nghiên cứu và chế tạo màng dẫn điện trong suốt zno pha tạp vanadium bằng phương pháp đồng phún xạ

96 852 1
nghiên cứu và chế tạo màng dẫn điện trong suốt zno pha tạp vanadium bằng phương pháp đồng phún xạ

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  PHÙNG NGUYỄN THÁI HẰNG LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - NĂM 2011 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO PHA TẠP VANADIUM BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐỒNG PHÚN XẠ ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  PHÙNG NGUYỄN THÁI HẰNG Chuyên ngành: Quang học Mã số: 604411 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS. LÊ VŨ TUẤN HÙNG THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - NĂM 2011 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO PHA TẠP VANADIUM BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐỒNG PHÚN XẠ LỜI CÁM ƠN Trong suốt quá trình học tập, nghiên cứu làm luận văn thạc sĩ tôi ñã nhận ñược rất nhiều sự quan tâm, giúp ñỡ tận tình của Quý Thầy Cô bạn bè. Sự quan tâm từ mọi người là ñộng lực lớn giúp em hoàn thành ñược luận văn này. Từ tận ñáy lòng mình em xin ñược gửi ñến tất cả mọi người lời cảm ơn sâu sắc nhất. Em xin trân trọng gửi lời cám ơn chân thành nhất ñến Thầy Lê Vũ Tuấn Hùng, người ñã tận tình hướng dẫn, truyền ñạt cho em những kiến thức, kinh nghiệm trong suốt thời gian qua. Em xin chúc Thầy nhiều sức khỏe ñể tiếp tục sự nghiệp “trồng người” có thật nhiều thành công, hạnh phúc trong cuộc sống. Em cũng không quên gởi lời cảm ơn ñến Thầy Hồ Văn Bình. Thầy luôn ñộng viên hỗ trợ về thiết bị cho em trong những lúc khó khăn nhất. Em xin ghi nhớ biết ơn quý Thầy Cô các anh chị công tác tại trường Đại học Khoa học Tự nhiên Tp Hồ Chí Minh ñã truyền ñạt cho em những tri thức mới cũng như tạo mọi ñiều kiện thuận lợi nhất cho em trong thời gian qua. Chị gởi lời cảm ơn tới hai em Nguyễn Phạm Quốc Duy Dương Thị Kim Trọn. Ba chị em mình ñã cùng nhau trải qua những khó khăn thử thách trong suốt quá trình thực hiện ñề tài này. Xin cảm ơn những người bạn trong lớp Cao học “ Quang học” “Vật lý Vô tuyến ñiện tử ” khóa 18 ñã chia sẻ, giúp ñỡ tôi trong suốt khóa học. Con xin cảm ơn mẹ cùng các em ñã khích lệ, ñộng viên, luôn ở bên cạnh tạo mọi ñiều kiện thuận lợi nhất ñể con yên tâm học tậpnghiên cứu khoa học trong suốt thời gian qua. Cuốn luận văn này cũng là món quà thiêng liêng con muốn gửi ñến hai người bố thân yêu của con thay cho lời biết ơn sâu sắc nhất mà con không còn cơ hội ñược nói nữa. Cuối cùng, em cám ơn anh, anh luôn là “bờ vai vững chắc” cho em trong cuộc sống. Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 1 MỤC LỤC DANH MỤC CÁC BẢNG 3 DANH MỤC CÁC HÌNH 4 MỞ ĐẦU 6 TỔNG QUAN 8 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ OXIT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT, VẬT LIỆU ZnO VẬT LIỆU V. 9 1.1. Đặc trưng của oxit dẫn điện trong suốt (TCO). 