Đang tải... (xem toàn văn)
Giải bài toán khuếch tán của exiton trong cấu trúc đa lớp và cấu trúc tổ hợp với điều kiện biên khác nhau. Mô phỏng quá trình suy giảm năng lượng quang trong pin và trong từng cấu trúc của pin. Mô phỏng sự phân bố của điện trường bên trong pin cũng như từng lớp vật liệu trong pin. Giải thích và tối ưu hóa bề dầy các lớp vật liệu trong pin. Đánh giá chất lượng mô phỏng và tối ưu hóa thông qua việc chế tạo và thử nghiệm, và khảo sát thông số cơ bản một số mẫu pin mặt trời hữu cơ.
Mô phỏng và tối ưu hóa pin mặt trời hữu cơ cấu trúc nano đa lớp Phạm Thị Tuyết Lan Trường Đại học Công nghệ Luận văn ThS. ngành: Vật liệu và linh kiện Nanô (Chuyên ngành đào tạo thí điểm) Người hướng dẫn: TS. Đinh Văn Châu Năm bảo vệ: 2012 Abstract. Giải bài toán khuếch tán của exiton trong cấu trúc đa lớp và cấu trúc tổ hợp với điều kiện biên khác nhau. Mô phỏng quá trình suy giảm năng lượng quang trong pin và trong từng cấu trúc của pin. Mô phỏng sự phân bố của điện trường bên trong pin cũng như từng lớp vật liệu trong pin. Giải thích và tối ưu hóa bề dầy các lớp vật liệu trong pin. Đánh giá chất lượng mô phỏng và tối ưu hóa thông qua việc chế tạo và thử nghiệm, và khảo sát thông số cơ bản một số mẫu pin mặt trời hữu cơ. Keywords. Pin mặt trời; Linh kiện nano; Nano đa lớp Content Mở Đầu Sự khủng hoảng năng lượng, sự nóng lên toàn cầu, sự phát thải của khí nhà kính là một trong những căn nguyên lớn nhất đe dọa tương lai cuộc sống trên trái đất. Bên cạnh đó, khủng hoảng năng lượng, suy thoái kinh tế hiện nay và tính không ổn định của triển vọng sản xuất dầu và gas là động lực chính cho việc tìm kiếm và pha ́ t triê ̉ n ngu ồn năng lượng mới ít tốn kém hơn, an toàn hơn và sạch hơn. Trong số rất nhiều lựa chọn về giải pháp an ninh năng lượng bền vững, năng lượng quang điện (PV) được xem xét là một trong số các giải pháp tối ưu đảm bảo an ninh năng lượng mà rất nhiều quốc gia đang hướng tới, bắt đầu từ nghiên cứu cơ bản, triển khai thử nghiệm ứng dụng và tiến tới thương mại hóa. Chính vì vậy, so với các giải pháp năng lượng sạch khác, chuyển đổi quang điện có những tiến bộ vượt bậc về công nghệ, kỹ thuật và thương mại hóa. Pin mă ̣ t trơ ̀ i hư ̃ u cơ la ̀ một trong số các thiết bị quang điện hứa hẹn tiềm năng ứng dụng rộng rãi, đa dạng trong tất cả mọi lĩnh vực, từ an ninh quốc phòng, công nhiệp đến dân sinh. Pin mặt trời hữu cơ được hoạt đô ̣ ng theo nguyên ly ́ chuyê ̉ n đô ̉ i a ́ nh sa ́ ng tha ̀ nh điện năng thông qua việc sử dụng hợp chất hữu cơ hoạt quang phù hợp. Mặc dù đã được phát triển từ cuối những năm 50 của thế kỷ truớc, pin mặt trời hữu cơ không được quan tâm đúng mức cho đến khi hợp chất polymer liệp hợp được ứng dụng làm chất hoạt quang trong linh kiện, làm tăng đáng kể hiệu suất của linh kiện. Mặc dù vậy, hiệu suất của pin mặt trời hữu cơ vẫn thấp so với hiệu suất pin mặt trời vô cơ. Tuy nhiên, do có rất nhiều ưu điểm, chẳng hạn như có thể tạo ra màng mỏng trên nhiều dạng vật liệu khác nhau, hay như có thể dễ dàng chế tạo với giá thành thấp, nên pin mặt trời hữu cơ vẫn tiếp tục được nghiên cứu và phát triển, nhằm cải thiện hiệu suất chuyển