Thiết kế mạch khuếch đại công suất âm tần ocl 100w

23 1.5K 12
Thiết kế mạch khuếch đại công suất âm tần ocl 100w

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Thiết kế mạch khuếch đại công suất âm tần ocl 100w

ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BỘ MÔN VIỄN THÔNG -o0o - ĐỒ ÁN ĐỀ TÀI :THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN OCL 100W GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC SVTH: CAO VĂN HẢI MSSV: 41200939 TP HỒ CHÍ MINH, THÁNG 12 NĂM 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA Độc lập – Tự – Hạnh phúc -✩ Số: /BKĐT Khoa: Điện – Điện tử Bộ Môn: Viễn Thông -✩ - NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN HỌ VÀ TÊN: CAO VĂN HẢI MSSV:41200939 NGÀNH: ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG LỚP : DD12VT01 Đề tài: THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN OCL Nhiệm vụ (Yêu cầu nội dung số liệu ban đầu): Mạch khuếch đại công suất OCL PLmax=100W BW:20Hz-20KHz RL=8Ω Ngày giao nhiệm vụ: 28/9 Ngày hoàn thành nhiệm vụ:21/12 Họ tên người hướng dẫn: Phần hướng dẫn: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI Tp.HCM, ngày… tháng… năm 20 CHỦ NHIỆM BỘ MÔN PHẦN DÀNH CHO KHOA, BỘ MÔN: Người duyệt (chấm sơ bộ): Đơn vị: Ngày bảo vệ : Điểm tổng kết: Nơi lưu trữ luận văn: NGƯỜI HƯỚNG DẪN CHÍNH Lời cảm ơn GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC LỜI CẢM ƠN Em xin bày tỏ lòng biết ơn tới thầy Th.S TẠ CÔNG ĐỨC ,ngƣời hƣớng dẫn tận tình em suốt thời gian thực đồ án môn học Em xin bày tỏ lòng biết ơn đến thầy cô môn Điện tử-Viễn Thông trƣờng Đại Học Bách Khoa Hồ Chí Minh dạy dỗ truyền thụ cho em kiến thức để thực đồ án môn học Cuối em xin chân thành cảm ơn đến đóng góp ý kiến bạn sinh viên suốt trình thực đồ án môn học Tp Hồ Chí Minh, ngày 21 tháng 12 năm 2015 Sinh viên CAO VĂN HẢI i ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC TÓM TẮT ĐỒ ÁN Đồ án trình bày lý thuyết, bước tính toán ,mô để thiết kế mạch khuếch đại công suất OCL 100W ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC MỤC LỤC GIỚI THIỆU TỔNG QUAN LÝ THUYẾT 3 TÍNH TOÁN THÔNG SỐ 3.1 Tầng công suất 3.2 Tầng lái công suất 3.3 Tầng khuếch đại vi sai 11 MÔ PHỎNG 14 KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 14 5.1 Kết luận 19 5.2 Hướng phát triển 19 5.3 Thuận lợi khó khăn 19 TÀI LIỆU THAM KHẢO 20 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC GIỚI THIỆU TỔNG QUAN Ngành Điện tử-Viễn thông ngành quan trọng góp phần vào phát triển đất nước phát triển nhanh chóng Khoa học – Công nghệ làm cho ngành Điện tử -Viễn thông ngày phát triển đạt nhiều thành tựu Nhu cầu người ngày cao điều kiện thuận lợi cho ngành Điện tử phải không ngừng phát minh sản phẩm có tính ứng dụng cao, sản phẩm có tính năng, có độ bền độ ổn định ngày cao… Nhưng