Đang tải... (xem toàn văn)
Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 6989-1-3:2008 là tiêu chuẩn cơ bản qui định đặc điểm và hiệu chuẩn kẹp hấp thụ dùng cho phép đo công suất nhiễu tần số rađiô trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 6989-1-3 : 2008 CISPR 16-1-3 : 2004 YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ – PHẦN 1-3: THIẾT BỊ ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ – THIẾT BỊ PHỤ TRỢ – CÔNG SUẤT NHIỄU Specification for radio disturbances and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-3: Radio disturbances and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Disturbance power Lời nói đầu TCVN 6989-1-3: 2008 hồn tồn tương đương với tiêu chuẩn CISPR 16-1-3: 2005; TCVN 6989-1-3: 2008 Ban kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học Công nghệ công bố Lời giới thiệu TCVN 6989-1: 2003 (CISPR 16-1) biên soạn lại thành tiêu chuẩn theo phương pháp chấp nhận tiêu chuẩn quốc tế, có tiêu đề chung “Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số radio” Các phần TCVN sau: TCVN 6989-1-1: 2008: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số radio – Thiết bị đo TCVN 6989-1-3: 2008: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số radio – Thiết bị đo phụ trợ – Công suất nhiễu TCVN 6989-1-5: 2008: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số radio – Vị trí thử nghiệm hiệu chuẩn anten dải tần từ 30MHz đến 000MHz Trong thời gian chưa có TCVN 6989-1-2 TCVN 6989-1-4, nội dung tương ứng TCVN 6989-1: 2003 (CISPR16-1) có hiệu lực áp dụng Cấu trúc tiêu chuẩn quốc tế CISPR 16 gồm phần chia thành 14 tiêu chuẩn sau: 1) CISPR 16-1-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus – Measurement apparatus 2) CISPR 16-1-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Conducted disturbance 3) CISPR 16-1-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-3: Radio disturbance and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Disturbance power 4) CISPR 16-1-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Radiated disturbance 5) CISPR 16-1-5, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-5: Radio disturbance and immunity measuring apparatus – Antenna calibration test sites for 30 MHz to 000 MHz 6) CISPR 16-2-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-1: Methods of measurement of disturbances and immunity – Conducted disturbance measurements 7) CISPR 16-2-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-2: Methods of measurement of disturbances and immunity – Measurements of disturbance power 8) CISPR 16-2-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity – Radiated disturbance measurements 9) CISPR 16-2-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity – Immunity measurements 10) CISPR 16-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 3: CISPR technical reports 11) CISPR 16-4-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-1: Uncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in standardized EMC tests 12) CISPR 16-4-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling – Uncertainties in EMC measurements 13) CISPR 16-4-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-3: Uncertainties, statistics and limit modelling – Statistics considerations in the determination of EMC compliance of mass-produced products 14) CISPR 16-4-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-4: Uncertainties, statistics and limit modelling – Statistics of compliants and a model for the calculation of limits YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ – PHẦN 1-3: THIẾT BỊ ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ – THIẾT BỊ PHỤ TRỢ – CÔNG SUẤT NHIỄU Specification for radio disturbances and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-3: Radio disturbances and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Disturbance power Phạm vi áp dụng Tiêu chuẩn tiêu chuẩn qui định đặc điểm hiệu chuẩn kẹp hấp thụ dùng cho phép đo công suất nhiễu tần số rađiô dải tần từ 30 MHz đến GHz Tài liệu viện dẫn Các tài liệu viện dẫn cần thiết để áp dụng tiêu chuẩn Đối với tài liệu có ghi năm cơng bố, áp dụng nêu Đối với tài liệu không ghi năm công bố, áp dụng (kể sửa đổi) TCVN 6898-2-2: 2008 (CISPR 16-2-2: 2003), Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 2-2: Phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm – Đo công suất nhiễu) CISPR 16-1-2: 2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus – Ancillary equipment – Conducted disturbances (Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 1-2: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô – Thiết bị phụ trợ – Nhiễu dẫn) CISPR 16-4-2: 2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods – Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling – Measurement instrumentation uncertainties (Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô – Phần 4-2: Độ không đảm bảo đo, mơ hình thống kê giới hạn – Độ không đảm bảo dụng cụ đo) IEC 60050 (161): 1990, amendment1 (1997), amendment (1998), International Electrotechnical Vocabulary (IEV) − Chapter 161: Electromagnetic compatibility (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV) - Chương 161: Tương thích điện từ) Thuật ngữ định nghĩa 3.1 Xem IEC 60050-161, trường hợp thuộc đối tượng áp dụng 3.2 Chữ viết tắt ACA Cụm kẹp hấp thụ (Absorbing clamp assembly) ACMM Phương pháp đo kẹp hấp thụ (Absorbing clamp measurement method) ACRS Vị trí chuẩn kẹp hấp thụ (Absorbing clamp reference site) ACTS Vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (Absorbing clamp test site) CF Hệ số kẹp (Clamp factor) CRP Điểm kẹp chuẩn (Clamp reference point) DF Hệ số khử ghép (Decoupling factor) DR Hệ số khử ghép qui định việc khử ghép biến dòng khỏi trở kháng phương thức chung máy thu đo (Decoupling factor that specifies the decoupling of the current transformer from the common mode impedance of the measurement receiver) JTF Hệ số truyền đồ gá (Jig transfer factor) LUT Dây dẫn cần thử nghiệm (Lead under test) RTF Hệ số truyền chuẩn (Reference transfer factor) SAD Cơ cấu hấp thụ thứ cấp (Secondary absorbing device) SAR Phòng bán vang (Semi-anechoic room) SRP Điểm trượt chuẩn (Slide reference point) Thiết bị đo dùng kẹp hấp thụ 4.1 Lời giới thiệu Phép đo công suất nhiễu sử dụng kẹp hấp thụ phương pháp dùng để xác định nhiễu xạ dải tần 30 MHz Phương pháp đo thể cách tiếp cận thay để đo cường độ trường nhiễu OATS Phương pháp đo dùng kẹp hấp thụ (ACMM) mô tả điều TCVN 6989-2-2 (CISPR 16-2-2) ACMM sử dụng thiết bị đo đây: − cụm kẹp hấp thụ; − cấu hấp thụ thứ cấp; − vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ Hình đưa tóm tắt phương pháp đo dùng kẹp hấp thụ, gồm có thiết bị đo yêu cầu cho phương pháp với phương pháp hiệu chuẩn đánh giá hiệu lực thiết bị đo Yêu cầu thiết bị đo dùng cho ACMM qui định điều Mô tả chi tiết phương pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ đánh giá hiệu lực đặc điểm khác kẹp cấu hấp thụ thứ cấp mô tả Phụ lục B Mô tả chi tiết đánh giá hiệu lực vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ mô tả Phụ lục C Kẹp hấp thụ thích hợp cho phép đo nhiễu gây số loại thiết bị tùy thuộc vào cấu trúc kích thước Qui trình đo khả áp dụng qui trình cần qui định cho loại thiết bị Nếu riêng EUT (không tính dây nối) có kích thước đạt tới 1/4 bước sóng xảy xạ vỏ trực tiếp Cơng suất nhiễu thiết bị có dây dẫn nguồn dây dẫn ngồi xem cơng suất mà thiết bị cung cấp để dây dẫn nguồn đóng vai trò anten phát Công suất gần công suất cung cấp từ thiết bị cho cấu hấp thụ thích hợp đặt quanh dây dẫn vị trí có cơng suất hấp thụ lớn Khơng tính đến xạ trực tiếp từ thiết bị Thiết bị có dây dẫn ngồi khơng phải dây dẫn nguồn xạ lượng nhiễu từ dây dẫn này, kể có bọc khơng bọc, theo cách giống xạ từ dây dẫn nguồn Phép đo dùng kẹp hấp thụ thực loại dây dẫn Ứng dụng ACMM qui định chi tiết 7.9 TCVN 6989-2-2 (CISPR 16-2-2) 4.2 Cụm kẹp hấp thụ 4.2.1 Mô tả cụm kẹp hấp thụ Phụ lục A mô tả cấu trúc kẹp nêu ví dụ điển hình kiểu cấu trúc Cụm kẹp hấp thụ gồm có năm phận đây: − biến dòng RF băng tần rộng; − hấp thụ công suất RF băng tần rộng ổn định trở kháng cho dây dẫn cần thử nghiệm; − ống hấp thụ cụm xuyến ferit để giảm dòng RF bề mặt cáp đồng trục dẫn từ biến dòng đến máy thu đo; − suy giảm dB đầu kẹp hấp thụ cáp đồng trục nối với máy thu đo; − cáp đồng trục cáp máy thu Điểm kẹp chuẩn (CRP) vị trí tung độ mặt trước biến dòng bên kẹp Điểm chuẩn dùng để xác định vị trí kẹp qui trình đo CRP phải vỏ bên kẹp hấp thụ 4.2.2 Hệ số kẹp suy giảm vị trí kẹp Phép đo thực tế EUT sử dụng phương pháp ACMM biểu thị sơ đồ Hình Chi tiết ACMM nêu điều TCVN 6989-2-2 (CISPR 16-2-2) Phép đo công suất nhiễu dựa vào phép đo dòng điện khơng đối xứng EUT sinh ra, đo đầu vào kẹp hấp thụ sử dụng đầu dò dòng điện Xuyến hấp thụ kẹp xung quanh dây dẫn cần thử nghiệm cách ly biến dòng khỏi nhiễu nguồn Dòng điện lớn xác định cách di chuyển kẹp hấp thụ dọc theo dây dẫn nắn thẳng đóng vai trò đường truyền dẫn Đường truyền dẫn truyền trở kháng đầu vào kẹp hấp thụ đến đầu EUT Tại điểm điều chỉnh tối ưu, đo dòng điện nhiễu lớn đầu dò dòng điện điện áp nhiễu lớn đầu vào máy thu Trong trường hợp này, hệ số kẹp thực tế CFact kẹp hấp thụ liên kết tín hiệu đầu kẹp Vrec với giá trị cần đo, tức công suất nhiễu Peut EUT sau: Peut = CFact + Vrec Peut = cơng suất nhiễu EUT, tính dBpW; Vrec = cơng suất đo được, tính dB V; CFact = hệ số kẹp hấp thụ, tính dBpW/ V (1) Về mặt lý thuyết, mức cơng suất thu Prec, tính dBpW đầu vào máy thu tính cơng thức sau: Prec = Vrec – 10 log(Zi) = Vrec – 17 (2) Zi = 50 Ω, trở kháng đầu vào máy thu đo, Vrec = mức điện áp cần đo, tính dB V Sử dụng công thức (1) (2) rút mối liên quan cơng suất nhiễu P eut phát EUT công suất Prec nhận từ máy thu sau: Peut – Prec = CFact + 17 (3) Mối liên quan lý tưởng công suất nhiễu EUT công suất nhận từ máy thu xác định nhờ độ suy giảm vị trí kẹp thực tế Aact (tính dB) Aact ≡ Peut – Prec = CFact + 17 (4) Độ suy giảm vị trí kẹp hấp thụ phụ thuộc vào ba đặc điểm sau: − đặc điểm đáp ứng kẹp, − đặc điểm vị trí − đặc điểm EUT 4.2.3 Chức khử ghép kẹp hấp thụ Nếu biến dòng kẹp hấp thụ đo cơng suất nhiễu độ suy giảm khử ghép xuyến ferit xung quanh dây dẫn cần thử nghiệm thiết lập trở kháng không đối xứng khử ghép biến dòng khỏi đầu xa dây dẫn cần thử nghiệm Việc khử ghép giảm ảnh hưởng nhiễu nguồn đấu nối trở kháng đầu xa ảnh hưởng lên dòng điện đo Độ suy giảm khử ghép gọi hệ số khử ghép (DF) Cần có chức khử ghép thứ cấp cho kẹp hấp thụ Chức khử ghép thứ cấp việc khử ghép biến dòng khỏi trở kháng khơng đồng (hoặc phương thức chung) cáp máy thu Việc khử ghép đạt phần hấp thụ xuyến ferit cáp từ biến dòng vào máy thu đo Độ suy giảm khử ghép gọi hệ số khử ghép máy thu đo (DR) 4.2.4 Yêu cầu cụm kẹp hấp thụ (ACA) Kẹp hấp thụ dùng để đo công suất nhiễu phải đáp ứng yêu cầu đây: a) Hệ số kẹp thực tế (CFact) cụm kẹp hấp thụ, qui định 4.2.1 phải xác định theo phương pháp qui định mô tả Phụ lục B Độ không đảm bảo đo hệ số kẹp phải xác định theo yêu cầu cho Phụ lục B b) Hệ số khử ghép (DF) hấp thụ RF băng tần rộng ổn định trở kháng dùng cho dây dẫn cần thử nghiệm phải kiểm tra theo qui trình đo mơ tả Phụ lục B Hệ số khử ghép phải 21 dB cho toàn dải tần c) Chức khử ghép từ biến dòng đến đầu đo (DR) kẹp hấp thụ phải xác định theo qui trình đo mô tả Phụ lục B Hệ số khử ghép đến máy thu đo phải 30 dB cho toàn dải tần Giá trị 30 dB có 20,5 dB suy giảm từ kẹp hấp thụ 9,5 dB từ mạng ghép nối/khử ghép (CDN) d) Chiều dài vỏ kẹp phải 600 mm ± 40 mm e) Phải sử dụng suy giảm RF 50 Ω dB trực tiếp đầu kẹp 4.3 Các phương pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ mối liên quan chúng Mục đích hiệu chuẩn kẹp để xác định hệ số kẹp CF trường hợp giống với phép đo thực có EUT tốt Tuy nhiên, 4.2.2 hệ số kẹp hàm EUT, đặc điểm kẹp đặc điểm vị trí Vì lý tiêu chuẩn hóa (khả tái lập), phương pháp hiệu chuẩn phải sử dụng vị trí thử nghiệm có đặc điểm qui định, có khả tái lập, máy phát tín hiệu máy thu có khả tái lập Trong điều kiện này, biến lại kẹp hấp thụ xem xét Ba phương pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ xây dựng đây, phương pháp có ưu điểm, nhược điểm ứng dụng riêng (xem Bảng 1) Hình đưa tóm tắt theo sơ đồ ba phương pháp Nói chung, phương pháp hiệu chuẩn gồm có hai bước Đầu tiên, để làm chuẩn, sử dụng máy thu để đo trực tiếp công suất P gen máy phát RF (có trở kháng đầu 50 Ω) thông qua suy giảm 10 dB (Hình 3a) Tiếp đó, sử dụng ba phương pháp để đo kẹp cơng suất nhiễu máy phát RF suy giảm 10 dB a) Phương pháp gốc Phương pháp hiệu chuẩn bố trí kẹp hấp thụ gốc sử dụng vị trí chuẩn gồm có mặt phẳng chuẩn thẳng đứng, rộng (Hình 3b) Theo định nghĩa, phương pháp cho CF trực tiếp phương pháp hiệu chuẩn gốc dùng để xác định giới hạn, coi phương pháp chuẩn Dây dẫn cần thử nghiệm nối với dây dẫn nối xuyên mặt phẳng chuẩn thẳng đứng mặt sau mặt phẳng thẳng đứng này, nối xuyên nối với máy phát Với cấu hình hiệu chuẩn này, Porig đo cách di chuyển kẹp dọc theo dây dẫn cần thử nghiệm, theo qui trình mơ tả Phụ lục B cho đạt giá trị lớn tần số Độ suy giảm vị trí nhỏ Aorig hệ số kẹp hấp thụ CForig xác định sử dụng công thức đây: Aorig = Pgen – Porig 5) CForig = Aorig – 17 (6) Độ suy giảm vị trí nhỏ Aorig nằm khoảng từ 13 dB đến 22 dB b) Phương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá Phương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá sử dụng đồ gá thích nghi với chiều dài kẹp hấp thụ cần hiệu chuẩn cấu hấp thụ thứ cấp (SAD) Đồ gá đóng vai trò kết cấu chuẩn dùng cho kẹp hấp thụ (xem Hình 3c) Đối với cấu hình hiệu chuẩn này, P jig đo hàm tần số kẹp vị trí cố định bên đồ gá Độ suy giảm vị trí A jig hệ số kẹp hấp thụ CFjiig xác định công thức đây: Ajig = Pgen – Pjig (7) CFjig = Ajig – 17 (8) c) Phương pháp thiết bị chuẩn Phương pháp thiết bị chuẩn sử dụng vị trí chuẩn (khơng có mặt phẳng chuẩn thẳng đứng) thiết bị chuẩn cấp tín hiệu qua dây dẫn cần thử nghiệm có kết cấu đồng trục dùng cho mục đích (xem Hình 3d) Đối với kết cấu hiệu chuẩn này, Pref đo di chuyển kẹp hấp thụ dọc dây dẫn cần thử nghiệm theo qui trình mơ tả Phụ lục A cho đạt giá trị lớn tần số Độ suy giảm vị trí Aref hệ số kẹp hấp thụ CFref xác định công thức đây: Aref = Pgen – Pref (9) CFref = Aref – 17 (10) Phụ lục B mô tả chi tiết ba phương pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ Bản khảo sát ba phương pháp hiệu chuẩn kẹp đưa Hình Hình đưa mối liên quan phương pháp đo kẹp phương pháp hiệu chuẩn kẹp vai trò vị trí chuẩn CHÚ THÍCH: Hiệu chuẩn kẹp, suy giảm cáp phải thực Hệ số kẹp hấp thụ có nhờ phương pháp đồ gá thiết bị chuẩn (CF jig, CFref) có khác hệ thống so với hệ số kẹp hấp thụ gốc CForig Cần phải thiết lập cách có hệ thống quan hệ hệ số kẹp khác Hệ số truyền đồ gá JTF tính bằng: JTF = CFjig – CForig (11) JTF, tính dB, cần nhà chế tạo xác định cho kiểu kẹp hấp thụ Nhà chế tạo phòng thử nghiệm hiệu chuẩn cơng nhận có nhiệm vụ phải xác định JTF cách tính trung bình kết năm lần hiệu chuẩn tái lập cho năm thiết bị loạt sản xuất Tương tự, hệ số truyền chuẩn RTF xác định bởi: RTF = CFref – CForig (12) Tương tự vậy, RTF, tính dB, cần nhà chế tạo xác định cho kiểu kẹp hấp thụ Nhà chế tạo phòng thử nghiệm hiệu chuẩn cơng nhận có nhiệm vụ phải xác định RTF cách tính trung bình kết năm lần hiệu chuẩn tái lập cho năm thiết bị loạt sản xuất Tóm lại, phương pháp hiệu chuẩn gốc cho giá trị CF orig trực tiếp Phương pháp đồ gá phương pháp thiết bị chuẩn cho CFjig CFref tương ứng, từ hệ số kẹp hấp thụ gốc tính cơng thức (11) (12) 4.4 Cơ cấu hấp thụ thứ cấp Ngoài phần hấp thụ kẹp, cấu hấp thụ thứ cấp (SAD) sau kẹp hấp thụ phải đặt vào để giảm độ không đảm bảo đo Chức SAD để cung cấp độ suy giảm độ suy giảm độ suy giảm khử ghép kẹp hấp thụ SAD phải di chuyển theo cách giống kẹp hấp thụ hiệu chuẩn đo Vì vậy, SAD cần có bánh xe để điều chỉnh q trình quét Kích thước SAD phải cho dây dẫn cần thử nghiệm độ cao kẹp hấp thụ Hệ số khử ghép SAD phải kiểm tra theo qui trình đo mơ tả Phụ lục B Hệ số khử ghép SAD đo với kẹp hấp thụ CHÚ THÍCH: Cơng nghệ có khả tích hợp chức bổ sung SAD kẹp hấp thụ Do đó, thân kẹp hấp thụ đáp ứng yêu cầu kỹ thuật hệ số khử ghép khơng cần đặt thêm SAD 4.5 Vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (ACTS) 4.5.1 Mơ tả ACTS Vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (ACTS) vị trí sử dụng để đặt ACMM ACTS vị trí thuận tiện ngồi trời nhà gồm phần tử (xem Phụ lục C, Hình C.1): − bàn EUT, để đỡ khối EUT; − bàn trượt kẹp, có phận đỡ dây đấu nối EUT (hoặc dây dẫn cần thử nghiệm LUT) đỡ kẹp hấp thụ; − phương tiện đỡ cáp máy thu kẹp hấp thụ trình trượt; − phương tiện phụ trợ kiểu dây bện để di chuyển kẹp hấp thụ Tất phần tử ACTS đề cập (ngoại trừ bàn EUT) phải đo qui trình đánh giá hiệu lực ACTS Ở gần cuối bàn trượt kẹp (về phía EUT) đánh dấu điểm trượt chuẩn (SRP, xem Hình C.1) SRP dùng để xác định khoảng cách theo chiều ngang đến RCP kẹp 4.5.2 Chức ACTS ACTS có chức a) Chức vật lý: để cung cấp phương tiện đỡ qui định dùng cho EUT LUT b) Chức điện: để cung cấp vị trí lý tưởng (đối với RF) dùng cho EUT cụm kẹp cung cấp môi trường đo xác định cho ứng dụng kẹp hấp thụ (không làm méo phát xạ vách phần tử đỡ bàn EUT, bàn trượt kẹp, phương tiện đỡ dịch chuyển cáp) 4.5.3 Yêu cầu ACTS Yêu cầu áp dụng cho ACTS: a) Chiều dài bàn trượt kẹp phải đảm bảo kẹp hấp thụ di chuyển chiều dài m Điều nghĩa bàn trượt kẹp phải có chiều dài m CHÚ THÍCH: Để có khả tái lập, chiều dài bàn trượt kẹp chiều dài quét kẹp cố định m m Chiều dài bàn trượt kẹp xác định tổng chiều dài quét (5 m), khoảng cách SRP CRP (0,15 m), chiều dài kẹp hấp thụ (0,64 m) chiều dài biên dự phòng để điều chỉnh cấu cố định dây dẫn đầu (0,1 m) Tổng chiều dài cho bàn trượt kẹp m b) Độ cao bàn trượt kẹp phải 0,8 m ± 0,05 m Điều nghĩa bên kẹp hấp thụ, độ cao LUT so với sàn lớn vài centimét c) Vật liệu bàn EUT bàn trượt kẹp phải vật liệu khơng phản xạ, khơng dẫn đặc tính điện mơi gần giống đặc tính điện mơi khơng khí Theo cách này, bàn EUT suốt theo quan điểm điện từ d) Vật liệu dây bện dùng để di chuyển kẹp dọc bàn trượt kẹp phải suốt theo quan điểm điện từ CHÚ THÍCH: Ảnh hưởng vật liệu làm bàn EUT bàn trượt kẹp đáng kể tần số 300 MHz e) Vị trí coi có đủ hiệu lực (xem chức điện ACTS) nhờ so sánh hệ số kẹp đo trường ACTS (CFin-situ) với hệ số kẹp đo trường chuẩn kẹp hấp thụ (ACRS) (CForig) sử dụng phương pháp hiệu chuẩn gốc (xem Phụ lục C) Hiệu giá trị tuyệt đối hai hệ số kẹp hấp thụ phải phù hợp với yêu cầu đây: ∆ACTS = |CForig – CFin-situ| (13) phải: < 2,5 dB dải tần từ 30 MHz đến 150 MHz, giảm dần từ 2,5 dB đến dB dải tần từ 150 MHz đến 300 MHz, < dB dải tần từ 300 MHz đến 1000 MHz Qui trình đánh giá hiệu lực vị trí qui định chi tiết 4.5.4 4.5.4 Phương pháp đánh giá hiệu lực ACTS Các đặc điểm ACTS đánh giá hiệu lực đây: − Yêu cầu vật lý 4.5.3a) 4.5.3b) đánh giá hiệu lực cách xem xét − Chức điện ACTS (yêu cầu 4.5.3e) phải đánh giá hiệu lực cách so sánh hệ số kẹp CF kẹp hiệu chuẩn với hệ số kẹp CF in-situ đo trường, theo "phương pháp hiệu chuẩn gốc" (xem Phụ lục C) Kết điều tra cho thấy OATS 10 m SAR có hiệu lực phép đo phát xạ xem vị trí lý tưởng để thực ACMM Vì vậy, OATS 10 m SAR có hiệu lực chấp nhận vị trí chuẩn để đánh giá hiệu lực ACTS Do đó, OATS 10 m SAR có hiệu lực sử dụng làm vị trí thử nghiệm kẹp chức điện vị trí khơng cần đánh giá hiệu lực thêm Qui trình đánh giá hiệu lực chức điện vị trí thử nghiệm kẹp mô tả chi tiết Phụ lục C 4.6 Qui trình đảm bảo chất lượng hệ thống đo dùng kẹp hấp thụ 4.6.1 Tổng quan Tính kẹp hấp thụ cấu hấp thụ thứ cấp thay đổi theo thời gian sử dụng, lão hóa khuyết tật Tương tự, tính ACTS thay đổi thay đổi kết cấu lão hóa Phương pháp hiệu chuẩn đồ gá phương pháp hiệu chuẩn thiết bị chuẩn sử dụng cách thuận tiện cho qui trình đảm bảo chất lượng miễn hệ số kẹp đồ gá hệ số kẹp thiết bị chuẩn biết trước 4.6.2 Kiểm tra đảm bảo chất lượng ACTS Dữ liệu suy giảm vị trí Aref ACTS xác định thời điểm vị trí có hiệu lực sử dụng làm chuẩn Sau khoảng thời gian định sau thay đổi vị trí, phép đo suy giảm vị trí lặp lại so sánh kết với liệu chuẩn Ưu điểm phương pháp tất phần tử ACMM đánh giá lần 4.6.3 Kiểm tra đảm bảo chất lượng kẹp hấp thụ Chức khử ghép tính hệ số kẹp xác định thời điểm kẹp có hiệu lực sử dụng làm liệu chuẩn Sau khoảng thời gian định sau thay đổi vị trí, tham số tính kiểm tra lại cách đo hệ số khử ghép đo hệ số kẹp sử dụng phương pháp đồ gá (Phụ lục B) 4.6.4 Tiêu chí đạt/khơng đạt thử nghiệm đảm bảo chất lượng Tiêu chí đạt/khơng đạt thử nghiệm đảm bảo chất lượng liên quan đến độ không đảm bảo đo tham số đo cần xét Điều nghĩa thay đổi tham số cần xét chấp nhận thay đổi nhỏ nhân với độ khơng đảm bảo đo Hình – Tóm tắt phương pháp đo dùng kẹp hấp thụ kết hợp qui trình hiệu chuẩn qui trình đánh giá hiệu lực Bảng – Tóm tắt đặc trưng ba phương pháp hiệu chuẩn kẹp mối liên quan phương pháp Tên phương Vị trí thử nghiệm pháp hiệu sử dụng EUT sử dụng Ưu điểm (+), nhược điểm (–) ghi nhớ (•) Ứng dụng Chú giải Peut cơng suất nhiễu EUT, tính dBpW Vrec điện áp đo được, tính dB V; CFact hệ số kẹp thực tế, tính dBpW/ V; Prec mức cơng suất thu được, tính dBpW Hình – Tóm tắt dạng sơ đồ phương pháp thử nghiệm dùng kẹp hấp thụ Chú giải CForig, CFjig, CFref Hệ số kẹp hấp thụ Porig, Pjig, Pref Đo P tùy thuộc vào phương pháp đánh giá hiệu lực sử dụng Pgen Công suất đầu máy phát suy giảm 10 dB CHÚ THÍCH: Hình 3b, 3c 3d tương ứng với ba phương pháp Bảng Hình – Tóm tắt dạng sơ đồ phương pháp hiệu chuẩn kẹp Phụ lục A (tham khảo) Kết cấu kẹp hấp thụ (4.2) A.1 Ví dụ kết cấu kẹp hấp thụ Hình A.1 A.2 mô tả cụm lắp ráp kẹp Ba phận kẹp hấp thụ mơ tả 4.2 biến dòng C, hấp thụ cơng suất ổn định trở kháng D ống bọc E để hấp thụ Bộ ổn định trở kháng D gồm xuyến ferit ống E gồm xuyến ống ferit Lõi biến dòng C có hai ba xuyến thuộc loại dùng D Cuộn dây thứ cấp biến dòng vòng cáp đồng trục nhỏ quấn quanh xuyến nối hình vẽ Cáp chạy qua ống E đến đầu nối đồng trục kẹp (có thể qua suy giảm dB) C D đặt gần thẳng hàng trục để dịch chuyển dọc theo dây dẫn B cần đo Vì lý thực tế, ống E thường đặt dọc theo hấp thụ D Cả D E dùng để suy giảm dòng khơng đối xứng dây dẫn qua chúng Ví dụ Hình A.2 cho thấy số đặc trưng cải thiện tính kẹp hấp thụ Một hình trụ kim loại (1) đặt bên lõi biến dòng C để làm nhiệm vụ chắn điện dung Hình trụ chia thành hai nửa Một ống cách điện (2) dùng để tập trung dây dẫn vào bên biến dòng Ống kéo dài từ đầu vào biến dòng đến xuyến hấp thụ D, dùng cho trình hiệu chuẩn kẹp cho dây dẫn có đường kính nhỏ Kẹp hấp thụ cấu trúc để bao trùm dải tần từ 30 MHz đến 000 MHz cách sử dụng xuyến ferit phù hợp CHÚ THÍCH: Bộ suy giảm dB cáp đo phận tích hợp cụm kẹp Hình A.1 – Cụm kẹp hấp thụ phận Chú giải B dây dẫn cần thử nghiệm C biến dòng D ngăn hấp thụ E ngăn hấp thụ cáp từ biến dòng hình trụ kim loại – có hai nửa ống tập trung dây dẫn B nối đồng trục (dùng cho suy giảm dB) Hình A.2 − Ví dụ kết cấu kẹp hấp thụ Phụ lục B (qui định) Phương pháp hiệu chuẩn đánh giá hiệu lực kẹp hấp thụ cấu hấp thụ thứ cấp (Điều 4) B.1 Lời giới thiệu Phụ lục nêu chi tiết phương pháp hiệu chuẩn đánh giá hiệu lực khác cụm kẹp hấp thụ cho cấu hấp thụ thứ cấp Các phương pháp hiệu chuẩn hệ số kẹp kẹp hấp thụ (xem thêm 4.3) nêu B.2 Các phương pháp đánh giá hiệu lực chức khử ghép DF DR nêu B.3 B.2 Phương pháp hiệu chuẩn cụm kẹp hấp thụ Đối với ba phương pháp, hệ số kẹp (CF) cụm kẹp hấp thụ kể suy giảm dB cáp máy thu xác định.Vì việc khử ghép kẹp khơng hồn hảo nên kẹp tương tác với cáp Do đó, kiểu chiều dài cáp ảnh hưởng đến độ khơng đảm bảo đo kết quả.Vì vậy, phải thực hiệu chuẩn với cáp máy thu B.2.1 Phương pháp hiệu chuẩn gốc B.2.1.1 Bố trí thiết bị hiệu chuẩn Hình B.1 bố trí hiệu chuẩn Bố trí hiệu chuẩn phải đặt ACRS để tránh ảnh hưởng đến môi trường trung gian xung quanh Nếu ACRS khơng có mặt phẳng đất kim loại u cầu có mặt phẳng đất nằm ngang điển hình m x m ACRS có hiệu lực cho qui trình thử nghiệm OATS SAR có khoảng cách đo 10 m phù hợp với yêu cầu NSA CISPR Bố trí hiệu chuẩn gồm có thành phần đây: − bàn trượt kẹp có kết cấu vật liệu khơng phản xạ dài khoảng m để đảm bảo dây dẫn cần thử nghiệm cao 0,8 m ± 0,05 m Điều nghĩa phạm vi kẹp hấp thụ SAD, LUT nằm cao mặt phẳng chuẩn vài centimet nữa; − mặt phẳng đất thẳng đứng có kích thước rộng 2,0 m x 2,0 m, nối với mặt phẳng đất kim loại có giắc nối kiểu N lắp đặt theo trục đối xứng vng góc độ cao 0,87 m Mặt phẳng đất thẳng đứng định vị sát với mặt trước bàn trượt kẹp, gọi điểm chuẩn vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (SRP); − dây dẫn có cách điện dùng cho mục đích thử nghiệm, có chiều dài 7,0 m ± 0,05 m làm dây có đường kính mm khơng kể cách điện, đầu dây dẫn nối (ví dụ, hàn) với giắc lắp đặt Đầu lại dây dẫn nối với pha trung tính CDN loại M (xem Hình CISPR 16-1-2), mặt phẳng đất (nằm ngang) kim loại; đầu đo CDN nối với điện trở 50 Ω (vì lý an tồn, CDN không nối với điện lưới) CDN cung cấp trở kháng không đối xứng ổn định yêu cầu đầu phía xa dây dẫn cần thử nghiệm dải tần từ 40 MHz đến 50 MHz; − cấu giữ chặt khơng phải kim loại đầu lại bàn trượt kẹp, để nắn thẳng dây dẫn cần thử nghiệm; − cấu hấp thụ thứ cấp (SAD), định vị bàn trượt kẹp cách kẹp cần hiệu chuẩn 50 mm Cơ cấu hấp thụ thứ cấp kẹp ferit (trượt) có chức khử ghép DF lớn với chức xác định điều 4; − đệm vật liệu suốt mặt điện từ, đặt gần mặt phẳng thẳng đứng để đảm bảo CRP không nhỏ 150 mm so với mặt phẳng đất thẳng đứng Máy thu máy phân tích mạng sử dụng để đo đầu máy phát đầu kẹp Mức tín hiệu đo phải cao 40 dB so với tín hiệu xung quanh đo đầu kẹp hấp thụ ngắt máy phát Độ khơng tuyến tính hệ thống đo phải nhỏ 0,1 dB Là phép đo chuẩn nên đầu máy phát tự hiệu chỉnh máy thu phân tích mạng (NA) nối cáp đồng trục thông qua suy giảm 10 dB đến đầu vào NA B.2.1.2 Qui trình hiệu chuẩn Chi tiết dẫn hướng phi kim loại dùng cho dây dẫn cần thử nghiệm lắp phía ngồi kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để dây dẫn qua tâm biến dòng (xem Hình B.2) Cả hai loại kẹp, kẹp cần thử nghiệm kẹp hấp thụ thứ cấp (SAD), định vị bàn trượt kẹp Hình B.1 Biến dòng kẹp cần thử nghiệm đặt cho cạnh hướng phía mặt phẳng đất thẳng đứng Mép phía trước biến dòng điểm kẹp chuẩn phải nhà chế tạo đánh dấu Kẹp định vị khoảng cách 150 mm CRP mặt phẳng đất thẳng đứng Dây dẫn cần thử nghiệm xuyên qua hai kẹp cần nắn thẳng nhẹ nhàng cấu kẹp phi kim loại thích hợp đầu bàn trượt kẹp Dây dẫn cần thử nghiệm không chạm vào mặt phẳng đất kim loại trước nối với CDN Đầu NA nối với giắc lắp đặt cáp đồng trục suy giảm 10 dB Cáp máy thu kẹp hấp thụ nối với đầu vào NA Độ suy giảm vị trí đo đến 60 MHz theo bước MHz, đến 120 MHz theo bước MHz, đến 300 MHz theo bước MHz 300 MHz theo bước 10 MHz Độ suy giảm vị trí nhỏ đo hai loại kẹp (kẹp hấp thụ SAD) di chuyển với tốc độ thích hợp dọc bàn trượt kẹp Các kẹp kéo dây phi kim loại Tốc độ di chuyển kẹp phải tạo độ suy giảm vị trí cần đo tần số khoảng nhỏ 10 mm Hệ số kẹp CForig cụm kẹp hấp thụ tính từ độ suy giảm vị trí kẹp, sử dụng cơng thức (5) 4.3 B.2.2 Phương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá B.2.2.1 Yêu cầu kỹ thuật đồ gá hiệu chuẩn kẹp hấp thụ Như mô tả điều 4, đồ gá hiệu chuẩn kẹp hấp thụ dùng để hiệu chuẩn kẹp hấp thụ Đồ gá dùng để đo tổn hao có kẹp hấp thụ với SAD hệ thống đo 50 Ω Chú ý trở kháng đặc điểm riêng đồ gá 50 Ω Phép đo đồ gá để đo tổn hao cách ly với môi trường Yêu cầu kỹ thuật kích thước đồ gá bố trí kẹp cho Hình B.3 đến B.5 B.2.2.2 Qui trình hiệu chuẩn Lắp dẫn hướng phi kim loại dùng cho dây dẫn cần thử nghiệm mặt trước kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để dây dẫn qua tâm đầu dò dòng điện (Hình B.2) Sau định vị kẹp hấp thụ vào đồ gá để điểm kẹp chuẩn (CRP) kẹp hấp thụ cách mặt bích thẳng đứng 30 mm Hình B.3 B.4 Khoảng cách 30 mm sử dụng cho đầu SAD đến mặt bích thẳng đứng lại Dây dẫn cần thử nghiệm nối với ổ cắm mặt bích thẳng đứng nhờ phích cắm Tổn hao có kẹp hấp thụ SAD đo cách sử dụng NA Mức tín hiệu đo phải cao tín hiệu xung quanh 40 dB đo đầu kẹp hấp thụ Độ khơng tuyến tính phép đo tổn hao phải nhỏ 0,1 dB Đầu NA nối qua cáp đồng trục suy giảm 10 dB đến đầu vào NA để hiệu chuẩn bố trí đo Sau hiệu chuẩn bố trí đo, đầu NA nối qua cáp đồng trục suy giảm 10 dB đến giắc lắp đặt phía đồ gá mà CRP kẹp định vị Giắc lắp đặt đối diện CRP đấu nối có điện trở 50 Ω Đầu kẹp hấp thụ nối qua suy giảm dB cáp máy thu đến đầu vào NA Sau đó, tổn hao có kẹp hấp thụ SAD đo tần số tối thiểu đến 60 MHz theo bước MHz, đến 120 MHz theo bước MHz, đến 300 MHz theo bước MHz 300 MHz theo bước 10 MHz Hệ số kẹp CFjig tính từ tổn hao có kẹp hấp thụ SAD sử dụng công thức (7) Nhà chế tạo phải xác định hệ số truyền đồ gá JTF, xác định 4.3, công thức (11), cho phép tính CForig cho loại kẹp hấp thụ B.2.3 Phương pháp hiệu chuẩn thiết bị chuẩn B.2.3.1 Yêu cầu kỹ thuật sử dụng thiết bị chuẩn vị trí thử nghiệm Thiết bị chuẩn phải có khả kích thích cách ghép nối điện dung dòng điện xác định dây dẫn cần thử nghiệm, không phụ thuộc vào môi trường, điện áp cung cấp thiết bị đo Điều đảm bảo thiết bị chuẩn cấp điện áp RF qua cáp đồng trục qua suy giảm 10 dB Thiết bị chuẩn có kết cấu vật liệu giống mạch in mặt mạch in, có nối đồng trục lắp theo cách cho có chân nối vào đồng Bộ nối đồng trục nối với suy giảm 10 dB (xem Hình B.7) Phải sử dụng cáp bọc kim hai lớp để nối thiết bị chuẩn để đảm bảo dòng điện khơng đối xứng cảm ứng dây dẫn cần thử nghiệm thiết bị chuẩn sinh khơng phải rò trực tiếp bên cáp Thiết bị chuẩn thay cho mặt phẳng đất thẳng đứng qui trình hiệu chuẩn gốc ACRS Bố trí hiệu chuẩn Hình B.6 Vị trí thích hợp cho phương pháp hiệu chuẩn ACRS ACRS có hiệu lực cho qui trình hiệu chuẩn OATS SAR với khoảng cách đo 10 m phù hợp với yêu cầu NSA CISPR B.2.3.2 Qui trình hiệu chuẩn Lắp dẫn hướng phi kim loại dùng cho dây dẫn cần thử nghiệm phía ngồi kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để dây dẫn qua tâm biến dòng (Hình B.2) Cả kẹp cần thử nghiệm kẹp (ferit) thứ cấp (SAD), định vị bàn trượt kẹp Hình B.7 Biến dòng kẹp cần thử nghiệm đặt cho cạnh hướng phía thiết bị chuẩn nó, định vị SRP bàn trượt kẹp Mép phía trước biến dòng điểm kẹp chuẩn phải nhà chế tạo đánh dấu vỏ kẹp Kẹp định vị khoảng cách 150 mm CRP thiết bị chuẩn Nắn thẳng nhẹ nhàng dây dẫn cần thử nghiệm (cáp đồng trục từ phân tích mạng) qua hai kẹp cấu kẹp phi kim loại thích hợp đầu bàn trượt kẹp Cáp đồng trục (dây dẫn cần thử nghiệm) suy giảm 10 dB nối với đầu NA Cáp máy thu kẹp hấp thụ nối với đầu vào NA Suy giảm vị trí đo đến 60 MHz theo bước MHz, đến 120 MHz theo bước