Nghiên cứu và chế tạo màng chống phản xạ bằng vật liệu Si3Nx SiOx dùng cho pin năng lượng mặt trời

104 1K 5
Nghiên cứu và chế tạo màng chống phản xạ bằng vật liệu Si3Nx SiOx dùng cho pin năng lượng mặt trời

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

. “NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG CHỐNG PHẢN XẠ BẰNG VẬT LIỆU SiNx SiOx DÙNG CHO PIN NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI” là sử dụng hai vật liệu silic nitrit (silicon nitride) và oxit silic (silicon dioxide) chế tạo. phản xạ tương ứng ứng với năng lượng phản xạ lại. 2 Chương 1 Tổng quan pin mặt trời đơn tinh thể 1.1 Pin mặt trời một tiếp xúc p-n Năng lượng bức xạ mặt trời là nguồn năng lượng sạch và. 4-14: Sự phản xạ của các bước sóng và tối ưu bề dày màng SiO2 cho việc chống phản xạ . 58 Hình 4-15: Sự phản xạ của các bước sóng và tối ưu ARC bề dày màng SiO2 58 Hình 5-1: Chiết suất vật liệu

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:57

Từ khóa liên quan

Mục lục

  • MỤC LỤC

  • DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT

  • DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU

  • DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ

  • MỞ ĐẦU

  • Chương 1. Tổng quan pin mặt trời đơn tinh thể

  • 1.1 Pin mặt trời một tiếp xúc p-n

  • 1.2 Cấu trúc vật liệu tạo tế bào quang điện một lớp tiếp xúc p-n

  • 1.2.1 Cấu trúc mạng và cấu trúc vùng năng lượng

  • 1.2.2 Sự hấp thụ photon

  • 1.2.3 Vật liệu bán dẫn c-Si loại i, n và p

  • 1.2.4 Sự thất thoát hạt tải do tái hợp

  • 1.2.5 Tiếp xúc p-n

  • 1.3 Nguyên lý họat động

  • 1.3.1 Dòng quang điện

  • 1.3.2 Đặc tuyến J-V

  • Chương 2. Vật lý lắng đọng hơi hóa học plasma tăng cường

  • 2.1 Tổng quan về plasma

  • 2.2 Phóng điện phát quang không cân bằng

  • 2.3 Cấu trúc buồng plasma sử dụng

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan