bao cao thi nghiem truong dien tu

BÁO CÁO THÍ NGHIỆM CƠ SỞ TỰ ĐỘNG ppt

BÁO CÁO THÍ NGHIỆM CƠ SỞ TỰ ĐỘNG ppt

Ngày tải lên : 30/03/2014, 06:20
... chu kì đóng ngắt, sai số không quá lớn và bộ điều khiển không phải đóng ngắt liên tục để tăng tu i thọ. III.1.c Khảo sát mô hình điều khiển nhiệt độ dùng phương pháp Zieger_Nichols (điều khiển ... không ổn định. >> Gk=feedback(G,1); %close-loop >> step(Gk,10) %view step response within 10 secs Do không ổn định nên đáp ứng nấc của hệ kín là dao động ... không dao động xung quanh tín hiệu đặt như ở bộ điều khiển ON-OFF mà ngõ ra ở xác lập là hằng số. Tuy nhiên, giá trị này có sai số so với tín hiệu đặt. III.2 Khảo sát mô hình điều khiển tốc độ,...
  • 16
  • 2.4K
  • 74
Báo cao thí nghiệm - Phóng điện trong chất lỏng ở Điện áp xoay chiều tần số công nghiệp

Báo cao thí nghiệm - Phóng điện trong chất lỏng ở Điện áp xoay chiều tần số công nghiệp

Ngày tải lên : 23/05/2014, 19:51
... 12.73 5 11.3 6 15.56 2. Kết luận: mẫu đầu thí nghiệm có thể được dùng cho các thi t bị ở cấp điện áp:trung thế, cao và siêu cao thế. II. XÁC ĐỊNH CÁC MỐI QUAN HỆ GIỮA ĐIỆN ÁP CHỌC THỦNG THEO SỐ LẦN ... rồi sẽ giảm. IV. NHẬN XÉT CHUNG Khi khoảng cách giữa 2 cực càng lớn thì điện áp phóng điện càng caođiện trường giảm. Chúc các bạn thành công. 5 ...
  • 5
  • 1.2K
  • 8
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET) pot

Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET) pot

Ngày tải lên : 18/06/2014, 11:20
... Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) 48 I.2. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 6-2. Giả thi t MOSFET hoạt động tại I D =I DSS /2 và I DSS = 6mA, V GSoff (hay V P ) = -6V. Xác định V GS , ... Khảo sát DC : I.3. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 6-3. Giả thi t r d = ∞ , I DSS = 8mA, V P = -4V, V GSQ = -0.94V. Xác định A v , Z i , Z o . ... sau đây trước khi vào Phòng Thí Nghiệm : I.1. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 6-1. Giả thi t dòng điện I S mong muốn là 1.9mA. Xác định điện áp phân cực V GS của mạch. ...
  • 8
  • 1.7K
  • 17
báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử

báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử

Ngày tải lên : 18/02/2014, 15:05
... luận: - V GS phân cực xác định đặc tuyến hoạt động của JFET. - I DS có thể giảm đến 0mA tại 1 giá trị xác định của V GS . - V G phải âm đối với JFET kênh n. - Họ đặc tuyến của JFET được tạo ra bằng ... tỉ số dừng nội tại. - Vp = V J – V D . - Đặc tuyến làm việc của UJT có 3 vùng: vùng ngắt, vùng điện trở âm và vùng bão hòa. - UJT cho thấy đặc tuyến điện trở âm khi dẫn. Thí nghiệm 6.2: Mạch ... V D = V A – V R2 (V) 0.75 0.29 0.088 0.46 5 4.41 1.34 0.59 10 9.38 2.84 0.62 Kết luận : - Đặc tuyến dòng một chiều của diode mô tả dòng và điện áp thuận và ngược. - Khi điện áp phân cực thuận...
  • 35
  • 5.7K
  • 3
Báo cáo thí nghiệm: Cơ sở khối ngành Cơ – Điện – Điện tử. potx

Báo cáo thí nghiệm: Cơ sở khối ngành Cơ – Điện – Điện tử. potx

Ngày tải lên : 22/03/2014, 10:20
... Thuốc hàn thép hợp kim cao. - Thuốc hàn kim loại và hợp kim màu. - Loại có tính chất chung để hàn thép hợp kim cao và kim loại màu. 2. Thi t bị hàn: là các máy hàn trong thi t bị hàn. a. Máy ... mặt sau tới mỏ hàn. - Năng lượng đường hàn thấp. - Độ tự cảm quá cao khi hàn MAG. - Que hàn quá to.  Khắc phục: - Cải thi n kỹ thuật dưới mặt sau và đảm bảo chuẩn bị mép theo quy trình ... phục các khuyết tật đó cũng như ý nghĩa của việc tu n thủ quy trình công nghệ hàn. B. NỘI DUNG BÁO CÁO 1. Trình bày hiểu biết về vật liệu và thi t bị hàn? 2. Trình bày công việc lập trình trên...
  • 18
  • 836
  • 0
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự- Bài 1 : Diode bán dẫn docx

Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự- Bài 1 : Diode bán dẫn docx

Ngày tải lên : 18/06/2014, 11:20
... Nghiệm Điện Tử Tương Tự Bài 1: Diode Bán Dẫn 4 PHẦN II : GHI NHẬN VÀ BÁO CÁO KẾT QUẢ Phần này bao gồm các kết quả và số liệu thu nhận được từ thực nghiệm của Phần II : Tiến Trình Thí Nghiệm ... Thí Nghiệm) và nhận xét của sinh viên khi đối chiếu với lý thuyết đã học. II.1. KHẢO SÁT ĐẶC TUYẾN V-A CỦA DIODE: II.1.1. Phân cực nghịch diode: II.1.1.A. Mạch thí nghiệm: ( Vẽ lại mạch ở ... trị điện áp ngưỡng dẫn của diode D1: Vγ = ♦ Đây là diode loại: Si  Ge II.2. KHẢO SÁT ĐẶC TUYẾN V-A DIODE ZENER: II.2.1. Phân cực nghịch diode zener D3: II.2.1.A. Mạch thí nghiệm: ( Vẽ...
  • 10
  • 2.6K
  • 21
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng potx

Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng potx

Ngày tải lên : 18/06/2014, 11:20
... transistor đang được phân cực thuộc vùng nào trên họ đặc tuyến ngõ ra : I.3. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-3. Giả thi t các thông số của Transistor C1815 như sau : h fe ... Theo anh (chị), điểm làm việc tĩnh Q của transistor đang được phân cực thuộc vùng nào trên họ đặc tuyến ngõ ra : Hình 2-1 Phân cực transistor NPN mắc kiểu CE Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng ... constICEC B )V(fI = = I.2. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-2. Ngắn mạch các mA kế. Giả thi t các thông số của Transistor A 1015 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe....
  • 11
  • 1.9K
  • 9
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 3 : Khuếch Đại Hồi Tiếp doc

Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 3 : Khuếch Đại Hồi Tiếp doc

Ngày tải lên : 18/06/2014, 11:20
... PHẦN CÂU HỎI CHUẨN BỊ Ở NHÀ Vấn đề 1 : Cho dạng mạch điện như Hình 3-1a, ngắn mạch J2 giả thi t transistor Q2NC1815 có β = 220. Bỏ qua nội trở nguồn tín hiệu ở ngõ vào. Hãy xác định các ... f L = min(f L1 , f L2 ) = Vấn đề 2 : Cho dạng mạch điện như Hình 3-1b, hở mạch J2, giả thi t transistor Q2NC1815 có β = 220. Bỏ qua nội trở nguồn tín hiệu ở ngõ vào. Viết các công thức ... 3-1a : Vấn đề 3 : Cho dạng mạch điện như Hình 3-1c, ngắn mạch J2 và J3, giả thi t transistor Q2NC1815 có β =220. Bỏ qua nội trở nguồn tín hiệu ở ngõ vào. Viết các công thức...
  • 9
  • 1.2K
  • 10
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 4 : Mạch ghép đa tầng doc

Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 4 : Mạch ghép đa tầng doc

Ngày tải lên : 18/06/2014, 11:20
... tầng ghép RC kiểu CE-CE gồm 2 transistor T 1 và T 2 ) cùng các điểm nối mạch như Hình 4-1, giả thi t transistor C1815 có β = 250. Bỏ qua nội trở nguồn tín hiệu ở ngõ vào. Hãy xác định các tham ... transistor nào trong T1 –T2 cấm hơn. Đo thế U B0 tương ứng. Vặn các biến trở P1 và P4 của thi t bị chính để tăng dần từng bước UB (T1) hoặc UB (T2). Ở mỗi bước, đo các giá trị thế lối vào ... tầng ghép RC kiểu CE- CC gồm 2 transistor T 1 và T 3 ) cùng các điểm nối mạch như Hình 4-2, giả thi t transistor C1815 có β = 250. Bỏ qua nội trở nguồn tín hiệu ở ngõ vào. Biến trở VR đặt ở vị...
  • 10
  • 1.4K
  • 19
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 5 :Mạch khuếch đại công suất pptx

Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 5 :Mạch khuếch đại công suất pptx

Ngày tải lên : 18/06/2014, 11:20
... mạch khuếch đại mà có dòng 2A, nguồn cung cấp 40V khi có công suất tín hiệu ra là 52 W là bao nhiêu? Bao nhiêu công suất đã bị mất đi trong mạch khuếch đại này? Vấn đề 2 :...
  • 6
  • 1.7K
  • 13
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 7 : Khuếch đại thuật toán OP.AMP potx

Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 7 : Khuếch đại thuật toán OP.AMP potx

Ngày tải lên : 18/06/2014, 11:20
... So sánh giá trị Av tính và Av đo cho các trường hợp, nếu xem chúng bằng nhau thì sai số là bao nhiêu? Giải thích sự không tương ứng của chúng trong một số trường hợp. II.6 MẠCH TRỪ-MẠCH ... ♦ So sánh giá trị Av tính và Av đo cho các trường hợp, nếu xem chúng bằng nhau thì sai số là bao nhiêu? Giải thích sự không tương ứng của chúng trong một số trường hợp. ♦ Nhận xét về gía ... offset của Op-Amp μA-741 cần phải cải tiến lại mạch như thế nào? II.1.2 Xác định đặc tuyến truyền đạt của OPAMP : - Vẽ sơ đồ mạch ở dạng nguyên lý: Các giá trị điện...
  • 11
  • 2.3K
  • 24

Xem thêm