ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH PTN CÔNG NGHỆ NANO NGUYỄN DUY AN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CẢM BIẾN ĐIỆN HÓA SỬ DỤNG MÀNG MỎNG NANO POLYME DẪN ĐIỆN ỨNG DỤNG ĐO NỒNG ĐỘ ƠXY HỊA TAN TRONG NƯỚC LUẬN VĂN THẠC SĨ : VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANO Thành phố Hồ Chí Minh - 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH PTN CÔNG NGHỆ NANO NGUYỄN DUY AN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CẢM BIẾN ĐIỆN HÓA SỬ DỤNG MÀNG MỎNG NANO POLYME DẪN ĐIỆN ỨNG DỤNG ĐO NỒNG ĐỘ ƠXY HỊA TAN TRONG NƯỚC Chuyên ngành: Vật liệu linh kiện nano Mã số: Chuyên ngành đào tạo thí điểm LUẬN VĂN THẠC SĨ : VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANO NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC : TS Đồn Đức Chánh Tín Thành phố Hồ Chí Minh - 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CƠNG NGHỆ CỘNG HỊA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự - Hạnh phúc Hà Nội, ngày tháng năm 2015 BẢN XÁC NHẬN ĐÃ SỬA CHỮA CÁC THIẾU SÓT CỦA LUẬN VĂN Trường Đại học Cơng nghệ có Quyết định số 397/QĐ-ĐT ngày 19 tháng 6năm 2015 việc thành lập Hội đồng chấm luận văn Thạc sĩ cho học viên Nguyễn Duy An,sinh ngày 15/6/1984 Đồng Nai, chuyên ngành: Vật liệu linh kiện nano Ngày 26 tháng năm 2015, Trường Đại học Công nghệ (ĐHCN) tổ chức cho học viên bảo vệ luận văn Thạc sĩ trước Hội đồng chấm (có biên kèm theo) Theo Quyết nghị Hội đồng chấm luận văn Thạc sĩ, học viên phải bổ sung sửa chữa điểm sau trước nộp luận văn cuối cho Nhà trường để hoàn thiện hồ sơ sau bảo vệ: Bổ sung kích thước độ dày lớp phủ điện cực (như: Si, SiO2, Ti, Pt) Ngày … tháng … năm … , học viên nộp luận văn có chỉnh sửa Chúng tơi nhận thấy nội dung, hình thức luận văn tóm tắt luận văn sửa chữa, bổ sung theo điểm Quyết nghị Đề nghị Trường Đại học Công nghệ, ĐHQG HN cho phép học viên làm thủ tục khác để công nhận cấp Thạc sĩ Xin trân trọng cảm ơn! XÁC NHẬN CỦA THÀNH VIÊN HỘI ĐỒNG/HỘI ĐỒNG ĐỀ NGHỊ HỌC VIÊN SỬA CHỮA LUẬN VĂN HỌC VIÊN CÁN BỘ HƯỚNG DẪN XÁC NHẬN CỦA TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ LỜI CÁM ƠN Đầu tiên xin gửi đến Thầy hướng dẫn luận văn TS Đoàn Đức Chánh Tín lời cảm ơn sâu sắc, người tận tình hướng dẫn truyền đạt cho kinh nghiệm, kiến thức quý báu theo sát giúp đỡ, tạo điều kiện cho suốt trình làm luận văn Tơi xin chân thành cảm ơn HVCH Tô Diễn Thiện CN Nguyễn VĩnhSơn Tùng tận tình hướng dẫn, giúp đỡ có góp ý bổ ích cho tơi q trình thực luận văn Tôi xin gửi lời cảm ơn đến PGS.TS Đặng Mậu Chiến, Giám đốc Phịng thí nghiệm Cơng nghệ Nano, tồn thể anh chị em làm việc tạo điều kiện thuận lợi có giúp đỡ, hỗ trợ để tơi thực thí nghiệm luận văn này.Và vô biết ơn quý thầy cô giảng dạy lớp K8 hai năm qua Chân thành cảm ơn bạn bè tôi, đồng nghiệp tạinơi công tác tạo điều kiện công việc giúp đỡ thời gian suốt thời gian làm luận văn Cám ơn Ba Mẹ người thân gia đình khơng ngừng khích lệ để tơi hồn thành luận văn LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu khoa học hướng dẫn TS Đồn Đức Chánh Tín Các số liệu kết luận văn hoàn toàn trung thực Học viên Nguyễn Duy An 55 Tuần Tuần Tuần Tuần Hình 13Ảnh chụpbề mặt điện cực tuần,quan sátbằng kính hiển