điều sản phẩm bắt nguồn từ linh kiện: R, L, C, Diode, BJT, FET ……mà tảng điện tử tương tự Có thể nói,Mạch Khuếch Đại Công Suất sản phẩm tạo tảng phát triển sản phẩm Điện Tử-Viễn Thông phục vụ cho nhu cầu người Hiện nay,trên thị trường có nhiều dạng mạch : mach khuếch đại OTL, mạch khuếch đại OCL, mạch khuếch đại BCL… phổ biến loại mạch khuếch đại OCL Bởi dạng mạch có nhũng ưu điểm về: hiệu suất, hệ số sử dụng BJT(FET) công suất, độ lợi băng thông, biên độ tín hiệu ra… LÝ THUYẾT 2.1 Bộ khuếch đại công suất lớp A: Điểm tín hiệu ngõ BJT vùng tích cực có nghĩa BJT phân cực cho tín hiệu ngõ biến thiên theo tín hiệu ngõ vào Thường điểm tĩnh Q(VCE,ICQ) phân cực cho VCE=VCC/2 + Ƣu điểm: tín hiệu ngõ có hình dạng giống tín hiệu ngõ vào, tín hiệu có chất lượng tương đối tốt, biến dạng + Khuyết điểm: phân cực chế độ làm việc tối ưu nên có tiêu hao lượng lớn kêt tín hiệu ngõ vào, hiệu suất mạch thấp thường η = 25% Vì mạch sử dụng 2.2 Bộ khuếch đại công suất lớp B: ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC Đặc điểm phân cực điện áp VBE= 0V tín hiệu ngõ vào phải vượt qua Điện áp ngưỡng Vγ BJT cò tín hiệu ngõ thường khuếch đạ bán kì dương âm tuỳ thuộc vào loại BJT PNP hay NPN Mạch khuếch đại công suất thường ghép dạng PUSH – PULL + Ƣu điểm: mạch không hoạt động tín hiệu nhõ vào, tổn hao lượng + Khuyết điểm: tín hiệu ngõ bị méo xuyên tâm tín hiệu ngõ vào phải vượt qua điện áp ngưỡng Vγ BJT Hiệu suất mạch cao thường η = 50% - 78.5% 2.3 Bộ khuếch đại công suất lớp AB: Đặc điểm cải tiến nhược điểm meo xuên tâm lớp B cách nâng áp phân cực điểm tĩnh Q cho nằm vùng lớp A lớp B, mạch phân cực có VBE gần Vγ BJT Vì tín hiệu ngõ vào khuếch đại cho tín hiệu ngõ nửa chu kì Mạch khuếch đại công suất thường ghép dạng bổ phụ, có nghã hai phần tử BJT công suất có thông số loại PNP NPN Nếu mạch thiết kế ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC dùng nguồn đôi ta gọi mạch khuếch đại công suất dạng OCL ( OutputCapactor- Less), dùng nguồn đơn ngõ có tụ ta gọi mạch khuếch đại công suất dạng OTL ( Output Transformer- Less) Mạch khuếch đại OTL Mạch khuếch đại OCL +Ƣu điểm: tín hiệu ngõ bị méo dạng lớp B, tiêu hao lượng tín hiệu ngõ vào lớp A, hiệu suất mạch cao, hệ số sử dụng BJT cao + Khuyết điểm: cần có biến áp cung cấp nguồn đối xứng mạch OCL phải có tụ ngõ mạch OCL ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC TÍNH TOÁN THÔNG SỐ 3.1.Tầng công suất: a)Nguồn cung cấp Công suất trung bình phân phối tải tính theo công thức: PL  I pL RL  I Lp RL  VLp2 RL 2( R14  RL )2  VLp max  2PL RL  40(V ) (do ta chọn R142Vcc =90V ICmax >ILmax =6A Ta chọn Q10 :D718 Q11:B688 PC max  80W VCE  120V Có thông số đặc biệt sau I Cm  8A c)R14,R15 Chọn R14 R15 nhỏ để không ảnh hưởng tới hiệu suất mạch R14 , R15  0.47 Công suất tiêu tán : PRtb  R I 14 