ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ PHAN VŨ THỊ VÂN NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO CÁC LOẠI VẬT LIỆU LAI CƠ KIM HALOGEN PEROVSKITE CẤU TRÚC NANO ỨNG DỤNG TRONG QUANG ĐIỆN TỬ Luận văn thạc sĩ: Vật liệu và Linh kiện nano Hà Nội-2018 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ PHAN VŨ THỊ VÂN NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO CÁC LOẠI VẬT LIỆU LAI CƠ KIM HALOGEN PEROVSKITE CẤU TRÚC NANO ỨNG DỤNG TRONG QUANG ĐIỆN TỬ Ngành: Vật liệu và Linh kiện nano Mã số: 8440126.01 QTD Luận văn thạc sĩ: Vật liệu và Linh kiện nano Người hướng dẫn khoa học: TS Nguyễn Trần Thuật TS Đặng Đình Long Hà Nội - 2018 LỜI CẢM ƠN! Lời đầu tiên, với lòng biết ơn sâu sắc, tôi xin chân thành gửi lời cảm ơn đến thầy giáo TS Nguyễn Trần Thuật – trung tâm Nano và năng lượng, trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Hà Nội và thầy giáo TS.Trương Thanh Túkhoa Hóa- trường Đại học Khoa học Tự nhiên-ĐHQG Hà Nội, người thầy dành thời gian, tâm huyết tận tình chỉ bảo, hướng dẫn tôi trong suốt quá trình học tập và làm luận văn tốt nghiệp Tôi xin gửi lời cám ơn đến thầy giáo TS Đặng Đình Long và thầy giáo TS Nguyễn Đức Cường - bộ môn Vật liệu và linh kiện bán dẫn nano và các thầy cô giáo trong khoa Vật lý kỹ thuật và công nghệ nano- trường Đại học Công nghệ-ĐHQG Hà Nội đã nhiệt tình giúp tôi trong quá trình học tập ở trường và hoàn thành luận văn tốt nghiệp Tôi xin lời cảm ơn đến cô giáo TS Mai Hồng Hạnh- khoa Lý- trường Đại học Khoa học Tự nhiên –ĐHQG Hà Nội, người đã chỉ bảo, giúp đỡ tôi trong quá trình thực hiện các phép đo để hoành thành tốt luận văn tốt nghiệp này Tôi xin gửi lời cảm ơn đến anh/ chị, bạn bè trong trung tâm Nano và năng lượng, trường Đại học Khoa học Tự nhiên- ĐHQG Hà Nội, những người đã luôn ở bên tôi những lúc khó khăn, động viên tôi, giúp đỡ tôi, chia sẻ những kiến thức quý báu trong quá trình tôi học tập và làm việc tại trung tâm Cuối cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn đến gia đình, những người đã khích lệ, động viên để tôi có đủ dũng khí và tự tin đi theo con đường nghiên cứu khoa học và hoàn thành tốt luận văn tốt nghiệp này Hà Nội, ngày 8 thánh 10 năm 2018 Lời cam đoan Tôi xin cam đoan nội dung trong bản luận văn khoa học này là kết quả công trình nghiên cứu của tôi dưới sự hướng dẫn của TS Nguyễn Trần Thuật, TS Trương Thanh Tú, TS Đặng Đình Long Những nội dung tham khảo đều được trích dẫn từ các tài liệu liệt kê trong danh mục tài liệu tham khảo của công trình nghiên cứu Học viên thực hiện Phan Vũ Thị Vân 1 MỤC LỤC MỞ ĐẦU 7 Chương 1 TỔNG QUAN 9 1.1 Giới thiệu chung về vật liệu Perovskite 9 1.1.1 Phân loại vật liệu Perovskite 9 1.1.2 Vật liệu hữu cơ vô cơ perovskite 10 1.2 Vật liệu hữu cơ vô cơ halogen perovskite cấu trúc ba chiều 12 1.3 Vật liệu hữu cơ vô cơ halogen perovskite cấu trúc hai chiều 13 1.4 Vật liệu hữu cơ vô cơ halogen perovsksite cấu trúc một chiều 14 1.5 Vật liệu hữu cơ vô cơ halogen perovskite cấu trúc không chiều 15 1.6 Pin mặt trời hữu cơ vô cơ halogen perovskite 16 1.6.1 Sự phát triển của pin mặt trời perovskite 16 1.6.2 Cấu trúc pin mặt trời perovskite 17 1.7 Đi-ốt phát quang perovskite 19 Chương 2 THỰC NGHIỆM 22 2.1 Hóa chất và dụng cụ 22 2.1.1 Hóa chất 22 2.1.2 Dụng cụ 23 2.2 Phương pháp chế tạo 23 2.2.1 Phương pháp hóa học 23 2.2.2 Phương pháp vật lý 24 2.2.3 Chế tạo các loại vật liệu perovskite cấu trúc ba chiều, hai chiều, một chiều 26 2.2.4 Chế tạo pin mặt trời perovskite 27 2.2.5 Chế tạo đi-ốt phát quang 29 2.3 Các phương pháp đánh giá đặc trưng tính chất 29 2.3.1 Phương pháp nhiễu xạ tia X 29 2.3.2 Phương pháp kính hiển vi điện tử quét 31 2.3.3 Phương pháp đo phổ huỳnh quang 33 2.3.4 Phương pháp đo phổ hấp thụ 35 2.3.5 Phương pháp đo đường đặc trưng I-V 36 2 Chương 3 KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 39 3.1 Kết quả tổng hợp và đánh giá tính chất quang học của MAPbBr3 cấu trúc ba chiều 39 3.2 Kết quả tổng hợp và đánh giá tính chất quang học của FAPbBr3 cấu trúc ba chiều 41 3.3 Kết quả tổng hợp và đánh giá tính chất quang học của PEPI cấu trúc hai chiều 44 3.4 Kết quả tổng hợp và đánh giá tính chất quang học của (FA)4PbBr6 cấu trúc không chiều 50 3.5 Kết quả chế tạo pin mặt trời perovskite .53 3.6 Kết quả chế tạo đi-ốt phát quang perovskite 53 KẾT LUẬN 57 DANH MỤC CÔNG TRÌNH NGHIÊN CỨU LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN 59 TÀI LIỆU THAM KHẢO 60 Tài liệu tham khảo tiếng Việt 60 Tài liệu tham khảo tiếng Anh 60 3 Danh mục các bảng Bảng 1 1: Các thông số mạng trong cấu trúc vật liệu MAPbI 3 và MAPbBr3 [11] 12 Bảng 2 1: Bảng thống kê một số hóa chất sử dụng trong thí nghiệm 22 Bảng 2 2: Bảng tên một số dụng cụ, thiết bị sử dụng trong thí nghiệm 23 Bảng 2 3: Bảng thông số kỹ thuật của phương pháp phún xạ và phương pháp bốc bay nhiệt .29 Bảng 2 4: Các dạng bình phương .30 4 Danh mục hình vẽ, biểu đồ Hình 1 1: Sơ đồ phân loại vật liệu Perovskite 10 Hình 1 2: Cấu trúc tinh thể của vật liệu Perovskite có công thức chung là MAX3 Cation M nằm vị trí trung tâm (màu xanh lá cây), cation kim loại A (màu xám), anion X (màu tím) [5].: 11 Hình 1 3: Cấu trúc tinh thể của vật liệu Perovskite có công thức chung (RNH3)2MX4, trong đó R là C6H5C2H4, M là Pb, X là I [9] 14 Hình 1 4: Cấu trúc tinh thể của vật liệu một chiều CH 3NH3PbI3 H2O perovskite 15 Hình 1 5: Cấu trúc tinh thể của vật liệu không chiều (CH 3NH3)4PbI6 2H2O 16 Hình 1 8: Hiệu suất của một số loại pin mặt trời được nghiên cứu 1985-2015 [24] 16 Hình 1 9: Cấu trúc pin mặt trời perovskite Hình 1.9 a: Cấu trúc pin mặt trời perovskite dạng p-i-n, hình 1.9 b: Cấu trúc pin mặt trời dạng n-i-p 17 Hình 1 10: Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng của các loại vật liệu perovskite [25] 19 Hình 1 11: Mô hình cấu trúc đi-ốt phát quang đơn lớp perovskite (PeLED) 20 Hình 1 12: Mô hình cấu trúc đi-ốt phát quang đa lớp perovskite 20 Hình 2 1: Sơ đồ phương pháp quay phủ 24 Hình 2 2: Nguyên lý hoạt động của máy CVD và điều kiện nhiệt độ chế tạo mẫu perovskite 25 Hình 2 3: Sơ đồ quá trình chuẩn bị dung dịch A để tạo ra MAPbBr3 26 Hình 2 4: Sơ đồ nhiễu xạ tia X và giản đồ nhiễu xạ X [4] 31 Hình 2 5: Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử quét [4] 32 Hình 2 6: Sơ đồ hệ đo phổ huỳnh quang kích thích bằng xung laser 34 Hình 2 7: Sơ đồ khối hệ đo phổ phát xạ điện tử của mẫu PeLED 35 Hình 2 8: Sơ đồ khối của máy quang phổ UV-Vis 36 Hình 2 9: Đường đặc trưng I-V trong pin mặt trời 37 5 Hình 2 10: Sơ đồ kết nối hệ đo pin mặt trời 38 Hình 3 1: Phổ huỳnh quang của mẫu MAPbBr 3 kích thích bằng xung laser với bước sóng λ = 532 nm 39 Hình 3 2: Biểu đồ thể hiện sự phụ thuộc của vị trí đỉnh phát quang, diện tích đỉnh phát quang, độ bán rộng của đỉnh phát quang, chiều cao của đỉnh phát quang của mẫu MAPbBr3 phát quang vào mật độ năng lượng của xung laser 40 Hình 3 3: Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu FAPbBr 3 màng mỏng và mẫu bột 41 Hình 3 4: Phổ hấp thụ của mẫu màng mỏng FAPbBr3 (a) và sự phụ thuộc của năng lượng photon vào hàm (αE)2 42 Hình 3 5: Phổ huỳnh qunag của mẫu FAPbBr3 kích thích bằng xung laser với bước sóng λ = 532 nm 43 Hình 3 6: Biểu đồ thể hiện sự phụ thuộc của vị trí đỉnh phát quang, diện tích các đỉnh phát quang, độ bán rộng đỉnh phát quang, chiều cao của đỉnh phát quang của mẫu FAPbBr3 phụ thuộc vào mật độ năng lượng của xung laser 44 Hình 3 7: Ảnh SEM mẫu màng mỏng PEPI với các độ phân giản khác nhau 45 Hình 3 8: Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu màng mỏng PEPI 46 Hình 3 9: Phổ hấp thụ mẫu màng mỏng PEPI 47 Hình 3 10: Phổ huỳnh quang của màng mỏng PEPI 48 Hình 3 11: Phổ huỳnh quang kích thích bằng bước sóng λ= 405 nm 49 Hình 3 12: Kết quả ảnh SEM mẫu (FA) 4PbBr6 được đo ở các độ phân giản khác nhau 50 Hình 3 13: Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu (FA) 4PbBr6 51 Hình 3 14: Phổ PL kích bằng laser bằng bước sóng λ = 325 nm 52 Hình 3 15: Đường đặc trưng J-V của pin mặt trời perovskite cấu trúc p-i-n 53 Hình 3 16: Hình ảnh đi-ốt phát quang FAPbBr3 54 Hình 3 17: Phổ phát xạ điện tử của mẫu đi-ốt phát quang FAPbBr3 perovskite 55 Hình 3 18: Đường đặc trưng I-V đi-ốt phát quang perovskite 56 6 Hình 3 10: Phổ huỳnh quang của màng mỏng PEPI Hình 3.10 biểu diễn sự phụ thuộc của cường độ huỳnh quang vào dải bước sóng quét Quan sát thấy rằng vật liệu PEPI phát xạ tốt trong dải bước sóng 500600 nm (dải bước sóng màu xanh) với đỉnh phát xạ ở bước sóng λ =525 nm 48 Hình 3 11: Phổ huỳnh quang kích thích bằng bước sóng λ= 405 nm Ngoài ra chúng tôi tiến hành đánh giá tính quang của vật liệu bằng việc sử dụng đi-ôt laser với bước sóng λ= 405 nm đo ở 3 vị trí góc chiếu laser khác nhau (vị tris1, vị trí 2, vị trí 3) Ta có thể thấy rằng ngoài đỉnh phát xạ tự phát ứng với bước sóng λ = 525 nm còn xuất hiện một đỉnh khác ứng với bước sóng λ= 554.3 nm, chúng tôi đề xuất rằng đây là đỉnh phát xạ tự phát khuếch đại Cũng giống như hai vật liệu MAPbBr3, FAPbBr3 nghiên cứu tính chất quang ở trên, vật liệu PEPI có ứng dụng tốt trong chế tạo các thiết bị quang điện tử như đi-ốt phát quang phát xạ màu xanh lá cây 49 3.4 Kết quả tổng hợp và đánh giá tính chất quang học của (FA) 4PbBr6 cấu trúc không chiều Hình 3 12: Kết quả ảnh SEM mẫu (FA)4PbBr6 được đo ở các độ phân giản khác nhau Kết quả ảnh SEM cho thấy (FA)4PbBr6 kết tinh thành các thanh, các khối vật liệu Kết hợp với kết quả phân tích giản đồ nhiễu xạ tia X, có thể khẳng định rằng (FA)4PbBr6 mang cấu trúc 0D Giản đồ nhiễu xạ tia X được biểu diễn ở hình 3.12 50 Hình 3 13: Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu (FA)4PbBr6 Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu (FA)4PbBr6 được so sánh lý thuyết với thực nghiệm, lý thuyết chúng tôi xây dựng bằng phần mềm Powder cell Sự chênh lệch nhau về cường độ nhiễu xạ tia X của lý thuyết với thực nghiệm do giản đồ thực nghiệm chúng tôi biểu diễn theo hàm logarit cơ số 10 nhằm khuếch đại các đỉnh có cường độ thấp nhằm so sánh với giản đồ lý thuyết một cách dễ dàng Vị trí góc 2θ của các đỉnh nhiễu xạ lần lượt là: 6.88 0, 10.380, 13.830, 20.90, 28.150, 31.530, 35.10, 42.650, 54.080, 57.680 tương ứng với các mặt phản xạ lần lượt là: (100), (011), (200), (300), (400), (033) (500), (600), (066), (800), (FA)4PbBr6 thuộc nhóm không gian P12_1 và có các thông số mạng tương ứng là a= 12.7937 Å, b= 12.7035 Å, c= 14.49 Å, β= 92.2980 51 Hình 3 14: Phổ PL kích bằng laser bằng bước sóng λ = 325 nm Quan sát phổ huỳnh quang của vật liệu (FA) 4PbBr6 ta thấy vật liệu phát quang ở dải sóng rộng tương ứng với ánh sáng trắng mà chúng tôi quan sát thấy khi chiếu laser với bước sóng λ = 325 nm như hình 3.14b Đỉnh phát xạ cao nhất ở bước sóng λ= 533.65 nm tương ứng với vùng phát xạ màu xanh của vật liệu 52 3.5 Kết quả chế tạo pin mặt trời perovskite Hình 3 15: Đường đặc trưng J-V của pin mặt trời perovskite cấu trúc p-i-n Hình 3.15 minh họa đường đặc trưng J-V của pin mặt trời perovskite được chế tạo Dựa theo tính toán các thông số của pin măt trời như sau: • Voc = 0.14 V Jsc = 2.666 mA/cm2 • FF = 0.254 • PCE = 0.095% Nguyên nhân dẫn đến pin mặt trời hiệu suất thấp có thể do: lớp màng perovskite có độ gồ ghề cao, có nhiều lỗ thủng trong quá trình chế tạo Dẫn đến khả năng truyền điện tử, lỗ trống thấp 3.6 Kết quả chế tạo đi-ốt phát quang perovskite • 53 Hình 3 16: Hình ảnh đi-ốt phát quang FAPbBr3 Hình 3.16a là hình ảnh mẫu LED chuẩn bị đo và hình ảnh 3.16b là hình ảnh phát sáng khi cấp dòng cho mẫu Hình ảnh 3.16 c-d biểu diễn hình ảnh bề mặt mẫu khi được cấp 1 điện áp khoảng 4-5 V với độ phân giải 10X được chụp bằng kính hiển vi quang học tại Trung tâm Nano và Năng lượng, đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Quan sát thấy trên bề mặt mẫu LED đơn giản với cấu trúc FTO/FAPbBr3/FTO chúng tôi thấy rằng sự phát quang gây ra bởi nội tại vật liệu FAPbBr3 từ các đơn tinh thể FAPbBr3 nên sinh ra nhiều điểm sáng trên bề mặt vật liệu 54 Hình 3 17: Phổ phát xạ điện tử của mẫu đi-ốt phát quang FAPbBr3 perovskite Khi tăng cường độ dòng điện lên 40 mA - 50 mA thì cường độ phát quang tăng Khi tăng cường độ lớn hơn 50 mA thì cường độ phát quang giảm dần Điều đó cho thấy LED chế tạo chưa được ổn định Và khi cấp dòng cho đi-ốt một phần dòng điện đó chuyển thành nhiệt năng nên khả năng phát quang kém 55 Hình 3 18: Đường đặc trưng I-V đi-ốt phát quang perovskite Hình 3.18 biểu diễn đường đặc trưng I-V của mẫu đi-ốt perovskite được đo lặp lại 3 lần Ta thấy khi tăng thế từ 0 V lên 6 V thì có sự tăng điện tử vào trong các tinh thể của perovskite Khi thế tăng cao quá 10 V hoặc dòng quá cao dẫn đến sự phát hủy vật liệu bên trong cấu trúc 56 KẾT LUẬN Bằng phương pháp chế tạo đơn giản phủ quay và phương pháp nhỏ giọt (phương pháp dropping) chúng tôi đã chế tạo thành công vật liệu MAPbBr 3, FAPbBr3 cấu trúc 3D, PEPI cấu trúc trúc 2D, (FA)4PbBr6, cấu trúc 0D, pin mặt trời perovskite với cấu trúc FTO/PEDOT:PSS/FAPbBr 3/AZO/Ag, đi-ốt phát quang perovskite với cấu trúc FTO/FAPbBr3/FTO đơn giản Vật liệu MAPbBr3, FAPbBr3 có cấu trúc lập phương và thuộc nhóm không gian Pm-3m, có tính chất quang tuyệt vời, phát xạ ánh sáng màu xanh trong khoảng bước sóng từ 540 nm đến 570 nm, hấp thụ tốt trong dải sáng tử ngoại đến dải sáng màu xanh Hai loại vật liệu MAPbBr 3 và FAPbBr3 khi được kích thích bằng xung laser với bước sóng λ= 532 nm, mật độ năng lượng laser thấp lần lượt khoảng 3.5 μJ/cm2 và 1.42 μJ/cm2 chúng xuất hiện 2 đỉnh phát quang, đỉnh phát xạ tự phát và đỉnh phát xạ tự phát khuếch đại Điều này cho thấy vật liệu này có tính chất phi tuyến và phát quang cao, có tiềm năng ứng dụng tốt trong chế tạo các linh kiện quang điện tử như: đi-ốt phát quang, laser Vật liệu PEPI có cấu trúc triclinic, nhóm không gian P-1 Trong một ô cơ bản vật liệu PEPI 2D được tính toán với các thông số mạng sau: a= 8.7389A 0, b=8.7043 Å, c= 32.9952 Å, α= 84.6460, β= 84.6570, ɣ= 89.6430 Vật liệu PEPI phát quang tốt trong dải bước sóng xanh 500 nm- 600 nm, năng lượng hấp thụ exciton tồn tại ở nhiệt độ phòng tại bước sóng 520 nm Khi kích thích vật liệu bằng đi-ốt laser với bước sóng 405 nm, vật liệu này cũng xuất hiện 2 đỉnh phát quang: đỉnh phát xạ tự phát và đỉnh phát xạ tự phát khuếch đại Điều này cho thấy vật liệu này ứng dụng tốt trong chế tạo các linh kiện điện tử Vật liệu (FA)4PbBr6 được tổng hợp thành công bằng phương pháp nhỏ giọt và phương pháp phủ quay Vật liệu (FA) 4PbBr6 có cấu trúc monoclinic a= 12.7937 Å, b= 12.7035 Å, c= 14.49 Å, β= 92.2980 Dựa vào phân tích phổ nhiễu xạ tia X Chúng tôi sử dụng phương pháp đo phổ huỳnh quang để đánh giá tính chất quang của vật liệu (FA)4PbBr6 phát quang trắng, có dải bước sóng từ 400 nm tới 800 nm với đỉnh phát xạ cao nhất ở bước sóng λ= 533.5 nm, kích thích bằng bước sóng laser λ= 325 nm Pin mặt trời perovskite có cấu trúc FTO/PEDOT:PSS/FAPbBr 3/AZO/Ag được chúng tôi chế tạo với các thông số kỹ thuật Voc = 0.14V, Jsc = 2.666 mA, FF = 0.254, PCE = 0.095% Hiện nay, chúng tôi vẫn tiếp tục cải thiện quy trình chế tạo để nâng cao hiệu suất của pin 57 Đi-ốt phát quang perovskite có cấu trúc FTO/FAPbBr 3/FTO đơn giản được chế tạo thành công Sự phát quang của vật liệu gây ra bởi các đơn tinh thể được sắp xếp trong lớp màng mỏng perovskite FAPbBr3 Trong tương lai, chúng tôi sẽ tiếp tục tối ưu hóa quy trình chế tạo đi-ốt phát quang với cấu trúc ITO/PEDOT:PSS/Perovskite/PEI/FTO nhằm tăng tính ổn định của đi-ốt Ngoài ra, chúng tôi tiếp tục nghiên cứu về cấu trúc và tính chất của vật liệu perovskite cấu trúc 2D, 1D, với ứng dụng trong chế tạo đi-ốt phát quang và laser bán dẫn 58 DANH MỤC CÔNG TRÌNH NGHIÊN CỨU LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN 1 Thi Van Phan Vu, Minh Tu Nguyen, Dam Thuy Trang Nguyen, Tien Dung Vu, Duc Long Nguyen Ngoc Mai An, Minh Hieu Nguyen, Cong Doanh Sai, Van Diep Bui, Chi Hieu Hoang, Thanh Tu Truong, Ngoc Diep Lai, Thuat Nguyen-Tran, “Three-Photon Absorption Induced Photoluminescence in Organo-Lead Mixed Halide Perovskites”, Journal of electronic material, June 2017, Volume 46, Issue 6, pp 3622–3626 59 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu tham khảo tiếng Việt [1] Phùng Hồ, Phan Quốc Phô, “Giáo trình vật liệu bán dẫn”, NXB ĐHBK Hà Nội [2] “Bài giảng quang bán dẫn” khoa Vật lý, trường đại học Khoa học Tự nhiên ĐHQG Hà Nội [3] Phạm Luận, “Phương pháp phân tích phổ nguyên tử”, NXB ĐHQG Hà Nội [4] “Thực tập vật lý hiện đại”, khoa Vật lý, trường đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội, 2012 Tài liệu tham khảo tiếng Anh [5] Chen, Yani He, Minhong Peng, Jiajun Sun, Yong Liang, Ziqi, (2015) “Structure and growth control of organic–inorganic halide perovskites for optoelectronics: From polycrystalline films to single crystals”, Advanced Science, Volume 3, Issue 4, pp 1530392 [6] Wei, Y.Audebert, P.Galmiche, L.Lauret, J S.Deleporte, (2013), “Synthesis, optical properties and photostability of novel fluorinated organic-inorganic hybrid (R-NH3)2PbX4 semiconductors”, Journal of Physics D: Applied Physics Volume 46, Issue 13, pp 135105 [7] Grzegorz Lupina, Jarek Dabrowski, Piotr Dudek, Grzegorz Kozlowski, Mindaugas Lukosius, Christian Wenger, Hans Joachim Mussig, (2009) “Perovskite BaHfO3 Dielectric Layers for Dynamic Random Access Memory Storage Capacitor Applications”, Advanced Engineering Materials, Volume 11, Issue 4, pp 259-264 [8] H Mashiyama, Y Kurihara, T Azetsu, (2016) “Disordered cubic perovskite structure of CH3NH3X3 (X= Cl, Br, I)”, Journal of the Korean Physiscal Society, Volume 32, pp 156-158 [9] Giovanni, David Chong, Wee Kiang Dewi, Herlina Arianita Thirumal, Krishnamoorthy Neogi, IshitaRamesh, RamamoorthyMhaisalkar, SubodhMathews, Nripan Sum, Tze Chien, (2016) “Tunable room-temperature spin-selective optical Stark effect in solution-processed layered halide perovskites”,Science advances, Volume 2, Issue 6, pp e1600477 [10] Zhang, Pan Pan Zhou, Zheng Ji Kou, Dong Xing Wu, Si Xin, (2017)“Perovskite Thin Film Solar Cells Based on Inorganic Hole Conducting Materials” International Journal of Photoenergy, Volume 2017, pp 6109092 60 [11] Safdari, Majid, (2017)“Chemical Structure and Physical Properties of Organic-Inorganic Metal Halide Materials for Solid State Solar Cells” KTH Royal Institute of Technology School of Chemical Science and Engineering Department of Chemistry, ORCID iD:0000-0002-0387-2993 [12] Baki, Katia Abdel, (2014) “Ultrafast spectroscopy of 2D hybrid perovskites”, Http://Www.Theses.Fr [13] Protesescu, Loredana Yakunin, Sergii Bodnarchuk, Maryna I Bertolotti, Federica Masciocchi, Norberto Guagliardi, Antonietta Kovalenko, Maksym V, (2016)“Monodisperse Formamidinium Lead Bromide Nanocrystals with Bright and Stable Green Photoluminescence”, Journal of the American Chemical Society, Volume 138, Issue 43, pp 14202-14205 [14]Han, Dengbao Imran, Muhammad Zhang, Mengjiao Chang, Shuai Wu, Xian-gang Zhang, Xin Tang, Jialun Wang, Mingshan Ali, Shmshad Li, Xinguo Yu, Gang Han, Junbo Wang, Lingxue Zou, Bingsuo Zhong, Hai-Zheng, (2018) “Efficient Light-Emitting Diodes Based on In Situ Fabricated FAPbBr3 Nanocrystals: The Enhancing Role of Ligand-Assisted Reprecipitation Process”, ACS Nano, Volume 12, Issue 8, pp 8808–8816 [15] Chanana, Ashish Zhai, Yaxin Baniya, Sangita Zhang, Chuang Vardeny, Z Valy Nahata, Ajay, (2017) “Colour selective control of terahertz radiation using two-dimensional hybrid organic inorganic lead-trihalide perovskites”, Nature Communications, Volume 8, Issue 1, pp 1328 [16] Ultrafast Lui, Chun Hung Mak, Kin Fai Shan, Jie Heinz, Tony F, (2009) “Supplemental Material for A theoretical study of hybrid lead iodide perovskite homologous semiconductors with 0D, 1D, 2D and 3D structure” Journal of Chemistry Materials, Volume 2, pp 41467 [17] Perumal, AjayShendre, SushantLi, MingjieTay, Yong Kang EugeneSharma, Vijay KumarChen, ShiWei, ZhanhuaLiu, QingGao, YuanBuenconsejo, Pio John S.Tan, Swee (2016), “High brightness formamidinium lead bromide perovskite nanocrystal light emitting devices”, Scientific Reports , Volume 6, pp 36733 [18] Reza, Khan Mamun Mabrouk, Sally Qiao, Qiquan, (2018) “A Review on Tailoring PEDOT: PSS Layer for Improved Performance of Perovskite Solar Cells”, Proceedings of the Nature Research Society, Volume 2, pp 2004 [19] Zhao, Pengjun Kim, Byeong Jo Jung, Hyun Suk, (2018) “Passivation in perovskite solar cells: A review”, Materials Today Energy, Volume 7, pp 267286 61 [21] Blancon, J Stier, A V Tsai, H Nie, W Stoumpos, C C Traoré, BPedesseau, L Kepenekian, M Katsutani, F Noe, G TKono,(2018) “Scaling law for excitons in 2D perovskite quantum wells”, Nature Communications, Volume 9, pp 2254 [22] Bastiani, Michele De Dursun, Ibrahim Zhang, Yuhai Alshankiti, Buthainah A Miao, Xiao-he Yin, Jun Yengel, Emre Alarousu, Erkki Turedi, Bekir Almutlaq, Jawaher M, (2017 )“Inside Perovskites: Quantum Luminescence from Bulk Cs 4 PbBr 6 Single Crystals”Chemistry of material, Volume 29, Issue 17, pp 71087113 [23] Gao, Peng, (2016.) “Perovskites: crystal structure, important compounds and properties” [24] Xiao, Zhengguo Yuan, Yongbo Wang, Qi Shao, Yuchuan Bai, Yang Deng, Yehao Dong, Qingfeng Hu, Miao Bi, Cheng Huang, Jinsong, (2016)“Thin-film semiconductor perspective of organometal trihalide perovskite materials for high-efficiency solar cells”, Materials Science and Engineering R: Reports, Volume 101, pp 0927 [25] Elumalai, Naveen Kumar Mahmud, Md Arafat Wang, Dian Uddin, Ashraf, (2016) “Perovskite solar cells: Progress and advancements”, Energies, Volume 9, Issue 11, pp 861-881 62 ... VÂN NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO CÁC LOẠI VẬT LIỆU LAI CƠ KIM HALOGEN PEROVSKITE CẤU TRÚC NANO ỨNG DỤNG TRONG QUANG ĐIỆN TỬ Ngành: Vật liệu Linh kiện nano Mã số: 8440126.01 QTD Luận văn thạc sĩ: Vật liệu. .. vật liệu perovskite … thu hút quan tâm nhà nghiên cứu khoa học ứng dụng Từ ứng dụng vật liệu perovskite giúp lựa chọn đề tài ? ?Nghiên cứu chế tạo loại vật liệu lai kim halogen perovskite cấu trúc. .. phát quang? ?? 1.3 Vật liệu hữu vô halogen perovskite cấu trúc hai chiều Bên cạnh cấu trúc 3D, vật liệu perovskite cấu trúc hai chiều (2D) hữu vô halogen nghiên cứu ứng dụng Vật liệu 2D perovskite tạo