TẬP ĐOÀN ĐIỆN LỰC VIỆT NAM TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC KHOA CÔNG NGHỆ TỰ ĐỘNG ĐỒ ÁN MÔN HỌC ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT Đề tài: Thiết kế nghịch lưu độc lập nguồn áp pha Giảng viên hướng dẫn : GV NGUYỄN THỊ ĐIỆP Sinh viên thực hiện: BÙI THIÊN KIỀU PHẠM THỊ LINH PHẠM THỊ THANH XUÂN Lớp : D7-CNTD1 Hà Nội, tháng 04 năm 2015 CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP I.1 CÁC VẤN ĐỀ CHUNG Nghịch lưu độc lập hay otonom thiết bị biến đổi từ tĩnh dòng điện chiều sang xoay chiều có tần số I.2 PHÂN LOẠI Nghịch lưu độc lập nguồn áp: - Điện áp có dạng hình chữ nhật , có giá trị không đổi , đường cong dòng phụ thuộc vào loại tải - Nguồn điện cung cấp làm việc máy phát điện động , thực tế cần thêm tụ điện lớn - Khi tải có tính cảm kháng thiết phải sử dụng điot ngược để đảm bảo cân lượng cảm kháng - Đặc tính tải Utải = f(Itải) có dạng nằm ngang • Nghịch lưu độc lập nguồn dòng: - Dòng gồm dòng tải dòng chuyển mạch tiristor tụ điện có dạng hình chữ nhật, điện áp phụ thuộc vào thông số tải - Nguồn điện cung cấp làm việc nguồn dòng nên phải mắc nối tiếp thêm cuộn kháng lớn - Khi tải có tính cảm kháng, cân công suất kháng thực tụ điện chuyển mạch tải tổng hợp thiết phải có đặc tính dung kháng - Đặc tính tải có dạng đường thẳng nghiêng • Nghịch lưu độc lập cộng hưởng Đặc điểm nghịch lưu cộng hưởng trình chuyển mạch van dựa vào tượng cộng hưởng Giá trị điện cảm không lớn nghịch lưu dòng ( Ld = ) không nhỏ nghịch lưu áp ( Ld = ), mà chiếm vị trí trung gian cho kết hợp với điện cảm tải Lt tụ điện C mạch xuất hiện tượng dao động • I.3 MỘT SỐ LOẠI VAN BÁN DẪN DÙNG TRONG NGHỊCH LƯU Khái niệm Van bán dẫn phần tử bán dẫn công suất sử dụng sơ đồ biến đổi khóa điện tử, mở dẫn dòng nối tải vào nguồn, khóa ngắt tải khỏi nguồn, không cho dòng điên chạy qua Đặc điểm Các van bán dẫn làm việc chế độ khóa, mở cho dòng điện chạy qua có điện trở tương đương nhỏ, khóa không cho dòng chạy qua có điện trở tương đương lớn.Nhờ tổn hao công suất trình làm việc tích dòng điện chạy với điện áp rơi phần tử có điện trở nhỏ Chỉ dẫn dòng theo chiều phần tử đặt điện áp phân cực thuận Khi điện áp đặt lên phần tử phân cực ngược dòng qua phần tử có giá trị nhỏ, cỡ mA, gọi dòng rò Tính kĩ thuật chủ yếu van bán dẫn công suất thể qua khả đóng cắt dòng điện, khả chịu điện áp đặc tính liên quan đến trình đóng cắt vấn đề điều khiển chúng Phân loại Van có điều khiển: - Điều khiển hoàn toàn :Bibolar Transistor, MOSFET, IGBT, GTO - Điều khiển không hoàn toàn : Tiristor 4.Các loại van thường dùng 4.1.Transistor công suất (Bipolar Junction Transistor – BJT) Transistor lưỡng cực thiết bị gồm ba lớp bán dẫn : NPN PNP, dùng để đóng cắt dòng điện chiều có cường độ tương đối lớn Hệ số khuếch đại dòng β =10→100 , điện áp VBE ≈ 1V, Vcc = 1→1,5V Hình 1.2 Transistor thuận – ngược Transistor công suất sử dụng khóa điện tử, chịu tần số đóng cắt tương đối cao nên gọi phần tử khuếch đại chuyển mạch, làm việc hai trạng thái đóng- cắt, dẫn- không dẫn Hình 1.3 Bộ khuếch đại chuyển mạch hai trang thái 4.3 MOSFET Mosfet có cấu trúc bán dẫn cho phép điều khiển điện áp với dòng điều khiển cực nhỏ MOSFET có hai loại: • • N-MOSFET: hoạt động nguồn điện Input (Gate) zero, electron bên tiến hành hoạt động bị ảnh hưởng nguồn điện Input P-MOSFET: electron bị cut-off gia tăng nguồn điện vào ngỏ Input (Gate) Thông thường chất bán dẫn chọn silíc có số hãng sản xuất vi mạch bán dẫn từ hỗn hợp silíc germani (SiGe), ví dụ hãng IBM Ngoài silíc germani có số chất bán dẫn khác gali asenua có đặc tính điện tốt lại tạo nên lớp oxide phù hợp nên dùng để chế tạo transistor MOSFET Ứng dụng thực tế • • • • • • • • Bộ biến tần (truyền động động điện xoay chiều) Lò cảm ứng trung tần, hàn trung tần Nguồn xoay chiều gia đình, nguồn lưu điện (UPS), chiếu sáng (đèn huỳnh quang cao tần) Bù nhiễu công suất phản kháng Truyền tải điện cao áp chiều (HVDC) Cung cấp điện (từ nguồn độc lập ắc quy) Giao thông Luyện kim… Trong đồ án tìm hiểu van bán dẫn điều khiển hoàn toàn: MOSFET I.2 Van MOSFET I.CẤU TẠO Mosfet Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Transistor đặc biệt có cấu tạo hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta biết Mosfet thường có công suất lớn nhiều so với BJT Đối với tín hiệu chiều coi khóa đóng mở Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa hiệu ứng từ trường để tạo dòng điện, linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại nguồn tín hiệu yếu Mosfet sử dụng nhiều mạch nguồn Monito, nguồn máy tính Hình 2.1 Transistor hiệu ứng trường Mosfet I.2.2 Phân loại Transistor trường MOS có hai loại: o Transistor MOSFET có kênh sẵn Transistor trường MOSFET kênh sẵn gọi MOSFET - chế độ nghèo (DepletionMode MOSFET viết tắt DE -MOSFET), loại transistor chế tạo sẵn kênh dẫn Hình 2.2 DE- MOSFET - Transistor MOSFET kênh cảm ứng Transistor trường loại MOS kênh cảm ứng gọi MOSFET chế độ giàu (Enhancement-Mode MOSFET viết tắt E-MOSFET) Khi chế tạo kênh dẫn Do công nghệ chế tạo đơn giản nên MOSFET kênh cảm ứng sản xuất sử dụng nhiều Hình 2.4 E-MOSFET Trong loại MOSFET lại có hai loại kênh dẫn loại P kênh loại N I.2.3 Cấu tạo Phần Mosfet có cấu trúc hai cực tụ điện Một kim loại phía nối với chân (chân Gate) (G - Gate) cực điều khiển cách ly hoàn toàn với cấu trúc bán dẫn lại lớp điện môi cực mỏng có độ cách điện cực lớn đioxil-silic (SiO2) Hai cực lại cực gốc (S - Source) cực máng (D - Drain) Cực máng cực đón hạt mang điện Nếu kênh dẫn n hạt mang điện điện tử (electron), cực tính điện áp cực máng dương so với cực gốc Trên ký hiệu phần tử, phần chấm gạch D S để điều kiện bình thường kênh dẫn thực nối D S Cấu trúc bán dẫn MOSFET kênh dẫn kiểu p tương tự lớp bán dẫn có kiểu dẫn điện ngược lại Tuy nhiên đa số MOSFET công suất loại có kênh dẫn kiểu n Trong chế độ làm việc bình thường UDS > Giả sử điện áp cực điều khiển cực gốc không, UDS = 0, kênh dẫn hoàn toàn không xuất Giữa cực gốc cực máng tiếp giáp p-n phân cực ngược Điện áp UDS hoàn toàn rơi vùng nghèo điện tích tiếp giáp (hình 2.a) Nếu điện áp điều khiển âm, UDS < 0, vùng bề mặt giáp cực điều khiển tích tụ lỗ (p), dòng điện cực gốc cực máng xuất Khi điện áp điều khiển dương, UDS > đủ lớn bề mặt tiếp giáp cực điều khiển tích tụ điện tử, kênh dẫn thực hình thành.