ĐIỆN TỬ CƠ BẢN 1 BÁN DẪN 3 LỚP BJT ; JFET ; MOSFET NOÄI DUNG BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS) MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FET) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU: C: Collector (c c thuự ) B: Base (c c ự n n)ề E: Emitter (cực phát) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÁU TAÏO THÖÏC TEÁ : B C E TO-92 TO-92 MOD B C E E C B TO-126 MOD TO-126 FM E C B TO-3 C B E B C E TO-3P B C E TO-220AB TO-3PFM TO-220FM TO-220CFM B C E B C E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IB NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: C B E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IC NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: ICBO C B BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IC IB NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: IE IC IB ICBO C B E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CÁC THÔNG SỐ BJT : EN IE IC IB IE IC IB C B E ICBO α = SỐ HẠT ĐẾN ĐƯC C SỐ HẠT PHÁT RA TỪ E IC = α.IE +ICBO IE = IB +IC β = IC IB HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI β = α 1 - α β + 1 β α = QUAN HỆ GIỮA α VÀ β : BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÙC THOÂNG SOÁ BJT : [...]... ùn g bã o hò a 4 3mA 3 RL L 7mA 6mA 6 5 VCC VCC IB B I + RL + VEE VEE 7 IC C C I C + E E Vùng tích cực 2mA 2 1mA 1 IE =0 mA 0 1 0 5 10 15 20 Vùng ngưng dẫn ZIN nhỏ (10÷100)Ω ; ZOUT lớn (50kΩ ÷ 1MΩ) Chỉ Khuếch Đại p Không Khuếch Đại Dòng VCB(V) BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) KIỂU NỐI E CHUNG (CE): IBI(µA) C (mA) 7 100 Vùng 90 bão hòa 70 6 50 3 RL 5 0 µA VCE = 10V = 20V IB = 40 4 0 µA IB = 30 Vùng tích cực... 4 VGS = -1V 3 IS VGS VP VGS = -2V 2 1 -4 -3 -2 -1 0 ID = 0mA VGS = -3VV DS VP VGS = -4V JFET (JUNCTION FET) JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) VGDS JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) IGSS VGDS IDSS Vp JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) VGDS JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) IGSS Vp IDSS MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU D_MOSFET: SiO2 D D N G P Kênh Dẫn N Đế P G Đế N SS P S S D D D G SS S Kênh Dẫn P SS N G... IC ≤ ICMAX CÁC THÔNG SỐ GIỚI HẠN CỦA BJT IC (mA) ICMAX I C max IB = 70µA IB = 60µA 50 Vùng bão hòa IB = 40µA 30 10 PMAX PCmax = VCE IC = 30 0 mW IB = 30 µA VÙNG LÀM VIỆC 20 VCE IC ≤ PCMAX VÙNG IB = 50µA 40 ICEO VCE BH ≤ VCE ≤ VCEMAX) IB = 20µA IB = 10µA IB = 0µA 0 VCE BH VCES 5 10 Vùng ngưng dẫn ICE0 15 20 VCE max VCE (V) VCEMAX JFET (JUNCTION FET) Drain(D) CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU: Kênh P Drain(D) Kênh N... Việc – Đặc Tính) 2 D  VGS  I D = I DSS  1 + − ÷  VP  ID RD N + Kênh N + e G e + VGS< 0V > VGS= 0V Đế P e + + ID(mA) IDSS + SS VDD N VGS > 0V VGS = 0V 8 7 6 5 4 VGS = -1V 3 S IS VGS VP VGS = -2V 2 1 -4 -3 -2 -1 0 ID = 0mA VGS = -3V VDS VP VGS = -4V D_MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ D_MOSFET: E_MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU E_MOSFET: SiO2 SiO2 D... 0 µA VCE = 10V = 20V IB = 40 4 0 µA IB = 30 Vùng tích cực µA IB = 20 µA IB = 10 0,2 5 0,4 VCE (BH) (b) µA IB = 0 1 10 RL IB = 80 µA IB = 70 IB = 60 µA VCE IB = 50 µA 2 30 VCE = 1V µA VCE 0,6 0,8 10 15 20 VBE (V) (V) ICEO Vùng ngưng dẫn ( a) BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) KIỂU NỐI C CHUNG (CC): ĐẶC TUYẾN GẦN NHƯ KIỂU CE ZIN lớn (50kΩ ÷ 1MΩ) ; ZOUT nh (vài trămΩ) DẠNG SÓNG RA ,VÀO ĐỒNG PHA R RLL KHÔNG KHUẾCH... S D D G D D G SS S SS P N G Đế N G SS S S S E_MOSFET(Nguyên Lý Làm Việc – Đặc Tính) D I D = k ( VGS − VT ) ID RD N ID(mA) ID(mA) ee e VGS= 0V VGS> 0V e ee N S IS Đế P + SS VDD 8 7 6 5 4 8 7 6 5 4 3 G e 2 3 2 2 1 1 VT 0 0 2 4 6 8 VGS VGS = 10V VGS = 8V VGS = 6V VGS = 4V VDS E_MOSFET(Nguyên Lý Làm Việc – Đặc Tính) . ĐIỆN TỬ CƠ BẢN 1 BÁN DẪN 3 LỚP BJT ; JFET ; MOSFET NOÄI DUNG BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) JFET (JUNCTION. bã o hò a I C (mA) 7mA 6mA 5 mA 4mA 3mA 2mA 1mA I E =0 mA Vùng ngưng dẫn V CB (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 1 0 5 10 15 20 0,2 0,4 0,6 0,8 V BE (V) 10 30 50 70 90 100 I B (µA) V CE = 1V V CE. THÖÏC TEÁ : B C E TO-92 TO-92 MOD B C E E C B TO-126 MOD TO-126 FM E C B TO -3 C B E B C E TO-3P B C E TO-220AB TO-3PFM TO-220FM TO-220CFM B C E B C E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IB NGUYEÂN