Đang tải... (xem toàn văn)
Trên cơ sở những điều nói trên, luận văn này chọn đối tượng nghiên cứu là màng mỏng đa lớp có cấu trúc spin - van Ta/NiFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta được chế tạo bằng phương pháp phún xạ catốt. Luận văn gồm 3 phần chính: Chương 1 - Tổng quan về màng mỏng từ tính, Chương 2 -Các phương pháp thực nghiệm, Chương 3 - Kết quả và thảo luận.
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Nguyễn Thị Kiều Vân NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ĐA LỚP CÓ CẤU TRÚC SPIN VAN LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội – 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Nguyễn Thị Kiều Vân NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ĐA LỚP CÓ CẤU TRÚC SPIN VAN Chuyên ngành: Vật lý Nhiệt Mã số: LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. LÊ TUẤN TÚ Hà Nội – Năm 2015 LỜI CẢM ƠN! Lời đầu tiên, em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới TS. Lê Tuấn Tú – người thầy đã tận tình giúp đỡ em trong suốt thời gian làm luận văn. Cảm ơn thầy đã giúp em lựa chọn đề tài, cung cấp cho em những thơng tin, tài liệu cần thiết và nhiệt tình giải đáp các vướng mắc trong suốt q trình nghiên cứu đề tài… Em xin chân thành biết ơn sự dạy dỗ của tất cả các q thầy cơ Khoa Vật lý – Trường Đại học Khoa học tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội. Các thầy, các cơ đã hết mình truyền đạt lại cho em những kiến thức cần thiết và bổ ích cho tương lai sau này Cuối cùng, lời cảm ơn chân thành và sâu sắc nhất em xin gửi tới gia đình thân yêu – những người đã luôn sát cánh và động viên em trong suốt chặng đường qua Hà Nội, ngày 06 tháng 07 năm 2015 Sinh viên Nguyễn Thị Kiều Vân MỤC LỤC MỞ ĐẦU 13 Chương 1: TỔNG QUAN VỀ MÀNG MỎNG TỪ TÍNH 14 1.1 Màng mỏng 14 1.2 Dị hướng từ 15 1.2.1 Dị hướng hình dạng 15 1.2.2 Dị hướng từ tinh thể 16 1.2.3 Dị hướng ứng suất 17 1.2.4 Dị hướng từ màng mỏng .17 1.3 Các vật liệu sắt từ 18 1.4 Các chất phản sắt từ (AFM) 21 1.4.1 Đặc điểm vật liệu phản sắt từ 21 1.4.2 Lý thuyết trường phân tử lớp phản sắt từ 22 1.5 Giới thiệu tượng trao đổi dịch .22 1.5.1 Nguồn gốc hiệu ứng trao đổi dịch 23 1.5.2 Hiện tượng dịch đường từ trễ hệ FM/AFM .24 1.5.3 Mơ hình lý thuyết .25 1.5.4 Sự phụ thuộc vào độ dày từ trường trao đổi dịch .27 1.5.5 Các ứng dụng tượng trao đổi dịch 28 1.6 Giới thiệu hệ có cấu trúc spin van 29 1.7 Mục tiêu luận văn 30 Chương 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 2.1 Chế tạo màng mỏng phương pháp phún xạ 2.2.1 Cơ chế phún xạ 2.1.2 Các hệ phún xạ 2.2 Hiển vi điện tử quét (SEM) .7 2.3 Từ kế mẫu rung (VSM) 2.4 Phân tích nhiễu xạ tia X 12 Chương 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 15 3.1 Màng mỏng NiFe 15 3.1.1 Kết đo hiển vi điện tử quét (SEM) 15 3.1.2 Kết đo nhiễu xạ tia X (XRD) .16 3.1.3 Kết đo từ kế mẫu rung (VSM) 17 3.2 Hệ vật liệu NiFe/IrMn 18 3.2.1 Kết đo tính chất từ 18 3.2.2 Kết đo XRD .21 3.3 Hệ vật liệu NiFe/Cu/NiFe/IrMn 22 3.3.1 Kết đo từ kế mẫu rung (VSM) 23 3.3.2 Ảnh hưởng lớp ghim lên tính chất từ 25 3.3.3 Ảnh hưởng lớp phản sắt từ lên tính chất từ 27 KẾT LUẬN 31 TÀI LIỆU THAM KHẢO 32 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1: Ảnh chụp cắt ngang màng mỏng đa lớp Si/SiO2/Cu/IrMn/CoFeB/Ta/Cu/Au Hình 1.2: Cấu trúc đơmen vật liệu sắt từ Hình 1.3: Đường cong từ trễ chất sắt từ Hình 1.4: Cấu trúc từ của vật liệu phản sắt từ gồm 2 phân mạng đối song nhau Hình 1.5: Đường cong từ trễ của CoO được phủ các hạt Co tại 77 K sau khi được ủ trong trường hợp khơng có từ trường đặt vào (1) và dưới từ trường bão hòa (2) 10 Hình 1.6: Cơ chế trao đổi dịch màng hai lớp FM/AFM 11 Hình 1.7: Biểu đồ góc tham gia vào hệ trao đổi dịch 13 Hình 1.8: Sự phụ thuộc của trường trao đổi dịch Hex và lực kháng từ Hc vào độ dày lớp FM cho hệ Fe80Ni20/FeMn tAFM = 50 nm 14 Hình 1.9: Sự phụ thuộc của trao đổi dịch H ex và lực kháng từ Hc vào độ dày lớp AFM cho hệ Fe80Ni20/FeMn tFM = nm 15 Hình 1.10: Mơ hình hiệu ứng từ điện trở khổng lồ trong các cấu trúc spin van 16 Hình 1.11: Mặt cắt ngang của màng đa lớp spin van với liên kết phản sắt từ 17 Hình 2.1: Nguyên lý trình phún xạ 19 Hình 2.2: Sơ đồ nguyên lý hệ phún xạ catot chiều 21 Hình 2.3 : Sơ đồ nguyên lý hệ phún xạ catốt xoay chiều 22 Hình 2.4: Sơ đồ nguyên lý hệ thống phún xạ magnetron 23 Hình 2.5 : Hệ phún xạ magnetron sử dụng cả nguồn một chiều và nguồn xoay chiều tại khoa Vật lý Kĩ thuật và Cơng nghệ Nano – Trường Đại học Cơng nghệ Đại học Quốc gia Hà Nội 24 Hình 2.6: (a) Kính hiển vi điện tử qt; (b) Sơ đồ khối kính hiển vi điện tử quét 25 Hình 2.7: (a) Máy đo từ kế mẫu rung ( VSM); (b) Mô hình từ kế mẫu rung 26 Hình 2.8: Sơ đồ cấu trúc cơ khí của hệ VSM 27 Hình 2.9: Hiện tượng nhiễu xạ trên tinh thể .30 Hình 2.10: (a) Hệ đo nhiễu xạ tia X (XRD);(b) Mơ hình hệ đo nhiễu xạ tia X 31 Hình 3.1: Ảnh SEM màng NiFe 32 Hình 3.2: Hình ảnh nhiễu xạ tia X màng NiFe 33 Hình 3.3: Đường cong từ trễ của màng NiFe với từ trường đặt vào song song với bề m ặt màng 34 Hình 3.4: Hình ảnh VSM hệ NiFe/IrMn với t NiFe = 5 nm, nm nm 35 Hình 3.5: Sự phụ thuộc của Hex vào chiều dày lớp NiFe của màng NiFe/IrMn 37 Hình 3.6: Sự phụ thuộc H c vào chiều dày lớp NiFe hệ NiFe/IrMn 37 Hình 3.7: Nhiễu xạ tia X lớp NiFe/IrMn 38 60 55 H ex (Oe) 50 45 40 35 30 25 20 ChiỊu dÇy lí p NiFe (nm) Hình 3.5: Sự phụ thuộc của Hex vào chiều dày lớp NiFe của màng NiFe/IrMn 3.2.1.3. Sự phụ thuộc lực kháng từ Hc vào chiều dày lớp NiFe 55 50 HC (Oe) 45 40 35 30 25 20 15 ChiỊu dÇy lí p NiFe (nm) Hình 3.6: Sự phụ thuộc của Hc vào chiều dày lớp NiFe của hệ NiFe/IrMn 20 Cũng tương tự như Hex, khi tăng chiều dày lớp NiFe lên, tương tác trao đổi giữa lớp FM và AFM giảm. Do đó, lực kháng từ Hc sẽ giảm dần theo sự tăng lên của lớp NiFe (hình 3.6) Ngun nhân của sự giảm này là do giữa bề mặt lớp NiFe và IrMn xuất hiện tương tác trao đổi. NiFe được biết đến như là một vật liệu từ mềm, có nghĩa là lực kháng từ thấp. Khi chúng ta tăng chiều dày của nó lên, điều đó giống như tính từ mềm cũng tăng lên và ngày càng chiếm ưu thế hơn tương tác trao đổi giữa lớp FM và AFM. Vì vậy lực kháng từ của hệ giảm 3.2.2. Kết quả đo XRD Dựa vào hình ảnh XRD của hai lớp NiFe/IrMn, chúng ta có thể thấy NiFe và IrMn có định hướng (111). Có 2 đỉnh góc 2θ = 44o và 2θ = 42o lần lượt tương ứng với hai pha NiFe (111) và IrMn (111) 70 Si IrMn (111) Intensity (Counts) Cường độ (đ v t y) 60 50 40 NiFe (111) 30 20 10 20 25 30 35 40 45 o 50 55 ( ) ( ) Theta O Hình 3.7: Nhiễu xạ tia X của các lớp NiFe/IrMn 21 60 Dựa vào các kết quả nghiên cứu đã được cơng bố, việc tạo ra IrMn (111) cho tương tác trao đổi bề mặt ổn định nhất. Từ đó cho ta hiệu ứng trao đổi dịch tốt nhất 3.3. Hệ vật liệu NiFe/Cu/NiFe/IrMn Để tạo ra hệ có cấu trúc spin van, hai hệ vật liệu Ta (5 nm)/NiFe (5 nm)/Cu (3 nm)/NiFe (tNiFe nm)/IrMn (10 nm)/Ta (5 nm) Ta (5 nm)/NiFe (5 nm)/Cu (3 nm)/NiFe (9 nm)/IrMn (tIrMn nm)/Ta (5 nm) đã được chế tạo với tNiFe = 3 nm, 5 nm, 7 nm, 9 nm và tIrMn = 8 nm, 10 nm, 15 nm (hình 3.8) Trong cấu trúc này, sự có mặt của lớp Ta ở trên cùng và dưới cùng của hệ giúp bảo vệ nó khỏi sự oxi hóa. Lớp NiFe đầu tiên là lớp tự do và lớp NiFe thứ hai được gọi là lớp bị ghim. Do đó, mẫu cần 2 lớp Ta ở hai mặt để bảo vệ. Lớp Cu được chế tạo để tạo nên sự bắt cặp spin giữa hai lớp NiFe khi có một từ trường được đặt vào. Trường hợp khơng có lớp tự do thì khơng tạo ra cấu trúc spin van và từ trường trao đổi dịch đạt giá trị thấp xung quanh giá trị 50 Oe; giống như kết quả đã được báo cáo trong phần trước Hình 3.8: Cấu trúc hệ vật liệu NiFe/Cu/NiFe/IrMn Ở đây, IrMn được dùng với vai trò là lớp phản sắt từ trong cấu trúc spin – van. Lớp NiFe/IrMn là lớp trao đổi dịch được coi như là van của cấu trúc spin – van 22 3.3.1. Kết quả đo từ kế mẫu rung (VSM) Như đã đề cập ở phần trước, khơng giống như các đường cong từ trễ của màng đơn lớp (có tính đối xứng), đường cong từ trễ của cấu trúc spin – van khơng có tính đối xứng. Hơn nữa, các thơng số được rút ra từ đường cong từ trễ này có những đặc điểm khơng giống với các đường cong từ trễ đối xứng 23 0.0006 nm nm nm M« men tõ (emu) 0.0003 (a) 0.0000 -0.0003 -0.0006 -1000 -500 500 1000 Tõ tr- êng H (Oe) (b) M« men tõ (emu) 0.0008 nm 12 nm 0.0004 0.0000 -0.0004 -0.0008 -1000 -500 500 1000 Tõ tr- êng H (Oe) Hình 3.9: Đường cong từ trễ của cấu trúc spin van NiFe (5 nm)/Cu (3 nm)/NiFe (tNiFe nm)/IrMn (10 nm) với (a) tNiFe = 3 nm, 5 nm, 7 nm và (b) tNiFe = 9 nm, 12 nm 24 Đường cong từ trễ của hệ với chiều dày lớp NiFe tăng được biểu diễn trong hình 3.9. Có thể thấy rằng, đường cong từ trễ của hệ có cấu trúc spin van bị dịch chuyển. Sự dịch chuyển này là do tương tác trao đổi giữa lớp NiFe và IrMn. Tương tác này dẫn đến hiệu ứng trao đổi dịch nói trên. Khi chiều dày lớp ghim tăng từ 3 nm đến 12 nm, đường cong trở nên kém rõ nét và rời rạc hơn Hình vẽ cũng cho ta thấy, từ trường trao đổi giảm lần lượt từ 360 Oe đến 65 Oe và lực kháng từ giảm từ 200 Oe đến 60 Oe. Ở đây có một kết quả khá thú vị. Khi chiều dày lớp NiFe tăng tới giá trị t = 12 nm (hình 3.9 b), cấu trúc spin van mất đi hồn tồn. Ngun nhân của hiện tượng thú vị này đó là hệ chỉ còn tương tác bề mặt giữa lớp NiFe rất dày và lớp phản sắt từ IrMn 3.3.2. Ảnh hưởng của lớp ghim lên tính chất từ 3.3.2.1. Ảnh hưởng của lớp NiFe lên mơmen từ của hệ 0.85 0.80 M« men tõ (memu) 0.75 0.70 0.65 0.60 0.55 0.50 0.45 10 12 Đ ộ dầy lớ p NiFe (nm) Hỡnh3.10:nhhngcalpNiFelờnmụmentcahNiFe/Cu/NiFe/IrMn khi chiều dày lớp NiFe thay đổi 25 Khi chiều dày của lớp sắt từ tăng từ 3 nm đến 12 nm, tính sắt từ của mẫu tăng lên. Điều này dẫn đến các mơmen trong lớp sắt từ ngày càng tăng (hình 3.10) 3.3.2.2. Sự phụ thuộc Hex vào chiều dày lớp NiFe Như đã chứng minh phần trước, với hệ NiFe/IrMn, từ trường trao đổi dịch tỉ lệ nghịch với chiều dày lớp sắt từ Quan sát hình 3.11 và qua những kết quả đã đưa ra, quy luật trên đúng với hệ có cấu trúc spin van NiFe/Cu/NiFe/IrMn. Một lần nữa chúng ta có thể khẳng định, Hex phụ thuộc vào tFM, khi tFM tăng thì Hex giảm. 400 350 H Ex (Oe) 300 250 200 150 100 50 10 11 12 13 Đ ộ dầy lớ p NiFe (nm) Hỡnh3.11:thsphthuccaHexvochiudylpNiFe 3.3.2.3. Sự phụ thuộc Hc vào chiều dày lớp NiFe 26 Ảnh hưởng của chiều dày lớp NiFe (tNiFe) lên lực kháng từ Hc được thể hiện trên hình 3.12. Kết quả cho thấy, khi chiều dày lớp NiFe tăng từ 5 nm đến 7 nm thì độ lớn Hex giảm khơng đáng kể. Trong khi đó, khi chiều dày lớp NiFe tăng từ 7 nm đến 12 nm thì lực kháng từ giảm rất nhanh (từ khoảng 190 Oe xuống khoảng 45 Oe). Ngun nhân xảy ra hiện tượng này là do khi chiều dày lớp NiFe tăng lên thì tính từ mềm của lớp ghim chiếm ưu thế hơn so với tương tác bề mặt giữa NiFe/IrMn, do đó lực kháng từ giảm. 220 200 Lùc kh¸ ng tõ H C (Oe) 180 160 140 120 100 80 60 40 10 11 12 13 Đ ộ dầy lí p NiFe (nm) Hình 3.12 : Sự phụ thuộc của Hc vào chiều dày lớp NiFe của hệ NiFe (5 nm)/Cu (3 nm)/NiFe (tNiFe nm)/IrMn (10 nm) 3.3.3. Ảnh hưởng của lớp phản sắt từ lên tính chất từ Sự phụ thuộc của Hex và Hc vào chiều dày lớp phản sắt từ IrMn cũng là một khảo sát quan trọng đối với hệ có cấu trúc spin van. Để nghiên cứu sự phụ 27 thuộc này, màng đa lớp Ta (5 nm)/NiFe (5 nm)/Cu (3 nm)/NiFe (9 nm)/IrMn (tIrMn nm)/Ta (5 nm) đã được chế tạo với tIrMn = 8 nm, 10 nm và 15 nm. Mẫu sau khi được chế tạo đã được tiến hành đo VSM (hình 3.13) 1.0 nm 10 nm 15 nm M/M S 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -750 -500 -250 250 500 750 Magnetic field H (Oe) Từ trường H (Oe) Hình 3.13: Ảnh hưởng của lớp phản sắt từ lên tính chất từ của hệ có cấu trúc spin van Ta (5 nm)/NiFe (5 nm)/Cu (3 nm)/NiFe (9 nm)/IrMn (tIrMn nm)/Ta (5 nm) Hình 3.14 cho ta thấy rằng từ trường trao đổi dịch Hex gần như khơng thay đổi (có giá trị khoảng 200 Oe) khi chiều dày lớp IrMn thay đổi từ 8 nm đến 15 nm. 28 H C, H ex (Oe) 200 180 HC Hex 160 140 120 10 12 14 16 18 20 tIrMn (nm) Hình 3.14: Sự phụ thuộc của lực kháng từ Hc và từ trường trao đổi dịch Hex vào chiều dày lớp IrMn của hệ Ta (5 nm)/NiFe (5 nm)/Cu (3 nm)/NiFe (9 nm)/IrMn (tIrMn nm)/Ta (5 nm) Sự phụ thuộc của từ trường trao đổi dịch Hex và lực kháng từ Hc vào chiều dày của lớp phản sắt từ được nhóm tác giả J. Nogue’s và Ivan K. Schuller nghiên cứu và cơng bố. Kết quả chỉ ra rằng: khi chiều dày lớp phản sắt từ ở dưới 2 nm, từ trường trao đổi dịch của mẫu gần như bằng 0. Điều đó chứng tỏ hiệu ứng trao đổi dịch gần như biến mất hồn tồn giá trị nói trên. Tuy nhiên, từ 2 nm trở lên, hiệu ứng trao đổi dịch trở nên mạnh mẽ, dẫn đến H ex tăng một cách đột ngột. Khi chiều dày lớp AFM bằng 6 nm, H ex bắt đầu ổn định và gần như khơng thay đổi khi chiều dày lớp phản sắt từ thay đổi. 29 Điều đó có thể được giải thích, khi chiều dày lớp IrMn tăng, các mơmen từ của lớp sắt từ NiFe bị ghim ngày càng nhiều và tất cả các mơmen từ của lớp này sẽ bị ghim lại khi lớp IrMn có chiều dày 6 nm trở lên. Đây chính là ngun nhân làm cho từ trường trao đổi dịch gần như khơng thay đổi. Ngồi ra, ta có thể nhận thấy rằng, khi chiều dày lớp IrMn tăng từ 10 nm đến 15 nm thì lực kháng từ của mẫu giảm dần từ 160 Oe đến 114 Oe. 30 KẾT LUẬN Sau khi hồn thành luận văn, em rút ra được các kết luận sau: Đã chế tạo thành cơng màng mỏng từ tính NiFe, NiFe/IrMn và màng mỏng có cấu trúc spin van NiFe/Cu/NiFe/IrMn NiFe là vật liệu từ mềm với Hc = 5,1 Oe IrMn (111) cho hằng số tương tác trao đổi bề mặt ổn định nhất Màng mỏng 2 lớp NiFe/IrMn có hiệu ứng trao đổi dịch và Hex, Hc phụ thuộc vào chiều dày lớp NiFe Tính chất từ của cấu trúc spin van NiFe/Cu/NiFe/IrMn phụ thuộc vào lớp NiFe và lớp IrMn 31 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt 1. Nguyễn Hữu Đức , (2003), Vật liệu từ liên kim loại, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội 2. Nguyễn Phú Thùy , (2003), Vật lý các hiện tượng từ, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội 3. Vũ Thị Huyền Trang, (2011), Nghiên cứu chế tạo dây Coban có kích thước nano bằng phương pháp điện hóa, Khóa luận tốt nghiệp Đại học khoa Vật lý, Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội 4. Vũ Thị Thanh, (2014), Ảnh hưởng của từ trường trong q trình lắng đọng lên tính chất của dây nano, Luận văn Thạc sĩ khoa học, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Tiếng Anh 5. A Aharoni, E.H Frei, S Shtrikman, (1956), “Theoretical Approach to the Asymmetrical Magnetization Curve”, Journal of Applied Physics, Vol. 30 (12), pp. 19561961 6. A.J. Devasahayam, P.J. Slides and M.H. Kryder, (1998), “Magnetic temperature and corrosion properties of the NiFe/IrMr exchange couple”, J. Appl. Phys, 83, p. 7216 7. A. Layadi, J.W. Lee, J.O. Artman, (1988), “FMR and TEM studies of annealed and magnetically annealed thin bilayer films”, J. Appl, Phys, 63, p.3808 8. C.P Bean, (1960), in: C.A Neugebauer, J.B Newkirk, D.A Vermilyea (Eds), Structure and properties of Thin Films, Wiley, New York, p. 331 32 9. D Mauri, H.C Siegmann, P.S Bagus, E Kay, (1987), “Simple model for thin ferromagnetic films exchange coupled to an antiferromagnetic substrate”, J. Appl Phys, 62, p. 3047 10 G Anderson, Y Huai, L Miloslawsky, (2000), “CoFe/IrMn exchange biased top, bottom, and dual spin valve”, Journal of Applied Physics, p 6989 6991 11 I.S Jacob, in: G.T Rado, H Suhl(Eds), (1963), Magnetism, Academic Press, New York, p.271 12. J. Adrian Devasahayam and H. Mark Kryder, (1999),“Biasing Materials For SpinValve Read Heads”, IEEE transaction on magnetics, vol.35(2), pp. 178 – 190 13. J. Nogs, J. Sort, V. Langlais, V. Skumryev, S. Suriđach, J.S. Moz, M.D. Baró, (2005), “Exchange bias in nanostructures”, J. Appl, Phys, 61, p.4255 14. J. Nogues´, K.I. Schuller, (1998), “Exchange bias”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 192 , p.203—232 15. L. JianPing, Q. ZhengHong, S. YuCheng, BAI Ru, L. JianLin, Z. JianGuo, (2014), “Effect of Magnetic Annealing on IrMn Based Spin Valve Materials with SAF Structure”, Journal of Inorganic Materials, Vol. 29(4), pp. 411416 16. M.N. Baibich, J.M. Broto, A. Fert, F. nguyen Van Dau, F. Petroff, P. Etienne, G Creuzet, A Friederich and J Chazelas, (1989), “Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic superlattices”, Phys. Rev Lett, Vol. 61, pp. 24722475 17 M.T Johnson, P.J.H Bloemen, F.J.A Broeder and J.J de Vries, (1996), “Magnetic anisotropy in metallic multilayers”, Rep. Prog. Phys, 59, p.1409 33 18. N.G. Chechenin, P.N. Chernykh, S.A. Dushenko, I.O. Dzhun, A.Y. Goikhman, V.V. Rodionova, (2014), “Asymmetry of Magnetization Reversal of Pinned Layer in NiFe/Cu/NiFe/IrMn SpinValve Structure, Journal of Superconductivity and Novel Magnetism”, Phys. Rev. Lett, Volume 27(6), 19 P.S Anil Kumar and J.C Lodder, (2000), “The spin valve transitor”, J D. Phys.: Appl. Phys, 33, pp. 2911–2920 20. S.J. Bludell, J.A.C. Bland, (1992), “Polarized Neutron Reflection as a Probe of Magnetic Films and Multilayers”, Phys. Rev, p. 3391 21. V.K. Sankaranarayanan, S.M Yoon, C.G Kim, C.O Kim, (2005), “Exchange bias variation of the seed and top NiFe layers in NiFe/FeMn/NiFe trilayer as a function of seed layer thickness”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 286, pp. 196–199 34 ... TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Nguyễn Thị Kiều Vân NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ĐA LỚP CÓ CẤU TRÚC SPIN VAN Chuyên ngành: Vật lý Nhiệt Mã số: LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. LÊ TUẤN TÚ... 1.7. Mục tiêu của luận văn Để nghiên cứu tính chất từ của cấu trúc spin van, 3 loại màng mỏng sau đây đã được chế tạo: Màng đơn lớp: Si/SiO2/Ta/NiFe/Ta Màng 2 lớp: Si/SiO2/Ta/NiFe/IrMn/Ta Màng đa lớp: Si/ SiO2/Ta/NiFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta... Trên cơ sở những điều nói trên, luận văn này chọn đối tượng nghiên cứu là màng mỏng đa lớp có cấu trúc spin – van Ta/NiFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta được chế tạo bằng phương pháp phún xạ catốt Luận văn của em gồm 3 phần chính: Chương 1: Tổng quan về màng mỏng từ tính