9 1.1.1 Độ dẫn điện. 9 1.1.2. Chỉ số hiệu dụng. 10 1.1.3. Độ rộng vùng cấm công thoát. 11 1.1.4. Sự ổn định tính chất theo nhiệt độ. 11 1.1.5. Độ bền cơ học. 12 1.1.6. Chi phí sản xuất. 12 1.2. Vật liệu ZnO. 12 1.2.1 Cấu trúc tinh thể ZnO. 12 1.2.2. Khuyết tật trong cấu trúc tinh thể ZnO. 14 1.2.3. Cấu trúc vùng năng lượng của ZnO. 17 1.3. Vật liệu V. 22 1.4. Vật liệu ZnO pha tạp. 24 1.4.1. Tính chất điện quang của màng ZnO pha tạp. 25 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC MỘT SỐ PHÉP ĐO XÁC ĐỊNH ĐẶC TRƯNG CỦA MÀNG 28 2.1. Phương pháp phún xạ magnetron DC. 28 2.1.1. Hệ magnetron phẳng. 28 2.1.2. Hệ magnetron không cân bằng. 31 2.1.3. Phún xạ phản ứng. 31 2.1.4. Các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình phún xạ. 32 2.2. Các phương pháp đo. 33 2.2.1. Xác định độ truyền qua của màng b ằng thiết bị V – 530 UV-vis spectrophotometer. 33 2.2.2. Phương pháp nhiễu xạ tia X. 35 Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 2 2.2.3. Phương pháp Stylus. 36 2.2.4. Phương pháp bốn mũi dò. ref 37 2.2.5. Xác định nồng độ hạt tải, độ linh động bằng phép đo Hall. 38 2.2.6 Xác định độ mấp mô màng mỏng bằng phương pháp đo AFM (Atomic force microscopy). 40 2.2.7 Phổ tán sắc năng lượng tia X (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy - EDS). 42 THỰC NGHIỆM 46 CHƯƠNG 3: THỰC NGHIỆM, KẾT QUẢ BÀN LUẬN. 47 3.1. Mục đích c ủa quá trình thực nghiệm. 47 3.2. Tiến trình thực nghiệm. 47 3.2.1. Chế tạo bia gốm ZnO. 47 3.2.2. Thiết kế lắp ráp hệ đồng phún xạ magnetron DC. 51 3.2.3. Quá trình xử lý bia đế. 53 3.2.4. Cách bố trí thí nghiệm. 54 3.2.5. Tạo màng ZnO:V. 56 3.3. Kết quả bàn luận. 57 3.3.1. Ảnh hưởng của khoảng cách bia đế h lên tính chất điện quang của màng bán dẫn loại n ZnO:V. 57 3.3.2. Ảnh hưởng của khoảng cách x (cm) tính từ biên vùng ăn mòn đến vị trí đặt mẫu lên tính chất của màng bán dẫn loại n ZnO:V. 63 3.3.3. Ảnh hưởng của công suất phún xạ của bia V lên tính chất điện quang của màng bán dẫn loại n ZnO:V. 68 3.3.4. Ảnh hưởng của nhiệt độ của đế lên tính chất điện quang của màng bán dẫn loại n ZnO:V. 74 CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN HƯỚNG PHÁT TRIỂN 80 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH 82 TÀI LIỆU THAM KHẢO 83 Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 3 DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1: Một số thông số của ZnO 13 Bảng 1.2: Một số thông số của V. 23 Bảng 1.3: Một số kết quả tạo màng ZnO pha tạp của các tác giả trên thế giới. 26 Bảng 3.1: Độ bán rộng kích thước hạt của các màng theo khoảng cách bia đế. 58 Bảng 3.2: Khảo sát các mẫu màng mỏng ZnO: V theo khoảng cách bia đế 60 Bảng 3.3: Ảnh hưởng của công suất phún xạ của bia V lên tính ch ất quang điện của màng ZnO:V 69 Bảng 3.4: Ảnh hưởng của nhiệt độ lên điện trở suất của màng VZO 75 Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 4 DANH MỤC CÁC HÌNH Hình 1.1. Cấu trúc tinh thể ZnO 12 Hình 1.2: Cấu trúc Wurtzite lục giác xếp chặt của mạng ZnO. 13 Hình 1.3. Biểu đồ mô tả hai dạng sai hỏng Schottky Frenkel 15 Hình 1.4. Giản đồ các mức khuyết tật của ZnO 17 Hình 1.5. Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng của ZnO 18 Hình 1.7. Bảo toàn véctơ sóng 22 Hình 1.6: Năng lượng photon được bảo toàn 22 Hình 1.8. Cấu trúc của nguyên t ử V. 22 Hình 1.9. Các trạng thái oxi hóa của V từ trái sáng phải là +2, +3, +4 +5 24 Hình 2.1. Hệ magnetron phẳng 29 Hình 2.2. Sự phân bố thế trong phóng điện khí 30 Hình 2.3. Hệ magnetron không cân bằng 31 Hình 2.4: Sơ đồ khối hệ đo truyền qua. 33 Hình 2.5. Sự nhiễu xạ tia X trên các mặt nguyên tử. 35 Hình 2.6. Sơ đồ khối của máy đo Stylus. 37 Hình 2.7: Sơ đồ phương pháp bốn mũi dò. 37 Hình 2.8. Nguyên tắc phép đo hiệu ứng Hall 39 Hình 2.9. Chuyển động của hạt tải điện 40 Hình 2.10. Sơ đồ khối kính hiển vi lực nguyên tử. 41 Hình 2.11. Sự sắp xếp quang học của một hệ AFM. 41 Hình 2.12. Mô hình gồ ghề đơn. 42 Hình 2.13. Nguyên lý của phép phân tích EDS 43 Hình 2.14. Sơ đồ nguyên lý của hệ ghi nhận tín hiệu phổ EDS trong TEM 44 Hình 2.15. Phổ tán sắc năng lượng tia X mẫu màng mỏng, ghi nhận trên kính hiển vi điện tử truyền qua FEI Tecnai TF20. 45 Hình 3.1. Cân kỹ thuật số. 48 Hình 3.2. Máy nghiền. 48 Hình 3.3. Máy sấy. 48 Hình 3.4. Máy ép thủy lực. 48 Hình 3.5. Lò nung. 48 Hình 3.6. Quy trình tạo bia phún xạ bằng phương pháp dung k ết 49 Hình 3.7. Chu trình nhiệt độ của quá trình dung kết 50 Hình 3.8. Bia ZnO sau khi chế tạo 50 Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 5 Hình 3.9. Bia ZnO sau khi phún xạ 50 Hình 3.10. Cấu tạo hệ magnetron. 51 Hình 3.12. Sơ đồ buồng chân không 51 Hình 3.11. Hệ phún xạ magnetron tại phòng thí nghiệm Quang- Quang Phổ. 51 Hình 3.13. Sơ đồ giá đỡ hệ cách bố trí thực nghiệm của hệ magnetron 52 Hình 3.14. Sơ đồ bố trí bia-đế của hệ đồng phún xạ 55 Hình 3.15. Phổ XRD của các màng ZnO:V theo khoảng cách bia đế. 58 Hình 3.16. Sự phụ thu ộc của cường độ đỉnh (002) vào khoảng cách bia đế 59 Hình 3.17. Sự phụ thuộc của kích thước hạt vào khoảng cách bia đế 59 Hình 3.18 Sự phụ thuộc của độ linh động vào khoảng cách bia đế. 61 Hình 3.19 Sự phụ thuộc của nồng độ hạt tải vào khoảng cách bia đế. 62 Hình 3.20 Sự phụ thuộc của điện trở suất vào khoảng cách bia đế. 62 Hình 3.21. Phổ truyền qua UV-Vis của các màng ZnO pha tạp V theo khoảng cách bia đế 63 Hình 3.22: Phổ XRD của các màng ZnO:V theo khoảng cách x 64 Hình 3.23: Sự phụ thuộc của ứng suất của màng ZnO:V theo khoảng cách x. 65 Hình 3.24: Sự phụ thuộc của kích thước hạt của màng VZO theo khoảng cách x 66 Hình 3.25. Sự phụ thuộc của điện trở suất nồng độ hạt tải của các màng ZnO:V theo khoảng cách x tính từ biên vùng ăn mòn đế n vị trí đặt mẫu 67 Hình 3.26: Sự phụ thuộc của điện trở suất của các màng ZnO:V theo khoảng cách x tính từ biên vùng ăn mòn đến vị trí đặt mẫu 67 Hình 3.27. Sự biến đổi điện trở suất của màng ZnO:V theo công suất của bia V 69 Hình 3.28. Sự biến đổi độ linh động của màng ZnO:V theo công suất của bia V 70 Hình 3.29. Sự biến đổi nồng độ hạt tải của màng ZnO:V theo công suất của bia V. 70 Hình 3.30. Phổ EDX của màng P 20W 72 Hình 3.31. Phổ EDX của màng P 50W 72 Hình 3.32: Phổ EDX của màng P 80W 73 Hình 3.33. Phổ XRD của các màng ZnO:V theo công suất của bia V 73 Hình 3.34. Phổ truyền qua của các màng phụ thuộc vào công suất phún xạ của bia V 74 Hình 3.36: Sự phụ thuộc điện trở suất của màng ZnO:V theo nhiệt độ đế. 76 Hình 3.37: Phổ nhiễu xạ tia X của các màng VZO theo nhiệt độ đế. 77 Hình 3.38: Phổ truyền qua của các màng VZO theo nhiệt độ đế. 78 Hình 3.39: Ảnh AFM của các màng VZO theo nhiệt độ đế. 79 Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 6 MỞ ĐẦU Ngày nay, việc nghiên cứu chế tạo các loại màng mỏng trong suốt dẫn điện (TCO) đã đang thu hút sự quan tâm của các nhà khoa học trên thế giới do khả năng ứng dụng vô cùng to lớn của nó trong khoa học cũng như trong đời sống hàng ngày như: cửa sổ pin mặt trời, bộ chuyển đổi áp điện, các thiết bị sóng âm bề mặt, các loại cảm biến khí, những thiết bị phát x ạ ánh sáng bước sóng ngắn, màn hình hiển thị phẳng, tế bào quang điện…. Hầu hết các thiết bị nói trên đều dựa trên lớp tiếp xúc p – n, đặc biệt là lớp tiếp xúc có tính trong suốt dẫn điện tốt. Vì vậy, việc nghiên cứu chế tạo các loại bán dẫn TCO loại n, loại p lần lượt được khám phá trên diện rộng. Đối với n – TCO, thông dụng nhất hiện nay là ôxít thiếc indium In 2 O 3 -SnO 2 (ITO) một số loại ôxít khác đã đang được nghiên cứu đưa ra ứng dụng như ôxít kẽm (ZnO), ôxít kẽm pha tạp nhôm (ZnO:Al hay AZO), ôxít kẽm pha tạp gali (ZnO:Ga hay GZO), ôxít thiếc (SnO 2 ), ôxít thiếc pha tạp antimo (SnO 2 :Sb)…[71]. Trong số các n – TCO nói trên thì ITO (In 2 O 3 – SnO 2 ) là điện cực tốt nhất. Tuy nhiên, giá thành để chế tạo ITO khá cao vì vật liệu In 2 O 3 là vật liệu hiếm trong tự nhiên mà ITO lại cần đến 90% In 2 O 3 trong thành phần của nó. AZO cũng có tính dẫn điện khá tốt nhưng nó lại ít bền ở nhiệt độ cao. Ngoài ra, GZO dẫn điện tốt nhưng nó cũng bị hạn chế giống với ITO là vật liệu Gali khá đắt hiếm. Các loại điện cực như SnO 2 SnO 2 :Sb có độ truyền qua tốt nhưng vẫn chưa cải thiện được tính dẫn điện để có thể thay thế cho ITO [69, 88]. Màng ZnO pha tạp được chế tạo bởi nhiều phương pháp khác nhau, bao gồm các phương pháp về phún xạ vật lý, phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD), phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE), phương pháp xung laser (PLD), phương pháp sol – gel,….Một trong những phương pháp hiện nay phổ biến ở nước ta là phương pháp phún xạ magnetron dc hoặc rf. Nhằm đóng góp một phần vào xu hướng phát triển chung của khoa học, Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 7 trong luận văn này, chúng tôi chế tạo màng trong suốt dẫn điện ZnO pha tạp V bằng phương pháp đồng phún xạ magnetron DC từ hai bia ZnO bia kim loại V. Để đánh giá chính xác các tính chất quang điện, cấu trúc, độ mấp mô bề mặt của màng thành phần pha tạp ở trên màng, chúng tôi đã sử dụng các phương pháp đo hiện đại, có độ tin cậy cao như: phương pháp UV – Vis, phương pháp nhiễu xạ tia X, phương pháp bốn mũi dò, phương pháp Stylus, phương pháp đ o Hall, phương pháp lực nguyên tử AFM, phương pháp EDX. [...]... dạng cấu trúc của ZnO 1.4.1 Tính chất điện quang của màng ZnO pha tạp Tùy vào vật liệu pha tạp vào ZnO mà tính chất điện quang của màng ZnO pha tạp khác nhau ZnO pha tạp nhóm kim loại IA (Li, Na…) có thể thành bán dẫn loại p do khi pha tạp nhóm kim loại này vào ZnO thì tạo ra mức acceptor trong vùng cấm năng lượng của ZnO sự dẫn điện của ZnO pha tạp loại này chủ yếu là Học viên: Phùng Nguyễn Thái Hằng... Mg, Mn Trong số các bán dẫn pha tạp nói trên thì ZnO pha tạp Sb hay Mg là bán dẫn loại p, còn hầu hết các bán dẫn còn lại là bán dẫn loại n [45, 46, 52, 60, 72, 77, 94, 98] Hơn thế nữa, nhiều nhà khoa học còn pha tạp phi kim vào ZnO như C, N, P…cũng nhằm mục đích nâng cao tính ứng dụng của ZnO Trong đó ZnO pha tạp N là bán dẫn loại p, nhưng việc chế tạo ra loại bán dẫn này còn gặp nhiều khó khăn vẫn... TỔNG QUAN VỀ OXIT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT, VẬT LIỆU ZnO VẬT LIỆU V 1.1 Đặc trưng của oxit dẫn điện trong suốt (TCO) Màng oxit dẫn điện trong suốt đã đang là đối tượng nghiên cứu thu hút rất nhiều sự quan tâm của nhiều phòng thí nghiệm trên thế giới Tính chất đặc biệt của vật liệu này là khả năng dẫn điện gần như kim loại nhưng lại trong suốt trong vùng khả kiến tương tự như các chất điện môi Do đặc... thép hợp kim, là nguyên liệu chế tạo các dụng cụ lắp ráp sửa chữa đòi hỏi có độ bền cơ học rất cao Đặc biệt, ngày nay khoa học đã tiến xa hơn trong việc sử dụng V làm nguyên liệu chế tạo màng mỏng để ứng dụng làm vật liệu từ hay màng dẫn điện trong suốt Riêng đối với đề tài khóa luận mà chúng tôi đang nghiên cứu ở đây, chúng tôi tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO pha tạp V Hình 1.9 Các trạng thái... đang được nghiên cứu thêm [98] Ngoài ra màng ZnO còn được nghiên cứu pha tạp với hai chất khác nhau, ví dụ như màng ZnO pha tạp với Al-N của tác giả Hu-Jie-Jin [47] , hay màng ZnO pha tạp với Al-CO của tác giả L.El Mir [72] , hoặc pha tạp ZnO với Ga-I của tác giả A Mitsui [58]…Tất cả đều hướng tới mục đích cải thiện tính chất vật lý khác nhau của màng để mở rộng phạm vi ứng dụng của chúng Trong luận... độ linh động cho tán xạ phonon trong tinh thể đơn ZnO pha tạp ít (n ~ 1016 cm-3) xấp xỉ a = 250 cm2/V.s ở nhiệt độ phòng [7] Đối với dẫn kim loại bán dẫn, tán xạ phonon phụ thuộc vào nhiệt độ, độ linh động tăng khi nhiệt độ giảm Tán xạ tạp ion hóa là cơ chế tán xạ trội trong vật liệu ZnO Khi màng ZnO được pha tạp nặng, chúng sẽ chuyển tiếp thành đặc trưng kim loại Nồng độ tạp bị ion hóa cao hơn... mà vật liệu TCO xuất hiện trong hầu hết các ứng dụng mà ở đó tính dẫn điện độ trong suốt cao được đồng thời yêu cầu [26, 28, 31, 66, 71, 86] Khả năng dẫn điện, độ trong suốt nhiều tính chất khác phụ thuộc vào cấu trúc màng TCO được chế tạo [19] Cấu trúc vô định hình, đa tinh thể hay đơn tinh thể, sự định hướng tinh thể, độ xếp chặt hay xốp, mức độ hợp thức sự pha tạp trong thành phần hoá học... Hùng tạp không xảy ra Trái lại, tạp trung hòa là cơ chế tán xạ trong dẫn kim loại Vật liệu bán dẫn có độ tinh khiết cao khi phần lớn nguyên tố ngoại được đưa vào để ion hóa pha tạp vật liệu Tán xạ tạp trung hòa không phải hàm của nhiệt độ, nhưng biến thiên theo nồng độ tạp trung hòa Tăng nồng độ tạp trung hòa, làm giảm độ linh động Trong trường hợp dẫn kim loại, tạp trung hòa tán xạ hạt tải bằng. .. donor gần đáy vùng dẫn Chính các mức donor này tích tụ các điện tử dư ra của các vật liệu pha tạp cung cấp cho vùng dẫn làm cho ZnO pha tạp loại này có độ dẫn điện tăng cao Về tính chất quang của các màng ZnO pha tạp nói trên thì hầu hết các màng đều có độ truyền qua trong vùng khả kiến khá tốt (> 80%) độ rộng vùng cấm quang có thể từ 3.2 – 3.5 eV tùy theo loại vật liệu pha tạp, sự chênh lệch... Phương pháp phún xạ magnetron có những ưu điểm như: nhiệt độ đế thấp, có thể tạo màng ở nhiệt độ phòng, độ bám dính của màng trên đế tốt, vận tốc phủ màng cao, đồng nhất cao về độ dày màng, mật độ màng gần với mật độ khối, dễ dàng điều khiển độ lặp lại cao trong quá trình chế tạo màng, phương pháp có chi phí không cao; có khả năng phủ màng trên diện tích rộng, có thể đạt 3m x 6m [17] Ngoài ra, bằng . NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS. LÊ VŨ TUẤN HÙNG THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - NĂM 2011 NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO PHA TẠP VANADIUM BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐỒNG PHÚN XẠ LỜI. THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - NĂM 2011 NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO PHA TẠP VANADIUM BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐỒNG PHÚN XẠ ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG. viên : Phùng Nguyễn Thái Hằng 7 trong luận văn này, chúng tôi chế tạo màng trong suốt dẫn điện ZnO pha tạp V bằng phương pháp đồng phún xạ magnetron DC từ hai bia ZnO và bia kim loại V. Để đánh

Ngày đăng: 19/06/2014, 09:44

Từ khóa liên quan

Mục lục

  • bia- luan van

  • bia-phu luc-LUAN VAN

  • Loi cam on

  • Full Master_thesis_of_thai_hang ok

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan