Chương 3 7 Suy ra: )1( 1 1 21 1 ' » ¼ º « ¬ ª   ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § ' ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § ' ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § |' E EE eb eb CQ BE e CBO e b CQ RR RR I V R I R R I Trong đó: )1( 1  ' 'TK CBOCBO eII TkV B E ' ' 12 E E E  ' x Mở rộng: eRCCVBEVCBOICQ RSVSSVSISI eCC ''''' ' E E Với CC CQ V V I S CC w w | ; e CQ R R I S e w w | x Ví dụ: a) Tìm I CQ tại nhiệt độ phòng, sử dụng các giá trò danh đònh b) Tính 'I CQ với các thay đổi trên V CC , R e , E; nhiệt độ thay đổi từ 25 – 125 o C. a) 21 1 RR R VV CCBB  ; R b = R 1 // R 2 Dùng công thức tổng quát: be beCBOBEBB CQ RR RRIVV I )1( )()( D D   = 10.6 mA b) i Tính các hệ số ổn đònh: 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 3 8 be be I RR RR S )1( D   = 5.25 mA/mA e V R S 1 | = - 10 mA/V » ¼ º « ¬ ª   ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § | eb eb CQ RR RR I S )1( 21 1 EE E = 0.0116 mA Tính S Vcc và S Re , từ công thức tổng quát: be beCBOBEBB CQ RR R R IVV I )1( )()( D D   , suy ra: 21 1 )1()1( RR R RRV V RRV I S beCC BB beCC CQ V CC  w w  w w D D D D = 0.91 mA/V >@ 2 )1( )( be BEBB e CQ R RR VV R I S e D D   | w w = - 0.1 mA/: i Xác đònh các đại lượng biến thiên: )1( 1  ' 'TK CBOCBO eII = 0.11 mA TkV B E ' ' = -250 mV 12 E E E  ' = 50 CC V' = 4V e R' = 20 : i Suy ra độ dòch tónh điểm Q nhiều nhất eRCCVBEVCBOICQ RSVSSVSISI eCC ''''' ' E E = 9.3 mA Độ dòch tónh điểm Q xung quanh giá trò danh đònh | 9.3 / 2 = r 4.65 mA 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 3 9 3.5 Bổ chính nhiệt dùng Diode x Nhận xét: Thay đổ nhiệt độ ảnh hưởng lên dòng phân cực I CQ chủ yều do 'V BE .  Giảm S V : Tăng R e , tuy nhiên làm giảm dòng phân cực. Giảm 'V BE : Bổ chính nhiệt x Bổ chính nhiệt dùng Diode: Chọn Diode sao cho: T V T V BED ' ' ' ' Nguồn dòng: 1   E EQ DBQDBB I IIII Mặt khác: eEQBEQdDDB RIVRIVV   Suy ra: )]1/([   E de dBBBEQD EQ RR RIVV I  )]1/([ //  '''' ' ' E de BED EQ RR TVTV T I = 0 x Cấu hình thực tế: - Giải quyết được bài toán lựa chọn Diode thích hợp (matching) với TST - Sử dụng trong các mạch tích hợp (Integrated Circuit) 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 3 10 x Ví dụ: Xác đònh ảnh hưởng của nhiệt độ lên tónh điểm Q Mạch tương đương: BQ d DB b B BB I R VV R V I    ; giả sử b B BQ R V I  và d DB B R VV I    d DB b B BB R VV R V I  |  ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © §  ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © §  db db d D BBB RR RR R V IV  ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © §     ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © §  BEQ db bD db dCC ee BEQB EQ V RR RV RR RV RR VV I 1 Biến thiên theo nhiệt độ: ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § w w  w w  ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § w w T V T V RR R RT I BEQ D db b e EQ 1 Vì hai TST là giống nhau: k T V T V BEQ D  w w w w , suy ra: dbe EQ RRR k T I /1 1  w w 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 3 11 3.6 nh hưởng của nhiệt độ và các thông số kỹ thuật Ví dụ: Transistor 2N1016, Silicon npn 1. Điện trở nhiệt tối đa: T jc = 0.7 o C/W 2. Công suất tiêu tán tối đa với bộ tản nhiệt lý tưởng tại 25 o C: P C = 150 W 3. Nhiệt độ mối nối tối đa: T j,max = 140 o C 4. Các thông số cực đại tuyệt đối tại 25 o C: 1) I C = 7.5 A 2) I B = 5 A 3) Breakdown voltage: a) BV CBO = 30 V b) BV EBO = 25 V c) BV CEO = 30 V 5. Dòng I CBO cực đại tại điện áp V CB cực đại tại 25 o C = 10 mA 6. Hệ số khuếch đại dòng E tại V CE = 4V, I C = 5A: 10 dEd 18 7. Tần số cắt CE (cutoff frequency): f E = 30 kHz 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 4 1 Chương 4: PHÂN TÍCH & THIẾT KẾ MẠCH TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP 4.1 Giới thiệu 4.2 Các thông số Hybrid 4.3 Cấu hình E chung (Common Emitter – CE) 4.4 Cấu hình B chung (Common Base – CB) 4.5 Cấu hình C chung (Common Collector – CC) 4.6 Tóm tắt các thông số cơ bản trong ba cách mắc BJT 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 4 2 4.1 Giới thiệu 9 Phương pháp đồ thò 9 Tín hiệu nhỏ 9 Mô hình mạch tương đương tín hiệu nhỏ 4.2 Các thông số Hybrid x Mạng hai cửa: v 1 , i 1 , v 2 , i 2 x Các thông số đặc trưng: Trở kháng (impedance); dẫn nạp (admittance), hybrid, … x Các thông số hybrid: 2121111 vhihv  2221212 vhihi  Với TST: 211 vhihv r i  212 vhihi of  Đònh nghóa : 0 2 1 1 v i v h i = Trở kháng ngõ vào khi ngõ ra ngắn mạch 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com . be beCBOBEBB CQ RR RRIVV I )1( )()( D D   = 10. 6 mA b) i Tính các hệ số ổn đònh: 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 3 8 be be I RR RR S )1( D   = 5.25 mA/mA e V R S 1 | = - 10 mA/V » ¼ º « ¬ ª   ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § | eb eb CQ RR RR I S )1( 21 1 EE E . thực tế: - Giải quyết được bài toán lựa chọn Diode thích hợp (matching) với TST - Sử dụng trong các mạch tích hợp (Integrated Circuit) 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 3 10 x Ví dụ:. >@ 2 )1( )( be BEBB e CQ R RR VV R I S e D D   | w w = - 0.1 mA/: i Xác đònh các đại lượng biến thiên: )1( 1  ' 'TK CBOCBO eII = 0.11 mA TkV B E ' ' = -2 50 mV 12 E E E  ' = 50 CC V'