(hình 2.b) Như cấu trúc bán dẫn MOSFET, phần tử mang điện điện tử, giống lớp n tạo nên cực máng, nên MOSFET gọi phần tử với hạt mang điện bản, khác với cấu trúc BJT, IGBT, Thyristor phần tử với hạt mang điện phi Dòng điện cực gốc cực máng phụ thuộc vào điện áp U DS Từ cấu trúc bán dẫn MOSFET (hình 2.c), thấy cực máng cực gốc tồn tiếp giáp p-n - tương đương với diode ngược nối D S Trong sơ đồ biến đổi, để trao đổi lượng tải nguồn thường cần có diode ngược mắc song song với van bán dẫn.Ưu điểm MOSFET có sẵn diode nội I.2.4 Đặc tính tĩnh (đặc tuyến VA) Khi điện áp điều khiển UDS nhỏ ngưỡng đó, cỡ 3V, MOSFET trạng thái khoá với điện trở lớn cực máng D cực gốc S Khi UGS cỡ - 7V, MOSFET chế độ dẫn Thông thường điều khiển MOSFET điện áp điều khiển cỡ 15V để làm giảm điện áp rơi D S Khi UDS gần tỷ lệ với dòng ID Hình 2.4.Đặc tính tĩnh (VA) Đặc tính tĩnh MOSFET tuyến tính hoá bao gồm hai đoạn thể hai chế độ khoá dẫn dòng Theo đặc tính dòng qua MOSFET xuất điện áp điều khiển vượt qua giá trị ngưỡng UDS(th) Khi độ nghiêng đường đặc tính dẫn dòng đặc trưng độ dẫn: Trong đó: UDS(th), Gm thông số MOSFET Người ta dùng giá trị nghịch đảo Gm điện trở thuận RDS(ON) để đặc trưng cho trình dẫn MOSFET I.2.4 Phương pháp mở khóa van 1.1 Nguyên tắc hoạt động Thí nghiệm • Cấp nguồn chiều UD qua bóng đèn D vào hai cực D S Mosfet Q (Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa dòng điện qua cực DS chân G không cấp điện • Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp vào hai cực GS làm điện áp UGS > 0V => đèn Q1 dẫn => bóng đèn D sáng • Khi công tắc K1 ngắt, điện áp tích tụ C1 (tụ gốm) trì cho đèn Q dẫn => chứng tỏ dòng điện qua cực GS • Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích tụ C1 giảm => UGS= 0V => đèn tắt • => Từ thực nghiệm ta thấy : điện áp đặt vào chân G không tạo dòng GS Transistor thông thường mà điện áp tạo từ trường => làm cho điện trở RDS giảm xuống 1.2 Quá trình đóng cắt - Quá trình đóng Hình mô hình khóa Mosfet Khi cấp vào cực G (Gate) Mosfet điện áp thông qua mạch Driver - - - - Giai đoạn thứ nhất: Điện dung đầu vào Mosfet nạp từ điện áp 0V đến giá trị Uth, suốt trình hầu hết dòng điện vào cực G nạp cho tụ CGS, lượng nhỏ nạp cho tụ CGD Quá trình gọi trình mở trễ dòng ID điện áp cực D (Drain) không đổi Sau cực G nạp tới giá trị điện áp giữ mẫu Uth, Mosfet sẵn sàng để dẫn dòng điện Giai đoạn thứ hai: Điện áp cực G tiếp tục tăng từ Uth đến giá trị UMiller trình tăng cách tuyến tính; dòng điện ID tăng tỉ lệ với điện áp cực G điện áp hai cực UDS giữ nguyên giá trị Giai đoạn thứ ba: Điện áp cực G giữ nguyên mức điện áp Miller V DS,Miller điện áp cực D bắt đầu giảm Dòng điện ID Mosfet giữ nguyên giá trị định Giai đoạn thứ tư: Đây giai đoạn Mosfet dẫn bão hòa cấp điện áp cao UDR(giá trị UDR nằm khoảng 10 20V ) vào cực G Mosfet Giá trị cuối VGS định điện trở RDS(ON) van trình mở Do giai đoạn thứ tư điện áp cực Gate tăng từ giá trị UMiller đến giá trị mạch Driver UDR Trong điện áp cực D, S (UDS) giảm mạnh gần giá trị 0V, dòng điện ID giữ không đổi - Quá trình khóa Hình Quá trình mở Mosfet phụ thuộc tụ điện C GD vào điện áp UDS - - - - Giai đoạn thứ nhất: Là trình xả điện tích tụ CGS,DS từ giá trị ban đầu đến giá trị miller, điện áp cực D Mosfet bắt đầu tăng dần nhỏ, dòng điện cực D ( ID) không đổi Giai đoạn thứ hai: Điện áp hai cực D - S Mosfet tăng từ giá trị U DS = ID.RDS(on) tới giá trị cuối UDS(off) Trong suốt giai đoạn dòng điện cực D giữ không đổi Dòng điện cực G hoàn toàn dòng xả tụ cực Mosfet Giai đoạn thứ ba: Điện áp cực G giảm từ giá trị Miller đến giá trị giữ mẫu U th Phần lớn dòng điện xả cực G phóng tụ CGS.Giai đoạn điện áp UGS dòng điện ID giảm tuyến tính Trong điện áp UDS giữ nguyên giá trị UDS(off) Giai đoạn thứ tư: Giai đoạn trình phóng điện hoàn toàn tụ điện cực Mosfet, UGS giảm đến giá trị 0V Dòng điện cực D giảm giá trị không đổi Quá trình mở - khóa Mosfet trình chuyển mạch trạng thái trở kháng cao trạng thái trở kháng thấp thực bốn giai đoạn Độ dài khoảng thời gian giai đoạn định giá trị điện dung cực, điện áp đặt vào cực điều khiển, dòng điện nạp xả tụ điện cực G Đây thông số quan trọng để thiết kế mạch điều khiển Mosfet ứng dụng có tần số đóng cắt lớn I.2.5 Các thông số van 1.Drain-to-Source Breakdown Voltage: Đây điện áp chiều lớn cho phép cực Drain Source Khi tính toán thường lấy hệ số an toàn điện áp 1.5 trở lên 2.Continuous Drain Current : Dòng điện chiều liên tục lớn chảy qua mosfet,giới hạn tổn hao dẫn , thường cho 25°C 100°C 3.Pulsed Drain Current: Dòng điện xung lớn chảy qua mosfet, phụ thuộc vào độrộng xung,giới hạn diện tích an toàn (Safe Operating Area-SOA).Trong trình độ , van hay phải làm việc vùng dòng điện định mức thời gian ngắn, SOA bị vi phạm phải áp dụng khởi động mềm 4.Gate-to-Source Voltage: Điện áp điều khiển cực Gate Souce, thường lớn nhấtlà 20V,thực tế hay đặt khoảng 10V,khi mosfet hoạt động xảy tượng điện áp điều khiển bị tăng cao ảnh hưởng điện dung ký sinh cực Drain vàGate,khi tính toán thấy điện áp tăng cao cần thêm diode zener mắc cực Gate Souce Max Power Dissipation: Công suất tiêu tán lớn điều kiện làm mát tốt nhấtvà nhiệt độ định, thường cho 25°C , dựa vào Linear Derating Factor tính công suất tiêu tán nhiệt nhiệt độ khác.Công suất tiêu tán thực tế phụ thuộc chủ yếu vào dạng đóng vỏ điều kiện làm mát, bé nhiều giá trị định mức Vd: Loại IRF-540N, dạng vỏ TO-220, datasheet cho Max Power Dissipation = 130W 25°C,nhưng điều kiện làm mát cánh tản nhiệt quạt cưỡng tốt thường nên lấy tối đa 50W Tất loại van khác có dạng đóng vỏ không chọn 50W Linear Derating Factor: Hệ số suy giảm công suất toả nhiệt theo nhiệt độ, khoảng 0.7-2.5W/°C 7.Operating Junction and Storage Temperature Range: Giới hạn nhiệt độ lớp tiếpgiáp,thường -55 đến +175°C Quá thang nhiệt độ van hỏng 8.Peak Diode Recovery dv/dt: Giới hạn tốc độ tăng điện áp diot mắc cựcDrain Souce,thường kIV ITr Chọn kIv = 1,2 ⇒ Iv > 1,2 6,3 ⇒ Iv > 7,56 Điện áp van phải chịu