TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI KHOA HÓA HỌC NGUYỄN THỊ NGỌC CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA THANH NANO ZnS/ZnO KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC Chun ngành: Hóa học vơ Hà Nội – 2017 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI KHOA HÓA HỌC NGUYỄN THỊ NGỌC CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA THANH NANO ZnS/ZnO KHĨA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC Chun ngành: Hóa học vơ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS NGUYỄN VĂN QUANG Hà Nội – 2017 Đại học Sư phạm Hà Nội Khóa luận tốt nghiệp LỜI CẢM ƠN Em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy TS Nguyễn Văn Quang, người tận tình hướng dẫn, bảo, giúp đỡ tạo điều kiện cho em suốt q trình học tập, nghiên cứu hồn thành khóa luận Em xin chân thành cảm ơn thầy giáo, giáo khoa Hóa Học trường Đại Học Sư Phạm Hà Nội nhiệt tình giúp đỡ sở vật chất bảo em q trình tiến hành thí nghiệm Cuối em xin chân thành cảm ơn trao đổi, đóng góp ý kiến thẳng thắn bạn sinh viên lớp K39B – Sư phạm Hóa học trường Đại Học Sư Phạm Hà Nội giúp đỡ em nhiều q trình hồn thành khóa luận tốt nghiệp động viên, khích lệ bạn bè, người thân đặc biệt gia đình tạo niềm tin giúp em phấn đấu học tập hồn thành khóa luận Em xin chân thành cảm ơn! Hà Nội, tháng năm 2017 Sinh viên Nguyễn Thị Ngọc Nguyễn Thị Ngọc i K39b – Sư phạm Hóa học Đại học Sư phạm Hà Nội Khóa luận tốt nghiệp LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan khóa luận cơng trình nghiên cứu riêng hướng dẫn khoa học TS Nguyễn Văn Quang Các kết số liệu khóa luận trung thực chưa cơng bố cơng trình khác Hà Nội, tháng năm 2017 Sinh viên Nguyễn Thị Ngọc Nguyễn Thị Ngọc i i K39b – Sư phạm Hóa học Đại học Sư phạm Hà Nội Khóa luận tốt nghiệp MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i LỜI CAM ĐOAN ii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT v DANH MỤC CÁC BẢNG vii DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ viii MỞ ĐẦU CHƯƠNG I: TỔNG QUAN 1.1 Cơ sở lí thuyết 1.1.1 Giới thiệu 1.1.2 Các cấu trúc nano chiều 1.1.3 Các cấu trúc nano dị thể chiều 16 1.2 Các cấu trúc nano dị thể chiều ZnS/ZnO 17 1.2.1 Các cấu trúc nano phức tạp 17 1.2.2 Các cấu trúc nano dị thể đồng trục (lõi /vỏ) 18 1.2.3 Tính chất quang cấu trúc nano dị thể chiều ZnS/ZnO 22 CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 24 2.1 Giới thiệu 24 2.2 Thực nghiệm 25 2.2.1 Thiết bị vật liệu nguồn bốc bay 25 2.2.2 Quy trình thực nghiệm chế tạo cấu trúc chiều ZnS/ZnO 26 2.3 Các phương pháp nghiên cứu tính chất vật liệu 29 2.3.1 Phân tích cấu trúc phổ nhiễu xạ tia X 29 2.3.2 Phương pháp phổ tán xạ Raman 30 2.3.3 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 32 Nguyễn Thị Ngọc K39b – Sư phạm Hóa học Đại học phạm Hà Nội Khóa luận tốt 33 2.3.4SưHệ đo phổ huỳnh quang kích thích huỳnh quang nghiệp 2.3.5 Phổ truyền qua -hấp thụ quang học UV-VIS 34 Nguyễn Thị Ngọc K39b – Sư phạm Hóa học Đại học Sư phạm Hà Nội Khóa luận tốt nghiệp CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 35 3.1 Các cấu trúc nano chiều ZnS nhận sau nuôi phương pháp bốc bay nhiệt theo chế VS 35 3.2 Nghiên cứu trình chuyển pha ZnS  ZnO mơi trường khơng khí nguồn gốc đỉnh phát xạ màu xanh lục (green) cấu trúc chiều ZnS 41 3.3 Nghiên cứu cấu trúc nano dị thể chiều ZnS/ZnO trình chuyển pha ZnS  ZnO phương pháp oxi hóa nhiệt sau ni mơi trường khí oxi 49 KẾT LUẬN 60 TÀI LIỆU THAM KHẢO 61 Nguyễn Thị Ngọc K39b – Sư phạm Hóa học Đại học Sư phạm Hà Nội Khóa luận tốt nghiệp DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Ký hiệu aB D3 , D2 , D1 , D0 E Ec ED, EA Eexc Eg(∞) Eg(NPs) Ep Ev EW F I (hν) Kx, Ky, Kz me mh U(0) Α ΔE λ, λexc, λem Μ Ν Chữ viết tắt A CB Nguyễn Thị Ngọc Tên tiếng Anh Bohr exciton radius Density of states Tên tiếng Việt Bán kính Bohr exciton Mật độ trạng thái vật rắn 3, 2, chiều Energy Năng lượng Conduction band edge Năng lượng đáy vùng dẫn Energy of donor and acceptor Năng lượng mức đono, acepto level Energy of exciton Năng lượng exciton Bandgap of bulk Năng lượng vùng cấm bán dẫn semiconductor khối Bandgap energy of a Năng lượng vùng cấm hạt nanoparticles nano Energy of photon Năng lượng photon Valence band edge Năng lượng đỉnh vùng hóa trị Energy of electron in a Năng lượng điện tử potential well giếng Exciton oscillator strength Lực dao động exciton Intensity of luminescence Cường độ huỳnh quang Wave vector Vectơ sóng trục x, y, z Effective mass of electron Khối lượng hiệu dụng điện tử Effective mass of hole Khối lượng hiệu dụng lỗ trống Overlap factor between Hệ số chồng chập hàm sóng eclectron and hole wave điện tử lỗ trống functions Absorption coefficient Hệ số hấp thụ Transition energy Năng lượng chuyển tiếp Wavelength, Excitation and Bước sóng, bước sóng kích thích emission Wavelength phát xạ Transition dipole moment Môment lưỡng cực chuyển tiếp Frequency Tần số Tên tiếng Anh Tên tiếng Việt Acceptor Acepto Conduction band Vùng dẫn K39b – Sư phạm Hóa học Đại học Sư phạm Hà Nội CNT CRT CVD D DA, DD EDX FCC FESEM GB GO HOMO LO LUMO NBE PL CL PLE RE RT TEM TM TO VB VLS VS XRD Nguyễn Thị Ngọc Khóa luận tốt nghiệp Carbon nano-tubes Cathode ray tube Chemical vapor deposition Donor Deep Acceptor, Deep Donor Energy dispersive x-ray spectroscopy Face center cubic Field emission scanning electron microscopy Green-Blue Green-Orange Highest occupied molecular orbital Longitude optical Lowest unoccupied molecular orbital Near Band Edge emission Photoluminescence spectrum Cathodoluminescence Photoluminescence excitation spectrum Rare Earth Room temperature Transmission electron microscope Transition metal Transverse optical Valence band Vapor liquid solid Vapor solid X-ray Diffraction vi Ống nano cacbon Ông tia catốt Lắng đọng pha hóa học Đono Acepto sâu, Đono sâu Phổ tán sắc lượng tia x Lập phương tâm mặt Hiển vi điện tử quét phát xạ trường Xanh lục-Xanh lam Xanh lục- Cam Quỹ đạo phân tử bị chiếm cao Phonon quang dọc Quỹ đạo phân tử không bị chiếm thấp Phát xạ bờ vùng Phổ huỳnh quang Phổ huỳnh quang catốt Phổ kích thích huỳnh quang Đất Nhiệt độ phòng Hiển vi điện tử truyền qua Kim loại chuyển tiếp Phonon quang ngang Vùng hóa trị Hơi-lỏng-rắn Hơi-rắn Nhiễu xạ tia x K39b – Sư phạm Hóa học Đại học Sư phạm Hà Nội Khóa luận tốt nghiệp DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1 Sự liên quan kích thước số nguyên tử bề mặt Bảng 1.2 Các phương pháp chế tạo cấu trúc chiều đồng trục lõi vỏ ZnS tài liệu tham khảo tương ứng 21 Bảng 1.3 Các phương pháp chế tạo cấu trúc dị thể chiều cạnh - cạnh ZnS (ZnS-side-by-side heterostructures) 22 Nguyễn Thị Ngọc vi i K39b – Sư phạm Hóa học dẫn tới q trình oxi hố hiệu hơn, hạt ZnO phát triển bao phủ hoàn toàn bề mặt ZnO tạo thành lớp suốt, hình dạng ban đầu nano sau oxi hố khơng đổi Nhiệt độ oxi hóa 800oC, micro ZnO hình thành dạng xốp (hình tổ ong) với đường kính lỗ xốp từ 50 100 nm Hình 3.11 Phổ XRD micro ZnS nhận sau ni sau oxi hóa nhiệt độ khác Hình 3.11 phổ nhiễu xạ tia X micro ZnS ban đầu mẫu sau oxi hóa nhiệt độ 500 - 800oC thời gian 30 phút Như phân tích hình 3.2 trên, ZnS sau chế tạo bao gồm pha tinh thể lục giác ZnS, phổ XRD mẫu bao gồm đỉnh hẹp có cường độ cao, chứng tỏ kết tinh tốt tinh thể chế tạo Sau oxi hóa 500 oC, mẫu tồn hai pha ZnS ZnO với ty lệ pha tương ứng 39.2 % 60.8 % Pha ZnS có cấu trúc lục giác wurtzite (Ref Code: 98-007-1748) với mặt (002) có cường độ lớn nhiều so với đỉnh nhiễu xạ mặt phẳng tinh thể khác, điều gián tiếp cho thấy phương mọc ưu tiên micro ZnS [0 1] Tương tự, pha ZnO, đỉnh nhiễu xạ có cường độ lớn pha tương ứng với mặt (002) tương ứng với pha lục giác ZnO Khi nhiệt độ oxi hóa tăng lên 600oC, đỉnh nhiễu xạ tương ứng với pha ZnO tăng dần, pha ZnS giảm Tiếp tục tăng nhiệt độ oxi hóa lên 700oC, lúc pha mẫu hoàn toàn chiếm ưu thế, đỉnh nhiễu xạ liên quan đến pha ZnS quan sát với cường độ yếu Trong pha ZnO đỉnh nhiễu xạ tương ứng với mặt (101) xuất bên cạnh mặt (002) với cường độ yếu đỉnh nhiễu xạ tương ứng với mặt này, trở nên có cường độ mạnh mẫu oxi hóa nhiệt độ 800oC Như nói, q trình chuyển pha ZnS  ZnO diễn nhiệt độ thấp, nhiệt độ oxi 700oC, mẫu chuyển hóa hồn tồn thành ZnO [14] Hình 3.12 Ảnh FESEM-CL micro ZnS nhận sau ni (a); sau oxi hóa nhiệt độ 900oC thời gian 30 phút (b) phổ CL đo chế độ toàn phổ (với điều kiện đo không đổi) micro ZnS nhận sau ni sau oxi hóa tại nhiệt độ 500, 600, 700, 800, 900oC thời gian 30 phút Hình 3.12 ảnh FESEM - CL phổ CL ZnS nhận sau nuôi sau oxi hoá nhiệt độ từ 500 - 900oC mơi trường khí oxi thời gian 30 phút So sánh ảnh FESEM - CL cho thấy micro sau oxi hóa 900oC (ảnh FESEM - CL hình 3.12 a) kích thích chùm điện tử phát sáng mạnh vùng ánh sáng nhìn thấy (phổ CL 3.12 c), micro ZnS nhận sau ni (ảnh FESEM-CL hình 3.12 b) có độ tương phản ánh sáng mờ cho phát xạ NBE tốt hơn, phát xạ NBE mạnh chiếm ưu mẫu (phổ CL 3.12 d) Phổ CL tập trung vào vùng UV, hình 3.12 (d), cho thấy micro ZnS nhận sau nuôi có cường độ đỉnh phát xạ NBE mạnh bước sóng 334 nm Sau oxi hóa 500oC cường độ đỉnh phát xạ NBE dịch đỏ nm bước sóng 336 nm, đỉnh tiếp tục dịch chuyển đỏ bước sóng dài đến vị trí ~340 nm mẫu oxi hóa 600oC, cường độ đỉnh phát xạ bờ vùng giảm Kết phổ XRD cho thấy, nhiệt độ oxi hóa 500oC, pha tinh thể ZnO mẫu chiếm ưu (~61 %), nhiên pha tinh thể ZnO hình thành nhiệt độ có chất lượng tinh thể chưa tốt nên chúng tơi không quan sát đỉnh phát xạ liên quan đến phát xạ NBE ZnO Sự dịch chuyển đỏ phát xạ bờ vùng ZnS giải thích hình thành pha lai (pha dị thể ZnS/ZnO) dẫn tới làm giảm độ rộng vùng cấm ZnS Tại nhiệt độ oxi hóa 700oC, pha ZnO chiếm ưu hoàn toàn, phổ CL mẫu cho thấy xuất đỉnh phát xạ bờ vùng ZnO bước sóng 380 nm, minh chứng cho kết tinh tốt chất lượng cao pha ZnO Tuy nhiên trình oxi hóa gây nhiều sai hỏng mạng dẫn đến hình thành dải phát xạ rộng vùng ánh sáng nhìn thấy Ở mẫu oxi hóa nhiệt độ 800oC, vùng UV chúng tơi quan sát dải phát xạ có đỉnh nằm hai dải phát xạ bờ vùng hai pha ZnS ZnO, bước sóng ~ 352 nm Lưu ý, nhiệt độ oxi hóa tồn pha ZnS chuyển hóa thành pha ZnO nên, phát xạ bờ vùng ZnS bị dập tắt hồn tồn Sau oxi hóa nhiệt độ 900oC thời gian 30 phút mơi trường khí oxi, phổ CL ZnS (giờ ZnO) đặc trưng hai dải phát xạ với cực đại phổ tương ứng bước sóng 352, 384 515 nm (hình 3.12 d) Phát xạ bờ vùng ZnO ~384 nm có cường độ tăng đáng kể dịch đỏ ~ nm so với oxi hóa 700oC Cường độ đỉnh phát xạ NBE ZnO tăng dịch đỏ ZnO hình thành nhiệt độ cao kết tinh tốt tạo hạt nano tinh thể ZnO có kích thước lớn Điều đặc biệt chúng tơi muốn nhấn mạnh là, dải phổ phát xạ vùng nhìn thấy ZnO có bán độ rộng phổ lớn bao phủ vùng phổ từ 400 đến 700 nm, gần hoàn toàn giống với phổ ánh sáng mặt trời Sự tồn đỉnh phổ oxi hóa nhiệt độ cao nguyên tử S khuếch tán nhanh khỏi bề mặt, nguyên tử O chưa kịp khuếch tán vào tạo nhiều khuyết tật mạng (ZnO) làm cho đỉnh phát xạ vùng sai hỏng tăng mạnh mở rộng Đồng thời tốc độ oxi hoá cao nhiệt độ cao này, mẫu hình thành ứng suất nội lớn (strain ZnO), làm xuất dải phát xạ bước sóng 352 nm [23] Ngoài ra, xuất đỉnh 352 nm này, hình thành pha hợp chất dạng ZnSxO1-x dù với ty lệ nhỏ độ hoà tan thấp S ZnO [16] Nếu vậy, rõ ràng lai hố để tạo nên chất bán dẫn nhân tạo dạng ZnSxO1-x qua điều khiển độ rộng vùng cấm chúng nằm hải dải phát xạ bờ vùng ZnS ZnO Để làm rõ nhận định này, trình bày hình 3.13 kết phân tích kết hợp FESEM - EDS, FESEM - CL phổ CL ZnS sau oxi hóa nhiệt độ 900oC Như thấy, thành phần hố học bao gồm hai thành phần Zn O, với hàm lượng S lại ~ % nguyên tử (hình 3.13 b) tồn dải phát xạ ~352 nm dải phổ phát xạ ánh sáng trắng bao trùm từ 400 - 700 nm (hình 3.13 d) Hình 3.13 (a) Ảnh FESEM-EDS, (b) phổ EDS đo vùng nhỏ đánh dấu ảnh FESEM-EDS, (c) Ảnh FESEM-CL vị trí đo EDS, (d) phổ CL đo vị trí đánh dấu ảnh FESEM-CL micro ZnS sau oxi hóa nhiệt độ 900oC thời gian 30 phút Hình 3.14 Phổ huỳnh quang phụ thuộc vào bước sóng kích thích (a); phụ thuộc cường độ đỉnh phát xạ 515 nm vào bước sóng kích thích (b); phổ huỳnh quang chế độ đo 3D (c) ảnh phổ huỳnh quang phụ thuộc vào bước sóng kích thích (d) Hình 3.14 phổ huỳnh quang phụ thuộc vào bước sóng kích thích micro ZnO nhận sau oxi hóa ZnS nhiệt độ 900oC thời gian 30 phút Kết cho thấy bước sóng kích thích tăng từ 280 đến 380 nm cường độ đỉnh phát xạ 515 nm tăng ty lệ thuận với tăng bước sóng kích thích Ngồi quan sát cho thấy bước sóng kích thích tăng gần 380 nm có dải phát xạ vùng nhìn thấy có xu hướng mở rộng Như vậy, với kết hình 3.14, nano ZnO pha tạp S (ZnO:S) mà chế tạo chắn vật liệu huỳnh quang tiềm cho ứng dụng chế tạo điơt phát ánh sáng trắng dùng nguồn kích tử ngoại (phosphor converted white LED) Như nhiều lần nhắc lại chương 3, micro ZnS chế tạo có chất lượng tinh thể tốt, có khả cho phát xạ bờ vùng mạnh nhiệt độ phòng, khơng có phát xạ sai hỏng hay tạp chất Chính vậy, để kiểm tra nhận định này, tiến hành nghiên cứu phổ quang huỳnh quang mẫu kích thích nguồn laser xung có lượng cao với bước sóng kích thích 266 nm Nd:YAG laser, nghiên cứu đánh giá chất lượng quang học ZnO chế tạo cách oxi hố ZnS Trên hình 3.15 (1) phổ huỳnh quang nano ZnS nhận sau ni (ban đầu) kích thích laser bước sóng 266 nm nhiệt độ phòng Đúng mong đợi chúng tôi, lặp lại kết đo CL, phổ nhận gồm dải phát xạ UV có cường độ mạnh vùng bước sóng 320 360 nm Dải phát xạ phát xạ gần bờ vùng ZnS (NBE_ZnS) Như quan sát thấy hình chèn, dải phổ bao gồm hai đỉnh với trị trí tương ứng 334 340 nm, hoàn toàn trùng khớp với phát xạ bờ vùng ZnS công bố Trước đây, việc tách vạch phổ bờ vùng ZnS thấy mẫu ZnS có chất lượng tinh thể cao đo nhiệt độ thấp Điều chứng tỏ nano ZnS nhận sau nuôi phương pháp bốc bay nhiệt theo chế VS đế Si/SiO2 không sử dụng kim loại có chất lượng tinh thể tốt Khi oxi hóa mẫu nhiệt độ 500oC, phổ huỳnh quang hình 3.15 (2) cho thấy, vùng UV có hai đỉnh phổ phát xạ bước sóng 341 380 nm liên quan đến phát xạ bờ vùng ZnS ZnO tương ứng Trong đỉnh phát xạ NBE_ZnS chiếm ưu có cường độ cao Ngồi ra, vùng nhìn thấy xuất dải phát xạ có đỉnh bước sóng ~ 496 nm, theo chúng tơi dải phát xạ sai hỏng hình thành lớp màng ZnO oxi hoá nhiệt bề mặt ZnS Khi nhiệt độ oxi hóa tăng lên 600oC hình 3.15 (3), cường độ dải phát xạ gần bờ vùng NBE_ZnS giảm, cường độ dải phát xạ NBE_ZnO tăng phát xạ sai hỏng tăng Kết nhận giải thích sau: nhiệt độ oxi hóa tăng, ty lệ pha ZnO mẫu tăng, ngược lại pha ZnS giảm, nên cường độ ty đối hai pha thay đổi Hình 3.15 Phổ PL đo nhiệt độ phòng kích thích laser bước sóng 266 nm (Nd:YAG): Thanh nano ZnS nhận sau nuôi (1); Sau oxi hóa nano ZnS mơi trường khí oxi thời gian 30 phút nhiệt độ: 500oC (2); 600oC (3); 700oC (4)ss Đặc biệt mẫu này, phổ PL quan sát cho thấy có tách vạch tinh tế mức phát xạ gần bờ vùng ZnO cho dải phát xạ hẹp tương tự phát xạ laser nhiệt độ phòng Sự tách vạch liên quan đến phát xạ mode cộng hưởng buồng cộng hưởng tự nhiên cấu trúc nano chiều ZnS/ZnO xảy vùng lớp vỏ ZnO Dải phát xạ sai sỏng (DE) có đỉnh bước sóng ~ 500 nm tăng sai hỏng mẫu tăng Khi oxi hóa nhiệt độ 700oC hình 3.15 (4), dải phát xạ NBE_ZnS bị dập tắt hoàn toàn, điều chứng tỏ pha ZnS bị chuyển hóa gần hồn tồn thành ZnO Dải phát xạ NBE_ZnO lúc có cường độ mạnh, mạnh nhiều so với phát xạ sai hỏng thể tách vạch tinh tế tương tự phát xạ laser ngẫn nhiên cấu trúc nano ZnO [10] Như vậy, xuất phát từ micro ZnS có chất lượng tinh thể tốt, cách oxi hố mẫu mơi trường oxi nhiệt độ cao, chúng tơi chuyển hố phần mẫu thành cấu trúc lõi vỏ ZnS/ZnO cho phát xạ đồng thời hai pha ZnS ZnO chuyển pha hoàn thành thành tinh thể ZnO, có chất lượng tinh thể cao có khả cho phát xạ laser ngẫu nhiên buồng cộng hưởng micro ZnO KẾT LUẬN Qua q trình nghiên cứu thu được, ta rút số kết luận sau: Đã phát triển thành công công nghệ chế tạo cấu trúc micro-nano chiều ZnS/ZnO phương pháp bốc bay nhiệt Sử dụng hệ thống lò bốc bay nhiệt nằm ngang có tích hợp thiết bị hút chân khơng, hệ thống cấp khí, điều khiển đo lưu lượng khí Vật liệu nguồn sử dụng cho bốc bay bột micro/nano ZnS; đế ni sử dụng đế silic có lớp SiO2 (Si/SiO2) nuôi theo chế VS không sử dụng kim loại xúc tác Bằng cách nghiên cứu cách hệ thống đồng thời trình oxi hố micro dây nano ZnS, chúng tơi đưa lời giải thích thuyết phục cho nguồn gốc đỉnh phát xạ manh xanh lục (green) từ cấu trúc ZnS chiều hình thành lớp ZnO khơng hồn hảo hay sai hỏng dạng ZnS-O bề mặt cấu trúc chiều ZnS Chúng phát rằng, cách tạo bề mặt cấu trúc chiều ZnS (dây/thanh) lớp ZnO (hồn thiện), tính chất quang mà cụ thể phát xạ NBE ZnS tăng cường TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT Trần Thị Quỳnh Hoa (2012) Nghiên cứu chế tạo số tính chất Vật liệu cấu trúc nano ZnS Luận án Tiến sĩ Vật lý chất rắn, Đại học KHTN Hà Nội Thái Hoàng (2012) Vật liệu nanocompozit khoáng sét - nhựa dẻo NXB Khoa học tự nhiên Công nghệ Trương Văn Tân (2009) Khoa học Công nghệ nano Nhà xuất Trí Thức Phạm Thị Thủy (2013) Nghiên cứu chế tạo số chế kích thích chuyển hoá lượng vật liệu bán dẫn hợp chất III-P cấu trúc nano Luận án tiến sĩ Khoa học vật liệu, Viện Khoa học vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam Nguyễn Trí Tuấn (2012) Nghiên cứu tổng hợp khảo sát tính chất quang nano tnh thể bán dẫn ZnS pha tạp Cu Mn Luận án tiến sĩ Khoa học vật liệu, Đại học Bách khoa Hà Nội TIẾNG ANH A Bera and D Basak (2010), Photoluminescence and Photoconductivity of ZnS-Coated ZnO Nanowires, Applied materials & Interfaces, Vlo No.2, pp.408-412 A.A Bol, A Meijerink (2001), Luminescence Quantum Eficiency of Nanocrystalline ZnS:Mn2+ Surface Passivation and Mn2+Concentration, J Phys Chem B, 105, pp 10197-10202 B Liu, L Hu, C Tang, L Liu, S Li, J Qi, Y Liu (2011), Self- assembled highly symmetrical ZnS nanostructures and their cathodoluminescence, Journal of Luminescence 131, pp 1095–1099 C Jin, Y Cheng, X Zhang, W Zhong, Y Deng, C Au, X Wua and Y Du (2009), Catalytc growth of clusters of wurtzite ZnS nanorods through codepositon of ZnS and Zn on Au film, Cryst., Eng., Comm 11, pp 2260–2263 10 C Zhang, F Zhang, T Xia, N Kumar, J.I Hahm, J Liu, Z.L Wang, and J Xu (2009), Low-threshold two-photon pumped ZnO nanowire lasers, OPTICS EXPRESS, Vol 17, No 10, PP 7893-7900 11 C.H Liang, Y Shimizu, T Sasaki, H Umehara, N Koshizaki (2004), Aumediated growth of wurtzite ZnS nanobelts, nanosheets, and nanorods via thermal evaporation, J Phys Chem B, 108, pp 9728–9733 12 D Moore, Z L Wang (2006), Growth of anisotropic one-dimensional ZnS nanostructures, J Mater Chem., 16, pp.3898-3905 13 E Comini, C Baratto, G Faglia, M Ferroni, A Vomiero, G Sberveglieri (2009), Quasi-one dimensional metal oxide semiconductors: Preparaton, characterizaton and application as chemical sensors, Progress in Materials Science 54, pp 1–67 14 G Rani, P D Sahare (2013), Study of the structural and morphological changes during the phase transiton of ZnS to ZnO, Appl Phys A, DOI 10.1007/s00339-013-8173-6 15 H Y Lu, S Y Chu, and C C Chang (2005), Synthesis and optical propertes of well-aligned ZnS nanowires on Si substrate, J Crys Gro 280, 173 16 H.L Pan, T Yang, B.Yao, R Deng, R.Y Sui, L.L Gao, D.Z Shen (2010), Characterization and propertes of ZnO1−xSx alloy films fabricated by radiofrequency magnetron sputtering, Applied Surface Science 256, pp 4621–4625 17 H.S Nalwa (2000), Handbook of Nanostructured Materials and Nanotechnology, Optcal Properties, 4, Academic press 18 J Li, G.J Fang, C Li, L.Y Yuan, L Ai, N.S Lui, D.S Zhao, K Ding, G.H Li, X.Z.Zang (2008), Synthesis and photoluminescence, field emission propertes of stalactite- like ZnS-ZnO composite nanostructures.Applied Physics A 90, 759-763 19 J Yan, X.S Fang, L.D Zhang, Y Bando, U.K Gautam, B Dierre et al (2008), Structure and cathodoluminescence of individual ZnS/ZnO biaxial nanobelt heterostructures, Nano Lett, 8, pp 2794–2799 20 J Zhao, L Qin, L Zhang (2009), Fabrication of ZnS/ZnO hierarchical nanostructures by two-step vapor phase method Meterials Research Bulletin 44 pp 1003-1008 21 J.H He, Y.Y Zhang, J Liu, D Moore, G Bao, and Z.L Wang (2007), ZnS/Silica nanocable field effect transistors as biological and chemical nanosensors, J Phys Chem C, 111, 12152–12156 22 N.Wang,Y.Cai, R.Q Zhang (2008), Growth of nanowires, A Review Journal, pp.1-51 23 R.M Wang, W Liu (2012), Synthesis and characterizaton of ZnS tetrapods and ZnO/ZnS heterostructures, Thin Solid Films 522, pp 40–44 24 R.S Knox (1963), Theory of Excitons, Solid state Physics supplements, Academic Press, New York 25 X Fang , T Zhai, U.K Gautamb, L Li,L Wu, Y Bando, D Golberg (2011), ZnS nanostructures: From synthesis to applicatons, Progress in Materials Science 56, pp 175–287 26 Y Kayanuma (1988), Quantum-size effects of interactng electrons and holes in semiconductor microcrystals with spherical shape, Phys Rev B, 38, pp 9797-9805 ... đổi thành ZnO dễ dàng cách oxi hố Chính vậy, em đề tài: Chế tạo tính chất nano ZnS/ ZnO với mục tiêu nghiên cứu sau: - Nghiên cứu phương pháp chế tạo nano ZnS/ ZnO - Nghiên cứu tính chất quang... trúc chiều ZnS ZnO, đặc biệt ZnO trở thành chủ đề quan tâm 10 năm gần đây, mà hệ tất yếu nghiên cứu nhiều dạng thù hình chiều khác ZnS ZnO nano, đai nano, dây nano, vòng nano đã chế tạo nhiều... liệu nano Vật liệu nano loại vật liệu với chiều có kích thước nanomet (1 100 nm), bao gồm đai nano, dây ống nano, hạt nano Ở kích thước nano, vật liệu có tính chất đặc biệt độc đáo (thể tính chất