tb max VPL2 max  R14  1.34(W ) ( ( R14  RL ))2 Công suất đỉnh PRp  R I 14 Pm  V   R14  PL max   2.8(W )  R14  RL  Chọn R14,R15=0.47 Ω ,công suất 5W ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC d)R12 ,R13 ,Q8,Q9 Dựa đặc tuyến Q10 Q11 ,ta phân cực cho dòng DC qua R12 ,R13 khoảng 100mA ;IC=1A,VBE=0.7V ,hfe=95   45 VR12  VBE10  VR14 DC  VBE10  R14 ICQ10  0.7  0.47   100mA   1.54(V )  (8  0.47)  ICQ10  ICQ10 45  100mA  1.79( A)  I BQ10   0.02( A) (8  0.47) h fe Chọn dòng phân cực DC qua Q8,Q9 khoảng ICQ8=ICQ9=50mA,ta  PL RL  R12  I CQ8  I BQ10   VBE  R14  iCQ10 DC    R12  285()    RL  R14     chọn R12=R13=270  I Q8 peak    I Q8tb  I CQ8   I CQ8   I Q8tb Dựa vào phương trình sau I Q8tb  I R12tb  I BQ10tb  R14 I CQ10  VBE10 R12  I BQ10tb  130(mA)  I Q  408(mA) Ta tính công suất đặt vào BJT Q8,Q9 1 PQ8  PQ  (Vcc I Q8tb  RAC I Q2 )  Vcc I Q8tb  5.85(W ) 2 Ta chọn Q8 : KSE340 Q9 : KSE350 PC max  20W có thông số sau VCE  80V I Cm  0.5 A ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 3.2.Tầng lái công suất: Ta chọn D1 , D2 , D3 , D4 , D5 , D6 có thông số V  0.7V I D  10mA ID dòng phân cực tối thiểu để diode hoạt động nên ID=ICQ7=ICQ6=10mA  PCQ  I CQ 7VCEQ  450mW PC max  900W Chọn Q7 C2383 có VCE  90V I Cm  20mA Do ảnh hưởng dòng IBQ5 IBQ6 nhỏ ,không đáng kể nên ta tính R9  Vcc  2V ID  4.36 K   chọn R9=3.9 K VR9=Vcc -2 V =43.6V ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC VEQ  VR  V Q  Vcc  89.3V VCEQ  VEQ  (VCEQ  4V )  41.5V PCQ  VCEQ I CQ Chọn Q6 thỏa điều kiện PC max  830mW VCEQ  83V PC max  900mW ,ta chọn Q6 :2SA1013 V  100V CE I Cm  20mA VCEQ  2Vcc  I CQ R10  R10  I Cm  0.5 A Vcc  450 I CQ 10 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 3.3.Tầng khuếch đại vi sai : Dòng IBQ7 nhỏ nên I EQ  I CQ  2mA  I CQ1  I CQ  2mA Xét mạch Q2 ,Q3 Với điều kiện V Q  I EQ R3  V Q  I EQ R6 I EQ1  I EQ  I EQ  I EQ  R3  R6  560 I EQ1 R2  V Q1  I BQ1 R1  I EQ R4  V Q  I BQ R8 Để mạch triệt tiêu nhiễu tốt Q1 ,Q4 giống  R2  R4  22, R1  R8  39 K Ta tính thông số BJT : 11 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC VCEQ1  VCEQ  Vcc  45V PCQ1  PCQ1  I CQ1Vcc  90mW PCQ  I CQ1Vcc  180mW I C max  4mA PC max  400mW Q1,Q4,Q5 có giá trị nhỏ nên ta chọn loại BJT:Q2SA1015 có VCE  50V I Cm  150mA Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ : Với thông số h fe10  95, h fe8  30, h fe  50, h fe1  h fe  100, R12  R10  1K , hie1  hie  2.5K , hie10  K , RL  8.2 ,ta tính : VL ' V i i i i i i i (VL  0)  L L b10 b b b1 = Vin iL ib10 i1 ib i2 ib ib1 Vin RL (h fe10  1) T= R10 R12  12638 (h fe8  1) (h fe  1)h fe1 hie10  R12 R10  hie8 ( R7 / / R8 )nt (hie1  hie ) VL V i i i i i i i (Vin  0)  L L b10 b b b1' = ' VL iL ib10 i1 ib i2 ib ib1 VL - RL (h fe10  1) R10 R8 R12 (h fe8  1) (h fe  1)h fe1 hie10  R12 R10  hie8 ( R7 / / hie1  hie )ntR8 R7  R1 hie1  hie  -280 Avf  Av  45,13 1 T Zin  ( R7 / / R8 )nt (hie1  hie )  5.8K 12 ĐAMH Avf   GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC R8  45.13  R7  883 R7 Khảo sát ảnh hưởng tụ: Tụ C1 nối tín hiệu điện áp điện áp tầng nhận tín hiệu vài khuếch đại vi sai ,để không gay méo tín hiệu ta chọn tụ có giá trị C1  1   1.5 F 2 f L Z in 2  20  5.8 K Tụ C2 hoạt động băng thông từ 20Hz tới 20KHz có độ lợi không giảm 3dB R8 R7  Z c   Z c  0.4 K  chọn C2  22 F R 1 R7 1 Zin nhìn từ cực C Q7 khoảng 7K,ta tính C3 gm  h fe rb'  50  0.017, f H   20 KHz  Cm  1.2nF 3K 2 Z in 2Cm Cm  C3 (1  g m Z in )  C3  10 pF Chọn tụ C4 R18(mạch Zobel): giá trị đóng vai trò làm tín hiệu tần số cao không bị suy giảm: Khi f lớn, cuộn dây quấn loa L có trở kháng tăng, khiến tổng trở tăng, tín hiệu bị suy giảm biên độ, người ta mắc thêm mạch Zobel nhằm tác dụng tránh tượng này, trở R18=10  , C4 phải chọn cho có giá trị gần tự cảm cuộn dây quấn loa, thường lấy giá trị tụ khoảng 10uF 13 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC MÔ PHỎNG Mô phân cực BIAS POINT Chỉnh R5=0.5K,R10=1K Khi R5=0.5K điểm phân cực Dc có giá trị 40.04V ,ta tiến hành chỉnh R5 để VDC0 Chỉnh R5=1.15K,R10=1K 14 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC Sau chỉnh R5 ta thấy điểm gần tiến 0V,nên giá trị R5 chọn gần 1K Mô chế độ AC Vin =1V ,tần số :1Hz-200KHz Biên độ điện áp gần 40V BW chưa đạt yêu cầu sử dụng số liệu tính toán ta thấy có sai số ,nên chỉnh C2=47uF,C3=1nF ta kết sau 15 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC Vậy C2 C3 đóng vai trò định tới băng thông toàn mạch khuếch đại cho thỏa yêu cầu đề Mô miền thời gian Vin = 1V, tần số 20Hz Khi giữ nguyên giá trị R7 =0.82K ta thấy tín hiệu bị méo ,xén dạng ,không hình dạng ban đầu ,tiến hành tăng R7=1K(thay đổi độ lợi Avf),ta kết sau : 16 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC Tín hiệu ngõ có hình dạng sóng sin (như tín hiễu ngõ vào có biên độ 40V) Như sau tính toán chạy mô để có số liệu xác ,ta có thông số mạch hoàn chỉnh sau: 17 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 18 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 5.1 Kết luận Sau thực đồ án em thấy đạt kết sau : - Tìm hiểu ,thiết kế chế tạo mạch khuếch đại công suất âm tầng OCL- 100W có khả sử dụng rộng rãi, - Vận dụng nhiều kiến thức học trường - Tìm hiểu nhiều vấn đề sử dụng sau - Rèn giũa khả sáng tạo - Khả tìm tài liệu mạng 5.2 Hướng phát triển: Mặc dù cố gắng mạch nhiều hạn chế như:kiến thức hạn chế ,khó thi công, thiết kế ,… nên tìm hiểu phát triển nhỏ nhỏ gọn tiện lợi 5.3 Những thuận lợi khó khăn thực đề tài: Thuận lợi: - Được hướng dẫn tận tình Thầy Tạ Công Đức thầy cô khoa Điện tửViễn thông suốt thời gian qua - Tài liệu tham khảo phong phú Khó khăn: - Thời gian thực đề tài có giới hạn - Chưa có kinh nghiệm nên số lỗi mắc phải 19 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 6.TÀI LIỆU THAM KHẢO Mạch điện tử tác giả Lê Tiến Thường nhà xuất Đại học Quốc gia thành phố Hồ Chí Minh Mạch điện tử 2,tác giả Lê Tiến Thường nhà xuất Đại học Quốc gia thành phố Hồ Chí Minh Mạch điển tử ,tác giả Trương Văn Tám ,nhà xuất Giáo Dục 2009 Một số trang web tham khảo - http://www.datasheetcatalog.com/ - http://dientuvietnam.net - http://danvienthong.blogspot.com/ - http://codientu.org/ 20 [...]... mô phỏng để có được các số liệu khá chính xác ,ta sẽ có thông số mạch hoàn chỉnh như sau: 17 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 18 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 5 KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 5.1 Kết luận Sau khi thực hiện đồ án em thấy đã đạt được những kết quả sau : - Tìm hiểu ,thiết kế và chế tạo được mạch khuếch đại công suất âm tầng OCL- 100W có khả năng sử dụng rộng rãi, - Vận dụng được nhiều kiến thức... ta được kết quả như sau 15 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC Vậy C2 và C3 đóng vai trò quyết định tới băng thông của toàn mạch khuếch đại sao cho thỏa yêu cầu đề bài Mô phỏng miền thời gian Vin = 1V, tần số là 20Hz Khi giữ nguyên giá trị R7 =0.82K ta thấy tín hiệu bị méo ,xén dạng ,không như hình dạng ban đầu ,tiến hành tăng R7=1K(thay đổi độ lợi Avf),ta được kết quả như sau : 16 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC... BQ10tb  R14 I CQ10  VBE10 R12  I BQ10tb  130(mA)  I Q 8  408(mA) Ta tính được công suất đặt vào BJT Q8,Q9 1 1 PQ8  PQ 9  (Vcc I Q8tb  RAC I Q2 8 )  Vcc I Q8tb  5.85(W ) 2 2 Ta chọn Q8 : KSE340 Q9 : KSE350 PC max  20W có các thông số như sau VCE  80V I Cm  0.5 A 8 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 3.2.Tầng lái công suất: Ta chọn D1 , D2 , D3 , D4 , D5 , D6 có các thông số V  0.7V I D  10mA ID... đề tài có giới hạn - Chưa có kinh nghiệm là nên còn một số lỗi mắc phải 19 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 6.TÀI LIỆU THAM KHẢO 1 Mạch điện tử 1 tác giả Lê Tiến Thường nhà xuất bản Đại học Quốc gia thành phố Hồ Chí Minh 2 Mạch điện tử 2,tác giả Lê Tiến Thường nhà xuất bản Đại học Quốc gia thành phố Hồ Chí Minh 3 Mạch điển tử ,tác giả Trương Văn Tám ,nhà xuất bản Giáo Dục 2009 Một số trang web tham khảo -... năng tìm tài liệu trên mạng 5.2 Hướng phát triển: Mặc dù đã cố gắng nhưng mạch này vẫn còn nhiều hạn chế như:kiến thức hạn chế ,khó thi công, thiết kế ,… nên có thể tìm hiểu và phát triển sao nhỏ nhỏ gọn và tiện lợi hơn 5.3 Những thuận lợi và khó khăn khi thực hiện đề tài: Thuận lợi: - Được sự hướng dẫn tận tình của Thầy Tạ Công Đức và những thầy cô khoa Điện tửViễn thông trong suốt thời gian qua... VR9=Vcc -2 V =43.6V 9 