hoạt động nguồn E = 245 V Theo tiêu điện áp: UV > kUv Ung max Chọn kUv = ⇒ Uv > 245 ⇒ Uv > 490 (V) Từ tiêu tính toán ta chọn van mosfet đấu sẵn sơ đồ cầu có kí hiệu IRF840 Với thông số: UDSmax=500V IDmax=8A RDSmax=0,85Ω PDmax=125W • Tính toán chọn tụ chiều đầu vào : Trong thực tế lượng chiều không lấy trực tiếp từ nguồn chiều (acqui) mà từ lưới điện xoay chiều thông qua mạch chỉnh lưu Trong trường hợp phải mắc đầu chỉnh lưu tụ điện C, có nhiệm vụ: - Làm phẳng điện áp đầu tạo nguồn E - Nhận lượng trả từ điện cảm tải ,vì chỉnh lưu không cho dòng đảo chiều lại, trị số tụ điện phụ thuộc vào độ đập mạch cho phép điện áp chiều : Vậy chọn tụ có trị số C= - Thông số mạch lọc đầu : Bậc sóng hài thấp q=  Hệ số ℇ  Công suất lọc Công suất tải theo sóng hài : Theo tính toán ta có  Mắt lọc song song L2 C2 :  Mắt lọc nối tiếp L1 C1 : Dòng qua mắt coi dòng qua tải : - Phần tử bảo vệ Bảo vệ cầu chì Mạch điện tính toán với dòng tối đa bên sơ cấp , để tránh tình trạng tải hay ngắn mạch gây cố phá hỏng thiết bị ta chọn thiết bị cầu chì cắt nhanh với dòng xác định Chọn làm mát cánh tản nhiệt không khí Thứ tự Tên thiết bị Tụ C Điện cảm L Điện trở R Số lượng Thông số CHƯƠNG III: TÍNH TOÁN MẠCH ĐIỀU KHIỂN I.1 Sơ đồ khối mạch điều khiển Phát xung chủ đạo - Phân phối xung Xác định khoảng dẫn Khuếch đại xung Đến Van cực Phát xung chủ đạo: tạo tín hiệu đồng cho toàn hệ thống có tần số tỉ lệ với sóng hài điện áp Bộ phân phối : tín hiệu xung vào van lực riêng biệt theo thứ tự làm việc chúng theo nguyên lí hoạt động Khâu xác định khoảng dẫn : cho van thực theo phương pháp điều khiển cụ thể Bộ khuếch đại xung: tăng đủ công suất để đóng mở xung I.2 Điều khiển nghịch lưu điện áp chiều Mạch điều khiển cho loại gồm khâu tạo dao động chữ nhật cho điện áp Ufx có dạng đồ thị sau qua khâu chia tần đảm bảo khoang dẫn hoàn toàn trái pha Trước khuếch đại công suất cần phải tạo trễ mở để chống tượng ngắn mạch hai van thẳng hàng [...]... LƯU ĐỘC LẬP NGUỒN ÁP MỘT PHA DÙNG VAN MOSFET Do đầu vào của nghịch lưu là nguồn áp nên mạch nghịch lưu áp có tụ (C→∞) được mắc song song với điện trở nguồn Sơ đồ nghịch lưu điện áp một pha được miêu tả dưới sơ đồ gồm 4 van động lực T1, T2, T3, T4 v Hình 4 Sơ đồ nghịch lưu áp 1 pha Nhược điểm: o Số lượng van sử dụng khá nhiều o o Điện áp ra có sóng hài bậc cao ảnh hưởng tới thiết bị điện o Ưu điểm:... điện tích này càng lớn thì Ipgeak càng phải lớn để đảm bảo các tụ này được nạp trong thời gian xác định Thường Ipgeak trong khoảng 0.52A I.3 MỘT SỐ SƠ ĐỒ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP NGUỒN ÁP I.3.1 Nghịch lưu điện áp một pha Hình 3.1.Sơ đồ mạch nghịch lưu độc lập nguồn áp1 pha hình tia Khi chân 3 T1 có cực tính dương, dòng điện sẽ chạy qua L1, qua tải, qua diode nội Q2 về chân 4 thành 1 mạch kín Chính lúc này... áp dương Body diode của Q2 phân cực ngược nên bị khóa Lúc này G Q2 có xung kích âm, MOS sẽ bị khóa Sẽ ko có dòng điện chảy qua van Vậy thử hỏi Q2 dẫn 2 chiều ở chỗ nào Khi Q2 bị khóa, dòng điện cảm ứng tích lũy trên L1 sẽ xả qua tải, qua free whelling Q1 