MHz, đến 300 MHz theo bước MHz 300 MHz theo bước 10 MHz Suy giảm vị trí nhỏ đo hai loại kẹp di chuyển với tốc độ thích hợp khoảng từ 150 mm đến xấp xỉ 4,5 m so với thiết bị chuẩn Các kẹp kéo dây phi kim loại Tốc độ di chuyển kẹp phải cho phép đo tổn hao có kẹp SAD tần số khoảng nhỏ 10 mm Hệ số kẹp CF cụm kẹp hấp thụ tính từ độ suy giảm vị trí đo nhỏ nhất, sử dụng cơng thức (9) 4.3 Ít nhà chế tạo phải xác định hệ số truyền thiết bị chuẩn RTF, xác định 4.3 theo cơng thức (12), để tính CForig cho loại kẹp hấp thụ B.2.4 Độ không đảm bảo đo hiệu chuẩn kẹp hấp thụ Độ không đảm bảo đo hiệu chuẩn cần nêu báo cáo hiệu chuẩn Báo cáo hiệu chuẩn phải xem xét yếu tố không đảm bảo − Phương pháp hiệu chuẩn gốc: • độ khơng đảm bảo đo thiết bị đo, • khơng tương xứng đầu kẹp hấp thụ (có suy giảm dB cáp máy thu) thiết bị đo, • khả tái lập lần hiệu chuẩn, kể yếu tố định tâm dây dẫn cần thử nghiệm biến dòng dẫn hướng cáp máy thu đến phân tích mạng Kẹp hấp thụ phải đáp ứng yêu cầu tối thiểu hệ số khử ghép DF DR − Phương pháp hiệu chuẩn dùng đồ gá • độ không đảm bảo đo hệ số kẹp CF, • độ khơng đảm bảo đo thiết bị đo, • khơng tương xứng đầu kẹp hấp thụ (có suy giảm dB cáp máy thu) thiết bị đo, • khả tái lập lần hiệu chuẩn, kể yếu tố định tâm dây dẫn cần thử nghiệm biến dòng Kẹp hấp thụ phải đáp ứng yêu cầu tối thiểu hệ số khử ghép DF DR − Phương pháp hiệu chuẩn thiết bị chuẩn • độ không đảm bảo đo hệ số kẹp CF, • độ không đảm bảo đo thiết bị đo, • không tương xứng đầu kẹp hấp thụ (có suy giảm dB cáp máy thu) thiết bị đo, • khả tái lập lần hiệu chuẩn, kể yếu tố định tâm dây dẫn cần thử nghiệm biến dòng dẫn hướng cáp máy thu đến phân tích mạng Kẹp hấp thụ phải đáp ứng yêu cầu tối thiểu hệ số khử ghép DF DR Hướng dẫn chi tiết việc xác định độ không đảm bảo đo phương pháp hiệu chuẩn kẹp nêu CISPR 16-4-2 B.3 Phương pháp đánh giá hiệu lực chức khử ghép B.3.1 Hệ số khử ghép DF kẹp hấp thụ có cấu hấp thụ thứ cấp Phương pháp đo hệ số khử ghép áp dụng cho kẹp hấp thụ có cấu hấp thụ thứ cấp yêu cầu nhà chế tạo kẹp tùy chọn cho đề xuất quản lý chất lượng Hệ số khử ghép DF đo đồ gá hiệu chuẩn kẹp (xem Hình B.3, B.4 B.5) Phép đo hệ số khử ghép DF sử dụng hệ thống đo 50 Ω cho phép đo chuẩn phép đo có thiết bị cần thử nghiệm Chuẩn với đồ gá rỗng cho giá trị đo khơng thực tế, trở kháng đồ gá thay đổi kẹp đưa vào đồ gá Chú ý trở kháng đồ gá rỗng khơng phải hệ thống 50 Ω Qui trình đo hệ số khử ghép DF sau Hình B.8 hai bước đo cần thiết sử dụng phân tích phổ Đầu tiên, thực phép đo chuẩn Đầu máy phát đo qua hai suy giảm 10 dB Sau đo đầu Pref Sau định vị kẹp hấp thụ với SAD mô tả B.2.2.2 Tại hai mối nối đồ gá, đặt suy giảm 10 dB Khoảng cách mặt bích thẳng đứng đồ gá điểm chuẩn thiết bị cần thử nghiệm (CRP trường hợp kẹp) đầu kẹp phải 30 mm Sau đó, đo đầu Pfil Hệ số khử ghép DF xác định sau: DF = Pref – Pfil (B.1) Hệ số khử ghép dùng cho kẹp hấp thụ có SAD phải 21 dB tồn băng tần cần xét CHÚ THÍCH: Thơng tin thêm, DF SAD đo riêng rẽ nên có giá trị xấp xỉ 15 dB Phép đo thực với NA Trong trường hợp này, bỏ qua việc áp dụng suy giảm thực hiệu chuẩn NA giao diện nối với đồ gá B.3.2 Hệ số khử ghép DR kẹp hấp thụ Hệ số khử ghép DR đo đồ gá hiệu chuẩn kẹp (xem Hình B.3, B.4 B.5) yêu cầu nhà chế tạo kẹp lựa chọn để đề nghị đánh giá quản lý chất lượng Qui trình dùng cho phép đo hệ số khử ghép DR sau (xem Hình B.8 B.9) Đối với phép đo điện áp không đối xứng cáp đồng trục từ biến dòng, kẹp hấp thụ khơng có SAD định vị đồ gá mô tả B.2.2.2 Đầu cần đo nối với CDN loại A (xem CISPR 16-1-2, Hình C.1) qua cáp đồng trục ngắn CDN định vị mặt phẳng đất kim loại Tải 50 Ω phải dùng để kết thúc đấu nối đồ gá phía đối diện CRP kẹp Hình B.8, bước phép đo chuẩn cần thiết sử dụng phân tích phổ Đầu máy phát đo qua hai suy giảm 10 dB Sau đo đầu P ref Sau đó, kẹp hấp thụ bố trí Hình B.9 Máy phát nối với đồ gá (tại phía gần với CRP kẹp) qua suy giảm 10 dB Mối nối lại đồ gá kết thúc tải 50 Ω Đầu kẹp nối với CDN Đầu cần đo CDN nối với máy thu qua suy giảm 10 dB Đầu CDN kết thúc 50 Ω Sau đó, đo đầu P fil Hệ số khử ghép DR xác định sau: DR = Pref – Pfil (B.2) Hệ số khử ghép dùng cho kẹp hấp thụ phải 30 dB toàn băng tần cần xét 30 dB gồm có độ suy giảm 20,5 dB từ kẹp hấp thụ 9,5 dB từ CDN Phép đo thực cho NA Trong trường hợp này, bỏ qua việc áp dụng suy giảm thực hiệu chuẩn NA giao diện nối với đồ gá CDN Hình B.1 – Vị trí hiệu chuẩn gốc Kích thước tính mm Khi sử dụng cáp đồng trục thiết bị chuẩn, rãnh phải vừa với đường kính cáp đồng trục Hình B.2 – Vị trí dẫn hướng để định tâm dây dẫn cần thử nghiệm Kích thước tính mm Hình B.3 – Hình chiếu cạnh đồ gá hiệu chuẩn Kích thước tính mm Hình B.4 – Hình chiếu đồ gá Kích thước tính mm Các mặt đáy phải liên kết điện với mặt phẳng đất Hình B.5 – Hình mặt bích thẳng đứng đồ gá Hình B.6 – Bố trí thử nghiệm phương pháp hiệu chuẩn dùng thiết bị chuẩn Hình B.7 – Yêu cầu kỹ thuật thiết bị chuẩn Hình B.8a – Phép đo chuẩn Hình B.8b – Phép đo có kẹp hấp thụ SAD đặt đồ gá Hình B.8 – Bố trí đo hệ số khử ghép DF Pfil = P suy giảm đo lọc hấp thụ Hình B.9 – Bố trí đo hệ số khử ghép DR Phụ lục C (qui định) Đánh giá hiệu lực vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (Điều 4) C.1 Lời giới thiệu Phụ lục nêu chi tiết phương pháp đánh giá hiệu lực vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ Vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (ACTS) phải kiểm tra cách so sánh hệ số kẹp CF kẹp hiệu chuẩn với hệ số kẹp đo trường ACTS CFin-situ sử dụng phương pháp hiệu chuẩn gốc (xem 4.3 Phụ lục B) C.2 Yêu cầu thiết bị đánh giá hiệu lực Phương pháp gốc (xem Phụ lục B.2.1) có mặt phẳng đất thẳng đứng dây dẫn cần thử nghiệm qui định sử dụng để tạo dòng điện phương thức chung xác định dây dẫn cần thử nghiệm Dòng điện phương thức chung bị ảnh hưởng mơi trường ACTS, khác với ACRS C.3 Qui trình đo đánh giá hiệu lực Qui trình hiệu chuẩn tiến hành ACTS cần đánh giá hiệu lực Qui trình đo suy giảm vị trí • Bước – Phép đo chuẩn công suất máy phát Đầu tiên, để làm chuẩn, sử dụng máy thu để đo trực tiếp công suất P gen máy phát RF thông qua cáp suy giảm 10 dB (Hình C.1a) Tiếp đó, sử dụng ba phương pháp để đo kẹp công suất nhiễu máy phát RF suy giảm 10 dB Đầu tiên, để làm chuẩn, công suất đầu Pgen máy phát đo trực tiếp qua cáp sử dụng suy giảm 10 dB sử dụng máy thu (Hình C.1a) • Bước – Đo hệ số kẹp trường ACTS Tiếp theo, sử dụng chế độ đặt máy phát suy giảm tương tự bố trí cho Hình C.1b để đo công suất nhiễu lớn Pref LUT Kẹp cần thử nghiệm kẹp hấp thụ thứ cấp (SAD), định vị bàn trượt kẹp Hình C.1 Điểm kẹp chuẩn kẹp cần thử nghiệm đặt theo hướng mặt phẳng đất thẳng đứng Mặt phẳng đất thẳng đứng định vị SRP bàn trượt kẹp Dẫn hướng phi kim loại dùng cho LUT gắn phía ngồi kẹp hấp thụ cần thử nghiệm để dây dẫn qua tâm biến dòng (Hình B.2) Kẹp định vị khoảng cách 150 mm CRP mặt phẳng đất thẳng đứng Dây dẫn cần thử nghiệm xuyên qua hai kẹp cần nắn thẳng nhẹ nhàng cấu kẹp phi kim loại thích hợp đầu bàn trượt kẹp Dây dẫn cần thử nghiệm nối với giắc lắp đặt mặt phẳng đất thẳng đứng Đầu NA nối với giắc lắp đặt mặt phẳng đất thẳng đứng qua suy giảm 10 dB Cáp máy thu kẹp hấp thụ nối với đầu vào NA Tín hiệu đo tần số đến 60 MHz theo bước MHz, đến 120 MHz theo bước MHz, đến 300 MHz theo bước MHz 300 MHz theo bước 10 MHz Công suất nhiễu lớn đo di chuyển kẹp với tốc độ thích hợp khoảng từ 150 mm đến xấp xỉ 4,5 m từ mặt phẳng thẳng đứng Các kẹp kéo phương tiện dây phi kim loại Tốc độ kẹp di chuyển phải cho phép đo tổn hao có kẹp SAD tần số khoảng nhỏ 10 mm • Bước – Tính hệ số kẹp trường Hệ số kẹp trường (tính dB) vị trí cần thử nghiệm (ACTS) xác định công thức đây: CFin-situ = (Pgen – Pref) – 17 (C.1) Việc xác định CForig CFin-situ thực phòng thử nghiệm có bên thứ ba (phòng thử nghiệm hiệu chuẩn) C.4 Đánh giá hiệu lực ACTS Hệ số kẹp hấp thụ CForig phải so sánh với hệ số kẹp trường CF in-situ Tiêu chí chấp nhận để đánh giá hiệu lực ACTS nêu công thức (13) (xem 4.5.3) phép đo đánh giá hiệu lực qui trình hiệu chuẩn (C.3 B.2.1) thực phòng thử nghiệm sẵn có với điều kiện yêu cầu độ không đảm bảo đo nêu C.5 đáp ứng Nếu hệ số kẹp bên thứ ba xác định tiêu chí chấp nhận dùng cho đánh giá hiệu lực thay đổi sau: < dB dải tần từ 30 MHz đến 150 MHz, giảm dần từ dB đến 2,5 dB dải từ từ 150 MHz đến 300 MHz, < dB dải tần từ 300 MHz đến 1000 MHz C.5 Độ không đảm bảo đo phương pháp đánh giá hiệu lực ACTS Độ không đảm bảo đo đánh giá hiệu lực phụ thuộc vào: − độ không đảm bảo đo thiết bị đo − không phù hợp đầu kẹp hấp thụ (có suy giảm dB) thiết bị đo, − khả tái lập lần hiệu chuẩn, kể yếu tố định tâm dây dẫn cần thử nghiệm biến dòng dẫn hướng cáp máy thu đến phân tích mạng Đối với qui trình đánh giá hiệu lực kẹp, phải tính đến yêu cầu độ không đảm bảo đo đề cập Hình C.1a – Phép đo cơng suất máy phát chuẩn Hình C.1b – Bố trí dùng cho phép đo ACTS ACRS Hình C.1 – Bố trí thử nghiệm dùng cho phép đo độ suy giảm vị trí để đánh giá hiệu lực vị trí kẹp sử dụng thiết bị chuẩn MỤC LỤC Lời nói đầu Lời giới thiệu Phạm vi áp dụng Tài liệu viện dẫn Thuật ngữ định nghĩa Thiết bị đo dùng kẹp hấp thụ 4.1 Lời giới thiệu 4.2 Cụm kẹp hấp thụ 4.3 Các phương pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ mối liên quan chúng 4.4 Cơ cấu hấp thụ thứ cấp 4.5 Vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ (ACTS) 4.6 Qui trình đảm bảo chất lượng hệ thống đo dùng kẹp hấp thụ Phụ lục A (tham khảo) – Kết cấu kẹp hấp thụ Phụ lục B (qui định) – Phương pháp hiệu chuẩn đánh giá hiệu lực kẹp hấp thụ thiết bị hấp thụ thứ cấp Phụ lục C (qui định) – Đánh giá hiệu lực vị trí thử nghiệm kẹp hấp thụ ... hiệu chuẩn với cáp máy thu B.2.1 Phương pháp hiệu chuẩn gốc B.2.1.1 Bố trí thiết bị hiệu chuẩn Hình B.1 bố trí hiệu chuẩn Bố trí hiệu chuẩn phải đặt ACRS để tránh ảnh hưởng đến môi trường trung gian... CFjig = Ajig – 17 (8) c) Phương pháp thiết bị chuẩn Phương pháp thiết bị chuẩn sử dụng vị trí chuẩn (khơng có mặt phẳng chuẩn thẳng đứng) thiết bị chuẩn cấp tín hiệu qua dây dẫn cần thử nghiệm... pháp hiệu chuẩn kẹp hấp thụ Bản khảo sát ba phương pháp hiệu chuẩn kẹp đưa Hình Hình đưa mối liên quan phương pháp đo kẹp phương pháp hiệu chuẩn kẹp vai trò vị trí chuẩn CHÚ THÍCH: Hiệu chuẩn kẹp,