hóa. Pin mặt trời hữu cơ là một trong những chủ đề quan trọng trong công nghiệp năng lượng cũng như trong an ninh năng lượng, không những của Việt Nam mà còn của rất nhiều quốc gia khác. Tuy nhiên, cho dù đã tập chung nghiên cứu, nhiều vấn đề hiện vẫn chưa được làm sáng tỏ. Chính vì vậy chúng tôi chọn đề tài luận văn của tôi là: “Mô phỏng và tối ưu hóa cấu trúc pin mặt trời hữu cơ cấu trúc nanô đa lớp”, nhằm mô tả sự khuếch tán của exciton được xử lý trong mô hình mô phỏng quá trình suy hao năng lượng quang bên trong pin và tối ưu hóa độ dày của các lớp khác nhau trong cấu trúc pin mặt trời hữu cơ. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của đề tài: Pin mặt trời hữu cơ là một trong những chủ đề quan trọng trong công nghiệp năng lượng cũng như trong an ninh năng lượng, không những của Việt Nam mà còn của rất nhiều quốc gia khác. Tuy nhiên, cho dù đã tập chung nghiên cứu, nhiều vấn đề hiện vẫn chưa được làm sáng tỏ. Đề tài tập chung xử lý vấn đề tối ưu và mô phỏng hóa pin mặt trời hữu cơ cấu trúc đa lớp sử dụng lớp hoạt động quang poly(2- methoxy-5(2’-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV) (finite diference method), bài toán mô tả sự khuếch tán của exiton được xử lý trong mô hình mô phỏng quá trình suy hao năng lượng quang bên trong pin. Điều này cho phép so sánh mật độ exiton và thông lượng qua mặt biên tiếp xúc giữa các lớp quang hoạt. Tối ưu hóa độ dày của các lớp khác nhau trong cấu trúc pin cũng được xác định thông quá kết quả mô hình. Nội dung của đề tài, các vấn đề cần giải quyết: - Giải bài toán khuếch tán của exiton trong cấu trúc đa lớp và cấu trúc tổ hợp với điều kiện biên khác nhau. - Mô phỏng quá trình suy giảm năng lượng quang trong pin và trong từng cấu trúc của pin. - Mô phỏng sự phân bố của điện trường bên trong pin cũng như từng lớp vật liệu trong pin. - Giải thích và tối ưu hóa bề dầy các lớp vật liệu trong pin. - Đánh giá chất lượng mô phỏng và tối ưu hóa thông qua việc chế tạo và thử nghiệm, và khảo sát thông số cơ bản một số mẫu pin mặt trời hữu cơ. Chương 1. Tổng Quan Về Pin Mặt Trời 1.1. Giới thiệu về pin mặt trời Việc chuyển đổi từ ánh sáng mặt trời thành dòng điện đòi hỏi sự hình thành của cả điện tích âm và điện tích dương cũng như một lực điều khiển có thể đẩy các điện tích đó qua mạch điện ngoài. Khi được kết nối với mạch điện bên ngoài, bất kỳ thiết bị điện nào, chẳng hạn một màn hình máy tính hay một động cơ của máy bơm nước, có thể sử dụng năng lượng mặt trời đã được chuyển đổi. Trên thực tế, một tế bào năng lượng mặt trời (hình 1.1) có thể được hình dung như một cái bơm mà ánh sáng mặt trời điều khiển electron: Chiều cao tối đa mà các electron có thể được “bơm” tương đương với điện áp cao nhất mà tế bào năng lượng mặt trời có thể đạt được. Dòng điện lớn nhất được quyết định bởi “tốc độ bơm”. Hình 1.1. Cấu tạo của một tế bào năng lượng mặt trời điển hình. Lớp màng hữu cơ (Organic Film) có thể là một hoặc nhiều lớp bán dẫn cũng có thể là một hỗn hợp hay một tổ hợp của chúng. Ở hình 1.2 mô tả các bước chuyển đổi của photon thành các hạt tải tách biệt được diễn ra trong tế bào năng lượng mặt trời hữu cơ. Nó cũng cho thấy cơ chế mất mát liên quan và sự liên hệ với số lượng điện được sử dụng trong sơ đồ mạch điện tương đương (Equivalance Circuit Diagram - ECD). Photon tới Bước chuyển đổi Cơ chế mất mát Các hạt tải đã phân tách tại các điện cực Hình 1.2. Các bước chuyển đổi chi tiết và cơ chế mất mát trong tế bào năng lượng mặt trời. Quá trình chuyển hóa quang năng thành điện năng bao gồm các bước sau: - Sự hấp thụ photon. - Sự hình thành và khuếch tán Exciton. - Sự phân tách hạt tải tại vùng tiếp xúc bề mặt. - Sự vận chuyển hạt tải. - Sự thu hạt tại ở mỗi điện cực. Hấp thụ ánh sáng Tạo thành Exciton Khuếch tán exciton Phân tách hạt tải Vận chuyển hạt tải Thu thập hạt tải - Phản xạ (I L ) Truyền qua (I L ) - Truyền qua (I L ) - Tái hợp của các exciton (I 0 ) - Truyền exciton với sự tái hợp của exciton sau đó (I 0 ) - Không có phân tách hạt tải và sau đó là tái hợp của exciton (I 0 ) - Tái hợp của các hạt tải (R sh ) - Độ linh động giới hạn của hạt tải (R s ) - Tái hợp gần các điện cực (R sh2 ) - Rào thế tại các điện cực (R s, I 0 ) Hình 1.3. Nguyên lý phân ly exciton và sự tách hạt tải trong một pin mặt trời hữu cơ heterojunction. 1.2. Sự khác nhau giữa pin mặt trời vô cơ và hữu cơ Sự khác nhau cơ bản giữa pin mặt trời vô cơ và pin mặt trời hữu cơ là ở chỗ vật liệu được sử dụng để tạo thành chúng. Dưới góc độ vật liệu, pin mặt trời hữu cơ được chia thành các loại sau đây: 1- Pin mặt trời hữu cơ chất màu nhạy sáng (Dye-sensitized OSCs) 2- Pin mặt trời phân tử (Molecular SCs) 3- Pin mặt trời hữu cơ cao phân tử (polymeric SCs) 4- Pin mặt trời hữu cơ tổ hợp (Mixed SCs) Hình 1.7 mô tả sơ đồ mạch của một pin mặt trời dựa vào cơ chế phát hạt tải bên trong SC. Trong trường hợp của pin mặt trời hữu cơ, điện tử và lỗ trống liên kết chặt chẽ với nhau và tạo một exciton (hình 1.7). Hình 1.7. Sơ đồ của một SC vô cơ (trái) và một SC nhiều mối nối hữu cơ (phải). 1.3. Các loại khác nhau của pin mặt trời hữu cơ 1. Pin mặt trời đơn lớp Pin mặt trời này còn được gọi bằng tên Schottky OSC do đặc tính chuyển tiếp Schottky của thiết bị. 2. Pin mặt trời dạng chuyển tiếp dị chất Trong cấu trúc này, ánh sáng đến từ điện cực dương trong suốt sẽ bị háp thụ và sinh ra một exciton. Exciton này khuếch tán tất theo tất cả các hướng (7-10 nm) tới bề mặt tiếp xúc của lớp cho và nhận nơi mà chúng được tách ra thành một lỗ trống và một điện tử. Sau đó, hạt tải này sẽ tiếp cận điện cực nhờ cách lực điện trường cũng như hiện tượng khuếch tán, và sẽ tạo ra dòng điện. 3. Pin mặt trời dạng chuyển tiếp dị chất Để giải quyết vấn đề của cấu trúc tiếp xúc dị chất dạng màng, một giải pháp được đưa ra đo là phối trộn các vật liệu quang họat khác nhau thành dạng tổ hợp khối lớp quang hoạt. Với giải pháp này diện tích bề mặt tiếp xúc được tăng lên, nên các exciton trước khi kết hợp lại đã được cơ may tách rời nhau ra tại bề mặt tiếp xúc. Loại OSC này được gọi là OSC tiếp xúc khối (BHJOSC). 1.4. Nguyên lý hoạt động của pin mặt trời hữu cơ So sánh sự khác biệt trong hình thành dòng điện của pin mặt trời hữu cơ và vô cơ có thể thể hiện trực quan bằng hình 1.12. Hình 1.12. Cơ chế chuyển đổi ánh sáng thành dòng điện trong thiết bị pin mặt trời vô cơ và hữu cơ. 1.5. Exciton Như đã biết, trong các tinh thể bán dẫn, exciton là cặp điện tử - lỗ trống được liên kết với nhau bằng tương tác Coulomb. Chúng được tạo ra khi vật liệu hoạt quang được chiếu sáng (photon), hoặc có thể được tạo ra bởi sự liên kết các điện tích trái dấu trong các linh kiện điện huỳnh quang dưới tác dụng của điện trường [19]. Năng lượng cần thiết để tạo ra chúng phải lớn hơn hoặc bằng độ rộng vùng cấm của vật liệu. Khi phân tử polymer dẫn nhận được năng lượng kích thích (ánh sáng điện trường, v.v) đủ lớn thì điện tử nằm trong vùng HOMO sẽ nhảy lên vùng LUMO, tạo ra điện tử trong vùng LUMO và để lại lỗ trống trong vùng HOMO. Do tương tác tĩnh điện, điện tử và lỗ trống liên kết với nhau tạo thành cặp gọi là exciton. Các exciton đó cần được phân tách ra trước khi hạt tải có thể được vận chuyển qua lớp màng và được thu lại tai các điện cực. Chương 2. Mô Phỏng Quá Trình Hoạt Động 2.1. Nguyên lý mô hình mô phỏng Nguyên lý cơ bản vận dụng cho mô phỏng sự suy giảm năng lượng quang bên trong pin mặt trời hữu cơ nằm ở chỗ coi ánh sáng kích hoạt pin có bản chất sóng điện từ trường. Sử dụng phương trình chuẩn tắc do Ghosh và Feng đưa ra để mô tả quá trình chuyển hóa điện trường ánh sáng thành dòng điện trong pin. Mô phỏng được dựa theo những giả thiết sau: 1. Các lớp màng trong kết cấu pin là liên tục và đẳng hướng, do vậy có thể sử dụng chiết suất phức để mô tả hiện tượng kích thích quang. 2. Mặt phẳng tiếp giáp giữa các lớp song song nhau và phẳng so với bước sóng ánh sáng. 3. Ánh sáng tới được xem xét là sóng phẳng. 4. Dòng hình thành trong pin do các exiton bị phân tách tại mặt biên. 5. Độ rộng khuếch tán của exiton không phụ thuộc vào năng lượng bị kích thích. 6. Mọi hạt tải được tạo ra sẽ hình thành nên dòng, nghĩa là không xảy ra hiện tái kết hợp giữa các hạt tải. 2.2. Phương trình toán học của điện trường và suy hao năng lượng quang của ánh sáng Hình 2.2. Cấu trúc m lớp trong thiết bị pin mặt trời. Trong mỗi lớp j (j=1,2 m) có chiều dày d j và năng lượng quang được mô tả bằng chiết suất phức. Năng lượng điện trường ở mỗi vị trí trong lớp j được chia thành hai thành phần: năng lượng điện trường dương và âm tương ứng với E j + và E j - . Điện trường tại mặt phẳng bất kỳ trong lớp j cách bề mặt biên (j-1)j về phía phải được xác định như sau: 0 jj jj j i x i x j E x E x E x t e t e E (2.23) Năng lượng suy hao mỗi giây trong lớp j tại vị trí x được xác định bởi công thức sau: 2 0 1 2 j j j j Q x c E x (2.24) 2.3. Phương trình khuếch tán exciton trong linh kiện Giả định rằng tổng số hạt mang điện trong số Exciton (n(x)) ở vị trí x (khoảng cách trong vùng kích thích), là nguyên do để khuếch tán và suy giảm, phương trình mật độ exciton trở thành: 2 1 2 () n n n D Q x t x h (2.27) Phân bố exciton cũng như chức năng từng vị trí mật độ dòng khuếch tán exciton ở bề mặt tiếp xúc trong lớp tích cực có thể được viết như phát sinh exciton phân bố: Ex 0 c x dn JD dx (2.35) Exc xd dn JD dx (2.36) Bằng giả định rằng, tốc độ trao đổi θ cho mật độ exciton để mật độ truyền dẫn (θ=2 và θ<2 bằng giả định tái kết hợp điện tử- lỗ trống ở bề mặt điện cực). Do đó, phương trình 3.36 và ϴ, dòng quang điện có thể được tính toán như là: oto ExPh c J q J (2.37) Dòng quang điện ngắn mạch trong pin mặt trời hữu cơ có thể được tính toán: oto 1 2 22 4 . . . . .sin '' d d d d Ph xd q TN J Ae B e e C e C (2.38) 2.4. Tối ưu hóa cấu trúc linh kiện Để tối ưu hóa độ dầy của lớp quang hoạt trong OPV, một số cách tiếp cận đã được sử dụng. Một trong số cách tiếp cận đã được sử dụng đó là cực đại hóa cường điện trường tại bề mặt của lớp hoạt quang. Cách tiếp cận này dựa vào nguyên lý mật độ excitons càng lớn nếu giá trị |E(x)| 2 càng lớn. Giả sử rằng các hạt tải điện chỉ phát sinh ở bề mặt tiếp giáp của các lớp hoạt động. Như vậy, mật độ dòng tổng thu được sẽ là: 12 12 0 ,, j photon x d x n x n x J q D D xx (2.41) với giả định rằng θ 2 = 1. Hiệu suất chuyển hóa quang điện toàn phần (IPCE), được tính toán theo công thức sau: 0 1240 Photo J IPCE I (2.42) Trong đó I 0 là cường độ ban đầu. Nếu xem xét sự phân bổ quang phổ của ánh sáng mặt trời I(λ), dòng tổng trong linh kiện có thể được xác định bằng phương trình sau đây Total J IPCE I d (2.43) Chương 3. Kết Quả Và Thảo Luận 3.1. Tính chất quang của vật liệu Chiết suất phức của vật liệu theo bước sóng ánh sáng được xác định bằng phương pháp phân tích phổ elipsometric. Hình 3.1 và 3.2 biểu diễn chiết suất thực và ảo tương ứng của vật liệu ITO, PEDOT, PCBM, Ca và Al được sử dụng trong mô hình cấu trúc linh kiện OPV. 300 400 500 600 700 800 1 1.5 2 2.5 3 3.5 Wavelength (nm) Refraction Index, n ITO PEDOT PCBM Ca Al Hình 3.1. Chiết suất thực của vật liệu thay đổi theo bước sóng ánh sáng tới 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 Wavelength (nm) Refraction Index, k ITO PEDOT PCBM Ca Al Hình 3.2. Chiết suất ảo của vật liệu thay đổi theo bước sóng ánh sáng tới 3.2. Phân bố ánh sáng trong cấu trúc linh kiện Sự hấp thụ ánh sáng của từng lớp cấu trúc trong linh kiện thay đổi theo phổ ánh sáng mặt trời có bước sóng trong khoảng 300 đến 800 nm được xác định bằng công thức 2.25 và biểu diễn trong hình 3.3. [...]... PEDOT và dạng acceptor: [6,6]-phenyl-C61 –butyric acid (viết tắt là PCBM) được sử dụng trong mô phỏng và tối ưu hóa Phương pháp sai phân hữu hạn được sử dụng để giải các phương trình khuếch tán của exciton và triển khai nó trong tính toán suy hao năng lượng quang trong pin khi pin ở chế độ làm việc Mật độ và cường độ dòng exiton qua bề mặt biên tiếp xúc của các lớp màng cũng được tính toán Trên cơ sở... tối ưu của lớp màng PCBM được xác định được là 72 nm tương ứng Luận văn còn trình bày một số kết quả tính toán đối với trường hợp bề mặt biên giữa hai lớp hoạt quang không phẳng Ảnh hưởng của điều kiện biên tới hệ số chuyển hóa của pin sử dụng hai vật liệu polymer hoạt quang trên cũng được khảo sát References Tiếng Việt [1] Nguyen Duc Nghia và cộng sự, Đề tài “Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời hữu cơ ,... Giản đồ mật độ dòng theo bề dày của lớp hoạt quang P3HTPCBMBlend DCB tại điều kiện chiếu sáng AM1.5 Theo kết quả trong hình 3.13, có thể dự đoán, linh kiện OPV sử dụng vật liệu P3HTPCBMBlend DCB sẽ cho cực đại dòng điện ngoài nếu bề dày của lớp hoạt quang trong khoảng 80nm Kết luận Dựa vào kết quả mô phỏng, kích thước của từng lớp trong cấu trúc pin được tối ưu hóa Thông số về tính chất quang của vật... 3.5 và 3.6, có thể thấy rằng, bề mặt PEDOT/PCBM là bề mặt biên hoạt động chính của linh kiện Đa số các exiton sẽ bị phân tách tại bề mặt này Do vậy việc mở rộng diện tích bề mặt này là một trong những giải pháp để gia tăng hiệu suất chuyển hóa của linh kiện 3.4 Suy giảm năng lượng quang trong lớp hoạt quang Lớp hoạt quang là thành phần quan trọng trong linh kiện vì phần lớn exiton được sinh ra trong lớp. .. phổ ánh sáng mặt trời ở điều kiện AM1.5, giản đồ mật độ exciton theo vị trí được tính toán bằng phương trình 3.28 và thể hiện trong hình 3.10 5 x 10 21 4.5 Generation rate /(sec-cm3) 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 140 160 180 200 Position in Device (nm) 220 240 Hình 3.10 Giản đồ mật độ exciton trong lớp hoạt quang PCBM của linh kiện tại điều kiện chiếu sáng AM1.5 PEDOT PCBM Ca 3.6 .Tối ưu hóa độ dầy lớp hoạt quang... kiện: alớp PCBM dày 80nm; b -lớp PCBM dày 35nm Có thể thấy rằng, giá trị của MSE trong lớp hoạt quang PCBM bị ảnh hưởng rất mạnh bởi độ dầy của màng Điều này cho thấy, có thể điều chỉnh độ dày của lớp hoạt quang để thay đổi đặc tính của linh kiện Bên cạnh đó, cũng có thể nhận thấy rằng MSE hầu như suy giảm nhanh chóng tại bề mặt biên của PCBM và Ca Chính vì vậy, có thể coi mặt tiếp xúc PCBM/Ca là bề mặt. .. hao năng lượng chủ yếu diễn ra tại khu vực giữa của lớp quang hoạt Như vậy có thể thấy rằng, đa phần exiton được sinh ra tại vùng trung tâm của lớp quang hoạt Đây là kết quả đáng chú ý vì nếu lớp hoạt quang quá dầy, phần lớn exciton sẽ không thể đến được bề mặt biên PEDOT/PCBM để phân tách thành hạt tải và như vậy, có thể làm giảm hiệu suất chuyển hóa của linh kiện Mật độ exiton tạo ra trong linh kiện... suất và cường độ hấp thụ ánh sáng của vật liệu Quan sát trên hình 3.5, nhận thấy rằng giá trị MSE bị gián đoạn tại bề mặt biên của các lớp vật liệu Điều này được giải thích bởi sự thay đổi giá trị của chiết suất thực n và hệ số dập tắt k thay đổi tại bề mặt biên Hình 3.5 cũng cho thấy, với ánh sang tới khác nhau thì giá trị MSE trên mỗi lớp cũng sẽ khác nhau Để thấy rõ sự ảnh hưởng của độ dầy lớp vật... ưu hóa độ dầy lớp hoạt quang Dựa theo nguyên lý dòng cực đại để tối ưu hóa bề dày lớp hoạt quang trong linh kiện với các điều kiện sau: Cấu trúc linh kiện: Thủy tinh/ITO_110nm/PEDOT_25/PCBM/Ca_7nm/Al_200nm; Chỉ thay đổi chiều dày màng PCBM; Hiệu suất lượng tử nội IQE=100%; Giản đồ miêu tả sự phụ thuộc của mật độ dòng điện theo bề dày lớp quang hoạt được thể hiện trong hình 3.11 6 Maximized point Current... trên bề mặt đế thủy tinh của điện cực truyền qua được tính toán theo công thức R trong hình 3.4 r 2 trong đó r nhận được từ phương trình 2.10 và 2.11 à được biểu diễn 0.5 1 Reflectance Absorption 0.9 0.3 0.8 0.2 0.7 0.1 Light Intensity Fraction 0.4 0.6 0 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 0.5 800 Wavelength (nm) Hình 3.4 Phản xạ và hấp thụ ánh sáng trên bề mặt thủy tinh của linh kiện Do lớp Al