vi BX-41 Kết quan sát bề mặt điện cựcqua tuần kính hiển vi BX-41 Hình 3.13, chế độ quan sát ánh sáng bình thường, thời gian tiếp xúc 18 giây Hình ảnh sau chụp qua tuần cho thấy thay đổi rõ rệt lớp màng PANI-LB bề mặt điện cực có dấu hiệu thay đổi, lớp màng PANI-LB bị ăn mịn qua tuần đo chip hỏng tuần đo thứ 3.2.3 Khảo sát thay đổi tổng trở màng PANI-EB màng PANI-LB 3.2.3.1 Khảo sát thay đổi tổng trở màng PANI-EB Tính chất màng PANI-EB cấp điện xoay chiều khảo sát thiết bị điện hóa PGSTAT 302n Autolab phần mềm Nova 1.8 thiết lập thông số “FRA impedance potentiostatic” để quét phổ tổng trở, thông số thiết lập sau: Dải tần số quét:10-1 Hz đến 103 Hz Biên độ điện quét: 0,01V Thời gian quét: ÷ phút Tổng trở Z điện cực đo dung dịch điện ly có nồng độ ôxy khác biểu diễn đồ thị Nyquist, sơ đồ mạch tương đương với thành phần như: điện trở dung dịch điện ly Rs, điện dung lớp màng phủ Cc, điện trở lỗ nhỏ (kích thước micro) bề mặt màng Rpo, điện dung lớp điện tích kép 56 màng Cdl, điện trở chuyển dời điện tích Rct, điện dung khuếch tán màng Cdiff, điện trở khuếch tán màng Rdiff Hình 14Biểu đồ Nyquist sơ đồ mạch thay chip Pt/PANI-EB đo phổ tổng trở nồng độ ôxy 1,5 ppm dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện quét 0,01V Kết dạng đồ thị Nyquist sơ đồ mạch thay tương đương Hình 3.14 có hình dạnghình bán nguyệt cho thấy mạch điện mô từ đồ thị Nyquist có điện trở dung dịch RS mắc nối tiếp tổng trở Z1(điện trở chuyển điện tích lớp màng Rpo mắc song song với điện dung lớp màng) nối tiếp Z2(điện trở chuyển điện tích từ lớp màng sang điện cực mắc song song với điện dung lớp điện tích kép) Điều cho thấy nồng độ lớp phủ PANI-EB bề mặt điện cực phủ màng khơngbị tác động ion có dung dịch điện ly Kết dạng đồ thị Nyquist sơ đồ mạch thay Hình 3.15 có hình bán nguyệt cho thấy mạch điện mô từ đồ thị Nyquist có điện trở RS tụ điện CC Ngồi cịn có ảnh hưởng điện trở Rpo lỗ nhỏ điện dung lớp điện tích kép Cdl mắc song song với điện trở chuyển điện tích Rct lớp màng PANI-EB Kết mạch thay tương đương cho thấy lúc bề mặt màng PANI-EB bắt đầu hình thành vơ số lỗ nhỏ dẫn từ bề mặt màng xuống lớp kim loại bên cho phân tử nước, phân tử ôxy tới bề mặt lớp kim loại trình phản ứng xảy Do kết giá trị điện trở lỗ Rpo điện trở chuyển dời điện tích Rct từ mạch tương đương lớn 57 Hình 15Biểu đồ Nyquist sơ đồ mạch thay chip Pt/PANI-EB đo tổng trở nồng độ ôxy ppm dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện quét 0,01V Hình 16Biểu đồ Nyquist sơ đồ mạch thay chip Pt/PANI-EB đo tổng trở nồng độ ôxy 5,82 ppm dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz;biên độ điện quét 0,01V Kết mạch thay tương đương Hình 3.16 có hình bán nguyệt cho thấy mạch điện mô từ đồ thị Nyquist ngồi thành phần có mạch tương đương trường hợp Hình 3.15, lúc mạch xuất thêm trở kháng khuếch tán Warburg gồm điện dung khuếch tán điện trở khuếch tán hình 58 thành ion OH- có xuất ôxy Tuy nhiên giai đoạn trình khuếch tán bắt đầu hình thành giá trị điện dung khuếch tán nhỏ điện trở khuếch tán lớn Hình 17Biểu đồ Nyquist chip Pt/PANI-EB đo tổng trở nồng độ ôxy 9,77 ppm;dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz;biên độ điện 0,01V Hình 18Biểu đồ Nyquist chip Pt/PANI-EB đo tổng trở nồng độ ôxy 16,05 ppm;dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz;biên độ điện quét 0,01V 59 Hình 19Biểu đồ Nyquist chip Pt/PANI-EB đo tổng trở nồng độ ôxy 26 ppm dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz;biên độ điện quét 0,01V Kết đồ thị Nyquist mạch thay tương đương tương Hình 3.17, Hình 3.18 Hình 3.19 tương tự Hình 3.16 Kết thành phần có mạch đưa vào Bảng 3.3 Các giá trị Bảng 3.3 cho thấy từ xuất thêm trở kháng khuếch tán Warburg (gồm điện dung khuếch tán điện trở khuếch tán) hình thành ion OH- qua lỗ trống màng Nồng độ ơxy cao xuất ion OH- lớn giá trị điện dung khuếch tán tăng theo giá trị điện trở khuếch tán giảm Bảng 3 Điện trở điện dung mạch tương đương tương ứng với nồng độ ôxy khác Nồng độ ôxy RS Rpo Cc Rct Cdl Rdiff Cdiff (ppm) 9,77 -8,66kΩ 8,76kΩ 266pF 8,6kΩ 3,99µF 7,4kΩ 42,9µF 16,05 71,9Ω 4,38kΩ 2,38µF 7,04kΩ 1,42µF 9,31kΩ 39,4µF 26,00 63,8 Ω 6,42kΩ 3,35µF 4,82kΩ 10,6µF 6,73kΩ 80,7µF 60 Hình 20Biểu đồ Bode đo chip Pt/PANI-EB dung dịch NaCl 2o/oo nồng độ ôxy khác nhau, tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz Từ kết đồ thị Bode điện cực Pt/PANI-EB (Hình 3.20) thấy chip khơng có thay đổi tần số Hz mà thay đổi xuất rõ tần số thấp Hz xuất trở kháng Warburg Tổng trở chip có chênh lệch lớn nồng độ ôxy khác Ở nồng độ ôxy 5,82 ppm trở lên, tổng trở thay đổi không nhiều điện trở mạch thay đổi khơng nhiều có điện dung thay đổi làm cho tổng trở giảm Nguyên nhân ngâm dung dịch điện ly cấu trúc màng PANI-EB chuyển sang trạng thái kích thích lỗ trống tự di chuyển mạch polyme Các lỗ trống góp phần làm tăng độ dẫn điện để ion OH- dung dịch nhanh chóng khuếch tán qua màng Từ kết đo kết hợp với thông số R,C từ sơ đồ mạch thay chứng tỏ đặt nguồn điện xoay chiều vào cảm biến, giá trị điện dung khuếch tán có ảnh hưởng lớn có xuất ơxy Từ khi có xuất giá trị điện dung khuếch tán giá trị khác mạch thay đổi có giá trị tăng nhiều có xuất ôxy 3.2.3.2 Khảo sát thay đổi tổng trở màng PANI-LB Tính chất màng PANI-LBkhi cấp điện xoay chiềuđược khảo sát thiết bị điện hóa PGSTAT 302n Autolabsử dụng phần mềm Nova 1.8 thiết lập thông số “FRA impedance potentiostatic” để quét phổ tổng trở, thông số thiết lập sau: Dải tần số quét:10-1 Hz đến 103 Hz Biên độ điện quét: 0,01V Thời gian quét: ÷ phút 61 Tổng trở Z điện cực đo dung dịch điện ly có nồng độ ôxy khác biểu diễn đồ thịNyquist, sơ đồ mạch tương đương với thành phần như: Điện trở dung dịch điện ly Rs, điện dung lớp màng phủ Cc, điện trở lỗ nhỏ (kích thước micro) bề mặt màng Rpo, điện dung lớp điện tích kép màng Cdl, điện trở chuyển dời điện tích Rct, điện dung khuếch tán màng Cdiff, điện trở khuếch tán màng Rdiff Hình 21Biểu đồ Nyquist sơ đồ mạch thay chip Pt/PANI-LB đo tổng trở nồng độ ôxy 1,5 ppm dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện quét 0,01V Kết dạng đồ thị Nyquist sơ đồ mạch thay Hình 3.21 có hình dạnghình bán nguyệt cho thấy mạch điện mơ từ đồ thị Nyquist có điện trở RS tụ điện CC Ngồi cịn có ảnh hưởng điện trở Rpo lỗ nhỏ điện dung Cc lớp màng PANI-LB Từ biểu đồ sơ đồ mạch thay tương đương Hình 3.21 cho thấycó thể lúc bề mặt màng bắt đầu hình thành vô số lỗ nhỏ dẫn từ bề mặt màng xuống lớp kim loại bên cho phân tử nước, phân tử ôxy tới bề mặt lớp kim loại, trình phản ứng xảy Do kết từ mạch tương đương cho giá trị điện trở lỗ điện trở chuyển dời điện tích lớn Kết mạch thay tương đương Hình 3.22 có hình dáng hình bán nguyệt cho thấy mạch điện mơ từ đồ thị Nyquist ngồi thành phần có mạch tương đương trường hợp Hình 3.21 lúc mạch xuất thêm trở kháng khuếch tán Warburg (gồm điện dung khuếch tán điện trở khuếch tán) hình thành ion OH- có xuất ôxy Tuy nhiên giai đoạn trình khuếch tán bắt đầu hình thành giá trị điện dung khuếch tán nhỏ điện trở khuếch tán lớn 62 Hình 22 Biểu đồ Nyquist sơ đồ mạch thay chip Pt/PANI-LB đo tổng trở nồng độ ôxy ppm dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện quét 0,01V Hình 23 Biểu đồ Nyquist sơ đồ mạch thay chip Pt/PANI-LB đo tổng trở nồng độ ôxy 5,82 ppm; dung dịch điện ly NaCl o/oo;tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện quét 0,01V 63 Hình 24Biểu đồ Nyquist chip Pt/PANI-LB đo tổng trở nồng độ ôxy 9,77 ppm; dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz ;biên độ điện quét 0,01V Hình 25 Biểu đồ Nyquist chip Pt/PANI-LB đo tổng trở nồng độ ôxy 16,05 ppm; dung dịch điện ly NaCl o/oo; tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện quét 0,01V 64 Hình 26Biểu đồ Nyquist chip Pt/PANI-LB đo tổng trở nồng độ ôxy 26,00ppm; dung dịch điện ly NaCl o/oo; dãy tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện thế0,01V Kết mạch thay Hình 3.23, Hình 3.24, Hình 3.25, Hình 3.26 kết hợp với giá trị Bảng 3.4 (các giá trị điện trở điện dung mạch tương đương) cho thấy từ xuất thêm trở kháng khuếch tán Warburg gồm điện dung khuếch tán điện trở khuếch tán hình thành ion OH- qua lỗ trống màng, nồng độ ơxy cao xuất ion OH- dung dịch điện lycàng nhiều giá trị điện dung khuếch tán tăng theo giá trị điện trở khuếch tán giảm Bảng Điện trở điện dung mạch tương đương điện cực phủ PANI-LB tương ứng với nồng độ ôxy khác Nồng độ ôxy RS Rpo Cc Rct Cdl Rdiff Cdiff (ppm) 9,77 34,5 Ω 1,01 kΩ 4,77 µF 3,59 kΩ 1,87 µF 2,14 kΩ 383 µF 16,05 43,4 Ω 1,23 kΩ 3,74 µF 3,47 kΩ 1,7 µF 1,86 kΩ 584 µF 26,00 42,6 Ω 1,06 kΩ 3,74 µF 3,6 kΩ 1,52 µF 1,80 kΩ 729 µF Kết đồ thị Bode điện cực Pt/PANI-LB Hình 3.27 thấy chip khơng có thay đổi tần số Hz mà thay đổi xuất tần số thấp Hz xuất trở kháng Warburg Tổng trở chip có chênh lệch nồng độ ôxy khác Tuy nhiên nồng độ ôxy 5,82 ppm trở lên, phổ tổng trở thay đổi không nhiều điện trở mạch thay đổi không nhiều, có điện dung thay đổi làm tổng trở giảm.Nguyên nhân ngâm dung dịch điện ly cấu trúc màng PANI-LB chuyển sang trạng thái kích thích lỗ trống tự di 65 chuyển mạch polyme Các lỗ trống góp phần làm tăng độ dẫn điện để ion OH- hình thành dung dịch nhanh chóng khuếch tán qua màng Hình 27Biểu đồ Bode đo chip Pt/PANI-LB dung dịch NaCl 2o/oo nồng độ ôxy khác nhau, tần số quét 0,1 Hz ÷ kHz; biên độ điện thế0,01V Từ kết đo kết hợp với thông số R,C Bảng 3.4 từ sơ đồ mạch thay chứng tỏ đặt nguồn điện xoay chiều vào cảm biến giá trị điện dung khuếch tán có ảnh hưởng lớn có xuất ơxy Khi có xuất giá trị điện dung khuếch tán mạch tương đương giá trị khác mạch thay đổi có giá trị thay đổi nhiều có xuất ơxy 66 KẾT LUẬN VÀ ĐỊNH HƯỚNG PHÁT TRIỂN CHO ĐỀ TÀI Kết luận Cảm biến điện hóa đo nồng độ ôxyđược chế tạo dựa trình quang khắc phún xạ cho kết tốt, platin bám dính tốt đế cách điện Si/ SiO2 nhờ lớp màng mỏng titan.Cảm biến sử dụng tuần chip PANI-EB tuần chip PANI-LB cho kết tốt Polyaniline emeraldine base (PANI-EB) Polyaniline leucoemeraldine base (PANI-LB)có thể làm màng phủ điện cực chế tạo cảm biến đo nồng độ ơxy hịa tan Kết qt vịng tuần hồn điện cực phủ PANI-EB PANI-LB cho thấy có mối liên hệ nồng độ ơxy hịa tan cường độ dịng điện sinh ra, tăng nồng độ ơxy cường độ dịng điện tăng Tuy nhiên, thông qua kết so sánh khác tín hiệu cường độ dịng điện trạng thái bão hịa nitơ, phương trình hồi quy, hệ số tin cậy R2 kết so sánh độ nhạy chip PANI-LB cho kết tốt chip PANI-EB độ nhạy, độ ổn định tính lặp lại Chip PANI-EB chip PANI-LB ghi nhận tín hiệu nồng độ ơxy tốt từ 1,5 ppm trở lên có dấu hiệu bão hịa nồng độ ôxy 15 ppm Kết khảo sát phổ trở kháng cho thấy tổng trở Z màng PANI-EB, PANILBkhi đo nồng độ ơxy hịa tan từ 5,82 trở lên thay đổi chịu ảnh hưởng điện dung Cdiff Từ kết nghiên cứu tác giả đề xuất chọn PANI-LBđể sử dụng làm vật liệu cảm biến đo nồng độ ơxy hịa tan, dùng vài lần thời gian sống cảm biến đo tuần Cảm biến đo nồng độ ơxy hịa tan sử dụng PANI-LB có ưu điểm chế tạo đơn giản, polyaniline dễ tổng hợp có giá thành rẻ loại màng nhạy khí ôxy khác Những định hướng phát triển cho đề tài Khảo sát thêm phương pháp tạo màng khác phủ nhúng (dip coating), phủ quay (spin coating), với phương pháp tạo màng độ đồng màng tăng cao, có độ ổn định tín hiệu đo cho tín hiệu tốt Nghiên cứu phủ màng bảo vệ cho lớp màng PANI, cho ôxy khuếch tán qua nhằm loại bỏ tạp chất gây nhiễu tín hiệu Phát triển thành đầu dị cảm biến đo DO, ứng dụng thực tế 67 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 10 11 12 13 14 15 16 17 18 http://www.lenntech.com/why_the_oxygen_dissolved_is_important.htm Geniès, E M.; Lapkowski, M.; Penneau, J F., Cyclic voltammetry of polyaniline: interpretation of the middle peak Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry 1988, 249, (1–2), 97-107 Bencsik, G.; Janáky, C.; Endrődi, B.; Visy, C., Electrocatalytic properties of the polypyrrole/magnetite hybrid modified electrode towards the reduction of hydrogen peroxide in the presence of dissolved oxygen Electrochimica Acta 2012, 73, (0), 53-58 Li, M.; Ornelas, I M.; Liu, W.; Niu, Y.; Correia, J P.; Viana, A S.; Jin, G., Improved Potentiometric and Optic Sensitivity of Polyaniline Film to Dissolved Oxygen by Incorporating Iron-Porphyrin Electroanalysis 2015 Xiao, X.; Zhou, B.; Tan, L.; Tang, H.; Zhang, Y.; Xie, Q.; Yao, S., Poly(methylene blue) doped silica nanocomposites with crosslinked cage structure: Electropolymerization, characterization and catalytic activity for reduction of dissolved oxygen Electrochimica Acta 2011, 56, (27), 1005510063 Sánchez-Pedreño, C.; Ortuño, J A.; Hernández, J., Determination of chlorine and dissolved oxygen in waters and of ascorbic acid in pharmaceuticals by iodimetric potentiometric titration using a plasticized poly(vinyl chloride) membrane electrode Analytica Chimica Acta 1996, 333, (1–2), 107-113 http://clearclean.wordpress.com/do/ http://www.vietlinh.vn/library/environment_weather/oxy.asp http://vibo.com.vn/NewsDetail.aspx?newsId=150 http://www.fondriest.com/environmental-measurements/equipment/measuringwater-quality/dissolved-oxygen-sensors-and-methods/ Y.Incorporated, The Dissolved Oxygen Handbook: a practical guide to dissolved oxygen measurements www.ysi.com/weknowdo, 2009 Wang, P.; Liu, Y.; Abruña, H D.; Spector, J A.; Olbricht, W L., Micromachined dissolved oxygen sensor based on solid polymer electrolyte Sensors and Actuators B: Chemical 2011, 153, (1), 145-151 Chou, T C.; Ng, K M.; Wang, S H., Gold-solid polymer electrolyte sensor for detecting dissolved oxygen in water Sensors and Actuators B: Chemical 2000, 66, (1–3), 184-186 Shim, Y B.; Stilwell, D E.; Park, S M., Electrochemistry of conductive polymer X: Polyaniline-based potentiometric sensor for dissolved oxygen Electroanalysis 1991, 3, (1), 31-36 Hwang, G.-W.; Wu, K.-Y.; Hua, M.-Y.; Lee, H.-T.; Chen, S.-A., Structures and properties of the soluble polyanilines, N-alkylated emeraldine bases Synthetic Metals 1998, 92, (1), 39-46 Nicolas-Debarnot, D.; Poncin-Epaillard, F., Polyaniline as a new sensitive layer for gas sensors Analytica Chimica Acta 2003, 475, (1–2), 1-15 Ram, M K.; Mascetti, G.; Paddeu, S.; Maccioni, E.; Nicolini, C., Optical, structural and fluorescence microscopic studies on reduced form of polyaniline: The leucoemeraldine base Synthetic Metals 1997, 89, (1), 63-69 Fernandez-Perez, B.; Gonzalez-Guzman, J.; Gonzalez, S.; Souto, R., Electrochemical Impedance Spectroscopy Investigation of the Corrosion Resistance of a Waterborne Acrylic Coating Containing Active Electrochemical 68 19 20 21 22 23 Pigments for the Protection of Carbon Steel Int J Electrochem Sci 2014, 9, 2067-2079 Darling, R., Photolithography University of Washington, Center for Applied Microtechnology 2010 http://www.directvacuum.com/PDF/what_is_sputtering.pdf Kissinger, P T.; Heineman, W R., Cyclic voltammetry In Journal of Chemical Education, 1983; Vol 60, p 702 Lasia, A., Electrochemical impedance spectroscopy and its applications In Modern aspects of electrochemistry, Springer: 2002; pp 143-248 http://www.microchemicals.com/downloads/application_notes.html 69 DANH MỤC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN Thien Dien TO, Tung Son Vinh NGUYEN, Tien Van TRAN, An Duy NGUYEN, Ngan Nguyen LE, Tin Chanh Duc DOAN, Chien Mau DANG, “Polyaniline-coated electrodes for detection of dissolved oxygen levels in solution”, IOSR Journal of Engineering (IOSRJEN), ISSN (e): 2250-3021, ISSN (p): 2278-8719 Vol 05, Issue 05 (May 2015), ||V2|| PP 14-22 ... CÔNG NGHỆ NANO NGUYỄN DUY AN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CẢM BIẾN ĐIỆN HÓA SỬ DỤNG MÀNG MỎNG NANO POLYME DẪN ĐIỆN ỨNG DỤNG ĐO NỒNG ĐỘ ƠXY HỊA TAN TRONG NƯỚC Chuyên ngành: Vật liệu linh kiện nano Mã số:... 1.4.3.4 Hòa tan PANI 17 1.5 Cảm biến điện hóa sử dụng PANI đo nồng độ ơxy hịa tan 18 1.5.1 Cấu tạo cảm biến điện hóa đo nồng độ ơxy hịa tan 18 1.5.2 Cơ chế hoạt động cảm biến điện. .. hịa tan sử dụng màng mỏng polyme dẫn điện để thay loại máy đo nồng độ ơxy có Khả ứng dụng thực tiễn cảm biến sử dụng để đo nồng độ? ?xy ao hồ nuôi thủy hải sản (môi trường nuôi tôm), đo nồng độ? ?xy