5.Hệ số ổn định nhiệt S Khi nhiệt độ thay đổi, các thông số transistor thay đổi như sau:  I CBO tăng gaáp đôi khi nhiệt độ tăng lên 10 o C.[ 8 o C ( Si); 12 o C(Ge)].  tăng gắp đôi khi nhiệt độ tăng 50 o C ( Si) ; 80 o C ( Ge).  V BE giảm theo – 2,2mV / o C [ -2,5mV / o C (Si); - 1,6mV / o C ( Ge) ]. Vậy dòng thu là hàm số: I C = f ( I CBO , , V CE )   • Sự thay đổi dòng thu cho bởi: • Các hệ số ổn định nhiệt:   , , C C C E CBO BE CBO C BE CBO I I I dI V dI d d I VB I V             C CBO C C BE I V I S I I S I S V            Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực bằng cầu phân thế và R E . • Ta có: V BB = R B I B + V BE + R E I E = R B I B + V BE + R E (I B+ I C ) = = V BE + R B I B +R E I C +R E I B = V BE + (R B +R E )I B +R E I C (1) I C = + (2). Thay (2) vào (1): Hay: B I    1 CBO I     1 C B E CBO E C BB BE I V V R R I R I                              1 B E C B E CBO E C BB BE V V R R I R R I R I           • Sắp xếp lại: Hay: Tính được: Do : nên: S I càng nhoû mạch càng ổn định ( 1- 11), S I = 11 là trị số tối ưu.           1 1 1 B E B B B E C C B O B E B E V V R R I I R R R R                    1 1 C B E I CBO B E R R I S I R R             1 E B R R   ?   1 B E B I E E R R R S R R               1 1 B C B E CBO BB BE E R V V R I R R I           • Tương tự: • Vì trong công thức vẫn còn chứa cả ICBO, VCE, nên ta có thể tính theo cách sau: Suy ra:   1 1 V B E E S R R R                 2 1 B E B C B O B B B E C B E V V R R R I I S R R                    1 1 B E C B E CBO BB BE R R V V I R R I                         2 1 C 2 C 1 2 1 2 C 2 2 C 1 1 1 1 1 1 1 B E B E B E B E R R R R I I R R I I R R                                     . E C B E CBO E C BB BE V V R R I R R I R I           • Sắp xếp lại: Hay: Tính được: Do : nên: S I càng nhoû mạch càng ổn định ( 1- 11), S I = 11 là trị số tối ưu.           1 1.  C CBO C C BE I V I S I I S I S V            Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực bằng cầu phân thế và R E . • Ta c : V BB = R B I B + V BE + R E I E = R B I B + V BE + R E (I B+ I C ) = =. (Si); - 1,6mV / o C ( Ge) ]. Vậy dòng thu là hàm s : I C = f ( I CBO , , V CE )   • Sự thay đổi dòng thu cho bởi: • Các hệ số ổn định nhiệt:   , , C C C E CBO BE CBO C BE CBO I I I dI V dI