Chương 1 36 x Độ thay đổi điện áp: 9 Ví dụ: Xét Ví dụ 1a) trong phần trước. Giả sử I Zmin = 0.1I Zmax = 0.053A Diode Zener thực tế có giá trò điện trở động: r d = 2: Mạch tương đương: Điện áp ra: V omax = 10 + 0.53u2 = 11.1V V omin = 10 + 0.053u2 = 10.1V 9 Độ thay đổi điện áp: %Reg = (V omax – V omin ) / V o danh đònh (nominal) %Reg = (11.1 – 10.1) / 10 = 10% “Never, never, never give up.” - Winston Churchill, Sir (1874-1965) R i r d i L v o + _ V Z i Z Diode Zener lý tưởng 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 1 37 1.8 CÁC LOẠI DIODE KHÁC <Xem Giáo trình và TLTK [3]> 1.9 ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT 1.9.1 nh hưởng của nhiệt độ x nh hưởng lên đặc tuyến VA 9 Điện áp ngưỡng V J (turn-on voltage) )()()( 11 oo TTkTVTVV   ' JJJ k = 2.5 mV/ o C 9 Dòng phân cực ngược bão hòa I o )( 12 12 )()( TTK oo eTITI  K = 0.07 / o C x Quan hệ giữa công suất và nhiệt độ của Diode <Xem TLTK [2]> 9 Đònh luật Ohm PTT 2112 T  T 21 : Điện trở nhiệt (thermal resistance) giữa 2 và 1 ( o C / W) P: Công suất tiêu tán (power dissipation) tại 2 (W) 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 1 38 jjccj PTT T  jcaac PTT T  T j d T jmax : Cho trước bởi nhà sản xuất T jc : Hằng số, cho trước bởi nhà sản xuất T ca : Có thể thay đổi được, sử dụng tản nhiệt (heat sink) để giảm T ca  Giảm T j với cùng công suất P j (T a = constant) 9 Đường suy giảm công suất (Derating Curve) P j T j T c T a T jc T c 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 1 39 1.9.2 Thông số kỹ thuật <Xem TLTK [2], [3]> x Diode thông thường 1. Điện áp ngược cực đại (PIV – Peak Inverse Voltage) 2. Dòng phân cực nghòch cực đại tại PIV 3. Điện áp phân cực thuận cực đại 4. Giá trò trung bình của chỉnh lưu bán sóng 5. Nhiệt độ cực đại chỗ tiếp giáp pn T jmax 6. Đường suy giảm công suất x Diode Zener 1. Điện áp danh đònh (nominal reference voltage) V ZT 2. Độ thay đổi (tolerance) giữa các Diode 3. Công suất tiêu tán cực đại P max 4. Dòng điện thử (test current) I ZT 5. Điện trở động tại dòng thử R ZT 6. Dòng điện tại điểm gối I Zk 7. Điện trở động tại điểm gối R Zk 8. Nhiệt độ cực đại chỗ tiếp giáp pn T jmax 9. Hệ số nhiệt độ (temperature coefficient) TC, thể hiện sự thay đổi của V Z theo nhiệt độ 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 2 1 CHƯƠNG 2: TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP - BJT 2.1 Giới thiệu 2.2 Dòng chảy trong BJT 2.3 Khuếch đại dòng trong BJT 2.4 Giải tích mạch BJT bằng đồ thò 2.5 Tính toán công suất 2.6 Tụ Bypass vô hạn 2.7 Tụ ghép vô hạn 2.8 Mạch Emitter Follower 2.9 Mở rộng “We make a living by what we get, we make a life by what we give”. - Winston Churchill, Sir (1874-1965) 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 2 2 2.1 Giới thiệu x 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab) x Các loại transistor (TST): BJT, FET x BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp 2.2 Dòng chảy trong BJT x Cấu tạo và ký hiệu x Dòng chảy trong BJT EB: Phân cực thuận CB: Phân cực nghòch CBO E C III  D C B E III   CBO E B III  )1( D DD D CBO CB I II  ¸ ¹ · ¨ © §  1 Đặt: D D E  1 Lưu ý: Cấu hình B chung (CB – Common Base configuration) 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 2 3 2.2.1 Mối nối Emitter – Base (EB) Xem mối nối EB như một Diode phân cưc thuận hoạt động độc lập (i D = i E ; v D = v EB ) x DCLL và Đặc tuyến EB DCLL: e EE EB e E R V v R i  1 x Mạch tương đương đơn giản v E = V EBQ = V J (0.7V: Silicon; 0.2V: Germanium) r d = 0 e EBQEE EQ R VV I  0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com . 2.8 Mạch Emitter Follower 2.9 Mở rộng “We make a living by what we get, we make a life by what we give”. - Winston Churchill, Sir (187 4-1 965 ) 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 2 2 2.1. đònh (nominal) %Reg = (11.1 – 10.1) / 10 = 10% “Never, never, never give up.” - Winston Churchill, Sir (187 4-1 965 ) R i r d i L v o + _ V Z i Z Diode Zener lý tưởng 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương. TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP - BJT 2.1 Giới thiệu 2.2 Dòng chảy trong BJT 2.3 Khuếch đại dòng trong BJT 2.4 Giải tích mạch BJT bằng đồ thò 2.5 Tính toán công suất 2 .6 Tụ Bypass vô hạn 2.7 Tụ