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC VEQ 6  VR 9  V Q 9  Vcc  89.3V VCEQ 6  VEQ 6  (VCEQ 7  4V )  41.5V PCQ 6  VCEQ 6 I CQ 6 Chọn Q6 thỏa điều kiện PC max  830mW VCEQ  83V PC max  900mW ,ta chọn Q6 :2SA1013 V  100V CE I Cm  20mA VCEQ 6  2Vcc  I CQ 7 R10  R10  I Cm  0.5 A Vcc  450 I CQ 7 10 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 3.3.Tầng khuếch đại vi sai : Dòng IBQ7 rất nhỏ nên I... )ntR8 R7  R1 hie1  hie 4  -280 Avf  Av  45,13 1 T Zin  ( R7 / / R8 )nt (hie1  hie 4 )  5.8K 12 ĐAMH Avf  1  GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC R8  45.13  R7  883 R7 Khảo sát ảnh hưởng của tụ: Tụ C1 nối tín hiệu điện áp giữa điện áp và tầng nhận tín hiệu vài khuếch đại vi sai ,để không gay méo tín hiệu ta chọn tụ có giá trị C1  1 1   1.5 F 2 f L Z in 2  20  5.8 K Tụ C2 hoạt động ở băng thông...  20 KHz  Cm  1.2nF 3K 2 Z in 2Cm Cm  C3 (1  g m Z in 2 )  C3  10 pF Chọn tụ C4 và R18 (mạch Zobel): 2 giá trị này đóng vai trò làm tín hiệu ra khi ở tần số cao không bị suy giảm: Khi f lớn, cuộn dây quấn loa L có trở kháng tăng, sẽ khiến tổng trở tăng, tín hiệu bị suy giảm biên độ, người ta mắc thêm mạch Zobel nhằm tác dụng tránh hiện tượng này, trở R18=10  , còn C4 phải chọn sao cho có giá... tụ khoảng 10uF 13 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC 4 MÔ PHỎNG Mô phỏng phân cực BIAS POINT Chỉnh R5=0.5K,R10=1K Khi R5=0.5K điểm phân cực Dc giữa có giá trị 40.04V ,ta tiến hành chỉnh R5 để được VDC0 Chỉnh R5=1.15K,R10=1K 14 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC Sau khi chỉnh R5 ta thấy điểm giữa gần tiến về 0V,nên giá trị R5 có thể chọn gần bằng 1K Mô phỏng ở chế độ AC Vin =1V ,tần số :1Hz-200KHz Biên độ điện áp... 2  I CQ 2  2mA  I CQ1  I CQ 2  2mA Xét mạch Q2 ,Q3 Với điều kiện V Q 2  I EQ 2 R3  V Q 3  I EQ 3 R6 I EQ1  I EQ 2  I EQ 3  I EQ 4  R3  R6  560 I EQ1 R2  V Q1  I BQ1 R1  I EQ 4 R4  V Q 4  I BQ 4 R8 Để mạch triệt tiêu nhiễu tốt hơn Q1 ,Q4 giống nhau  R2  R4  22, R1  R8  39 K Ta tính được các thông số BJT : 11 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC VCEQ1  VCEQ 4  Vcc  45V PCQ1  PCQ1 ... VIỄN THÔNG LỚP : DD12VT01 Đề tài: THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN OCL Nhiệm vụ (Yêu cầu nội dung số liệu ban đầu): Mạch khuếch đại công suất OCL PLmax =100W BW:20Hz-20KHz RL=8Ω Ngày giao... TẠ CÔNG ĐỨC 18 ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 5.1 Kết luận Sau thực đồ án em thấy đạt kết sau : - Tìm hiểu ,thiết kế chế tạo mạch khuếch đại công suất âm tầng OCL- 100W. .. NPN Nếu mạch thiết kế ĐAMH GVHD: Th.S TẠ CÔNG ĐỨC dùng nguồn đôi ta gọi mạch khuếch đại công suất dạng OCL ( OutputCapactor- Less), dùng nguồn đơn ngõ có tụ ta gọi mạch khuếch đại công suất dạng

Ngày đăng: 26/03/2016, 14:32

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan