Tóm tắt kết quả luận văn/luận án :"Tên luận văn luận án", giữ nguyên cỡ chữ này Tên tác giả điền vào đây, giữ nguyên cỡ chữ này 1. Các thông tin chung (giữ nguyên cỡ chữ) 1.1. Họ và tên nghiên cứu sinh, học viên cao học: 1.2. Giới tính: 1.3. Ngày sinh 1.4. Nơi sinh: 1.5. Quyết định công nhận nghiên cứu sinh số (nếu là nghiên cứu sinh): 1.6. Các thay đổi trong quá trình đào tạo (nếu là nghiên cứu sinh) 1.7. Tên đề tài luận văn/luận án: 1.8. Chuyên ngành: 1.9. Mã số: 1.10. Cán bộ hướng dẫn khoa học: 1. 2. 2. Tóm tắt kết quả (giữ nguyên cỡ chữ) . 3. Khả năng ứng dụng thực tiễn (Không bắt buộc đối với luận văn cao học, giữ nguyên cỡ chữ) . 4. Những hướng nghiên cứu tiếp theo (Không bắt buộc đối với luận văn cao học, giữ nguyên cỡ chữ) . 5. Các công trình công bố có liên quan (đối với luận án nghiên cứu sinh)/ Trích dẫn (đối với luận văn cao học), giữ nguyên cỡ chữ [1] [2] [3] Tóm tắt luận văn tiến sỹ: "Một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn" Đỗ Văn Quân 1. Các thông tin chung 1.1. Họ và tên nghiên cứu sinh: Đỗ Văn Quân 1.2. Giới tính: Nam 1.3. Ngày sinh: 07/09/1960 1.4. Nơi sinh: Vĩnh Phúc 1.5. Quyết định công nhận nghiên cứu sinh số: 139/ SĐH, ngày 05 tháng 4 năm 2007 1.6. Các thay đổi trong quá trình đào tạo: không 1.7. Tên đề tài luận văn luận án: Một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn 1.8. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán. 1.9. Mã số: 62 44 01 01 1.10. Cán bộ hướng dẫn khoa học: 1. GS.TS Nguyễn Quang An 2. GS.TS Bùi Tiến Lê 2. Tóm tắt kết quả 2.1. Thiết lập được phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm, biểu thức giải tích hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng hợp phần cho cả hai trường hợp có từ trường và không có từ trường. 2.2. Thiết lập được phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm và biểu thức giải tích hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ manh bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp, cho cả hai trường hợp có từ trường và không có từ trường. 2.3. Thiết lập được phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm và biểu giải tích hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh bởi điện tử giam cầm trong giếng lượng tử, cho cả hai trường hợp có từ trường và không có từ trường. 3. Khả năng ứng dụng thực tiễn 3.1. Là cơ sở lý thuyết nghiên cứu và chế tạo các linh kiện điện tử siêu nhỏ thông minh và đa năng. Ví dụ có tính chất minh họa 3.2. Là cơ sở lý thuyết để nghiên cứu các hiệu ứng động mới trong hệ hai chiều nói riêng và hệ bán dẫn thấp chiều nói chung. 4. Những hướng nghiên cứu tiếp theo 4.1. Nghiên cứu hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh bởi điện tử giam cầm trong các hệ thấp chiều như: hệ một chiều (các dây lượng tử), hệ không chiều (các chấm lượng tử). 4.2. Nghiên cứu các hiện tượng cộng hưởng tham số và biến đổi tham số giữa phonon âm giam cầm và phonon quang giam cầm trong bán dẫn siêu mạng, và trong các hệ bán dẫn một chiều, không chiều. 5. Các công trình công bố có liên quan 1. Do Van Quan, Le Thi Thu Phuong, Nguyen Vu Nhan and Nguyen Quan An (2008), “On the Nonlinear Absorption Coefficient of a Strong Electromagnetic Wave Caused by Confined Electrons in Quantum Wells”, AMSN-NhaTrang, Vietnam-September 15-21, pp.921-926. 2. Nguyen Thuan, Do Van Quan, Nguyen Quan An (2008), “Influence of Magnetic Field on the Nonlinear Absorption coefficient of a Strong electromagnetic Wave by Confined Electrons in Doping Superlattices” VNU Journal of Science, Mathematics-Physics, No.24, 1S, pp. 232-235. 3. Do Van Quan, Nguyen Quan An, Hoang Dinh Trung, Nguyen Thi Le (2008), “Calculations of The Nonlinear Absorption Coefficient of a Strong Electromagnetic Wave by Confined Electrons in the Compositional Superlattices”, VNU Journal of Science, Mathematics- Physics, No.24, 1S, pp. 236-239. 4. Nguyen Thi Lê, Le Thai,, Do Van Quan, Nguyen Quang An (2008), “The Parametric Resonance of Confined Acoustic Phonons in Quantum Wells”, VNU Journal of Science, Mathematics-Physics, No.24, 1S, pp.240- 243. 5. Nguyen Quan An, Do Van Quan, Nguyen Nguyet Nga (2009), “The Nonlinear Absorption Coefficient of a Strong Electromagnetic Wave Caused by Confined Electrons in Quantum Wells”, Journal of the KoreanPhysical Society, Vol. 54, No. 2, pp.765-773.