thành 1 mạch kín cung cấp điện cho tải, vì lúc này G Q1 có xung kích dương, dòng điện sẽ chảy qua Rdson Q1.I.4 SƠ ĐỒ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP NGUỒN ÁP MỘT... nguồn 1 chiều (acqui) mà từ lưới điện xoay chiều thông qua mạch chỉnh lưu Trong trường hợp này phải mắc ở đầu ra chỉnh lưu một tụ điện C, có nhiệm vụ: - Làm phẳng điện áp đầu ra tạo nguồn E - Nhận năng lượng trả về từ điện cảm tải ,vì chỉnh lưu không cho dòng đảo chiều lại, trị số tụ điện phụ thuộc vào độ đập mạch cho phép của điện áp một chiều : Vậy chọn tụ có trị số C= - Thông số mạch lọc đầu ra : Bậc... của điện áp ra Bộ phân phối : tín hiệu xung được vào từng van lực riêng biệt theo đúng thứ tự làm việc của chúng theo nguyên lí hoạt động Khâu xác định khoảng dẫn : cho các van thực hiện theo phương pháp điều khiển cụ thể Bộ khuếch đại xung: tăng đủ công suất để đóng mở xung I.2 Điều khiển nghịch lưu điện áp 1 chiều Mạch điều khiển cho loại này chỉ gồm 1 khâu tạo dao động chữ nhật cho điện áp ra Ufx... CHƯƠNG II: TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH LỰC Theo bài ra ta có: Điện áp hiệu dụng đầu ra U1=220V Dòng hiệu dụng đầu ra I1=20A Chọn Rt =1 Trị số nguồn một chiều: Ta có: Để có trị số hiệu dụng 220V đầu ra cần nguồn 1 chiều : Chọn Chọn Giá trị trung bình dòng qua van • Thông số chọn van mosfet là : Theo chỉ tiêu dòng điện ta có : Iv > kIV ITr Chọn kIv = 1,2 ⇒ Iv > 1,2 6,3 ⇒ Iv > 7,56 Điện áp các van phải chịu... Điện áp ra có sóng hài bậc cao ảnh hưởng tới thiết bị điện o Ưu điểm: o Điều chỉnh được tần số fN o Điện áp ra của nghịch lưu có thể dùng các phương pháp khác nhau để giảm sóng hài bậc cao o Các van được sử dụng là các van điều khiển hoàn toàn do đó dễ dàng điều khiển đóng cắt các van o Công suất bộ biến đổi phụ thuộc vào công suất của van,mà công suất của van động lực ngày càng lớn với kích thước ngày... áp điều khiển giữa cực Gate và Souce, thường lớn nhấtlà 20V,thực tế hay đặt khoảng 10V,khi mosfet hoạt động xảy ra hiện tượng điện áp điều khiển bị tăng cao do ảnh hưởng của điện dung ký sinh giữa cực Drain vàGate,khi tính toán nếu thấy điện áp này tăng cao cần thêm một diode zener mắc giữa cực Gate và Souce 5 Max Power Dissipation: Công suất tiêu tán lớn nhất trong điều kiện làm mát tốt nhấtvà ở một. .. tiếpgiáp,thường là -55 đến +175°C Quá thang nhiệt độ này van sẽ hỏng 8.Peak Diode Recovery dv/dt: Giới hạn tốc độ tăng điện áp trên diot mắc giữa cựcDrain và Souce,thường ... hiện tượng dao động • I.3 MỘT SỐ LOẠI VAN BÁN DẪN DÙNG TRONG NGHỊCH LƯU Khái niệm Van bán dẫn phần tử bán dẫn công suất sử dụng sơ đồ biến đổi khóa điện tử, mở dẫn dòng nối tải vào nguồn, khóa ngắt... lưu điện (UPS), chiếu sáng (đèn huỳnh quang cao tần) Bù nhiễu công suất phản kháng Truyền tải điện cao áp chiều (HVDC) Cung cấp điện (từ nguồn độc lập ắc quy) Giao thông Luyện kim… Trong đồ án. .. - Source) cực máng (D - Drain) Cực máng cực đón hạt mang điện Nếu kênh dẫn n hạt mang điện điện tử (electron), cực tính điện áp cực máng dương so với cực gốc Trên ký hiệu phần tử, phần chấm gạch