3.17(a)] Nói cách khác, trường hợp PC có góc quay 𝐸𝑟 𝐸i 90𝑜 Sự phân bố dòng điện cảm ứng bề mặt chế độ hấp thụ chuyển đổi phân cực tần số cộng hưởng nghiên cứu để có nhìn cụ thể chế hấp thụ chuyển đổi phân cực Trong chế độ hấp thụ, phân bố tập trung chủ yếu lớp tần số cộng hưởng 3,5 5,5 GHz mơ tả Hình 3.18(a)-(b), tương ứng Tất cộng hưởng cộng hưởng từ gây dòng điện cảm ứng bề mặt đối song lớp kim loại Hình 3.18 Sự phân bố dòng điện cảm ứng bề mặt lớp tần số cộng hưởng (a) 3,5 GHz; (b) 5,5 GHz trường hợp chế độ hấp thụ (khơng có điện áp phân cực) (c) GHz cho chế độ PC (ở điện áp phân cực -19 V) Trong đó, Hình 3.18(c) trình bày phân bố dòng điện bề mặt tần số GHz cấu trúc MM chế độ PC Dòng điện cảm ứng phân bố chủ yếu 58 góc bên phải góc bên trái hình vng bên ngồi Do đó, kết luận cộng hưởng chế độ PC hoạt động tương tự, sinh từ dòng điện cảm ứng bề mặt đối song Phân bố mật độ tổn hao tần số cộng hưởng thể Hình 3.19(a)-(b), chế độ hấp thụ Độ tổn hao tập trung chủ yếu vị trí khe tương ứng với vị trí tích tụ điện tích dịng điện cảm ứng bề mặt Ở tần số 3,5 GHz, tổn hao tập trung chủ yếu khe hình vng Trong đó, tổn hao tần số 5,5 GHz tập trung mạnh khe hình vng hình trịn khe hình vng đường tiếp điện Hình 3.19 Phân bố mật độ tổn hao (a) 3,5 GHz;(b) 5,5 GHz chế độ hấp thụ (khơng có điện áp phân cực) (d) GHz cho chế độ PC (điện áp phân cực -19 V) Luận văn mô phân bố mật độ tổn hao tần số cộng hưởng (4 GHz) cho chế độ PC thể Hình 3.19(c) Kết cho thấy tổn hao tập trung khe Tuy nhiên, phân bố tổn hao dường đối xứng theo trục chéo cấu trúc hình học, giải thích tính dị hướng lớn chế độ PC Ngồi ra, việc thu nhỏ kích thước cấu trúc MM đề xuất cải tiến để khảo sát ảnh hưởng vùng tần số cao xem xét luận văn Đối với thử nghiệm này, bạc (độ dẫn điện 𝜎 = 6,3 × 107 S/m) chọn để thay đồng cho lớp kim loại phía Trong lớp điện môi 59 sử dụng thay Si (độ điện thẩm 11,9) Các tham số hình học tối ưu hóa L = 24,5; a = 22; b = 11; s = 1,2; d = 4; m = 0,5; h = 0,5; t = tm = 0,035 μm Hình 3.20 Khảo sát thêm phạm vi THz (a) chế độ hấp thụ cách sử dụng cấu trúc MM đề xuất giảm kích thước (b) PC cách sử dụng MM cải tiến với kích thước nhỏ Các hệ số phản xạ phân cực đồng trục phản xạ phân cực vng góc tương ứng thể Hình 3.20 Trong Hình 3.20(a), cấu trúc MM tương đương với hai rãnh đóng vai trị MA với vị trí đỉnh 2,29 THz (hấp thụ 82,3%) 3,6 THz (hấp thụ 99,5%), 𝑅𝑢𝑢 =0,26 0,07 𝑅𝜈𝑢 =0,35 0,07 tương ứng Trong Hình 3.20(b), cấu trúc MM tương đương với ba rãnh cho hệ số phản xạ phân cực đồng trục phản xạ phân cực vng góc 0,3 0,67 2,6 THz Hệ số PCR thu cao (83%) tần số cộng hưởng cho thấy cấu trúc MM tương đương với ba rãnh kích hoạt chức tương tự chế độ PC dải tần THz Các kết gợi ý rằng, cấu trúc MM có khả chuyển đổi hấp thụ/PC vùng tần số THz thiết kế thơng qua việc thu nhỏ kích thước cấu trúc nghiên cứu vùng GHz Đáng ý, thay đi-ốt biến dung SMV2019-079LF, vật liệu khác tinh thể lỏng [76] đi-ốt biến dung dựa kim loại – bán dẫn – kim loại khí điện tử chiều [77] sử dụng để chế tạo thiết bị hoạt động vùng THz Định hướng nghiên cứu hứa hẹn tạo MM có khả ... CỰC CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ 41 3.2.1 Điều khiển đặc tính hấp thụ góc tới sóng điện từ 41 3.2.2 Điều khiển đặc tính hấp thụ góc phân cực sóng điện từ 45 3.3 ĐIỀU KHIỂN ĐẶC TÍNH HẤP THỤ BẰNG ĐIỆN... số hấp thụ điều khiển chuyển đổi hấp thụ dải rộng hấp thụ đa đỉnh tạo cách thay đổi góc tới sóng điện từ 3.2.2 Điều khiển đặc tính hấp thụ góc phân cực sóng điện từ Bên cạnh góc tới sóng điện từ, ... SÓNG ĐIỆN TỪ 3.2.1 Điều khiển đặc tính hấp thụ góc tới sóng điện từ Trong mục 3.2, luận văn đề xuất cách tiếp cận khác để điều khiển tính chất hấp thụ vật liệu biến hóa cách thay đổi góc tới sóng