BỘ CÔNG THƯƠNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC KHOA CÔNG NGHỆ TỰ ĐỘNG - - ĐỒ ÁN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT ĐỀ TÀI: THIẾT KẾ BỘ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP BA PHA CẤP ĐIỆN CHO TẢI RL, E= 220V; R= 10 Ω, L= 0.04H; YÊU CẦU DÙNG VAN IGBT VÀ ĐIỀU KHIỂN PWM Giảng viên hướng dẫn : TS Phạm Thị Thùy Linh Sinh viên thực : NGUYỄN ĐỨC TRUNG NGUYỄN HOÀNG MINH Khoa : ĐIỀU KHIỂN – TỰ ĐỘNG HĨA Lớp : D10_CNTĐ_CLC Khố : 2015 – 2020 Hà Nội, tháng 10 năm 2018 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC LỜI MỞ ĐẦU Trong thực tế sử dụng điện ta cần thay đổi tần số nguồn cung cấp, biến tần sử dụng rộng rãi truyền động điện, thiết bị đốt nóng cảm ứng, thiết bị chiếu sáng Ngày với phát triển nhanh chóng kỹ thuật bán dẫn công suất lớn, thiết bị biến đổi điện dùng linh kiện bán dẫn công suất sử dụng nhiều công nghiệp đời sống nhằm đáp ứng nhu cầu ngày cao xã hội Bộ nghịch lưu biến tần gián tiếp biến đổi chiều thành xoay chiều có ứng dụng lớn thực tế hệ truyền động máy bay, tầu thuỷ, xe lửa Trong thời gian học tập nghiên cứu, học tập nghiên cứu môn Điện tử công suất ứng dụng lĩnh vực hệ thống sản xuất đại Vì để nắm vững phần lý thuyết áp dụng kiến thức vào thực tế, em nhận đồ án môn học với đề tài: “THIẾT KẾ BỘ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP BA PHA CẤP ĐIỆN CHO TẢI RL, E= 220V; R= 10 Ω, L= 0.04H; YÊU CẦU DÙNG VAN IGBT VÀ ĐIỀU KHIỂN PWM” Với đề tài giao, em vận dụng kiến thức để tìm hiểu nghiên cứu lý thuyết, đặc biệt em tìm hiểu sâu vào tính tốn thiết kế phục vụ cho việc hoàn thiện sản phẩm Dưới hướng dẫn bảo nhiệt tình T.s Phạm Thị Thùy Linh với cố gắng nỗ lực thành viên nhóm chúng em hồn thành xong đồ án Tuy nhiên thời gian kiến thức hạn chế nên khơng tránh khỏi thiếu sót thực đồ án Vì chúng em mong nhận nhiều ý kiến đánh giá, góp ý thầy cô giáo, bạn bè để đề tài hoàn thiện Em chân thành cảm ơn! Hà Nội, ngày tháng năm 2019 Sinh viên Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC LỜI CẢM ƠN Trong trình thực đề tài gặp phải nhiều vấn đề khó khăn song với hướng dẫn cô T.s Phạm Thị Thùy Linh với bảo thầy cô giáo Khoa Công Nghệ Tự Động lỗ lực khơng ngừng nhóm, đến chúng em hoàn thành đề tài Tuy nhiên, kiến thức chúng em hạn chế, nên khơng thể tránh khỏi thiếu sót Vì chúng em mong nhận ý kiến đóng góp chân thành từ phía T.s Phạm Thị Thùy Linh với bảo thầy cô giáo Khoa Công Nghệ Tự Động bạn đọc để đề tài chúng em ngày hoàn thiện phát triển lên mức cao thời gian gần Những lời nhận xét góp ý hướng dẫn giúp chúng em có định hướng đắn trình thực đồ án, giúp chúng em nhìn ưu khuyết điểm đồ án từng bước khắc phục để có kết tốt Chúng em xin cảm ơn thầy cô khoa Công Nghệ Tự Động, môn Điện tử công suất tận tình bảo, truyền đạt cho chúng em kiến thức chuyên ngành, công nghệ cách làm việc nhóm để hồn thành tốt đồ án môn học Chúng em xin chân thành cảm ơn! Đánh giá nhận xét GV hướng dẫn Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC Giáo viên hướng dẫn T.s Phạm Thị Thùy Linh Mục lục Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC Chương Kiến thức tổng quát 1.1.Giới thiệu chung nghịch lưu độc lập .5 1.1.1.Khái niệm .5 1.1.2.Phân loại nghịch lưu độc lập 1.2 Van IGBT .6 1.2.1 Đặc điểm cấu tạo 1.2.2 Điều kiện mở van, khóa van, thông số van 1.3 Sơ đồ nghịch lưu độc lập ba pha 10 1.3.1 Cấu tạo .10 1.3.2 Nguyên lí hoạt động 10 1.4 Giới thiệu phương pháp điều khiển van IGBT1 13 Chương Tính tốn thiết kế mạch lực 15 2.1 Thiết kế mạch lực 15 2.2 Tính toán thiết bị 15 Chương Tính tốn thiết kế mạch điều khiển 16 3.1 Cấu trúc tổng quát mạch điều khiển .16 3.2 Khâu tạo điện áp cưa 18 Chương Mô 19 4.1 Giới thiệu phần mềm mô PSIM 19 4.2 Các linh kiện sử dụng cho việc mô mạch nghịch lưu ba pha sử dụng điều chế bề rộng xung PWM .20 4.3 Mô .21 4.4 Kết 21 4.4.1 Sóng sin sóng cưa 22 4.4.2 Dòng tải pha A, B, C 22 4.4.3 Điện áp điều khiển 23 4.4.4 Điện áp tải pha .23 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC CHƯƠNG KIẾN THỨC TỔNG QUÁT 1.1 Giới thiệu chung nghịch lưu độc lập 1.1.1 Khái niệm Nghịch lưu độc lập (NLĐL) thiết bị biến đổi lượng dòng điện chiều thành lượng dòng điện xoay chiều với tần số cố định thay đổi (hình 1.1a) 1.1.2 Phân loại nghịch lưu độc lập Trong hệ thống chỉnh lưu có nghịch lưu nghịch lưu phụ thuộc, khác biệt hai nghịch lưu chỗ: Nghịch lưu phụ thuộc biến đổi lượng chiều thành lượng điện xoay chiều, tần số điện áp dòng điện xoay chiều tần số khơng thể thay đổi lưới điện Hơn hoạt động nghịch lưu phải phụ thuộc vào điện áp lưới tham số điều chỉnh góc điều khiển α xác định theo tần số pha lưới điện xoay chiều Nghịch lưu độc lập hoạt động với tần số mạch điều khiển định thay đổi tùy ý, tức độc lập với lưới điện Nghịch lưu độc lập chia thành ba loại: NLĐL điện áp, cho phép biến đổi từ điện áp chiều E thành nguồn điện áp xoay chiều có tính chất điện áp lưới: trạng thái không tải cho phép trạng thái ngắn mạch tải cố (hình 1.1b) NLĐL dòng điện, cho phép biến nguồn dòng chiều thành nguồn dòng điện xoay chiều ( hình 1.1c) NLĐL cộng hưởng, có đặc điểm hoạt động ln hình thành mạch vòng dao động cộng hưởng RLC Hình 1.1 Các nghịch lưu độc lập Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC 1.2 Van IGBT 1.2.1 Đặc điểm cấu tạo, kí hiệu Hình Cấu tạo kí hiệu IGBT IGBT phần tử kết hợp khả đóng cắt nhanh MOSFET khả chịu tải lớn Transisto thường IGBT điều khiển điện áp, có cơng suất điều khiển u cầu cực nhỏ Về cấu trúc bán dẫn, IGBT giống với MOSFET, điểm khác có thêm lớp p nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p emitter với collector, khơng phải n-n MOSFET Có thể coi IGBT Transistor p-n-p với dòng điều khiển MOSFET 1.2.2 Điều kiện mở van, khóa van, thơng số van Hình Sơ đồ thử nghiệm khóa IGBT Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hồng Minh D10CNTĐ_CLC Trên hình thể cấu trúc tương đương IGBT với MOSFET p-np Transistor Kí hiệu dòng qua MOSFET, i dòng qua transistor Phần MOSFET IGBT khóa lại nhanh chóng xả hết điện tích G E, dòng y Tuy nhiên thành phần dòng i khơng thể suy giảm nhanh lượng điện tích lũy lớp n ( tương đương với bazo cấu trúc p-n-p) xuất vùng dòng điện bị kéo dài khóa IGBT Trên sơ đồ IGBT đóng cắt tải cảm có diode khơng D mắc song song IGBT điều khiển nguồn tín hiệu biên độ UG nối với cực điều khiển G qua điện trở R G Trên sơ đồ Cgs, Cgc thể tụ kí sinh cực điều khiển collector, emitter Quá trình mở IGBT Hình Quá trình mở IGBT Quá trình mở IGBT diễn giống với trình MOSFET điện áp điều khiển đầu vào tăng từ không đến giá trị U G Trong thời gian trễ mở Id(on) tín Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC hiệu điều khiển nạp điện cho tụ Cgc làm điện áp cực điều khiển emitter tăng theo qui luật hàm mũ, từ không đến giá trị ngưỡng U GE(th) (khoảng đến 5V), bắt đầu từ MOSFET cấu trúc IGBT bắt đầu mở Dòng điện collector- emitter tăng theo qui luật tuyến tính từ đến dòng tải I thời gia tr Trong thời gian tr điện áp cực điều khiển emitter tăng đến giá trị UGE.I0 xác định giá trị dòng I0 qua collector Do Diode D0 dẫn dòng tải Io nên điện áp UCE bị găm lên mức điện áp nguồn chiều U DC Tiếp theo trình mở diễn theo giai đoạn ttv1 ttv2 Trong suốt giai đoạn điện áp cực điều khiển giữ nguyên mức UGE.I0, để trì dòng I0, dòng điều khiển hồn tồn dòng phóng tụ Cgc.IGBT việc chế độ tuyến tính Trong giai đoạn đầu diễn q trình khóa phục hồi Diode D0, dòng phục hồi Diode D0 tạo nên xung dòng mức dòng I0 IGBT Điện áp UCE bắt đầu giảm IGBT chuyển điểm làm việc qua vùng chế độ tuyến tính để sang vùng bão hòa Giai đoạn tiếp diễn trình giảm điện trở vùng trở collector- emitter giá trị R on khóa bão hòa hoàn toàn, UCE.on=I0Ron Sau thời gian mở t on, tụ Cgc phóng điện xong, điện áp cực điều khiển emito tiếp tục tăng theo qui luật hàm mũ, với số C gcRG đến giá trị cuối UG Q trình khóa Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hồng Minh D10CNTĐ_CLC Hình Dạng điện áp, dòng điện q trình khóa IGBT Hình thể dạng điện áp, dòng điện trình khóa IGBT Q trình khóa bắt đầu điện áp điều khiển giảm từ U G xuống –UG Trong thời gian trễ khóa td(off) có tụ đầu vào Cge phóng điện qua dòng điều khiển đầu vào với số thời gian CgcRG tới mức điện áp Miller Bắt đầu từ mức Miller điện áp giữ cực điều khiển emitter bị giữ không đổi điện áp Uce bắt đầu tăng lên tụ Cge bắt đầu nạp điện Dòng điều khiển hồn tồn dòng nạp cho tụ C ge nên điện áp UGE giữ không đổi Điện áp UCE tăng từ giá trị bão hòa UCE.on tới giá trị điện áp nguồn UDC sau khoảng thời gian trv Từ cuối khoảng Irv Diode bắt đầu mở cho dòng tải I0 ngắn mạch qua, dòng collector bắt đầu giảm Quá trình giảm diễn theo hai giai đoạn t ti1 tti2 Trong giai đoạn đầu, thành phần dòng i1 MOSFET cấu trúc bán dẫn IGBT suy giảm nhanh chóng khơng Điện áp U gc khỏi mức Miller giảm mức điện áp điều khiển đầu vào –U G với số thời gian RG(Cge+Cgc) Ở cuối khoảng tti1, Ugc đạt mức ngưỡng khóa MOSFET, UGE(th) tương ứng với việc MOSFET bị khóa hồn tồn Trong giai đoạn 2,thành phần dòng i transistor p-n-p bắt đầu suy giảm Q trình giảm dòng kéo dài điện tích lớp n bị q trình tự trung hòa điện tích chỗ Đó đề dòng điện nói đến 10 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hồng Minh D10CNTĐ_CLC 1.3.2 Ngun lí hoạt động Sơ đồ nghịch lưu ghép từ ba sơ đồ pha có điểm trung tính Hình Luật điều khiển điện áp tải Để đơn giản hóa việc nghiên cứu ta giả thiết: Các van dẫn lí tưởng, đóng mở nguồn có nội trở nhỏ vơ dẫn điện theo chiều T1…T6 làm việc với đọ dẫn điện λ = 180º Các tổng trở Z a = Zb = Zc Các diode D1-D6 làm chức trả lượng nguồn Tụ C tạo nguồn áp, tiếp nhận lượng kháng từ tải Để đảm bảo tạo điện áp pha đối xứng, luật dẫn điện van phải tuân thủ theo đồ thị hình Như : 12 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC T1 T4 phải dẫn lệch 180º để tạo pha A, T3 T6 phải dẫn lệch 180º để tạo pha B, T5 T2 phải dẫn lệch 180º để tạo pha C, Các pha lệch 120º Trong khoảng - t1 : T1, T6, T5 dẫn sơ đồ thay hình vẽ, điện áp pha A nhận được: U ZA = E/3 Trong khoảng t1 - t2 : T1, T2, T6 dẫn sơ đồ thay hình vẽ, điện áp pha A nhận được: U ZA = 2E/3 Trong khoảng t2 - t3 : T1, T2, T3 dẫn sơ đồ thay hình vẽ, điện áp pha A nhận được: U ZA = E/3 13 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC Giá trị hiệu dụng điện áp pha: UP = 2 2 U (t )dt � P Điện áp tức thời: U A (t )  E.Sint Tụ C: C E.T1 (3Rt U C )(1.2 ln 2) 1.4 Giới thiệu phương pháp điều khiển IGBT Điều khiển PWM Phương pháp điều xung PWM (Pulse Width Modulation) phương pháp điều chỉnh điện áp tải, hay nói cách khác, phương pháp điều chế dựa thay đổi độ rộng chuỗi xung vuông, dẫn đến thay đổi điện áp Các PWM biến đổi có tần số khác độ rộng sườn dương hay sườn âm Phương pháp điều chế sinPWM pha Nguyên tắc sinPWM khoảng dẫn van, transistor không dẫn liên tục mà đóng cắt nhiều lần với độ rộng xung dẫn bám theo giá trị tức thời hình sin có tần số sóng hài Người ta dùng xung tam giác tần số cao (sóng mang) để so sánh với điện áp hình sin (sóng điều chế), điểm cắt hai điện áp điểm chuyển đổi trạng thái hai cặp van cho Điện áp khơng hai xung chữ nhật với biên độ +E hay -E mà dãy xung có độ rộng biến thiên theo quy luật sóng điều chế hình sin 14 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hồng Minh D10CNTĐ_CLC Hình Điều chế PWM hai cực tính Nếu điện áp đầu sau lần đóng ngắt van ln tồn hai dấu ±E gọi điều chế hai cực tính Hình Điều chế PWM cực tính Nếu điện áp đầu suốt nửa chu kỳ có dấu (+E -E) gọi điều chế cực tính Hiệu giảm sóng hài bậc cao PWM phụ thuộc vào hai hệ số: Hệ số biên độ: m =U U (m ≤ 1) tỉ số biên độ điện áp sóng điều chế U biên độ điện a mdc mc a mdc áp sóng mang U mc (nếu m > gọi điều chế làm giảm chất lượng điện áp ra) a Hệ số tần: m = f fdc tỉ số tần số sóng mang f tần số điện áp điều chế f f c c dc (tần số sóng mang f tần số chuyển mạch f ) c sw 15 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC CHƯƠNG NGHIÊN CỨU TÍNH TỐN VÀ THIẾT KẾ MẠCH LỰC 2.1 Thiết kế mạch lực Hình 10 Sơ đồ mạch lực 2.2 Tính tốn chọn thiết bị Điện áp van phải chịu hoạt động nguồn E Van IGBT chịu điện áp E=220V Dòng tiêu thụ từ nguồn E có trị số: E 3..L  a I E  (1  ) R 2 R  a  a ae Với Suy ra: � R � � � �3. L � e � 10 � � � �3.314.0,04 �  0.434 220 � 3.314.0, 04  a � IE  � 1 � 5.2 A 10 � 2 10  a  a � Chọn van IGBT mã FB6R06VL4 16 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hồng Minh D10CNTĐ_CLC Hình 11 Van IGBT thực tế Ucemax= 600V Ic= 6A Ucc= 1.95V CHƯƠNG TÍNH TỐN THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN 3.1 Cấu trúc tổng quát mạch điều khiển Để thực phương pháp PWM hợp lý sử dụng kĩ thuật số, tần số phải thay đổi phạm vi rộng, lúc mạch điều khiển đồng hóa nhờ xung nhịp chung cho tồn hệ thống chức điều khiển thực đơn giản chương trình phần mềm Tuy nhiên vấn đề lớn khơng thể trình bày chi tiết khn khổ có hạn viết Vì đề cập nguyên lý PWM sử dụng kỹ thuật tương tự hạn chế nghịch lưu với tần số không đổi để làm rõ nguyên tắc điều khiển chung Sơ đồ cấu trúc điều khiển mạch SPWM hai cực tính có dạng hình Hình 12 Cấu trúc điều khiển nghịch lưu độc lập kiểu SPWM Dao động hình sin với tần số tần số tạo xung đồng cho khâu tạo xung tam giác hai cực tính, điều cần thiết để trán tượng trôi pha điện áp ra, Để thay đổi hệ số điều chế biên độ “ ma ” thường tác động vào biên độ xung tam giác dễ điều chỉnh hơn, biên dộ dao động hình sin khó điều chỉnh trực tiếp dễ gây ảnh hưởng đến điều kiện dao động Tuy nhiên có cách đơn giản để điều chỉnh “ ma ” cách sử dụng khâu so sánh có tổng trở vào lớn, lúc dùng biến trở trích áp để thay đổi mức điện áp đưa vào so sánh có tổng trở vào lớn, lúc dùng biến trở trích áp để thay đổi mức điện áp đưa vào so sánh 17 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC Các khâu so sánh trễ khuyếch đại xung khơng có thay đổi so với mạch điều khiển kinh điển Hình 12 thí dụ mạch điều khiển nghịch lưu độc lập điện áp theo phương pháp SPWM đó: +) Mạch dao động hình sin dùng sơ đồ cầu Viên có tần số  = 1/RC, nhiên mạch đơn giản thường hoạt động không ổn định, thực tế mạch phức tạp phải giải vấn đề tự động ổn định tần số biên độ điện áp +) Khâu tạo xung tam giác mạch chuẩn (xem mục 3.4.2.2) có gài công tắc điện từ “sw” điều khiển xung đồng xuất vào đầu chu kỳ điện áp hình sin +) Khâu so sánh hai điện áp hình sin tam giác cho đầu điện áp PWM để điều khiển va lực +) Hệ số điều chế biên độ điều chỉnh nhờ biến trở PI +) Các khâu tạo trễ Driver đề cập phần băm xung chiều 18 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC Nghịch lưu áp ba pha thường dùng chủ yếu với điều biến bề rộng xung, bảo đảm điện áp có dạng hình sin Để đảm bảo điện áp có dạng khơng phụ thuộc vào tải người ta thường dùng điều biến độ rộng xung hai cực tính, pha sơ đồ ba pha điều khiển độc lập với Vấn đề điều biến bề rộng xung ba pha phải có ba pha sóng sin chuẩn có biên độ xác lệch pha xác 120 độ tồn giải điều chỉnh Cần phải đảm bảo dạng xung điều khiển đối xứng khoảng dẫn khóa bán dẫn phải xác định xác Giản đồ kích đóng khóa bán dẫn nghịch lưu dựa sở so sánh hai tín hiệu bản: Sóng mang URC( carrier signal) có tần số cao Sóng điều khiển UĐK( reference signal) sóng điều chế dạng sin Sóng mang dạng tam giác Tuy nhiên tần số đóng ngắt cao làm tổn hao phát sinh q trình đóng cắt tăng Sóng điều khiển Uđk mang thông tin độ lớn, trị số hiệu dụng tần số sóng hài điện áp ngõ 3.2 Khâu tạo điện áp cưa 19 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC CHƯƠNG MÔ PHỎNG MẠCH LỰC VÀ MẠCH ĐIỀU KHIỂN 4.1 Giới thiệu phần mềm mô PSIM 4.1.1 Những nét phần mềm Psim PSIM viết tắt của: POWER Electronics Simulation Phần mềm mô điện tử công suất PESIM hãng Lab- Volt công cụ mạnh cho việc nghiên cứu học tập điện tử cơng suất Trong phần mềm Pesim gồm có ba phần + Chương trình thiết kế mạch: Schematic + Chương trình mơ phỏng: Simulator + Chương trình phân tích: ViewSim Q trình mơ Pesim tiến hành theo ba bước giản đồ sau: Một mạch điện thơng thường gồm có phần sau tương đương với hai khối: + Khối mạch động lực + Khối mạch điều khiển Mạch động lực van bán dẫn công suất, phần tử RLC công suất, máy biến áp điện lực, cuộn kháng san Mạch điều khiển bao gồm phần tử thể theo sơ đồ khối, bao gồm phấn từ tuyến tính, phi tuyến tính, mạch logic… Các cảm biến đo thông số mạch lực để cung cấp cho mạch điều khiển mạch điều khiển thông qua khối điều khiển chuyển mạch cấp tín hiệu điều khiển chuyển mạch van bán dẫn mạch động lực 4.2 Các linh kiện sử dụng cho việc mô mạch nghịch lưu ba pha sử dụng điều chế bề rộng xung PWM: 20 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hồng Minh D10CNTĐ_CLC Nguồn ba pha hình sin Khối so sánh Van IGBT 5.Điện trở 6.Cuộn cảm 7.Nguồn phát xung rang cưa 21 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hồng Minh D10CNTĐ_CLC 4.3 Mơ 22 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC 4.4 Kết 4.4.1 Sóng sin sóng cưa 4.4.2 Dòng tải pha A, B, C 23 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC 4.4.3 Điện áp điều khiển 4.4.4 Điện áp tải pha 24 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC 4.5 Kết luận phương hướng phát triển 4.5.1 Kết luận Sau thời gian thực với nhiều cố gắng nỗ lực nhóm, với tận tình hướng dẫn T.s Phạm Thị Thùy Linh, đồ án hoàn thành thời gian quy định Để thực yêu cầu trên, chúng em tìm hiều mạch nghịch lưu, chỉnh lưu nhiều vấn đề khác có liên quan đến đề tài Qua trình thực đồ án, chúng em phần hình dung trình để đưa sản phẩm có ứng dụng thực tiễn Đó kinh nghiệm tự rút ra, trải nghiệm thực hành học hỏi nhiều điều hướng dẫn tận tình giáo hướng dẫn Và tạo sở, tảng để chúng em thực đồ án tốt nghiệp sau 4.5.2 Phương hướng phát triển Mạch có ứng dụng cao sống ngày mà phụ thuộc vào nguồn điện tình trạng thiếu trầm trọng điện mạch ngược lưu giải pháp tạp thời khác phục tình trạng điện thường xuyên Việc nghiên cứu mạch nghịch lưu giúp chúng em có hình dung đầy đủ nguyên lý hoạt động biến đổi điện tử công suất, xu hướng phát triển điện tử công suất Đối với thân, hội cho cho em để hệ thống lại kiến thức, hội nghiên cứu, thực nghiệm rèn luyện kỹ làm việc trước bước vào môi trường làm việc thực 25 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC : DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO Sách “Hướng dẫn thiết kế Điện tử công suất” tác giả Phạm Quốc Hải, Nhà xuất Khoa học kỹ thuật Sách “Điện tử công suất”, tác giả Võ Minh Chính, Trần Trọng Minh, Phạm Quốc Hải 26 Sinh viên: Nguyễn Đức Trung D10CNTĐ_CLC Nguyễn Hoàng Minh D10CNTĐ_CLC